專利名稱：：高透光導(dǎo)電膜系的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有高透過(guò)率和高耐久性的復(fù)合導(dǎo)電膜，涉及應(yīng)用該膜的各種觸摸屏。
背景技術(shù)：
：傳統(tǒng)的觸摸屏用的導(dǎo)電薄膜通常是直接在柔性基材上直接濺鍍或者涂布導(dǎo)電層而成。這種方式的導(dǎo)電膜的透過(guò)率不高，所以設(shè)置在觸摸屏下的畫(huà)面通常偏暗。經(jīng)過(guò)使用者的多次觸摸后，導(dǎo)電層容易斷裂引起電阻值變化，從而導(dǎo)致觸電計(jì)算的位置漂移或操作無(wú)反應(yīng)。另外，IT0導(dǎo)電膜在30(TC左右形成的膜層電阻值最理想，但由于大多數(shù)柔性樹(shù)脂基材的耐溫性只有15(TC左右，造成ITO導(dǎo)電膜方阻降低，所以必須要增加ITO的厚度，才能達(dá)到滿足的薄膜方阻。在厚度增加的時(shí)候，膜層透過(guò)率必然降低，則需要引入優(yōu)化的光學(xué)設(shè)計(jì)。如申請(qǐng)?zhí)枮?2803118.0，名稱為透明導(dǎo)電性層疊體及使用該層疊體的透明觸摸面板的專利申請(qǐng)，公開(kāi)了一種得到高透光的導(dǎo)電性層疊體膜，在有機(jī)高分子膜的至少一個(gè)面上依次疊層光學(xué)干涉層，透明導(dǎo)電層，光學(xué)干涉層由高折射率層和低折射率層構(gòu)成、且低折射率層與透明導(dǎo)電層連接，光學(xué)干涉層由交聯(lián)聚合物構(gòu)成的透明導(dǎo)電性疊層體中，前述光學(xué)干涉層含有由金屬氧化物及/或金屬氟化物構(gòu)成的一次粒徑在100nm以下的超微粒子A、以及/或者在高折射率層和低折射率層的至少其中之一內(nèi)含有平均一次粒徑在光學(xué)干涉層的膜厚1.1倍以上、并且在1.2iim以下的超微粒子B，其含量在交聯(lián)聚合物的0.5重量％以下。該專利申請(qǐng)公開(kāi)了用精密涂布的方式在導(dǎo)電膜層和柔性基層之間形成光學(xué)干涉層的方法，但事實(shí)上，精密涂布的方式設(shè)備門檻高，穩(wěn)定性差，且容易形成微觀島狀表面，造成至少數(shù)百nm乃至iim級(jí)別的表面起伏，同時(shí)疊加的層數(shù)越多則不平度越無(wú)規(guī)律或越嚴(yán)重，造成基于其上的透明導(dǎo)電層的厚度也不均勻，嚴(yán)重干擾電阻值的均勻度。其次，涂布方式的膜層本身實(shí)際上大多是宏觀非晶態(tài)，形成的晶體顆粒都過(guò)于小，細(xì)小的晶體粒子間的結(jié)合力弱，在外力的作用下會(huì)發(fā)生形變，不利于觸摸屏的性能穩(wěn)定。另外考慮到用精密涂布方式的膜層楊氏模量最高也只有幾GPa，且多數(shù)為百M(fèi)Pa，而如果此時(shí)ITO薄膜為濺射制備的，楊氏模量在幾十甚至上百GPa，就像玻璃放在沙灘上，受壓時(shí)斷裂的幾率大大增加；如果導(dǎo)電層也為涂布方式制備的，如上所述，其本身的耐久性也不高，在強(qiáng)外力的作用下會(huì)發(fā)生形變導(dǎo)致光學(xué)性質(zhì)及電阻變化。其次，精密涂布方式的可控性很差，很難做到膜厚的微調(diào)，并且要制造50nm以下的均勻薄膜幾乎是不可能的，而在這些方面，磁控濺射體現(xiàn)出了極大的優(yōu)勢(shì)。再次，如該申請(qǐng)所述的在光學(xué)干涉層摻雜有超微粒子，這樣做會(huì)增加觸摸屏的霧度，降低圖像的清晰度。又如申請(qǐng)?zhí)?00580012780.O，名稱為透明導(dǎo)電性層疊體及觸摸屏的申請(qǐng)，該申請(qǐng)公開(kāi)了一種透明導(dǎo)電性層疊體，在厚度為2120ym的透明薄膜基材的一側(cè)表面，按照透明的第一電介質(zhì)薄膜、透明的第二電介質(zhì)薄膜和透明導(dǎo)電性薄膜的順序依次層疊，在所述薄膜基材的另一表面，通過(guò)透明的粘合劑層貼合透明基體而成，第二電介質(zhì)薄膜是無(wú)機(jī)物或有機(jī)物和無(wú)機(jī)物的混合物，形成上述導(dǎo)電性薄膜的混合物，形成上述導(dǎo)電性薄膜材料的結(jié)晶中，最大粒徑為300nm或更小的結(jié)晶含量超過(guò)50面積X。所述透明導(dǎo)電性層疊體高度地滿足用作觸摸屏的彎曲筆輸入耐久性，但也同樣的面臨涂布方式的眾多問(wèn)題(如前面所述)。同時(shí)涂布方式的薄膜為非晶態(tài)，磁控濺射為均勻結(jié)晶形態(tài)。