本發(fā)明涉及一種具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝。

背景技術(shù)：
封裝解決方案持續(xù)發(fā)展以滿足受具有更高集成電路密度的電子系統(tǒng)影響的日益嚴(yán)格的設(shè)計(jì)限制。例如，用于將電源和接地以及輸入/輸出（I/O）信號(hào)提供給單個(gè)半導(dǎo)體封裝內(nèi)的多個(gè)有源芯片的一種解決方案利用了一個(gè)或多個(gè)中間層來(lái)將有源芯片電耦接至封裝基板。然而，隨著趨向更大規(guī)模集成系統(tǒng)的趨勢(shì)通過(guò)將越來(lái)越多的有源芯片一同封裝而繼續(xù)，例如，這些系統(tǒng)對(duì)于由于不充分的散熱和/或電磁屏蔽和/或差的信號(hào)完整性的性能下降的脆弱性可能變得尖銳。考慮到對(duì)通過(guò)更先進(jìn)的系統(tǒng)級(jí)封裝實(shí)施來(lái)確?？煽啃阅艿倪@些及其他挑戰(zhàn)，單使用中間層可能不能提供用于容納形成大規(guī)模集成系統(tǒng)的有源芯片中的功率和熱量分布的最佳解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明提供了一種系統(tǒng)級(jí)封裝，包括：第一有源芯片，其具有在所述第一有源芯片的上表面上的第一多個(gè)電連接器；中間層，其位于所述第一有源芯片上方；第二有源芯片，其具有在所述第二有源芯片的下表面上的第二多個(gè)電連接器；所述中間層被配置為選擇性將所述第一多個(gè)電連接器中的至少一個(gè)耦接至所述第二多個(gè)電連接器中的至少一個(gè)；插槽，其包圍 所述第一有源芯片和所述第二有源芯片以及所述中間層，所述插槽電耦接至所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層中的至少一個(gè)。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述中間層包括至少一層選擇性導(dǎo)電膜。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分散于其中的納米線或納米管的聚合物基體。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述插槽被配置為屏蔽所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層使之免于電磁干擾。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供共用封裝接地。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供散熱片。本發(fā)明還提供了一種系統(tǒng)級(jí)封裝，包括：第一有源芯片，其具有在所述第一有源芯片的上表面上的第一多個(gè)電連接器。選擇性導(dǎo)電膜，其位于所述第一有源芯片上方；第二有源芯片，其具有在所述第二有源芯片的下表面上的第二多個(gè)電連接器；所述選擇性導(dǎo)電膜被配置為選擇性將所述第一多個(gè)電連接器中的至少一個(gè)耦接至所述第二多個(gè)電連接器中的至少一個(gè)；插槽，其包圍所述第一有源芯片和所述第二有源芯片以及所述選擇性導(dǎo)電膜。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述插槽電耦接至所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜中的至少一個(gè)。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述插槽被配置為屏蔽所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜使之免于電磁干擾。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜提供共用封裝接地。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜提供散熱片。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分布于其中的納米線或納米管的聚合物基體。