本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有源區(qū)的離子注入方法。

背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工藝中，離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。在現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝中幾乎所有摻雜工藝都是用離子注入實(shí)現(xiàn)的，例如對(duì)有源區(qū)進(jìn)行離子注入形成雙阱摻雜、源/漏摻雜、n溝道或p溝道器件輕摻雜漏區(qū)（LDD）等。以現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)有源區(qū)進(jìn)行離子注入形成雙阱的方法為例，包括步驟：提供半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI），相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)，所述有源區(qū)包括P型有源區(qū)和N型有源區(qū)，并且所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)相鄰；在半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光顯影處理，在所述N型有源區(qū)和N型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上形成了圖形化的光刻膠層，暴露所述P型有源區(qū)；以圖形化的光刻膠層為掩膜對(duì)P型有源區(qū)進(jìn)行硼離子注入，形成P阱。之后，對(duì)N型有源區(qū)進(jìn)行磷離子注入形成N阱，N阱的形成方法參照上述P阱的形成方法，其中，所述圖形化的光刻膠層覆蓋P型有源區(qū)和P型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。但是，隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷減小，使用現(xiàn)有離子注入工藝對(duì)有源區(qū)進(jìn)行離子注入形成雙阱會(huì)出現(xiàn)半導(dǎo)體器件性能不佳的情形。該情形不僅影響到半導(dǎo)體器件的規(guī)?；a(chǎn)，也對(duì)半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步形成了阻礙。更多關(guān)于有源區(qū)的離子注入方法的技術(shù)方案，參見2009年11月18日公開的公開號(hào)為CN100561667C的中國(guó)專利文獻(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)的有源區(qū)的離子注入方法，造成了半導(dǎo)體器件性能不佳。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種新的有源區(qū)的離子注入方法，其步驟包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)，所述有源區(qū)包括第一類型有源區(qū)和第二類型有源區(qū)，第一類型有源區(qū)和第二類型有源區(qū)的類型不同；形成圖形化的吸光層，覆蓋與第一類型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；形成圖形化的掩膜層，覆蓋第二類型有源區(qū)以及所述圖形化的吸光層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜對(duì)第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入?？蛇x的，所述第一類型有源區(qū)為P型有源區(qū)，所述第二類型有源區(qū)為N型有源區(qū)，或者，所述第一類型有源區(qū)為N型有源區(qū)，所述第二類型有源區(qū)為P型有源區(qū)?？蛇x的，所述第一類型有源區(qū)和所述第二類型有源區(qū)相鄰?？蛇x的，對(duì)所述第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入以調(diào)制閾值電壓或者對(duì)所述第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入形成阱區(qū)。可選的，所述圖形化的掩膜層為圖形化的光刻膠層?？蛇x的，在形成所述圖形化的光刻膠層過程中使用的曝光光源的波長(zhǎng)范圍為193nm～248nm?？蛇x的，所述吸光層包括無機(jī)抗反射層。可選的，所述無機(jī)抗反射層為電介質(zhì)抗反射層，所述電介質(zhì)抗反射層的材料包括含氮氧化硅、碳摻雜氧化硅或者氮化硅?？