已知導(dǎo)電晶粒的尺寸越大，晶粒粒徑分布越均勻，薄膜整體導(dǎo)電性越好越穩(wěn)定，所以涂布方式的膜層導(dǎo)電性及均勻性不如磁控濺射的膜層，如果要達(dá)到相同的表面電阻值，涂布導(dǎo)電膜的厚度要大于濺射導(dǎo)電膜的厚度，較高的厚度無(wú)疑增加了材料的光吸收并降低了整體透過(guò)率，而且降低了薄膜強(qiáng)度。值得一提的是，該申請(qǐng)最后的部分實(shí)施例也舍棄涂布方式，轉(zhuǎn)用PVD的電子束蒸發(fā)鍍膜方法，但是電子束蒸發(fā)鍍膜方法形成的膜層附著力不如磁控濺射形成的膜層牢度高、致密性好、均勻性好，另外電子束蒸發(fā)鍍膜方法蒸發(fā)到基材上的材料不是離子化，所以無(wú)法實(shí)現(xiàn)反應(yīng)鍍膜，而磁控濺射方法可以實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射，如濺射Ti金屬或Nb與氧氣反應(yīng)得到折射率高的金屬氧化物材料，又如濺射Si與氮?dú)夥磻?yīng)生成Si^4，或與氧氣反應(yīng)生成Si02，以及這樣形成的高折射率與低折射率搭配的高透光學(xué)膜系。再如申請(qǐng)?zhí)?00820052006.3，名稱為柔性高阻多層透明導(dǎo)電膜，該專利申請(qǐng)公開(kāi)了在基材上先用磁控濺射技術(shù)形成有減反射功能的Ti02層和Si(^，在此減反射層上沉積銦錫氧化物層(ITO層)，在ITO層上再沉積對(duì)ITO層的保護(hù)層鋅鋁氧化物層或鋅鎵氧化物層(ZAO層或ZGO層)為頂層，該技術(shù)方案強(qiáng)調(diào)的是在柔性基材上沉積ITO層，不易得到穩(wěn)定性高、耐久性好、高溫穩(wěn)定性好的ITO導(dǎo)電膜，加之若在柔性基材上直接沉積ITO層，由于基材如PET膜很容易吸附水汽、氧氣，加之膜表面比較粗糙，膜表面吸附的水汽、氧氣很容易向沉積在PET膜上的ITO膜層擴(kuò)散，滲透擴(kuò)散極易使ITO穩(wěn)定性發(fā)生變化。所以此方案著眼對(duì)ITO膜進(jìn)行保護(hù)，從ITO膜兩面對(duì)其加強(qiáng)保護(hù)，在與PET膜之間，增加了Ti02與Si02兩層增透和隔離層，在ITO最外層增加頂層即ZAO或GZO層，此頂層為摻鋁氧化鋅或摻鎵氧化鋅，也是為了從外保護(hù)ITO層的高溫穩(wěn)定性，雖然談到了1102和Si(^層在這里的增透作用，但并沒(méi)有將至少兩層Ti02和Si02與ITO層從光學(xué)設(shè)計(jì)上進(jìn)行搭配和設(shè)計(jì)，所公開(kāi)的膜層厚度比如Ti02層為120nm，Si02層為95nm，也僅從隔離保護(hù)上給予方案設(shè)計(jì)，并沒(méi)有光學(xué)設(shè)計(jì)，并因有頂層ZAO或GZO膜層，使光學(xué)設(shè)計(jì)變得復(fù)雜，并沒(méi)有明顯增透結(jié)果，從Ti02和SiOj莫厚公開(kāi)信息計(jì)算，也并沒(méi)從光學(xué)增透上提出更好的增透方案，而觸摸屏除了對(duì)ITO導(dǎo)電性及穩(wěn)定性有較高要求外，對(duì)于高透光性及耐劃傷性、防污性也有很高要求，這涉及LCD屏幕的節(jié)電性和亮度值、耐劃傷性這些重要性能，因此需要將至少兩層Ti02和Si02與ITO從增透的光學(xué)膜厚及搭配上進(jìn)行方案設(shè)計(jì)并優(yōu)化，需在這個(gè)方案基礎(chǔ)上作改進(jìn)性的設(shè)計(jì)和創(chuàng)造，并需從基材另一面去提高和完善增透減反射及提高表面硬度及抗劃傷、防污等性能。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為了克服以上不足，提供一種具有高透過(guò)率及高耐久性的導(dǎo)電膜系。本發(fā)明的目的這樣來(lái)實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明高透光導(dǎo)電膜系，在透明基材的一表面依次沉積由高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜、低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜依次交錯(cuò)排列形成的至少兩層無(wú)機(jī)介質(zhì)膜的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層及位于該無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層最外層的透明導(dǎo)電膜層，透明導(dǎo)電膜層的厚度為滿足方塊電阻需要的厚度860nm，至少兩層的由高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜和低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜構(gòu)成的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層和透明導(dǎo)電膜層都采用真空磁控濺射的方法沉積，從而形成在380nm780nm光波長(zhǎng)范圍內(nèi)整體透過(guò)率達(dá)到85%以上的高透光導(dǎo)電膜系，即光學(xué)干涉膜系。