本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種MOS晶體管的制作方法。

背景技術(shù)：
現(xiàn)有半導(dǎo)體器件制作工藝中，由于應(yīng)力可以改變硅材料的能隙和載流子遷移率，因此通過(guò)應(yīng)力來(lái)提高M(jìn)OS晶體管的性能成為越來(lái)越常用的手段。具體地，通過(guò)適當(dāng)控制應(yīng)力，可以提高載流子(NMOS晶體管中的電子，PMOS晶體管中的空穴)遷移率，進(jìn)而提高驅(qū)動(dòng)電流，以此極大地提高M(jìn)OS晶體管的性能。對(duì)于PMOS晶體管而言，可以采用嵌入式硅鍺技術(shù)(EmbeddedSiGeTechnology)以在晶體管的溝道區(qū)域產(chǎn)生壓應(yīng)力，進(jìn)而提高載流子遷移率。所謂嵌入式硅鍺技術(shù)是指在半導(dǎo)體襯底的需要形成源極及漏極的區(qū)域中埋置硅鍺材料，利用硅與硅鍺(SiGe)之間的晶格失配對(duì)溝道區(qū)域產(chǎn)生壓應(yīng)力。現(xiàn)有技術(shù)中有許多關(guān)于嵌入式硅鍺技術(shù)PMOS晶體管的專(zhuān)利以及專(zhuān)利申請(qǐng)，例如2011年6月15日公開(kāi)的公開(kāi)號(hào)為CN102097491A的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)文獻(xiàn)中公開(kāi)的嵌入式硅鍺技術(shù)的PMOS晶體管的形成方法。圖1至圖5是現(xiàn)有的嵌入式硅鍺技術(shù)PMOS晶體管的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，具體如下，請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底10，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成偽柵結(jié)構(gòu)11，所示偽柵結(jié)構(gòu)11包括形成在襯底10上的柵介質(zhì)層111及形成在柵介質(zhì)層111上的偽柵電極112。所述偽柵結(jié)構(gòu)11上具有硬掩膜層12，在所述偽柵結(jié)構(gòu)11兩側(cè)形成LDD結(jié)構(gòu)13；形成所述LDD結(jié)構(gòu)之后，在所述偽柵結(jié)構(gòu)11和硬掩膜12的兩側(cè)形成側(cè)墻14；請(qǐng)參考圖3，以所述側(cè)墻14為掩膜，刻蝕半導(dǎo)體襯底10，在所述側(cè)墻14兩側(cè)形成sigma形凹槽15；請(qǐng)參考圖4，形成sigma形凹槽15之后，在所述sigma形凹槽15內(nèi)填充滿硅鍺材料16；請(qǐng)參考圖5，對(duì)所述硅鍺材料16進(jìn)行離子注入形成源極和漏極；離子注入后，在所述sigma形凹槽15內(nèi)的硅鍺材料表面形成金屬硅化物17。但是，利用現(xiàn)有技術(shù)形成的PMOS晶體管性能不好。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是利用現(xiàn)有技術(shù)形成的PMOS晶體管性能不好。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種MOS晶體管的形成方法，所述方法包括：提供襯底，在所述襯底上形成偽柵結(jié)構(gòu)，所述偽柵結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和位于所述柵介質(zhì)層上的偽柵電極，在所述偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成第一側(cè)墻；以所述偽柵結(jié)構(gòu)和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述襯底，在偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成凹槽；在所述凹槽內(nèi)填充滿半導(dǎo)體材料；形成半導(dǎo)體材料后，在所述第一側(cè)墻之間形成犧牲層，所述犧牲層的厚度小于所述第一側(cè)墻的高度；形成介質(zhì)層，覆蓋所述犧牲層、第一側(cè)墻和所述偽柵結(jié)構(gòu)；對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行回刻蝕，在所述偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)、第一側(cè)墻上形成第二側(cè)墻；去除所述犧牲層?？