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分布于其中的導(dǎo)電體的聚合物基體。上述系統(tǒng)級(jí)封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括各向異性導(dǎo)電膜（ACF）。本發(fā)明提供了一種用于制造系統(tǒng)級(jí)封裝的方法，所述方法包括：配置第一有源芯片，所述第一有源芯片具有在所述第一有源芯片上表面上的第一多個(gè)電連接器；將中間層置于所述第一有源芯片上方；將第二有源芯片置于所述中間層上方，所述第二有源芯片具有在所述第二有源芯片的下表面上的第二多個(gè)電連接器；利用所述中間層選擇性將所述第一多個(gè)電連接器中的至少一個(gè)耦接至所述第二多個(gè)電連接器中的至少一個(gè)；將所述第一有源芯片和所述第二有源芯片以及所述中間層密封在插槽中，所述插槽電耦接至所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層中的至少一個(gè)。上述方法中，所述中間層包括至少一層選擇性導(dǎo)電膜。上述方法中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分布于其中的納米線或納米管的聚合物基體。上述方法中，所述插槽被配置為屏蔽所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層使之免于電磁干擾。上述方法中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供共用封裝接地。上述方法中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供散熱片。附圖說(shuō)明本公開(kāi)針對(duì)具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝，結(jié)合至少一個(gè)附圖充分示出和/或描述了該系統(tǒng)級(jí)封裝，并在權(quán)利要求中更完整地做了敘述。圖1示出了具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝的一種實(shí)施的截面圖。圖2示出了具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝的另一實(shí)施的截面圖。圖3示出了給出一種用于制造具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝的示例性方法的流程圖。具體實(shí)施方式以下描述包括關(guān)于本公開(kāi)中的實(shí)施方式的具體信息。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本公開(kāi)可以不同于本文具體討論的方法來(lái)實(shí)施。本申請(qǐng)中的附圖及其所附詳細(xì)描述僅針對(duì)示例性實(shí)施。除非指出，否則圖中相似或相應(yīng)的元件可由相似或相應(yīng)的附圖標(biāo)記來(lái)表示。此外，本申請(qǐng)中的附圖和圖示一般不成比例，且并非旨在符合實(shí)際的相對(duì)尺寸。圖1示出了具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝的一種實(shí)施的截面圖。如圖1所示，系統(tǒng)級(jí)封裝100包括第一有源芯片110、第二有源芯片120以及包括中介層電介質(zhì)132和穿過(guò)中間層的連接134a和134b的中間層130，其全部被包括插槽接觸162的插槽160包圍。此外，系統(tǒng)級(jí)封裝100包括用于將第二有源芯片粘附至插槽160內(nèi)表面的粘附層164、包括將第一有源 芯片110的上表面111粘附至中間層130的微凸塊112a和112b的微凸塊112、包括將第二有源芯片120的下表面121粘附至中間層130的微凸塊122a和122b的微凸塊122。圖1中還示出了將系統(tǒng)級(jí)封裝110電連接至基板102的焊球104，基板102可以是例如封裝基板或印刷電路板。需要注意，盡管僅一個(gè)焊球104被圖1中的附圖標(biāo)記具體指出，但任何或全部所示的將系統(tǒng)級(jí)封裝100連接至基板102的焊球均可被表征或稱作焊球104。