離子注入后的清洗方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種離子注入后的清洗方法，用于對離子注入后的半導(dǎo)體襯底進行清洗，所述清洗包括：利用SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟，以去除所述半導(dǎo)體襯底上由于電荷吸附造成的表面缺陷。利用本發(fā)明本的清洗方法，能夠在離子注入后對半導(dǎo)體襯底進行清洗，去除半導(dǎo)體襯底表面的缺陷，提高半導(dǎo)體器件的良率。
【專利說明】離子注入后的清洗方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及離子注入后的清洗方法。

【背景技術(shù)】
[0002]離子注入是半導(dǎo)體器件制作工藝過程中的重要工藝步驟，通過離子注入對半導(dǎo)體襯底進行摻雜，從而達到改變半導(dǎo)體襯底性能參數(shù)的目的。比如對半導(dǎo)體襯底進行鍺注入，改變半導(dǎo)體襯底原有的性能參數(shù)。而對于現(xiàn)有技術(shù)而言，鍺注入之后的一個較大的問題，就是無法在鍺注入之后對半導(dǎo)體襯底進行有效的清洗，從而在半導(dǎo)體襯底上形成較大的缺陷，影響了最終形成的半導(dǎo)體器件的良率。
[0003]因此，需要一種清洗方法，能夠在離子注入后對半導(dǎo)體襯底進行清洗，去除半導(dǎo)體襯底表面的缺陷，提高半導(dǎo)體器件的良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的問題是提供一種離子注入后的清洗方法，能夠在離子注入后對半導(dǎo)體襯底進行清洗，去除半導(dǎo)體襯底表面的缺陷，提高半導(dǎo)體器件的良率。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種離子注入后的清洗方法，用于對離子注入后的半導(dǎo)體襯底進行清洗，所述清洗包括:利用SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟，以去除所述半導(dǎo)體襯底上由于電荷吸附造成的表面缺陷。
[0006]可選地，所述SC-1溶液為氨水、雙氧水和去離子水的混合溶液。
[0007]可選地，利用所述SC-1溶液對所述半導(dǎo)體襯底進行清洗的時間范圍為1-10分鐘。
[0008]可選地，所述清洗時間范圍為3-7分鐘。
[0009]可選地，在執(zhí)行所述SC-1清洗步驟之前，還包括利用SPM溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟。
[0010]可選地，所述SPM溶液為硫酸、雙氧水和去離子水的混合溶液。
[0011]可選地，所述離子注入的離子為鍺離子。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0013]本發(fā)明在離子注入后增加SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗，SC-1溶液能夠有效去除半導(dǎo)體襯底表面由于電荷吸附造成的表面缺陷，將半導(dǎo)體襯底表面缺陷去除，有利于提高最終形成的半導(dǎo)體器件的良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明一個實施例的離子注入后的半導(dǎo)體襯底的清洗方法流程示意圖。

【具體實施方式】
[0015]現(xiàn)有的鍺注入之后半導(dǎo)體襯底上會由于電荷吸附形成微粒，由于缺少一種有效的清洗工藝對半導(dǎo)體襯底進行清洗以去除所述微粒，因而會在半導(dǎo)體襯底上形成缺陷，這些缺陷不僅會直接影響最終形成的半導(dǎo)體器件的良率，也會造成半導(dǎo)體工藝步驟之間的交叉污染，對半導(dǎo)體設(shè)備的性能產(chǎn)生影響。
[0016]為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種離子注入后的清洗方法，用于對離子注入后的半導(dǎo)體襯底進行清洗，所述清洗包括:利用SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟，以去除所述半導(dǎo)體襯底上由于電荷吸附造成的表面缺陷。
[0017]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細地說明。為了更好滴說明本發(fā)明的技術(shù)方案，請參考圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的離子注入后的半導(dǎo)體襯底的清洗方法流程示意圖。
[0018]首先，提供待清洗的半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底為經(jīng)過了離子注入工藝的半導(dǎo)體襯底。本實施例中，所述離子注入工藝為鍺離子注入。當(dāng)然，本發(fā)明的清洗方法還適用于種類離子注入工藝后的半導(dǎo)體襯底，適用于可能引起電荷吸附而形成微粒污染的離子注入工藝后的半導(dǎo)體襯底清洗。比如，所述清洗方法可以適用于硅離子的注入。
[0019]然后，參考圖1，執(zhí)行步驟S2，利用SPM溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗。作為一個實施例，所述SPM溶液為硫酸、雙氧水和去離子水的混合溶液。利用SPM溶液能夠去除半導(dǎo)體襯底表面的有機污染物和部分金屬，但是無法有效去除由于電荷吸附引起的微粒。
[0020]接著，請參考圖1，執(zhí)行步驟S3，利用SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗。所述SC-1溶液為氨水、雙氧水和去離子水的混合溶液。利用SC-1溶液可有效去除半導(dǎo)體襯底表面由于靜電吸附引起的微粒缺陷。為了保證清洗的質(zhì)量，所述SC-1溶液清洗的時間不應(yīng)小于I分鐘。但是SC-1溶液長時間浸泡襯底，也會造成半導(dǎo)體襯底表面粗糙、損傷半導(dǎo)體襯底表面。因此，利用所述SC-1溶液對所述半導(dǎo)體襯底進行清洗不應(yīng)過長，本實施例中，利用所述SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底的清洗時間不應(yīng)超過10分鐘。作為優(yōu)選的實施例，所述利用所述SC-1溶液進行清洗的時間范圍為3-7分鐘，比如所述清洗時間可以為3分鐘、5分鐘或者7分鐘，具體可以根據(jù)工藝進行調(diào)整。在上述清洗時間范圍內(nèi)，可以對半導(dǎo)體襯底進行有效清洗，去除其表面由于電荷吸附引起的缺陷。
[0021]綜上，本發(fā)明在離子注入后增加SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗，SC-1溶液能夠有效去除半導(dǎo)體襯底表面由于電荷吸附造成的表面缺陷，將半導(dǎo)體襯底表面缺陷去除，有利于提高最終形成的半導(dǎo)體器件的良率。
[0022]因此，上述較佳實施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種離子注入后的清洗方法，用于對離子注入后的半導(dǎo)體襯底進行清洗，其特征在于，所述清洗包括:利用SC-1溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟，以去除所述半導(dǎo)體襯底上由于電荷吸附造成的表面缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述SC-1溶液為氨水、雙氧水和去離子水的混合溶液。
3.如權(quán)利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，利用所述SC-1溶液對所述半導(dǎo)體襯底進行清洗的時間范圍為1-10分鐘。
4.如權(quán)利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗時間范圍為3-7分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在執(zhí)行所述SC-1清洗步驟之前，還包括利用SPM溶液對半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述SPM溶液為硫酸、雙氧水和去離子水的混合溶液。
7.如權(quán)利所述I所述的清洗方法，所述離子注入的離子為鍺離子。
【文檔編號】H01L21/02GK104078327SQ201410163488
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月22日
【發(fā)明者】沈曉明, 羅飛 申請人:上海華力微電子有限公司