蛇x的，所述MOS晶體管為PMOS晶體管，所述半導(dǎo)體材料為鍺硅材料；或者，所述MOS晶體管為NMOS晶體管，所述半導(dǎo)體材料為碳化硅材料?？蛇x的，在所述第一側(cè)墻之間形成犧牲層，所述犧牲層的厚度小于所述第一側(cè)墻的高度包括：在所述偽柵結(jié)構(gòu)、第一側(cè)墻及所述半導(dǎo)體材料表面形成犧牲層；對(duì)犧牲層進(jìn)行平坦化至偽柵結(jié)構(gòu)；平坦化犧牲層后，對(duì)所述犧牲層進(jìn)行回刻至露出第一側(cè)墻，并且使所述犧牲層的厚度小于第一側(cè)墻的高度?？蛇x的，所述犧牲層的材料為非晶碳，去除所述犧牲層的方法為灰化?？蛇x的，所述灰化工藝的參數(shù)包括：O2流量為100sccm～500sccm，等離子體發(fā)生功率為1000W～2000W，反應(yīng)時(shí)間為60s～120s?？蛇x的，所述非晶碳的形成方法為化學(xué)氣相沉積或原子層沉積?？蛇x的，所述偽柵結(jié)構(gòu)上形成有掩膜層?？蛇x的，所述犧牲層的厚度為偽柵結(jié)構(gòu)與掩膜層高度和的二分之一至三分之二?？蛇x的，所述介質(zhì)層的厚度為偽柵結(jié)構(gòu)與掩膜層高度和的二十分之一至四分之一?？蛇x的，所述介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)或雙層結(jié)構(gòu)。可選的，所述單層結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層的材料為氮化硅。可選的，所述雙層結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層包括二氧化硅層、位于所述二氧化硅層上的氮化硅層。可選的，所述凹槽為sigma形凹槽，所述sigma形凹槽的形成方法包括：以所述偽柵結(jié)構(gòu)、第一側(cè)墻為掩模，利用各向異性的干法刻蝕在襯底中預(yù)形成源極及漏極的區(qū)域形成矩形凹槽；利用各向同性的干法刻蝕蝕刻所述凹槽以形成碗狀凹槽；利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述碗狀凹槽形成sigma形凹槽?？蛇x的，去除所述犧牲層后還包括步驟：對(duì)所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行離子注入形成源極和漏極?？蛇x的，形成源極和漏極后，在所述半導(dǎo)體材料表面形成金屬硅化物?？蛇x的，形成金屬硅化物后，去除所述偽柵電極形成偽柵溝槽，在所述偽柵溝槽中填充金屬形成柵電極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：采用本發(fā)明的MOS晶體管的制作方法，在所述偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成第二側(cè)墻，并且位于第一側(cè)墻之上，第二側(cè)墻彌補(bǔ)了第一側(cè)墻的高度損失，所述第一側(cè)墻的高度損失是在襯底中形成凹槽并在凹槽內(nèi)填充半導(dǎo)體材料的過(guò)程中形成的，第一側(cè)墻的高度損失會(huì)使柵極結(jié)構(gòu)露出，在后續(xù)形成金屬硅化物的步驟中，第一側(cè)墻無(wú)法對(duì)露出的偽柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。因此，在后續(xù)凹槽內(nèi)的半導(dǎo)體材料表面形成金屬硅化物的步驟中，第一側(cè)墻和第二側(cè)墻共同對(duì)偽柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)，防止偽柵結(jié)構(gòu)中沒(méi)有被第一側(cè)墻保護(hù)的位置也產(chǎn)生金屬硅化物。從而使得后續(xù)的偽柵結(jié)構(gòu)中的偽柵電極的去除步驟更容易實(shí)現(xiàn)，進(jìn)而提高形成的MOS晶體管的性能。附圖說(shuō)明圖1至圖5是現(xiàn)有PMOS晶體管制作方法在不同制作階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明的PMOS晶體管的制作流程圖；圖7至圖17是本發(fā)明PMOS晶體管制作方法的PMOS晶體管在不同制作階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)PMOS晶體管性能不好的原因?yàn)椋赫?qǐng)參考圖2，所述sigma形凹槽的形成方法包括：以偽柵結(jié)構(gòu)11、側(cè)墻14為掩模，刻蝕襯底10，在偽柵結(jié)構(gòu)11兩側(cè)的襯底10中形成碗狀凹槽15a。