此外，盡管各微凸塊112和微凸塊122中僅一個(gè)被這樣明確標(biāo)注，但示出在第一有源芯片110上表面111上的任何或全部微凸塊（包括微凸塊112a和112b）均可被表征或稱作微凸塊112，同時(shí)，示出在第二有源芯片120下表面121上的任何或全部微凸塊（包括微凸塊122a和122b）均可被表征或稱作微凸塊122。如圖1所示，第一有源芯片110具有在第一有源芯片110上表面111上的微凸塊112形式的電連接器。再如圖1所示，中間層130位于第一有源芯片110和微凸塊122上。此外，根據(jù)圖1所示的實(shí)施方式，包括在第二有源芯片120的下表面121上的微凸塊122形式的電連接器的第二有源芯片120被示出在中間層130之上。需要注意，如圖1所示，中間層130被配置為將至少一個(gè)微凸塊112選擇性耦接至至少一個(gè)微凸塊122。換言之，根據(jù)本實(shí)施，中間層130被配置為提供穿過(guò)中間層的連接134a用于選擇性將第一有源芯片110上表面111上的微凸塊112a耦接至第二有源芯片120下表面121上的微凸塊122a，以及通過(guò)選擇性提供穿過(guò)中間層的連接134b來(lái)選擇性將微凸塊112b連接至微凸塊122b。如圖1所示，根據(jù)一種實(shí)施方式，插槽160包圍第一有源芯片110、第二有源芯片120和中間層130，并由插槽接觸162電連接至中間層130。插槽160可以是導(dǎo)電和導(dǎo)熱的插槽，且可以由例如金屬或合金（諸如銅或銅合金）制成?？蛇x地，插槽160可由非金屬材料（諸如塑料或模塑料）制成，但卻具有電布線和/或一個(gè)或多個(gè)在其中形成的接地面來(lái)通過(guò)插槽接觸162提供電連接。在一種實(shí)施方式中，例如，插槽160可被配置為 屏蔽第一有源芯片110、第二有源芯片120和中間層130使之免于電磁干擾和/或被配置為向包括第一有源芯片110、第二有源芯片120和中間層130的系統(tǒng)級(jí)封裝100提供共用封裝接地。此外，在一些實(shí)施方式中，插槽160可被配置為向第一有源芯片110、第二有源芯片120和中間層130提供散熱片，以能夠增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)封裝100的熱耗散。在又一實(shí)施方式中，插槽160可被配置為向系統(tǒng)級(jí)封裝100提供增強(qiáng)的環(huán)境保護(hù)，諸如潮濕保護(hù)。例如，第一有源芯片110和第二有源芯片120可以是封裝或未封裝的芯片。如圖1所示，第二有源芯片120由粘附層164粘附至插槽160內(nèi)表面，粘附層164也可被實(shí)施為用作熱分流器，以使得將插槽160有效用作第二有源芯片120的散熱片。粘附層164可以是例如芯片粘結(jié)膜（DAF），或任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)熱粘結(jié)材料。需要注意，盡管圖1所示實(shí)施描述了系統(tǒng)級(jí)封裝100具有兩個(gè)由插槽160包圍并由中間層130電耦接在一起的有源芯片，例如第一有源芯片110和第二有源芯片120，但在一種實(shí)施中，除第一有源芯片110和第二有源芯片120之外的幾個(gè)或甚至許多有源芯片可由一個(gè)或多個(gè)中間層（諸如中間層130）電耦接在一起，并被插槽160包圍以根據(jù)本發(fā)明原理形成系統(tǒng)級(jí)封裝。如上所述，中間層130包括中間層電介質(zhì)132和形成在中間層電介質(zhì)中的穿過(guò)中間層的連接134a和134b。例如，中間層電介質(zhì)132可由剛性介電材料（諸如纖維強(qiáng)化雙馬來(lái)酰亞胺三嗪（BT）、FR-4、玻璃或陶瓷）形成?？蛇x擇地，中間層電介質(zhì)132可由環(huán)氧酚或氰酸鹽環(huán)氧酯構(gòu)建材料形成。作為一個(gè)具體實(shí)例，在一種實(shí)施中，中間層電介質(zhì)132可由AjinomotoTM構(gòu)建材料（ABF）形成。根據(jù)該示例性實(shí)施方式，可在用于形成中間層電介質(zhì)132的構(gòu)建期間，使用本領(lǐng)域內(nèi)已知的任何合適技術(shù)來(lái)形成穿過(guò)中間層的連接134a和134b。在又一實(shí)施方式中，中間層130可包括至少一個(gè)選擇性導(dǎo)電膜。