專利名稱：多芯片集成封裝led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED芯片封裝領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
多芯片集成封裝因其低成本、高亮度成為新一代封裝方式，然而傳統(tǒng)集成封裝基板通常是MCPCB金屬基板(鋁基板)，電路置于絕緣層，電路絕緣層帶來的熱阻使芯片散熱困難；此外芯片通常簡單串聯(lián)或并聯(lián)，一旦有單顆失效，整個芯片組也隨之失效。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的是本方案通過重新設(shè)計基板與電路，提高集成封裝的散熱性、出光效率及可靠性。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為一種多芯片集成封裝LED，包括位于底層的金屬基板，所述的金屬基板的上表面鍍有銀層，所述的金屬基板的預(yù)定位置向下凹陷形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設(shè)置有電路、多個LED芯片，所述的電路包括正極電路、負(fù)極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片并聯(lián)于所述的中間電路與正極電路之間，另一部分LED芯片并聯(lián)于所述的中間電路與負(fù)極電路之間構(gòu)成通路，所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有封裝膠。優(yōu)選地，所述的金屬基板為鋁基板。優(yōu)選地，所述的金屬基板為不銹鋼基板。優(yōu)選地，所述的封裝膠為熒光粉封裝膠。由于采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明通過重新設(shè)計基板和電路，將芯片直接置于金屬基板從而提高散熱性，鍍銀凹杯設(shè)計將有效增加出光，獨特的電路設(shè)計將提高芯片可靠性。

附圖I為根據(jù)本發(fā)明的多芯片集成封裝LED的側(cè)視圖；附圖2為根據(jù)本發(fā)明的多芯片集成封裝LED的正視圖；其中1、金屬基板；2、銀層；3、LED芯片；4、封裝膠；5、凹杯；6、電路。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。參見附圖I與附圖2所示，本實施例中的多芯片集成封裝LED，包括位于底層的金屬基板1，金屬基板I的上表面鍍有銀層2，金屬基板I的預(yù)定位置向下凹陷形成若干凹杯5，各個凹杯5的底部設(shè)置有電路6、多個LED芯片3，電路6包括正極電路、負(fù)極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片3并聯(lián)于中間電路與正極電路之間，另一部分LED芯片3并聯(lián)于中間電路與負(fù)極電路之間構(gòu)成通路，凹杯5的內(nèi)腔中填充有封裝膠6。其中，金屬基板I為鋁基板、不銹鋼基板或者由其它金屬材料制成；封裝膠6為熒光粉封裝膠。本發(fā)明的設(shè)計要點在于I.提高散熱集成封裝所用基板為金屬基板，將芯片直接置于金屬基板上，避開傳統(tǒng)MCPCB的絕緣層；2.提高出光金屬基板并且做出若干凹杯，并且基板整面鍍銀；3.提高可靠性使用三條電路(正極電路、中間電路、負(fù)極電路)，所有芯片都與中間電路聯(lián)接，萬一有單顆芯片失效，也不會影響其余芯片。從而，將芯片直接置于金屬基板從而提高散熱性，鍍銀凹杯設(shè)計將有效增加出光，獨特的電路設(shè)計將提高芯片可靠性。以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種多芯片集成封裝LED，其特征在于包括位于底層的金屬基板(1)，所述的金屬基板(I)的上表面鍍有銀層(2)，所述的金屬基板(I)的預(yù)定位置向下凹陷形成若干凹杯(5),各個所述的凹杯(5)的底部設(shè)置有電路(6)、多個LED芯片(3)，所述的電路(6)包括正極電路、負(fù)極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片(3)并聯(lián)于所述的中間電路與正極電路之間，另一部分LED芯片(3)并聯(lián)于所述的中間電路與負(fù)極電路之間構(gòu)成通路，所述的凹杯(5)的內(nèi)腔中填充有封裝膠(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多芯片集成封裝LED，其特征在于所述的金屬基板(I)為鋁基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多芯片集成封裝LED，其特征在于所述的金屬基板(I)為不鎊鋼基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多芯片集成封裝LED，其特征在于所述的封裝膠(6)為熒光粉封裝膠。
專利摘要本實用新型涉及一種多芯片集成封裝LED，包括位于底層的金屬基板，所述的金屬基板的上表面鍍有銀層，所述的金屬基板的預(yù)定位置向下凹陷形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設(shè)置有電路、多個LED芯片，所述的電路包括正極電路、負(fù)極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片并聯(lián)于所述的中間電路與正極電路之間，另一部分LED芯片并聯(lián)于所述的中間電路與負(fù)極電路之間構(gòu)成通路，所述的凹杯的內(nèi)腔中填充有封裝膠。本實用新型通過重新設(shè)計基板和電路，將芯片直接置于金屬基板從而提高散熱性，鍍銀凹杯設(shè)計將有效增加出光，獨特的電路設(shè)計將提高芯片可靠性。
文檔編號H01L33/62GK202384402SQ20122001004
公開日2012年8月15日 申請日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月11日
發(fā)明者華斌 申請人:蘇州玄照光電有限公司