技術(shù)總結(jié)
一種有源區(qū)的離子注入方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)，所述有源區(qū)包括第一類型有源區(qū)和第二類型有源區(qū)，第一類型有源區(qū)和第二類型有源區(qū)的類型不同；形成圖形化的吸光層，覆蓋與第一類型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；形成圖形化的掩膜層，覆蓋第二類型有源區(qū)以及所述圖形化的吸光層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜對(duì)第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入。在本技術(shù)方案中，吸光層的存在避免出現(xiàn)光刻膠過曝光現(xiàn)象，避免對(duì)第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入時(shí)，摻雜離子對(duì)第二類型有源區(qū)造成摻雜，確保精確離子注入，使得最終形成的半導(dǎo)體器件具有較佳性能。

技術(shù)研發(fā)人員：胡華勇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201210332986
技術(shù)研發(fā)日：2012.09.10
技術(shù)公布日：2016.12.21