例如，如圖1具體所示，中間層電介質(zhì)132可以是由聚酰亞胺膜或其它適當(dāng)聚合物基體形成的柔性電介質(zhì)，其具有用于選擇性提供穿過(guò)中間層的連接（諸 如穿過(guò)中間層的連接134a和134b）的分布于其中的導(dǎo)電體。作為一個(gè)具體實(shí)例，在一種實(shí)施方式中，中間層130可由B級(jí)聚合物膜形成，其用作中間層電介質(zhì)132且具有分布于其中的導(dǎo)電體（諸如導(dǎo)電納米線或?qū)щ娂{米管）。在一些實(shí)施方式中，該導(dǎo)電體可大致均勻分布在中間層電介質(zhì)132中，并使它們的主軸（例如，納米線或納米管的長(zhǎng)軸）方向大致平行于中間層130的平面。在這種實(shí)施方式中，外部場(chǎng)（諸如外部電磁場(chǎng)）例如可被施加在中間層電介質(zhì)132上，以選擇性將分布于其中的一些導(dǎo)電體重定向，從而形成穿過(guò)中間層的連接134a和134b。當(dāng)形成選擇性導(dǎo)電膜時(shí)，例如，中間層130隨后可經(jīng)過(guò)固化處理（諸如紫外線（UV）固化或其他輻射固化）來(lái)永久建立穿過(guò)中間層的連接134a和134b。根據(jù)圖1所示實(shí)施方式，第一有源芯片110和第二有源芯片120分別通過(guò)微凸塊112和122電連接至中間層130。然而，需要注意，更一般地，微凸塊112和122可相當(dāng)于任何適于將第一有源芯片110和第二有源芯片120耦接至中間層130的電連接器。因此，在其他實(shí)施方式中，微凸塊112和/或122可相當(dāng)于導(dǎo)電柱或?qū)щ姉U，例如，諸如由銅形成的金屬柱或金屬桿。此外，在其他實(shí)施方式中，焊球104可相當(dāng)于任何適于在系統(tǒng)級(jí)封裝100與基板102之間形成穩(wěn)定電連接的導(dǎo)電體?，F(xiàn)轉(zhuǎn)向圖2，圖2示出了具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝的另一實(shí)施的截面圖。如圖2所示，系統(tǒng)級(jí)封裝200包括第一有源芯片210、第二有源芯片220、包括中間層電介質(zhì)232和穿過(guò)中間層的連接234a和234b的第一中間層230、第三有源芯片240以及包括中間層電介質(zhì)252和穿過(guò)中間層的連接254c和254d的第二中間層250，其全部被包括插槽接觸262的插槽260包圍。需要注意，盡管對(duì)應(yīng)于附圖標(biāo)記210、220和240的特征當(dāng)前被表征為相應(yīng)的有源芯片，但在其他實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)這些特征可以是有源封裝。換言之，在各種實(shí)施方式中，由附圖標(biāo)記210、220和240表示的特征可對(duì)應(yīng)于有源芯片、有源封裝或任何有源芯片和有源封裝的組合。再如圖2所述，系統(tǒng)級(jí)封裝200包括將第三有源芯片240粘附于插槽260內(nèi)表面的粘附層264、包括將第一有源芯片210的上表面211耦接至第一中間層230的微凸塊212a和212b的微凸塊212、包括將第二有源芯片220的下表面221耦接至第一中間層230的微凸塊222a和222b的微凸塊222、包括將第二有源芯片220的上表面223耦接至第二中間層250的微凸塊225c和225d的微凸塊225、以及包括將第三有源芯片240的下表面241耦接至第二中間層250的微凸塊242c和242d的微凸塊242。圖2還示出了將系統(tǒng)級(jí)封裝200電連接至基板202的焊球204。第一有源芯片210、第二有源芯片220、包括穿過(guò)中間層的連接234a和234b的第一中間層230、粘附層264、微凸塊212和222、焊球204和基板202分別對(duì)應(yīng)于圖1中的第一有源芯片110、第二有源芯片120、包括穿過(guò)中間層的連接134a和134b的中間層130、粘附層164、微凸塊112和122、焊球104和基板102，且可共享屬于這些上述相應(yīng)特征的特性。此外，包括插槽接觸262的插槽260大體上對(duì)應(yīng)于圖1中的插槽160。然而，根據(jù)圖2所示實(shí)施方式，插槽260通過(guò)插槽接觸262電耦接至第一有源芯片210、第二有源芯片220和第三有源芯片240中的每一個(gè)。