蛇x的，所述吸光層的折射率范圍為1.5～2.5?？蛇x的，所述吸光層的消光系數(shù)范圍為0.3～2。可選的，所述形成圖形化的吸光層的方法，包括：在所述半導(dǎo)體襯底上沉積吸光層；在所述吸光層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層定義與第一類型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕吸光層，直到暴露所述第一類型有源區(qū)和所述第二類型有源區(qū)時(shí)停止刻蝕；去除所述圖形化的光刻膠層?？蛇x的，所述在半導(dǎo)體襯底上沉積吸光層的厚度范圍為5nm～200nm。可選的，所述形成圖形化的吸光層的方法，包括：在所述半導(dǎo)體襯底上沉積吸光層；在所述吸光層上形成底部抗反射層；在所述底部抗反射層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層定義與第一類型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕底部抗反射層和吸光層，直到暴露所述第一類型有源區(qū)和所述第二類型有源區(qū)時(shí)停止刻蝕；去除所述圖形化的光刻膠層和剩余的底部抗反射層。可選的，在所述形成圖形化的吸光層之后，在所述形成圖形化的掩膜層之前，還包括：進(jìn)行回刻蝕工藝，以去除殘留在第一類型有源區(qū)、第二類型有源區(qū)上的吸光層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：通過在第一類型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上形成圖形化吸光層，在圖形化吸光層和第二類型有源區(qū)上形成圖形化的掩膜層，所述圖形化的吸光層覆蓋第二類型有源區(qū)、部分或全部圖形化的吸光層，之后以所述圖形化的掩膜層為掩膜對(duì)第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入。所述圖形化的掩膜層的材料通常選擇光刻膠，而在形成圖形化的光刻膠層的過程中通常會(huì)使用光刻工藝。在光刻工藝的曝光過程中，圖形化的吸光層能夠有效吸收光源發(fā)出的光線，避免穿透光刻膠層的光線在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與第一類型有源區(qū)的接觸面、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)底部連續(xù)發(fā)生反射，防止光源的發(fā)出光線的反射光對(duì)預(yù)定義的光刻膠的邊緣過曝光，避免后續(xù)形成的圖形化的光刻膠層暴露第二類型有源區(qū)的邊緣。因此，本技術(shù)方案中，吸光層的存在保證了預(yù)定義的圖形化的光刻膠層的特征尺寸（CD）不會(huì)發(fā)生偏差，也就是說，最終形成的圖形化的光刻膠層的特征尺寸（CD）等于預(yù)先定義的特征尺寸。進(jìn)一步，形成的圖形化的掩膜層符合預(yù)先定義，不會(huì)暴露第二類型有源區(qū)，保證了對(duì)第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入的窗口不會(huì)延伸到第二類型有源區(qū)。由于第一類型有源區(qū)和第二類型有源區(qū)需要進(jìn)行不同類型離子注入，則在對(duì)第一類型有源區(qū)進(jìn)行離子注入時(shí)，摻雜離子不會(huì)對(duì)第二類型有源區(qū)造成摻雜，確保半導(dǎo)體器件對(duì)第一類型有源區(qū)和后續(xù)的第二類型有源區(qū)的精確離子摻雜，使得最終形成的半導(dǎo)體器件具有較佳性能。尤其是，在半導(dǎo)體器件的特征尺寸越來越小的技術(shù)要求下，本發(fā)明的離子注入方法具有進(jìn)步意義，促進(jìn)了半導(dǎo)體工藝的發(fā)展。附圖說明圖1～圖2為現(xiàn)有技術(shù)的離子注入形成雙阱工藝的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明具體實(shí)施例的有源區(qū)的離子注入方法的流程示意圖；圖4～圖12為本發(fā)明具體實(shí)施例的有源區(qū)的離子注入方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式發(fā)明人針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的有源區(qū)離子注入方法形成雙阱會(huì)造成半導(dǎo)體器件性能不佳的問題，進(jìn)行了研究和分析，發(fā)現(xiàn)：參照?qǐng)D1，在對(duì)P型有源區(qū)11進(jìn)行離子注入前，在半導(dǎo)體襯底上形成圖形化的光刻膠層10，圖形化的光刻膠層10覆蓋淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）、相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的N型有源區(qū)12，N型有源區(qū)12與P型有源區(qū)11相鄰。