所述碗狀凹槽15a的形成方法為利用各向異性的干法刻蝕在偽柵結(jié)構(gòu)11兩側(cè)的襯底10中形成矩形凹槽，然后，利用各向同性的干法刻蝕蝕刻所述矩形凹槽，形成碗狀凹槽15a。上述的各向異性干法刻蝕和各向同性干法刻蝕對(duì)側(cè)墻14造成第一次損傷，使得側(cè)墻14的高度下降。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2和圖3，將碗狀凹槽15a暴露在TMAH(TetramethylAmmoniumHydroxied，四甲基氫氧化氨)水溶液中，TMAH水溶液腐蝕襯底10，在襯底10中的碗狀凹槽15a區(qū)域形成sigma形凹槽15。上述利用TMAH水溶液腐蝕襯底10形成sigma形凹槽15的同時(shí)對(duì)側(cè)墻14造成第二次損傷，使得側(cè)墻14的高度繼續(xù)下降。請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，形成sigma形凹槽15以后，sigma形凹槽15表面容易發(fā)生氧化生成二氧化硅膜(圖未示)，向sigma形凹槽15填充硅鍺材料16之前，需要采用鹽酸將二氧化硅氧化膜清除(pre-clean)，以便硅鍺材料16能夠更好的填充于sigma形凹槽15內(nèi)，清除二氧化硅膜的同時(shí)，會(huì)對(duì)側(cè)墻14造成第三次損傷，使得側(cè)墻14的高度進(jìn)一步下降。經(jīng)過(guò)上述對(duì)側(cè)墻14的三次損傷，側(cè)墻14的高度低于偽柵結(jié)構(gòu)11的高度。請(qǐng)參考圖5，當(dāng)在所述sigma形凹槽15內(nèi)的硅鍺材料表面16形成金屬硅化物17時(shí)，偽柵結(jié)構(gòu)11中沒(méi)有被側(cè)墻14保護(hù)的位置也形成了金屬硅化物17，而此處的金屬硅化物17很難去除，從而影響后續(xù)偽柵結(jié)構(gòu)11中的偽柵電極112的去除和柵極的形成，進(jìn)而影響后續(xù)形成的MOS晶體管的性能。為了解決以上問(wèn)題，發(fā)明人經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)，獲得了一種MOS晶體管的制作方法。圖6是本發(fā)明的MOS晶體管的制作流程圖。圖7至圖17是本發(fā)明MOS晶體管制作方法的MOS晶體管在不同制作階段的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。下面將圖7至圖17與圖6結(jié)合起來(lái)對(duì)本發(fā)明MOS晶體管的制作方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先請(qǐng)參考圖7，執(zhí)行圖6中的步驟S11：提供襯底20，在所述襯底20上形成偽柵結(jié)構(gòu)21，所述偽柵結(jié)構(gòu)21包括柵介質(zhì)層211和偽柵電極212，在所述偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)形成第一側(cè)墻24。所述半導(dǎo)體襯底20的材料可以是單晶硅(monocrystalline)襯底，也可以是絕緣體上硅(silicononinsulator)襯底。當(dāng)然，它也可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其它襯底材料。偽柵結(jié)構(gòu)21包括形成在襯底20上的柵介質(zhì)層211及形成在柵介質(zhì)層211上的偽柵電極212。柵介質(zhì)層211的材料可為氧化硅，其可利用熱氧化法形成。偽柵電極212的材料可為多晶硅，其可利用傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝形成。本實(shí)施例中，偽柵結(jié)構(gòu)21的形成方法包括：在襯底20上沉積一層?xùn)沤橘|(zhì)層(未圖示)、在柵介質(zhì)層上沉積層偽柵電極層(未圖示)，在所述偽柵電極層上形成圖形化的掩膜層22，所述掩膜層22的材料可以為光刻膠或是氮化硅、氮氧化硅、氮化硼、氮化鈦、氮化鉭等硬掩膜材料，也可以為光刻膠在上、硬掩膜材料在下的組合掩膜層，組合掩膜層可以提供更好的形貌控制。以所述圖形化的掩膜層22為掩膜刻蝕所述偽柵電極層及柵介質(zhì)層，形成偽柵結(jié)構(gòu)21。接著，本實(shí)施例中，在所述偽柵結(jié)構(gòu)21的兩側(cè)形成LDD結(jié)構(gòu)23。