需要注意，盡管僅一個(gè)微凸塊225和一個(gè)微凸塊242被圖2中這些相應(yīng)附圖標(biāo)記具體標(biāo)出，但示出在第二有源芯片220上表面223上的任何或全部微凸塊（包括微凸塊225c和225d）以及示出在第三有源芯片240下表面241上的任何或全部微凸塊（包括微凸塊242c和242d）均可被表征或稱作相應(yīng)的微凸塊225和242。還需要注意，盡管圖2所示實(shí)施方式示出系統(tǒng)級(jí)封裝200包括三個(gè)有源芯片和兩個(gè)被插槽260包圍的中間層（例如，第一有源芯片210、第二有源芯片220、第三有源芯片240、第一中間層230和第二中間層250），但在其他實(shí)施方式中，例如，系統(tǒng)級(jí)封裝200可包括許多有源芯片，諸如五十個(gè)有源芯片或一百個(gè)有源芯片，其使用任何適當(dāng)數(shù)量和類型的中間層相互連接。如圖2所示，第二有源芯片220具有在第二有源芯片220上表面223上的微凸塊225形式的電連接器，同時(shí)，第三有源芯片240具有在第三有源芯片240的下表面241上的微凸塊242形式的電連接器。再如圖2所示，第二中間層250與第一中間層230類似，可包括例如位于第二有源芯片220與第三有源芯片240之間的至少一層選擇性導(dǎo)電膜。圖2還示出了被配置為將至少一個(gè)微凸塊225選擇性耦接至至少一個(gè)微凸塊242的第二中間層250。換言之，第二中間層250被配置為提供穿過(guò)中間層的連接254c來(lái)將第二有源芯片220上表面223上的微凸塊225c選擇性耦接至第三有源芯片240下表面241上的微凸塊242c，以及通過(guò)提供穿過(guò)中間層的連接254d來(lái)將微凸塊225d選擇性耦接至微凸塊242d。第二中間層250包括中間層電介質(zhì)252和建立在中間層電介質(zhì)252中的穿過(guò)中間層的連接254c和254d。與圖1中的中間層電介質(zhì)132類似，中間層電介質(zhì)252可由剛性介電材料形成，諸如BT、FR-4、玻璃或陶瓷，例如，或者可由ABFTM形成。此外，在一些實(shí)施方式中，中間層電介質(zhì)252可被形成在半導(dǎo)體中間層基板（諸如硅基板）上（中間層基板未在圖2中示出）。在一種實(shí)施方式中，第二中間層250可包括至少一層選擇性導(dǎo)電膜。在這些實(shí)施方式中，中間層電介質(zhì)252可以是由例如聚合物基體（諸如B級(jí)聚合物膜）形成的具有分布于其中的諸如導(dǎo)電納米線或?qū)щ娂{米管的導(dǎo)電體的柔性電介質(zhì)，以選擇性提供穿過(guò)中間層的連接254c和254d，如以上參照?qǐng)D1的中間層130中的選擇性導(dǎo)電膜的使用所述。在一些實(shí)施方式中，第二中間層250可由各向異性導(dǎo)電膜（ACF）形成。在一些實(shí)施方式中，例如，ACF內(nèi)導(dǎo)電體的分布可被規(guī)劃為在確保其他地方電介質(zhì)完整的同時(shí)，在對(duì)應(yīng)于圖2中的穿過(guò)中間層的連接254c和254d的中間層電介質(zhì)252內(nèi)期望位置處提供穿過(guò)中間層的連接。繼續(xù)至圖3，圖3示出了流程圖300，其描述了一種用于制造具有集成插槽的系統(tǒng)級(jí)封裝的示例性方法。對(duì)于圖3中略述的方法，需要注意，為不混淆本申請(qǐng)中對(duì)發(fā)明特征的討論，流程圖300省略了某些細(xì)節(jié)和特征。參照流程圖300并另外參照?qǐng)D1的系統(tǒng)級(jí)封裝100，當(dāng)具有在上表面111上的微凸塊112形式的電連接器的第一有源芯片110被配置為封裝在系統(tǒng)級(jí)封裝100內(nèi)部時(shí)，流程圖300開(kāi)始（310）。流程圖300以將中間層130置于第一有源芯片110上表面111上而繼續(xù)（320）。如上所討論，中間層130包括中間層電介質(zhì)132，其可以是由聚酰亞胺膜或其他適當(dāng)聚合物基體形成的柔性電介質(zhì)，該柔性電介質(zhì)具有分布于其中的用于選擇性提供穿過(guò)中間層的連接的導(dǎo)電體。在一種實(shí)施方式中，中間層130可由ACF形成，例如，其中，ACF內(nèi)的導(dǎo)電體分布被規(guī)劃為在中間層130內(nèi)的期望位置處選擇性提供穿過(guò)中間層的連接，例如，穿過(guò)中間層的連接134a和134b。