首先要在半導(dǎo)體襯底上形成整層光刻膠層，然后進(jìn)行曝光、顯影處理，形成圖形化的光刻膠層10，其中，希望形成的圖形化的光刻膠層10可以完全覆蓋N型有源區(qū)12并覆蓋部分或全部與P型有源區(qū)11相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，將希望形成的圖形化的光刻膠層10稱為預(yù)定義的圖形化的光刻膠層，該預(yù)定義的圖形化的光刻膠層的特征尺寸為L(zhǎng)。在曝光過程中，參照?qǐng)D2，由于P型有源區(qū)11的材料主要包括硅，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）的材料包括氧化硅，硅和氧化硅的折射率不同，則光源發(fā)出的光線穿過光刻膠層、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)后，在P型有源區(qū)11與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的接觸面、淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)底面上連續(xù)發(fā)生反射，最終的反射光線進(jìn)入了預(yù)定義的圖形化的光刻膠層的邊緣，造成光刻膠層的邊緣區(qū)域101、102過曝光；則進(jìn)一步，經(jīng)過顯影處理，遭到過曝光的邊緣區(qū)域101、102溶解，最終形成的圖形化的光刻膠層10'的特征尺寸為d，特征尺寸d較之預(yù)先定義的特征尺寸L減小了，也就是所形成的離子注入的窗口增大了。而且嚴(yán)重的是，增大的窗口延伸到N型有源區(qū)12，則在對(duì)P型有源區(qū)11進(jìn)行硼離子注入的同時(shí)，相鄰N型有源區(qū)12也遭到硼離子摻雜。最終，N型有源區(qū)12上形成的半導(dǎo)體器件的性能不佳。進(jìn)一步，當(dāng)使用同樣的方法對(duì)N型有源區(qū)12進(jìn)行磷離子注入時(shí)，也會(huì)造成P型有源區(qū)11的磷離子摻雜，使得P型有源區(qū)11上形成的半導(dǎo)體器件有瑕疵。最終整個(gè)半導(dǎo)體芯片的性能也會(huì)受到影響。針對(duì)上述情形，即使過曝光形成的圖形化的光刻膠層10'恰好完全覆蓋N型有源區(qū)12，即沒有使N型有源區(qū)12暴露，但卻使P型有源區(qū)11相鄰的全部或者大部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）因所述過曝光而暴露。那么，當(dāng)以圖形化的光刻膠層10'為掩膜對(duì)P型有源區(qū)11進(jìn)行離子注入時(shí)，由于，所述全部或者大部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）會(huì)遭到離子注入，甚至離子注入會(huì)貫穿淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)至半導(dǎo)體襯底，P型有源區(qū)11和N型有源區(qū)12會(huì)導(dǎo)通，進(jìn)而影響到淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的隔離性能，則最終在N型有源區(qū)和P型有源區(qū)上分別形成的不同半導(dǎo)體器件之間會(huì)導(dǎo)通，而造成整個(gè)半導(dǎo)體芯片的性能不佳的問題。根據(jù)上述分析，如果要保證預(yù)定義的圖形化的光刻膠層的特征尺寸L完整反應(yīng)到半導(dǎo)體襯底上，就需要消除曝光過程中的光線反射，避免出現(xiàn)對(duì)預(yù)定義的圖形化的光刻膠層的過曝光。因此，發(fā)明人通過創(chuàng)造性勞動(dòng)，得到一種新的有源區(qū)的離子注入方法。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。圖3為本發(fā)明的具體實(shí)施例的有源區(qū)的離子注入方法的流程圖，圖4-圖12是本發(fā)明實(shí)施例的有源區(qū)的離子注入方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。這些附圖只是例子，而不應(yīng)當(dāng)限制此處的權(quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到許多變化、替換和修改。下面結(jié)合具體實(shí)施例并參照?qǐng)D3～圖12詳細(xì)說明本發(fā)明具體實(shí)施方式的有源區(qū)的離子注入的方法。