隨著集成電路集成度的提高，半導(dǎo)體器件的尺寸逐步按比例縮小，在半導(dǎo)體器件尺寸按比例縮小的過(guò)程中，漏極電壓并不隨之減小，這就導(dǎo)致源極與漏極之間的溝道區(qū)電場(chǎng)增大，在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，電子在兩次碰撞之間會(huì)加速到比熱運(yùn)動(dòng)速度高許多倍的速度，由于電子的動(dòng)能很大其被稱(chēng)為熱電子，從而引起熱電子效應(yīng)(hotelectroneffect)。熱電子效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致熱電子向柵介質(zhì)層211注入，形成柵電極電流和襯底電流，以致影響后續(xù)半導(dǎo)體器件和電路的可靠性。為了克服熱電子效應(yīng)，本實(shí)施例在偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)形成輕摻雜漏(LightlyDopedDrain，簡(jiǎn)稱(chēng)LDD)結(jié)構(gòu)。LDD結(jié)構(gòu)23可以降低電場(chǎng)，并可以顯著改進(jìn)熱電子效應(yīng)。LDD結(jié)構(gòu)23的形成方法可以為：向偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)的襯底20中進(jìn)行離子注入。形成所述LDD結(jié)構(gòu)時(shí)離子注入劑量為E13/cm2～E15/cm2。在其它實(shí)施例中，也可以在所述偽柵結(jié)構(gòu)21的兩側(cè)不形成LDD結(jié)構(gòu)23。本實(shí)施例中，形成所述LDD結(jié)構(gòu)23之后，在所述偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)形成第一側(cè)墻24。請(qǐng)繼續(xù)參考圖7，本實(shí)施例中，第一側(cè)墻24的形成方法包括：在襯底20及掩膜層22上形成用于形成第一側(cè)墻24的材料層(未圖示)，對(duì)所述材料層進(jìn)行回刻(etchback)，在偽柵結(jié)構(gòu)21和掩膜層22的兩側(cè)形成第一側(cè)墻24。所述第一側(cè)墻24的材料為氮化硅。在其它實(shí)施例中，形成偽柵結(jié)構(gòu)21后，可以先將掩膜層22去除，然后在襯底20及偽柵結(jié)構(gòu)層21上形成用于形成第一側(cè)墻24的材料層(未圖示)，對(duì)所述材料層進(jìn)行回刻(etchback)，在偽柵結(jié)構(gòu)21的兩側(cè)形成第一側(cè)墻24。所述第一側(cè)墻24的材料為氮化硅。接著，請(qǐng)結(jié)合參考圖8和圖9，執(zhí)行圖6中的步驟S12：以所述偽柵結(jié)構(gòu)21和第一側(cè)墻24為掩膜，刻蝕所述襯底20，在偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)的襯底中形成凹槽25。本實(shí)施例中，對(duì)凹槽25的形狀可以不作限制，例如可以為矩形、碗形等，本實(shí)施例中較佳為sigma形凹槽。sigma形凹槽的開(kāi)口更加靠近溝道區(qū)，有利于后續(xù)在溝道區(qū)形成較大的應(yīng)力，以提高溝道區(qū)的載流子遷移率，改善晶體管的性能。sigma形凹槽25的形成方法包括：以偽柵結(jié)構(gòu)21、掩膜層22和第一側(cè)墻24為掩膜，刻蝕所述襯底20，在偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)的襯底中形成碗狀凹槽25a(請(qǐng)參考圖8)。將碗狀凹槽25a暴露在TMAH(TetramethylAmmoniumHydroxied，四甲基氫氧化氨)水溶液中，TMAH水溶液腐蝕襯底20，在襯底20中形成碗狀凹槽25a的區(qū)域形成sigma形凹槽25(請(qǐng)參考圖9)。本實(shí)施例中，碗狀凹槽25a的形成方法包括：利用各向異性的干法刻蝕在偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)的襯底20中形成矩形凹槽，所述各向異性的干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括CF4和HBr。然后，利用各向同性的干法刻蝕蝕刻所述矩形凹槽，形成碗狀凹槽25a，所述各向同性的干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括Cl2和NF3。本實(shí)施例中，sigma形凹槽25的形成工藝參數(shù)包括：TMAH水溶液的體積百分比濃度為2％～20％，溫度為30℃～60℃，時(shí)間為100s～300s。