當(dāng)包括在下表面121上的微凸塊122形式的電連接器的第二有源芯片120被置于中間層130上時(shí)，流程圖300繼續(xù)（330）。根據(jù)流程圖300，中間層130隨后被用于選擇性將至少一個(gè)微凸塊112耦接至至少一個(gè)微凸塊122（340）。例如，在一些實(shí)施方式中，中間層130可包括B級(jí)聚合物中間層電介質(zhì)132，其具有分布于其中的導(dǎo)電納米線或?qū)щ娂{米管。如上所述，導(dǎo)電納米線或?qū)щ娂{米管可大致均勻分布在中間層電介質(zhì)132中，并使它們的主軸（例如，納米線或納米管的長(zhǎng)軸）方向大致平行于中間層130的平面。外部場(chǎng)（諸如外部電磁場(chǎng)）例如可被施加在中間層電介質(zhì)132上來(lái)選擇性將分布于其中的一些導(dǎo)電納米線或?qū)щ娂{米管重定向，從而選擇性形成能將第一有源芯片110上表面111上的相應(yīng)微凸塊112a和112b耦接至第二有源芯片120下表面121上的相應(yīng)微凸塊122a和122b的穿過(guò)中間層的連接134a和134b。例如，中間層電介質(zhì)132隨后可經(jīng)過(guò)固化處理（諸如UV固化或其他輻射固化），以在中間層130內(nèi)永久建立穿過(guò)中間層的連接134a和134b。參照?qǐng)D1中的穿過(guò)中間層的連接134a和134b以及圖2中的穿過(guò)中間層的連接234a、234b、254c和254d，需要注意，可選擇性確定電容量（例如，電流承載能力）以及在其相應(yīng)中間層電介質(zhì)內(nèi)的那些穿過(guò)中間層的連接的位置。例如可被實(shí)施為提供高功率連接的穿過(guò)中間層的連接134a和234a，例如被示出為大致寬于可被配置為傳遞低功率的芯片到芯片的信號(hào)的穿過(guò)中間層的連接134b、234b和254c。此外，根據(jù)圖1和圖2所示實(shí)施方式，穿過(guò)中間層的連接254d可被實(shí)施為支持第二有源芯片220與第三有源芯片240之間的中間功率通信。再一同參照?qǐng)D1和圖3，流程圖300通過(guò)用插槽160密封第一有源芯片110、第二有源芯片120和中間層130以及將插槽160電耦接至至少一個(gè)第一有源芯片110、第二有源芯片120和中間層130來(lái)結(jié)束（350）。在圖1的實(shí)施方式中，插槽160被插槽接觸162電耦接至中間層130?？蛇x擇地，根據(jù)圖2所示的實(shí)施方式，插槽260被插槽接觸262電耦接至第一有源芯片210和第二有源芯片220以及第三有源芯片240。因此，如上所述，在一種實(shí)施方式中，插槽160/260可被配置為有利地屏蔽第一有源芯片110/210、第二有源芯片120/220和中間層130/230以及第三有源芯片240和第二中間層150使之免于電磁干擾。此外，在一些實(shí)施方式中，插槽160/260可被配置為向系統(tǒng)級(jí)封裝100/200提供共用封裝接地。此外，在一些實(shí)施方式中，插槽160/260可被配置為有利地提供能增強(qiáng)對(duì)于第一有源芯片110/210、第二有源芯片120/220和中間層130/230以及第三有源芯片240和第二中間層250的熱耗散的散熱片。在又一實(shí)施方式中，插槽160/260可被配置為向系統(tǒng)級(jí)封裝100/200提供增強(qiáng)的環(huán)境保護(hù)，諸如潮濕保護(hù)。根據(jù)以上描述，顯然在不背離本發(fā)明的概念的范圍的前提下，各種技術(shù)可被用于實(shí)施本申請(qǐng)中所述的概念。此外，盡管已具體參照某些實(shí)施方式描述了這一概念，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在不背離這些概念的思想和范圍的前提下，可在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行更改。因此，所述實(shí)施方式應(yīng)被理解為在所示出的所有方面內(nèi)且并非限定。還應(yīng)理解，本申請(qǐng)不限于本文所述的具體實(shí)施方式，而是在不背離本公開(kāi)的范圍的前提下，許多重排、修改和替代也是可行的。