參照?qǐng)D4和圖3，執(zhí)行步驟S31，提供半導(dǎo)體襯底20，所述半導(dǎo)體襯底20中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）21，相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（未全示出）之間的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)，所述有源區(qū)包括第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'，第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'的類型不同。圖4中的第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'為相鄰有源區(qū)，但在具體實(shí)施例中，兩者并不必然為相鄰有源區(qū)。是否相鄰并不影響本發(fā)明要實(shí)現(xiàn)的技術(shù)效果。在具體實(shí)施例中，參照?qǐng)D4，對(duì)所述有源區(qū)進(jìn)行離子注入的目的可以是形成阱區(qū)或者可以用來調(diào)制半導(dǎo)體器件的閾值電壓。第一類型有源區(qū)22可以為P型有源區(qū)，第二類型有源區(qū)可以為N型有源區(qū)；或第一類型有源區(qū)22為N型有源區(qū)，第二類型有源區(qū)22'為P型有源區(qū)?；蛘叩谝活愋陀性磪^(qū)22和第二類型有源區(qū)22'均為P型有源區(qū)或N型有源區(qū)，但是對(duì)第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'進(jìn)行離子注入的離子的濃度、施加能量等參數(shù)不同，則最終在第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'中分別形成的半導(dǎo)體器件的性能不同。因此，本發(fā)明中的第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'的類型不同，不僅指需要進(jìn)行離子注入的離子種類不同，還指進(jìn)行離子注入的離子的濃度、施加的能量等參數(shù)不同，使得最終在兩個(gè)有源區(qū)中形成的半導(dǎo)體器件不同。所以，本發(fā)明的有源區(qū)的離子注入方法并不構(gòu)成對(duì)該方法的應(yīng)用的限制，既可以應(yīng)用到雙阱工藝，也可適用實(shí)現(xiàn)調(diào)制閾值電壓。在具體實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底20的材質(zhì)為單晶硅或單晶硅鍺，或者單晶摻碳硅；或者還可以包括其它的材料，本發(fā)明對(duì)此不做限制。在具體實(shí)施例中，所述形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的公知常識(shí)，在此不再贅述。參照?qǐng)D3和圖8，執(zhí)行步驟S32，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21上形成圖形化的吸光層231，所述圖形化的吸光層231覆蓋與第一類型有源區(qū)22相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21。在具體實(shí)施例中，所述形成圖形化的吸光層231的方法包括以下步驟：首先，參照?qǐng)D5，在半導(dǎo)體襯底20上沉積一層吸光層23。所述吸光層23可以用來吸收照射到其上的光線，其中，吸光層23對(duì)光的吸收量可以通過折射率（n）、消光系數(shù)（k）以及吸光層23的厚度來表示。而對(duì)吸光層23的n、k值與吸光層23選擇的材料有關(guān)。在具體實(shí)施例中，吸光層23可以選擇無機(jī)抗反射層，如電介質(zhì)抗反射層（DielectricAnti-ReflectionCoating，DARC）。在特定實(shí)施例中，電介質(zhì)抗反射層可以使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD）方式生成。所述電介質(zhì)抗反射層材料包括含氮氧化硅（SiON）、碳摻雜氧化硅（SiCO）或者氮化硅（SiN）。在具體實(shí)施例中，通過選擇合適的吸光層23的材料，使得吸光層23的折射率n值的范圍為1.5～2.5，消光系數(shù)k值的范圍為0.3～2，可以達(dá)到最佳的對(duì)光的完全吸收。而對(duì)吸光層23的厚度，厚度越大，則吸光層23對(duì)光的吸收量越大。但針對(duì)具有特定范圍n、k值的吸光層，吸光層23的厚度可以根據(jù)吸光層23所選材料的化學(xué)模擬確定合適的范圍。在本實(shí)施例中，吸光層23的厚度范圍為5nm～200nm。在具體實(shí)施例中，吸光層的選擇并不局限于電介質(zhì)抗反射層，對(duì)于其他能達(dá)到吸收光線的同樣效果的其他材料也是可行的。