具體的刻蝕時(shí)間可根據(jù)sigma形凹槽25的期望尺寸而定。TMAH具有較高的腐蝕速率、無(wú)毒無(wú)污染、便于操作，且TMAH的晶向選擇性好，其在晶向<100>及<110>方向上的腐蝕速度較快，而在其它晶向方向，如晶向<111>上的腐蝕速率很緩慢，因此，可利用TMAH水溶液在襯底不同晶向上具有不同刻蝕速率的特性，繼續(xù)蝕刻碗狀凹槽25a以形成sigma形凹槽25。接著，請(qǐng)參考圖10，執(zhí)行圖6中的步驟S13，在所述凹槽25內(nèi)填充滿半導(dǎo)體材料26。所述MOS晶體管為PMOS晶體管時(shí)，所述半導(dǎo)體材料26為鍺硅(SiGe)材料，所述硅鍺材料可以引入硅和鍺硅之間晶格失配形成的壓應(yīng)力，進(jìn)一步提高壓應(yīng)力，從而提高PMOS晶體管的性能；當(dāng)所述MOS晶體管為NMOS晶體管時(shí)，所述半導(dǎo)體材料26為碳化硅(SiC)材料，所述碳化硅材料可以引入硅和碳硅之間晶格失配形成的拉應(yīng)力，進(jìn)一步提高拉應(yīng)力，提高NMOS晶體管的性能。需要說(shuō)明的是，所述sigma形凹槽25內(nèi)填充滿半導(dǎo)體材料26之前需要清除sigma形凹槽25內(nèi)的被氧化表面。所述半導(dǎo)體材料26的形成工藝為沉積工藝或選擇性外延生長(zhǎng)工藝。本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成鍺硅材料時(shí)，采用的反應(yīng)物包括：硅源氣體SiH4、SiH2Cl2或Si2H6，和鍺源氣體GeH4，用于形成鍺硅材料。為了避免鍺硅材料內(nèi)或其他不需要形成鍺硅的地方產(chǎn)生雜質(zhì)，所述反應(yīng)物中還包括HCl，并且，為了避免半導(dǎo)體襯底20表面的硅被氧化，形成氧化薄膜影響晶體管的性能，在采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成鍺硅材料的同時(shí)還通入氫氣。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述選擇性外延沉積工藝形成鍺硅材料時(shí)，采用的反應(yīng)物為SiH2Cl2、SiH4、GeH4和H2，其參數(shù)范圍為：溫度為550℃-800℃，壓強(qiáng)為5-20Torr，硅源氣體SiH2Cl2、SiH4或Si2H6的流量為30-500sccm，HCl的流量為50-500sccm，H2的流量為5slm-50slm，鍺源氣體GeH4的流量為5sccm-500sccm，碳摻雜氣體的流量為5-500sccm。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，若半導(dǎo)體材料26為碳化硅時(shí)，采用選擇性外延生長(zhǎng)工藝形成的碳化硅的反應(yīng)物包括：SiH4和二甲胺硅烷，還可以包括HCl和H2。正如發(fā)明人發(fā)現(xiàn)和分析所述，在襯底20內(nèi)形成sigma形凹槽25的過(guò)程中對(duì)第一側(cè)墻24產(chǎn)生三次損傷，第一側(cè)墻24的高度降低至偽柵結(jié)構(gòu)21的高度以下。當(dāng)在所述sigma形凹槽25內(nèi)的半導(dǎo)體材料表面形成金屬硅化物時(shí)，在偽柵結(jié)構(gòu)21中沒(méi)有被第一側(cè)墻24保護(hù)的位置也形成了金屬硅化物，而此處的金屬硅化物很難去除，從而影響后續(xù)偽柵結(jié)構(gòu)21中偽柵電極212的去除和柵電極的形成，進(jìn)而影響后續(xù)MOS晶體管的性能。在本發(fā)明中，結(jié)合圖11和圖12，執(zhí)行圖6中的步驟S14，形成半導(dǎo)體材料26后，在所述第一側(cè)墻24之間形成犧牲層28，所述犧牲層28的厚度小于所述第一側(cè)墻24的高度。請(qǐng)參考圖11，本實(shí)施例中，所述sigma形凹槽25內(nèi)填充滿半導(dǎo)體材料26之后，在所述掩膜層22、偽柵結(jié)構(gòu)21、第一側(cè)墻24及所述硅鍺材料26表面形成犧牲層28。所述犧牲層28的材料為非晶碳(Amorphouscarbon)。犧牲層28的形成方法包括原子層沉積(ALD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)、離子蒸發(fā)沉積法、濺射法等等，所有這些方法的共同點(diǎn)是反應(yīng)溫度低(為400℃或更低)。在PECVD法或離子蒸發(fā)沉積法中，可將碳?xì)浠衔?如丙烯、CH4、C2H2、C2H4、C2H6、C3H8等等)作為原料。為了控制非晶碳層的質(zhì)量，常常加入氫氣。