技術(shù)特征：
1.一種有源區(qū)的離子注入方法，其特征在于，包括步驟：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)，所述有源區(qū)包括第一類(lèi)型有源區(qū)和第二類(lèi)型有源區(qū)，第一類(lèi)型有源區(qū)和第二類(lèi)型有源區(qū)的類(lèi)型不同；形成圖形化的吸光層，覆蓋與第一類(lèi)型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；形成圖形化的掩膜層，覆蓋第二類(lèi)型有源區(qū)以及所述圖形化的吸光層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜對(duì)第一類(lèi)型有源區(qū)進(jìn)行離子注入。2.如權(quán)利要求1所述離子注入方法，其特征在于，所述第一類(lèi)型有源區(qū)為P型有源區(qū)，所述第二類(lèi)型有源區(qū)為N型有源區(qū)，或者，所述第一類(lèi)型有源區(qū)為N型有源區(qū)，所述第二類(lèi)型有源區(qū)為P型有源區(qū)。3.如權(quán)利要求1所述離子注入方法，其特征在于，所述第一類(lèi)型有源區(qū)和所述第二類(lèi)型有源區(qū)相鄰。4.如權(quán)利要求1所述離子注入方法，其特征在于，對(duì)所述第一類(lèi)型有源區(qū)進(jìn)行離子注入以調(diào)制閾值電壓或者對(duì)所述第一類(lèi)型有源區(qū)進(jìn)行離子注入形成阱區(qū)。5.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述圖形化的掩膜層為圖形化的光刻膠層。6.如權(quán)利要求5所述的離子注入方法，其特征在于，在形成所述圖形化的光刻膠層過(guò)程中使用的曝光光源的波長(zhǎng)范圍為193nm～248nm。7.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述吸光層包括無(wú)機(jī)抗反射層。8.如權(quán)利要求7所述的離子注入方法，其特征在于，所述無(wú)機(jī)抗反射層為電介質(zhì)抗反射層，所述電介質(zhì)抗反射層的材料包括含氮氧化硅、碳摻雜氧化硅或者氮化硅。9.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述吸光層的折射率范圍為1.5～2.5。10.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述吸光層的消光系數(shù)范圍為0.3～2。11.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述形成圖形化的吸光層的方法，包括：在所述半導(dǎo)體襯底上沉積吸光層；在所述吸光層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層定義與第一類(lèi)型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕吸光層，直到暴露所述第一類(lèi)型有源區(qū)時(shí)停止刻蝕；去除所述圖形化的光刻膠層。12.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述圖形化的吸光層的厚度范圍為5nm～200nm。13.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述形成圖形化的吸光層的方法，包括：在所述半導(dǎo)體襯底上沉積吸光層；在所述吸光層上形成底部抗反射層；在所述底部抗反射層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層定義與第一類(lèi)型有源區(qū)相鄰的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的位置；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕底部抗反射層和吸光層，直到暴露所述第一類(lèi)型有源區(qū)和所述第二類(lèi)型有源區(qū)時(shí)停止刻蝕；去除所述圖形化的光刻膠層和剩余的底部抗反射層。14.如權(quán)利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，在所述形成圖形化的吸光層之后，在所述形成圖形化的掩膜層之前，還包括：進(jìn)行回刻蝕工藝，以去除殘留在第一類(lèi)型有源區(qū)、第二類(lèi)型有源區(qū)上的吸光層。