接著，參照?qǐng)D6，在吸光層23上形成圖形化的光刻膠層24，所述圖形化的光刻膠層24定義第一類型有源區(qū)22相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21的位置。所述形成圖形化的光刻膠層24的方法包括：首先，在吸光層上23上形成一層光刻膠層，使用旋涂（spin-oncoating）、噴涂（spraycoating）、滴涂（dipcoating）、刷涂（brushcoating）或者蒸發(fā)，可以根據(jù)實(shí)際情況選擇相應(yīng)的方法。在該具體實(shí)施例中，采用旋轉(zhuǎn)涂膠方法可以在所述吸光層上均勻地涂上液相光刻膠材料，光刻膠層的厚度需要保證在之后的刻蝕工藝中保護(hù)吸光層不受侵蝕，并起到掩膜作用。然后通過對(duì)準(zhǔn)和曝光等一系列工藝過程得到圖形化的光刻膠層24。在具體實(shí)施例中，曝光過程中的光源的波長(zhǎng)范圍為193nm～248nm，該范圍的光源可以獲得對(duì)光刻膠上較小特征尺寸的分辨率，其中，分辨率被定義為清晰分辨出硅片上間隔很近的特征圖形對(duì)的能力（例如相等的線條和間距）。緊接著，參照?qǐng)D7，以圖形化的光刻膠層24為掩膜刻蝕吸光層23，直至暴露第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'時(shí)停止。其中，使用干法刻蝕工藝刻蝕吸光層23，并通過調(diào)整干法刻蝕的工藝參數(shù)來獲得具有垂直邊緣的圖形化的吸光層231。最后，參照?qǐng)D8，去除圖形化的光刻膠層24，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21上形成了圖形化的吸光層231。在具體實(shí)施例中，使用灰化工藝去除圖形化的光刻膠層24。在具體實(shí)施例中，去除圖形化的光刻膠層24后，由于在刻蝕吸光層23的過程中，吸光層23的殘留物質(zhì)會(huì)散落并覆蓋第一類型有源區(qū)22、第二類型有源區(qū)22'，造成圖形化的吸光層231的邊緣延伸至第一類型有源區(qū)22、第二類型有源區(qū)22'，它改變了第一類型有源區(qū)22離子注入的窗口，這可能會(huì)影響到后續(xù)形成的半導(dǎo)體器件的性能。因此，參見圖3，在執(zhí)行步驟S32，形成圖形化的吸光層231之后，執(zhí)行步驟S33之前，接著對(duì)圖形化的吸光層231進(jìn)行回刻蝕，去除散落并覆蓋第一類型有源區(qū)22、第二類型有源區(qū)22'上殘留的吸光層，以實(shí)現(xiàn)對(duì)圖形化的吸光層231的邊緣進(jìn)行拉回（pullback），以形成最佳的第一類型有源區(qū)22離子注入的窗口，并通過后續(xù)離子注入工藝，獲得性能較佳的半導(dǎo)體器件。進(jìn)一步，所述回刻蝕還可以起到平坦以及減薄圖形化的吸光層231表面的作用。如果需要對(duì)圖形化的吸光層進(jìn)行回刻蝕，回刻蝕后最終形成的圖形化的吸光層的厚度會(huì)相應(yīng)減薄，因此在形成吸光層時(shí)，需要相應(yīng)調(diào)整吸光層的厚度，確保最終形成的圖形化的吸光層231的厚度范圍為5nm~200nm。在另一實(shí)施例中，所述在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21上形成圖形化的吸光層231的方法，包括步驟：首先，參照?qǐng)D9，在吸光層23上形成底部抗反射層（BARC，bottomanti-reflectioncoating）25，該底部抗反射層25的材料為有機(jī)材料。在具體實(shí)施例中，所述有機(jī)材料呈液態(tài)，形成底部抗反射層的方法可以為：利用旋涂或噴涂等方法在吸光層上涂覆有機(jī)材料層，接著對(duì)有機(jī)材料層進(jìn)行軟烘形成底部抗反射層。在本實(shí)施例中，有機(jī)材料的底部抗反射層具有很好的流動(dòng)性，因此形成的底部抗反射層具有較均勻的表面。另外，在后續(xù)形成圖形化的光刻膠層26（參照?qǐng)D10）的對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光的過程，底部抗反射層可以起到抗反射的作用，進(jìn)一步確保后續(xù)形成的圖形化的光刻膠層26具有較高的分辨率。在具體實(shí)施例中，對(duì)形成底部抗反射層的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，在此不再贅述。接著，參照?qǐng)D10，在所述底部抗反射層25上形成圖形化的光刻膠層26，圖形化的光刻膠層26定義淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21的位置。形成圖形化的光刻膠層的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，在此不再贅述。緊接著，參照?qǐng)D10和圖11，以圖形化的光刻膠層26為掩膜刻蝕底部抗反射層25，形成圖形化的底部抗反射層251，之后以圖形化的光刻膠層26和圖形化的底部抗反射層251為掩膜刻蝕吸光層23，直至第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'暴露時(shí)停止刻蝕。