在濺射法中，使用諸如氬氣等的稀有氣體進(jìn)行濺射，并且為了控制非晶碳層的質(zhì)量，一般加入氫氣或碳?xì)浠衔餁怏w。然后采用化學(xué)平坦化的方法(CMP)將所述犧牲層28平坦至掩膜層22處。在其它實(shí)施例中，如果形成偽柵結(jié)構(gòu)21后就將掩膜層22去除，可以在所述偽柵結(jié)構(gòu)21、第一側(cè)墻24及所述硅鍺材料26表面形成犧牲層28。然后采用化學(xué)平坦化的方法(CMP)將所述犧牲層28平坦至柵極結(jié)構(gòu)21處。請(qǐng)參考圖12，平坦化犧牲層28后，對(duì)所述犧牲層28進(jìn)行回刻至露出第一側(cè)墻24，并且使所述犧牲層28的厚度小于第一側(cè)墻24的高度。即，進(jìn)行回刻操作后，犧牲層28的厚度為偽柵結(jié)構(gòu)21與掩膜層22高度和的二分之一至三分之二。犧牲層28如果太厚，后續(xù)的第二側(cè)墻不能形成在第一側(cè)墻24上，容易產(chǎn)生第二側(cè)墻剝離的現(xiàn)象；犧牲層28如果太薄，形成的第二側(cè)墻太厚，影響后續(xù)源極與漏極的注入。本實(shí)施例中，可利用O2及Cl2、O2及HBr或O2及CF4來(lái)對(duì)犧牲層28進(jìn)行回刻。接著，結(jié)合圖13和圖14，請(qǐng)參考圖6中的步驟S15，形成介質(zhì)層27’，覆蓋所述犧牲層28、第一側(cè)墻24和所述偽柵結(jié)構(gòu)21。請(qǐng)繼續(xù)參考圖13和圖14，回刻所述犧牲層28后，在所述犧牲層28、第一側(cè)墻24、所述偽柵結(jié)構(gòu)21和掩膜層22上形成介質(zhì)層27’。所述介質(zhì)層27’的厚度h為偽柵結(jié)構(gòu)21與掩膜層22高度和的二十分之一至四分之一。如果介質(zhì)層27’太薄，后續(xù)對(duì)介質(zhì)層27’進(jìn)行回刻時(shí)，很容易被回刻完，從而無(wú)法形成第二側(cè)墻；如果介質(zhì)層27’太厚，形成的第二側(cè)墻太厚，影響后續(xù)源極與漏極的注入。所述介質(zhì)層27’可以為單層結(jié)構(gòu)或疊層層結(jié)構(gòu)。具體過(guò)程如下：請(qǐng)參考圖13，當(dāng)介質(zhì)層27’為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，所述介質(zhì)層27’的材料為氮化硅、氮氧化硅等，其厚度為單層結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層27’的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法、原子層沉積等等。請(qǐng)參考圖14，在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)介質(zhì)層27’為疊層結(jié)構(gòu)中的雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，采用沉積工藝在掩膜層22、偽柵結(jié)構(gòu)21、第一側(cè)墻24和犧牲層28表面形成第一介質(zhì)層27’a和第二介質(zhì)層27’b，所述第二介質(zhì)層27’b在第一介質(zhì)層27’a之上。所述第一介質(zhì)層27’a和第二介質(zhì)層27’b的總厚度為介質(zhì)層27’的厚度h，所述介質(zhì)層27’的厚度為60?！?00埃。所述第一介質(zhì)層27’a的材料可以為氧化硅，所述第二介質(zhì)層27’b的材料可以為氮化硅。在其它實(shí)施例中，如果形成偽柵結(jié)構(gòu)21后就將掩膜層22去除，可以在所述犧牲層28、第一側(cè)墻24和所述偽柵結(jié)構(gòu)21形成介質(zhì)層27’。接著，結(jié)合圖15和圖16，請(qǐng)參考圖6中的步驟S16，對(duì)所述介質(zhì)層27’進(jìn)行回刻蝕，在所述偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)、第一側(cè)墻24上形成第二側(cè)墻27。請(qǐng)結(jié)合參考圖13和圖15，當(dāng)介質(zhì)層27’為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，對(duì)單層結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層進(jìn)行回刻形成第二側(cè)墻27，所述第二側(cè)墻27位于偽柵結(jié)構(gòu)21的兩側(cè)、并且位于第一側(cè)墻24之上。