技術編號：12041299
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種有源區(qū)的離子注入方法。背景技術在半導體工藝中，離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質，以改變其電學性能的方法。在現(xiàn)代半導體工藝中幾乎所有摻雜工藝都是用離子注入實現(xiàn)的，例如對有源區(qū)進行離子注入形成雙阱摻雜、源/漏摻雜、n溝道或p溝道器件輕摻雜漏區(qū)（LDD）等。以現(xiàn)有技術中的對有源區(qū)進行離子注入形成雙阱的方法為例，包括步驟：提供半導體襯底；在半導體襯底上形成淺溝槽隔離結構（STI），相鄰淺溝槽隔離結構之間的區(qū)域為有源區(qū)，所述有源區(qū)包括P型有源區(qū)和N型有源區(qū)，...
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