圖形化的底部抗反射層251具有更加陡直的刻蝕邊緣，以底部抗反射層251為掩膜刻蝕吸光層23可以得到具有較陡直刻蝕邊緣的圖形化的吸光層231。最后，參照?qǐng)D11和圖8，去除圖形化的光刻膠層26和圖形化的底部抗反射層251，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21上形成圖形化的吸光層231。采用灰化工藝可以很方便的去除圖形化的底部抗反射層251，不會(huì)對(duì)地類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'造成損害。在本實(shí)施例中，還可以繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，使得第一類型有源區(qū)22具有更好的離子注入的窗口。參照?qǐng)D12和圖3，執(zhí)行步驟S33，形成圖形化的掩膜層27，圖形化的掩膜層27覆蓋第二類型有源區(qū)22'、圖形化的吸光層231，暴露第一類型有源區(qū)22。所述第一類型有源區(qū)22為后續(xù)需要進(jìn)行離子注入的區(qū)域。其中的所述圖形化的掩膜層27可選擇圖形化的光刻膠層，以光刻膠為例，對(duì)形成圖形化的掩膜層的方法包括步驟：首先，在半導(dǎo)體襯底上旋涂形成一整層光刻膠層；然后，進(jìn)行曝光、顯影處理，形成圖形化的光刻膠層。在本實(shí)施例中，在曝光過程中，由于圖形化的吸光層231的存在，光源光線穿過光刻膠層入射到圖形化的吸光層231上并被圖形化的吸光層231吸收，避免了光源光線進(jìn)入淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21，避免光源光線在第一類型有源區(qū)22和淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21的接觸面上發(fā)生光反射，而造成對(duì)光刻膠層的邊緣的過曝光，最終得到跟預(yù)定義的特征尺寸（CD）相同的圖形化的光刻膠層27。進(jìn)一步，在后續(xù)的離子注入過程，以該圖形化的光刻膠層27為掩膜，就能達(dá)到對(duì)第一類型有源區(qū)22精確離子摻雜區(qū)域，即對(duì)第一類型有源區(qū)22的離子注入不會(huì)延伸到整個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)21，甚至第二類型有源區(qū)22'。在本實(shí)施例中，第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'的類型不同，需要進(jìn)行離子注入的離子的種類、濃度等參數(shù)均不同，因此對(duì)第一類型有源區(qū)22的離子注入應(yīng)避免對(duì)第二類型有源區(qū)22'造成額外注入。在曝光過程中的光源光線的波長(zhǎng)范圍為192nm～248nm，可以達(dá)到對(duì)較小特征尺寸光刻膠的精確曝光。最后，對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，形成圖形化的光刻膠層。所述顯影過程中，遭到曝光光線照射的光刻膠被溶解掉，將光刻膠的窗口圖形留在半導(dǎo)體襯底上。本發(fā)明具體實(shí)施例中，圖形化的掩膜層不限于圖形化的光刻膠層，可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他圖形化的掩膜層，但是形成圖形化的掩膜層的過程中均需使用圖形化的光刻膠層進(jìn)行圖形的定義，也會(huì)有本發(fā)明具體實(shí)施例中描述的過曝光問題，因此，可以利用本發(fā)明的方法防止過曝光問題的發(fā)生。繼續(xù)參照?qǐng)D12和圖3，執(zhí)行步驟S34，以所述圖形化的掩膜層27為掩膜對(duì)所述第一類型有源區(qū)22進(jìn)行離子注入。所述離子注入的具體工藝條件等為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的技術(shù)，在此不再贅述。在結(jié)束對(duì)第一類型有源區(qū)22的離子注入后，還要繼續(xù)對(duì)第二類型有源區(qū)22'進(jìn)行離子注入，所述方法可參照第一類型有源區(qū)22的離子注入，所述圖形化的掩膜層覆蓋第一類型有源區(qū)22和第二類型有源區(qū)22'的相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。當(dāng)上述離子注入工藝全部完成后，要去除圖形化的吸光層231。本實(shí)施例中使用電介質(zhì)抗反射層作為吸光層，采用傳統(tǒng)的濕法刻蝕或者干法刻蝕即可方便去除。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。