由于磁控濺射得到的透明導(dǎo)電膜層為納米厚度，把濺射的透明導(dǎo)電膜層也考慮進(jìn)入光學(xué)設(shè)計(jì)內(nèi)，可以得到近似減反射增透射(AR)膜系的效果。利用磁控濺射方法，可以做到更加符合理論光學(xué)設(shè)計(jì)的膜系，因?yàn)槠渲苽涞哪又旅堋⒎€(wěn)定，材料的折射率與機(jī)械性能是穩(wěn)定可重現(xiàn)的，鍍膜精度也可以控制在lnm以下，薄膜厚度范圍也由幾nm到幾百nm，所以成品率高，性能產(chǎn)品性能穩(wěn)定。使用磁控濺射方法得到的透明導(dǎo)電膜，比較涂布方式和蒸發(fā)鍍方式來(lái)說(shuō)，具有更高的粒子離化率，更高的薄膜結(jié)晶化均勻程度，可以得到更優(yōu)良的薄膜導(dǎo)電率、表面電阻、強(qiáng)度和穩(wěn)定性。上述的高透光導(dǎo)電膜系，透明基材為玻璃板或樹(shù)脂板。上述的高透光導(dǎo)電膜系，透明基材為柔性樹(shù)脂膜。上述高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜是氧化鈦(Ti02)或者氧化鈮(Nb205)。上述高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜厚度范圍在6至50nm、折射率大于2.0，低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜厚度在20至150nm、折射率小于1.55，透明導(dǎo)電膜層厚度為8至60nm、折射率1.7至2.O，高折射率介質(zhì)優(yōu)選為氧化鈦(Ti02)或氧化鈮(Nb205)，厚度為730nm，低折射率介質(zhì)優(yōu)選為氧化硅(SiO》，厚度為30130nm，透明導(dǎo)電膜層為8至60nm，優(yōu)選為摻銦氧化錫(ITO)，厚度為1040nm，通過(guò)調(diào)整，整體透過(guò)率可以達(dá)到87%91%，如果在柔性透明基材的另一表面鍍有增透膜系，透過(guò)率可以達(dá)到90%95%。上述至少兩層的由高折射率和低折射率透光介質(zhì)構(gòu)成的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層和透光導(dǎo)電膜層的楊氏模量大于15GPa，由于選用了高楊氏模量的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層作為透明導(dǎo)電膜層的基礎(chǔ)層，可以利用各無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層的硬度和強(qiáng)度來(lái)保護(hù)透明導(dǎo)電膜層，使透明導(dǎo)電膜層的強(qiáng)度和壽命進(jìn)一步提高。上述透光導(dǎo)電膜層是氧化銦、氧化錫、氧化鋅、摻雜了銦的氧化錫(ITO)、摻雜了銻的氧化錫(ATO)、摻鋁的氧化鋅(AZO)中的至少一種組成的膜層。上述的高透光導(dǎo)電膜系，當(dāng)透明基材的折射率為nl，高折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜折射率為n2、低折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜折射率為n3、透明導(dǎo)電膜層的折射率為n4時(shí)，滿足n2>nl、或n2>n3、或n4>nl、或n4>n3。上述的高透光導(dǎo)電膜系，在透明基材的另一表面沉積至少兩層Ti02與Si(^、或Nb205與Si02形成的增透減反射膜層。上述的高透光導(dǎo)電膜系，在透明基材的另一表面沉積的增透減反射膜層最外層，利用低溫等離子體技術(shù)沉積有一層防劃傷、防污的有機(jī)硅薄膜。此防劃傷、防污的有機(jī)硅薄膜增加了減反射層的耐劃性和潤(rùn)滑性，一般為不影響其光學(xué)設(shè)計(jì)此膜厚為3至20nm，由于此材料折射率在1.4至1.5之間，與Si02折射率相同，也可以在光學(xué)設(shè)計(jì)上將此膜厚計(jì)算入Si02總厚度中，此有機(jī)硅薄膜用射頻輝光或微波輝光放電的高密度低溫等離子體化學(xué)氣相沉積方法沉積，比如用六甲基二硅氧烷的單體來(lái)沉積，已有公開(kāi)成熟的技術(shù)，不僅生產(chǎn)成本經(jīng)濟(jì)，沉積的膜有很好的耐劃和潤(rùn)滑性。