專利名稱：一種高導(dǎo)電膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種高導(dǎo)電膜，屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，主要用運(yùn)于電容式觸摸屏及大尺寸顯示器件的制作當(dāng)中。
背景技術(shù)：
真空卷繞鍍膜技術(shù)就是在真空室內(nèi)通過熱蒸發(fā)或者磁控濺射等方法在卷料基材表面制備一層或者多層具有一定性能的薄膜的技術(shù)。由于柔性基材具有連續(xù)生產(chǎn)簡單、容易運(yùn)輸、可方便裁切成任意形狀、可彎曲包裹等優(yōu)勢(shì)一直是磁控濺射技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向。透明導(dǎo)電膜(TCO)目前最主要的應(yīng)用是ΙΤ0，還有其他AZO等。ITO薄膜是一種半導(dǎo)體透明薄膜，它是氧化銦錫(Indium Tin Oxide)英文名稱的縮寫。作為透明導(dǎo)電電極， ITO薄膜有良好的透明性和導(dǎo)電性。應(yīng)用ITO膜的這一特性，現(xiàn)實(shí)中常把它用在顯示設(shè)備 的透明電極。到目前，在柔性透明基板，即聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)上ITO鍍膜方法有很多種，盡管方法很多，目的無非就是提高膜的透過率和導(dǎo)電性。透過率以及導(dǎo)電率對(duì)顯示產(chǎn)品的品質(zhì)至關(guān)重要，當(dāng)然觸摸屏也不例外。但是PET材料本身具有一定的折射率n = 1.5^1.6之間，直接與空氣接觸的話材料上表面與下表面的反射率4. (Γ5. 3%，就是說PET材質(zhì)本身的透光率只能在89. 4^92%之間。在此基礎(chǔ)上直接鍍ITO膜的話，因?yàn)镮TO材料對(duì)光具有一定的吸收性，目前很多產(chǎn)品的透光率達(dá)不到85%以上，只有日本的少數(shù)幾家生產(chǎn)ITO膜的透光率高于85%。為了不影響薄膜的透光率，在實(shí)際操作中使用高透光率的柔性基板PET上減少ITO膜厚度的方法來減少ITO對(duì)可見光的吸收。但是隨之而來的是，因?yàn)楹穸葴p小而帶來的電導(dǎo)率變小等問題。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述缺陷，本實(shí)用新型的目的在于提供一種導(dǎo)電性能優(yōu)秀的高導(dǎo)電膜。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種高導(dǎo)電膜，它包括底層的柔性PET基材，在柔性PET基材上自下而上依次濺射有SiOx薄膜、Nb205薄膜，在Nb205薄膜上依次鍍有Si02薄膜和IT0/Ag/IT0復(fù)合膜。所述柔性PET基材折射率η=1· 56，膜片厚度為50- 200um。所述SiOx薄膜厚度為5_20nm。所述Si02薄膜折射率η=1· 46，厚度為30_60nm。所述IT0/Ag/IT0復(fù)合膜方阻在50-150 Ω/ □左右，厚度為20_100nm。所述Nb205薄膜折射率η=2· 3，厚度為5-lOnm。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型首先在PET柔性膜片上濺射一層SiOx薄膜，因?yàn)镾iOx薄膜有很強(qiáng)的粘附性，可以增加薄膜與基材的附著力；接著在SiOx薄膜上磁控濺射一層Nb205薄膜作為高折射率膜層，在Nb205薄膜上制備Si02薄膜作為低折射率的保護(hù)膜層。制作觸摸屏的過程當(dāng)中，通常在ITO膜上面用酸性液進(jìn)行蝕刻，因此需要不溶于酸堿的保護(hù)層來保護(hù)膜系結(jié)構(gòu)；最后在Si02薄膜上鍍透明導(dǎo)電復(fù)合材料IT0/Ag/IT0，其折射率遠(yuǎn)高于Si02薄膜，符合H/L/H高透過率膜系薄膜折射率高低相交替的原理。后期處理的時(shí)候，為了使金屬Ag薄膜不影響透過率，需要對(duì)柔性基材進(jìn)行拉伸或者收縮處理，Ag薄膜會(huì)分裂為細(xì)小的鱗狀結(jié)構(gòu)，夾雜在雙ITO膜層當(dāng)中，大大的提高了 ITO膜的導(dǎo)電性。

圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖I對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明
一種高導(dǎo)電膜，它包括底層的柔性PET基材I，在柔性PET基材I上自下而上依次濺射有SiOx薄膜2、Nb205薄膜3，在Nb205薄膜3上依次鍍有Si02薄膜4和IT0/Ag/IT0復(fù)合膜5。所述柔性PET基材I折射率η=1· 56，膜片厚度為50- 200um。所述SiOx薄膜2厚度為5_20nm。所述Si02薄膜4折射率η=1· 46，厚度為30_60nm。所述IT0/Ag/IT0復(fù)合膜5方阻在50-150 Ω / □左右，厚度為20_100nm。所述Nb205薄膜3折射率n=2. 3，厚度為5_10nm。
權(quán)利要求1.一種高導(dǎo)電膜，它包括底層的柔性PET基材(I)，其特征在于在柔性PET基材(I)上自下而上依次濺射有SiOx薄膜(2)、Nb205薄膜(3)，在Nb205薄膜(3)上依次鍍有Si02薄膜⑷和IT0/Ag/IT0復(fù)合膜(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高導(dǎo)電膜，其特征在于所述柔性PET基材(I)折射率η=1·56，膜片厚度為 50- 200um。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高導(dǎo)電膜，其特征在于所述SiOx薄膜(2)厚度為5-20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高導(dǎo)電膜，其特征在于所述Si02薄膜(4)折射率n=l.46，厚度為30-60nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高導(dǎo)電膜，其特征在于所述IT0/Ag/IT0復(fù)合膜(5)方阻在50-150 Ω/ □左右，厚度為 20-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的高導(dǎo)電膜，其特征在于所述Nb205薄膜(3)折射率n=2.3，厚度為5-10nm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高導(dǎo)電膜，屬于光電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，主要用運(yùn)于電容式觸摸屏及大尺寸顯示器件的制作當(dāng)中。它包括底層的柔性PET基材，在柔性PET基材上自下而上依次濺射有SiOx薄膜、Nb2O5薄膜，在Nb2O5薄膜上依次鍍有SiO2薄膜和ITO/Ag/ITO復(fù)合膜。因?yàn)镾iOx薄膜有很強(qiáng)的粘附性，可以增加薄膜與基材的附著力；最后在SiO2薄膜上鍍透明導(dǎo)電復(fù)合材料ITO/Ag/ITO，其折射率遠(yuǎn)高于SiO2薄膜，符合H/L/H高透過率膜系薄膜折射率高低相交替的原理。
文檔編號(hào)H01B13/00GK202694827SQ20122035312
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月20日
發(fā)明者郭東升 申請(qǐng)人:南昌歐菲光科技有限公司