請(qǐng)結(jié)合參考圖14和圖16，在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)介質(zhì)層27’為疊層結(jié)構(gòu)中的雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，依次刻蝕所述第一介質(zhì)層27’a和第二介質(zhì)層27’b，以形成雙層結(jié)構(gòu)的第二側(cè)墻27。當(dāng)?shù)诙?cè)墻27為疊層結(jié)構(gòu)中的雙層結(jié)構(gòu)時(shí)，刻蝕所述第一介質(zhì)層27’a和第二介質(zhì)層27’b是在同一刻蝕機(jī)臺(tái)中進(jìn)行，采用干法刻蝕工藝?？梢员苊庠诓煌涛g機(jī)臺(tái)或不同刻蝕工藝刻蝕第一介質(zhì)層27’a和第二介質(zhì)層27’b形成第二側(cè)墻27造成的尺寸偏差。接著，請(qǐng)參考圖17，執(zhí)行圖6中的步驟S17，去除所述犧牲層28。本實(shí)施例中，形成所述第二側(cè)墻27以后(圖17中以單層側(cè)墻為例)，去除犧牲層28。可直接利用灰化工藝將犧牲層28去除，這時(shí)灰化氣體對(duì)襯底20上的其它結(jié)構(gòu)造成的損害較少，且工藝非常簡(jiǎn)單。所述灰化工藝的參數(shù)包括：O2流量為100sccm～500sccm，等離子體發(fā)生功率為1000W～2000W，時(shí)間為60s～120s。接著，去除犧牲層后，對(duì)所述半導(dǎo)體材料26進(jìn)行離子注入形成源極和漏極(圖未示)。此步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知領(lǐng)域，在此不在贅述。離子注入后，在所述sigma形凹槽25內(nèi)的半導(dǎo)體材料表面26形成金屬硅化物(圖未示)。形成金屬硅化物后，去除偽柵結(jié)構(gòu)21中的偽柵電極212形成偽柵溝槽，在所述偽柵溝槽中填充金屬形成柵電極。在其它實(shí)施例中，如果掩膜層22被去除，離子注入后，還需要在柵極結(jié)構(gòu)表面再次形成掩膜層，所述再次形成掩膜層的材料可以為光刻膠或是氮化硅、氮氧化硅、氮化硼、氮化鈦、氮化鉭等硬掩膜材料，也可以為光刻膠在上與硬掩膜材料在下組合掩膜層，組合掩膜層可以提供更好的形貌控制。然后在硅鍺材料表面26形成金屬硅化物，防止在柵極表面形成金屬硅化物。此步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知領(lǐng)域，在此不在贅述。本實(shí)施例中，在所述偽柵結(jié)構(gòu)21兩側(cè)形成第二側(cè)墻27，所述第二側(cè)墻27位于第一側(cè)墻24之上，后續(xù)的在所述sigma形凹槽25內(nèi)的半導(dǎo)體材料26表面形成金屬硅化物的步驟中，第二側(cè)墻27彌補(bǔ)了第一側(cè)墻24的高度損失，所述第一側(cè)墻24的高度損失是在襯底中形成凹槽并在凹槽內(nèi)填充半導(dǎo)體材料26的過(guò)程中形成的，第一側(cè)墻24的高度損失會(huì)使柵極結(jié)構(gòu)21露出，在后續(xù)形成金屬硅化物的步驟中，第一側(cè)墻24無(wú)法對(duì)露出的偽柵結(jié)構(gòu)21進(jìn)行保護(hù)。因此，在后續(xù)的凹槽內(nèi)的半導(dǎo)體材料表面形成金屬硅化物的步驟中，第一側(cè)墻24和第二側(cè)墻27共同對(duì)偽柵結(jié)構(gòu)21進(jìn)行保護(hù)，防止偽柵結(jié)構(gòu)中沒(méi)有被側(cè)墻保護(hù)的位置也形成金屬硅化物。從而使得后續(xù)的偽柵212去除步驟更容易實(shí)現(xiàn)，進(jìn)而提高后續(xù)MOS晶體管的性能。上述通過(guò)實(shí)施例的說(shuō)明，應(yīng)能使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，并能夠再現(xiàn)和使用本發(fā)明。本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員根據(jù)本文中所述的原理可以在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下對(duì)上述實(shí)施例作各種變更和修改是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明不應(yīng)被理解為限制于本文所示的上述實(shí)施例，其保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求書(shū)來(lái)界定。