上述的高透光導(dǎo)電膜系，在透明基材的另一表面與增透減反射膜層之間有一層與透明基材牢固覆合的有機(jī)增硬涂層。此有機(jī)增硬層使增透減反射膜層有大于3H鉛筆劃傷硬度，增加該膜的耐劃性能，該涂層使用丙烯酸的樹(shù)脂，采用雙組份聚氨酯粘結(jié)和/或光固化方法生產(chǎn)，已有成熟方法公開(kāi)。目前用巻繞(RolltoRoll)真空磁控濺射設(shè)備制備薄膜已經(jīng)十分成熟，生產(chǎn)效率高，穩(wěn)定性高，具有很強(qiáng)的可控性。濺射的薄膜已經(jīng)是市場(chǎng)上普遍存在的薄膜類型，薄膜的楊氏模量在幾十甚至上百GPa，濺射方式的膜層多數(shù)為致密堅(jiān)固的結(jié)晶態(tài)，比涂布方式接近晶體的理論導(dǎo)電率和折射率，物理和化學(xué)性能都更優(yōu)。因此，本發(fā)明采用真空磁控濺射技術(shù)，特別是用巻繞(RolltoRoll)真空磁控濺射技術(shù)來(lái)沉積導(dǎo)電薄膜及與其配合的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層形成的光學(xué)膜系來(lái)制造一種高透光的導(dǎo)電膜。本發(fā)明更精確地提高了導(dǎo)電膜的透光性能，同時(shí)利用真空磁控濺射方法得到的膜層提高了其強(qiáng)度和穩(wěn)定性，提高了透明導(dǎo)電膜層的性能和均勻度，高度地滿足觸摸屏筆輸入耐久性、光學(xué)穩(wěn)定性以及使用壽命。圖1為高透光導(dǎo)電膜系結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為高透光導(dǎo)電膜系透過(guò)率曲線圖1。圖3為高透光導(dǎo)電膜系透過(guò)率曲線圖2。圖4高透光導(dǎo)電膜系透過(guò)率曲線圖3。圖5高透光導(dǎo)電膜系透過(guò)率曲線圖4。圖6為筆尖按壓時(shí)的變形示意圖。圖7為高透光導(dǎo)電膜系另一結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式實(shí)施例1:圖l給出了本實(shí)施例1的高透光導(dǎo)電膜系結(jié)構(gòu)圖，參見(jiàn)圖l，柔性透明基材L為125i！m的PET薄膜L，由高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜和低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜形成的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層和透明導(dǎo)電膜層利用真空磁控濺射沉積從而形成在380nm780nm光波長(zhǎng)范圍內(nèi)整體透過(guò)率達(dá)到85%以上的光學(xué)干涉膜系。在125iim的PET薄膜的一表面上的一層高折射率介質(zhì)膜3為1102，一層低折射率介質(zhì)膜2為Si(^，透明導(dǎo)電膜層1為摻銦氧化錫(ITO)膜層。這三層鍍膜層的厚度如表1所示。125iim的PET薄膜L的上表面采用真空磁控濺射方法鍍有四層介質(zhì)的高透光(AR)膜系5，它們是Ti02(厚8nm)/Si02(厚30nm)線(厚30nm)/Si02(厚90nm)，在膜系5上面還利用低溫等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積了一層有機(jī)硅膜層6，厚度為10nm，此膜有極高的潤(rùn)滑性和耐劃性。在膜層5與基材L之間，有一層有機(jī)增硬涂層4，該層膜采用涂布方式在基材上沉積，為丙烯酸系樹(shù)脂，采用光固化方法成膜，以使膜層5和6有更高的抗劃性及硬度，可使表面達(dá)到3H鉛筆劃傷硬度。使用分光光度計(jì)測(cè)量高透光導(dǎo)電膜系的透過(guò)率曲線如圖2圖5所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>從圖2圖5中可以看出，調(diào)整各個(gè)膜層的厚度具有對(duì)透過(guò)率曲線控制的能力，如果ITO厚度根據(jù)需要的表面電阻值而確定了，1102和SiOj莫層的厚度是可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，得到一組最優(yōu)化的厚度值，并且可以具有很高的透過(guò)率。當(dāng)然，柔性透光基層的上表面也可印刷耐劃性高的抗眩光(AG)涂層，而不采用有機(jī)硅層。圖6為用筆按壓時(shí)薄膜的變形示意圖。從圖6中可以看出，具有相似硬度的介質(zhì)層2和3能夠?qū)ζ溥M(jìn)行保護(hù)。對(duì)該導(dǎo)電膜進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果如表2。測(cè)量方法如下(—)測(cè)量表面電阻用四探針表面電阻測(cè)試儀器測(cè)定若干點(diǎn)，用平均值表示。(二)測(cè)量打點(diǎn)特性先測(cè)量由復(fù)合導(dǎo)電膜構(gòu)成的觸摸屏上基板與下導(dǎo)電基板接觸時(shí)的初始電阻Ro，再在復(fù)合導(dǎo)電膜構(gòu)成的觸摸屏上基板側(cè)，使用硬度為40度的含有聚氨酯橡膠的棒(尖端7mm)，用負(fù)荷100g進(jìn)行100萬(wàn)次的中心打點(diǎn)，然后測(cè)量?jī)蓪?dǎo)電膜接觸時(shí)的電阻Rd，求出變化率(Rd/Ro)*100%，評(píng)價(jià)打點(diǎn)特性，用平均值表示。[OO39](三)測(cè)量高負(fù)荷筆輸入耐久性①使用含有聚縮醛的筆(筆尖0.8mm)，以負(fù)荷500g進(jìn)行30萬(wàn)次的滑動(dòng)，滑動(dòng)后測(cè)定線性變化。線性的測(cè)定在復(fù)合導(dǎo)電膜上施加5V的電壓，測(cè)定復(fù)合導(dǎo)電膜中A、B兩點(diǎn)的電壓，分別為Ea、Eb，A、B兩點(diǎn)距離為AB，在A、B間任意的測(cè)定點(diǎn)X的輸出電壓設(shè)為Ex，理論值設(shè)為Ep，AX之間的距離為x，由下面的公式可得線性變化Ep=[x+(Ea-Eb)/AB]+Ea線性變化(％)=[(Ep—Ex)/(Eb—Ea)]*100%②使用含有聚縮醛的筆(筆尖0.8mm)，以各種負(fù)荷進(jìn)行IO萬(wàn)次的滑動(dòng)，求出線性變化為1.5%的最大負(fù)荷。表2:<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>可以發(fā)現(xiàn)，這樣的復(fù)合導(dǎo)電膜具有優(yōu)良的可見(jiàn)光透過(guò)能力，同時(shí)也具有很強(qiáng)的筆輸入耐久性。實(shí)施例2:圖7給出了本實(shí)施例2復(fù)合導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)圖。參見(jiàn)圖7，本實(shí)施例2基本與實(shí)施例1同，與實(shí)施例l不同的是，可以由多層高折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜3和低折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜2交錯(cuò)排列構(gòu)成膜系，其各層膜厚度為:PET(厚175m)線(厚9nm)/Si02(厚36nm)/Ti02(厚30nm)/Si02(厚1lOnm)/ITO(厚20nm)，表面電阻450Q/□，也可以達(dá)到很高的透過(guò)率，可達(dá)到93%透光率。多層膜系的優(yōu)點(diǎn)是，可以降低鍍膜對(duì)透過(guò)光線顏色的干擾程度。上述各實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明的上述內(nèi)容作進(jìn)一步的說(shuō)明，但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明上述主題的范圍僅限于上述實(shí)施例。凡基于上述內(nèi)容所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本發(fā)明的范圍。權(quán)利要求一種高透光導(dǎo)電膜系，在透明基材的一表面依次沉積由高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜、低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜依次交錯(cuò)排列形成的至少兩層無(wú)機(jī)介質(zhì)膜的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層及位于該無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層最外層的透明導(dǎo)電膜層，其特征在于透明導(dǎo)電膜層的厚度為滿足方塊電阻需要的厚度8～60nm，至少兩層的由高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜和低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜構(gòu)成的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層和透明導(dǎo)電膜層都采用真空磁控濺射的方法沉積，從而形成在380nm～780nm光波長(zhǎng)范圍內(nèi)整體透過(guò)率達(dá)到85％以上的高透光導(dǎo)電膜系。2.如權(quán)利要求1所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于透明基材為玻璃板或樹(shù)脂板。3.如權(quán)利要求1所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于透明基材為柔性樹(shù)脂膜。4.如權(quán)利要求1所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜是氧化鈦或者氧化鈮。5如權(quán)利要求14之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜厚度在6至50nm、折射率大于2.0，低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜厚度在20至150nm、折射率小于1.55、透明導(dǎo)電膜層厚度為8至60nm、折射率1.7至2.0。6.如權(quán)利要求14之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于至少兩層的由高折射率和低折射率透光介質(zhì)構(gòu)成的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層和透明導(dǎo)電膜層的楊氏模量大于15GPa。7.如權(quán)利要求14之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于透明導(dǎo)電膜層是氧化銦、氧化錫、氧化鋅、摻雜了銦的氧化錫、摻雜了銻的氧化錫、摻鋁的氧化鋅中的至少一種組成的膜層。8.如權(quán)利要求l4之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于當(dāng)透明基材的折射率為nl，高折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜折射率為n2、低折射率的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜折射率為n3、透明導(dǎo)電膜層的折射率為n4時(shí)，滿足n2>nl、或n2>n3、或n4>nl、或n4>n3。9.如權(quán)利要求l4之一所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的另一表面沉積至少兩層Ti02與Si02或Nb205與Si02形成的增透減反射膜層。10.如權(quán)利要求9所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的另一表面沉積的增透減反射膜層最外層，利用低溫等離子體技術(shù)沉積有一層防劃傷、防污的有機(jī)硅薄膜。11.如權(quán)利要求9或10所述的高透光導(dǎo)電膜系，其特征在于在透明基材的另一表面與增透減反射膜層之間有一層與透明基材牢固覆合的有機(jī)增硬涂層。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種高透光導(dǎo)電膜系，在透明基材的一表面依次沉積由高折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜和低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)膜依次交錯(cuò)排列而形成的至少兩層無(wú)機(jī)介質(zhì)膜的無(wú)機(jī)介質(zhì)膜層，及位于該膜系最外層的透明導(dǎo)電膜層，透明導(dǎo)電膜層的厚度滿足方塊電阻需要值的厚度8～60nm，至少兩層的由高折射率和低折射率無(wú)機(jī)介質(zhì)構(gòu)成的膜層和透明導(dǎo)電膜層都采用真空磁控濺射的方法沉積，從而形成整體透過(guò)率達(dá)到85％以上的高透光導(dǎo)電膜系。本發(fā)明具有高電阻穩(wěn)定性和高透光性，適用于制造高透光導(dǎo)電材料，特別適用于耐溫能力在200℃以下的基材制成的導(dǎo)電材料。文檔編號(hào)G06F3/041GK101713834SQ200810046218公開(kāi)日2010年5月26日申請(qǐng)日期2008年10月7日優(yōu)先權(quán)日2008年10月7日發(fā)明者甘國(guó)工申請(qǐng)人:甘國(guó)工