專利名稱：具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)及其存取片方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)及其存取片方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展以及按比例尺寸縮小，工藝流程復(fù)雜程度與生產(chǎn)難度都不斷的增加，同時對生產(chǎn)環(huán)境的要求也越來越高。生產(chǎn)環(huán)境包括兩個方面其一，半導(dǎo)體 器件生產(chǎn)的潔凈室環(huán)境；其二，半導(dǎo)體器件生產(chǎn)設(shè)備內(nèi)部的局部環(huán)境。所述兩方面環(huán)境的優(yōu)劣直接影響半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能和品質(zhì)。請參閱圖5，圖5所示為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜工藝系統(tǒng)之干法刻蝕設(shè)備的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。所述干法刻蝕設(shè)備2的工作方式包括以下步驟第一、將所述待工藝的晶片(未圖示)從所述晶片盒21中傳輸至處于大氣氛圍下的所述晶片傳送腔室22中；第二、經(jīng)由所述晶片傳輸腔室22的待工藝晶片傳送至處于真空環(huán)境的所述真空送片腔室23 ;第三、經(jīng)由所述真空送片腔室23傳送至工藝腔室24進行相關(guān)薄膜工藝；第四、當(dāng)所述薄膜工藝結(jié)束后，所述晶片再依次經(jīng)過所述真空送片腔室23、所述晶片傳輸腔室22返回至所述晶片盒21 ;第五、當(dāng)所述待工藝的晶片經(jīng)過所述工藝腔室24完成所述薄膜工藝后并全部返回至所述晶片盒21后，所述晶片盒21便將所述晶片傳送至下一工序，依次循環(huán)。明顯地，所述晶片在處于大氣氛圍下的晶片盒21中等待的時間過長，而易于與空氣中的水汽結(jié)合并吸附一些活性較強的物質(zhì)，或者經(jīng)過薄膜工藝處理后的所述晶片自身殘留的化學(xué)試劑揮發(fā)導(dǎo)致晶片間的相互污染，形成缺陷。列舉地，以柵極多晶硅刻蝕工藝為例，其工藝生產(chǎn)中常用的刻蝕氣體包括溴化氫(HBr),所述溴化氫刻蝕氣體極易凝結(jié)。經(jīng)過所述刻蝕工藝后的晶片上會殘留微量的溴化氫刻蝕氣體。所述殘留的溴化氫刻蝕氣體便會揮發(fā)并凝結(jié)在待工藝的晶片上，形成缺陷，對其性能帶來負面影響。又以低介電常數(shù)薄膜的刻蝕為例，常規(guī)工藝中，自所述第一片待工藝晶片開始到所述最后一片待工藝晶片工藝結(jié)束所耗費的工藝時間較長。相應(yīng)地，所述經(jīng)過處理后的晶片在位于大氣氛圍中的所述晶片盒21中的停留時間也較長。然而，在所述長時間停留的過程中，所述低介電常數(shù)薄膜極易與大氣中的水汽結(jié)合，并吸附活性較強的其它成分，降低其性能。故針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本案設(shè)計人憑借從事此行業(yè)多年的經(jīng)驗，積極研究改良，于是有了發(fā)明一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)及其存取片方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的薄膜工藝系統(tǒng)中所述晶片在處于大氣氛圍下的晶片盒中等待的時間過長，而易于與空氣中的水汽結(jié)合并吸附一些活性較強的物質(zhì)，或者經(jīng)過薄膜工藝處理后的所述晶片自身殘留的化學(xué)試劑揮發(fā)導(dǎo)致晶片間的相互污染等缺陷，提供一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)。本發(fā)明的又一目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中，傳統(tǒng)的薄膜工藝系統(tǒng)中所述晶片在處于大氣氛圍下的晶片盒中等待的時間過長，而易于與空氣中的水汽結(jié)合并吸附一些活性較強的物質(zhì)，或者經(jīng)過薄膜工藝處理后的所述晶片自身殘留的化學(xué)試劑揮發(fā)導(dǎo)致晶片間的相互污染等缺陷，提供一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法。為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，包括依次順序連接的晶片存儲單元、晶片傳送腔體、真空送片腔、工藝腔，以及設(shè)置在所述晶片傳輸腔體和所述真空送片腔之間的真空存片腔；晶片存儲單元，所述晶片存儲單元用于存儲所述待工藝的晶片；真空存片腔，所述真空存片腔用于存儲已經(jīng)過薄膜工藝的晶片；晶片傳輸腔體，所述晶片傳輸腔體內(nèi)設(shè)置所述大氣傳送裝置，所述大氣傳送裝置用于所述待工藝晶片在所述晶片存儲單元和所述晶片傳輸腔體之間傳送，以及所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述晶片存儲單元與所述真空存片腔之間傳送；真空送片腔，所述真空送片腔內(nèi)進一步設(shè)置所述真空傳送裝置，所述真空傳送裝置用于所述待工藝晶片在所述晶片傳送腔和所述工藝腔之間傳送，以及所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述工藝腔·和所述真空存片腔之間傳送；真空存片腔，所述真空存片腔進一步包括具有與所述真空存片腔連通的泵抽單元，所述泵抽單元用于為所述真空存片腔提供真空氛圍或者大氣氛圍，且在所述真空存片腔內(nèi)活動設(shè)置所述存片槽?？蛇x的，所述大氣傳送裝置為大氣傳送手臂；所述真空傳送裝置為大氣傳送手臂?？蛇x的，所述泵抽單元在所述真空存片腔處于存片狀態(tài)時為所述真空存片腔提供真空氛圍；所述泵抽單元在所述真空存片腔處于取片狀態(tài)時為所述真空存片腔提供大氣氛圍?？蛇x的，所述存片槽活動設(shè)置在所述真空存片腔內(nèi)，并可相對于所述真空存片腔上下移動?？蛇x的，所述存片槽容納25片已經(jīng)過薄膜工藝的晶片?？蛇x的，所述待工藝晶片的薄膜工藝為薄膜沉積、薄膜刻蝕工藝。為實現(xiàn)本發(fā)明的又一目的，本發(fā)明提供一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法，所述工藝流程包括以下步驟執(zhí)行步驟SI :在所述大氣傳送裝置的作用下將所述待工藝的晶片從所述晶片存儲單元中傳輸至處于大氣氛圍下的所述晶片傳送腔體中；執(zhí)行步驟S2 :在所述真空傳送裝置的作用下將所述待工藝的晶片從所述晶片傳輸腔體經(jīng)由所述真空送片腔傳送至工藝腔；執(zhí)行步驟S3 :所述待工藝的晶片在所述工藝腔內(nèi)完成所述薄膜工藝；執(zhí)行步驟S4 :當(dāng)所述薄膜工藝結(jié)束后，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述真空傳送裝置的作用下經(jīng)由所述真空送片腔傳送至所述真空存片腔內(nèi)，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片存儲在位于所述真空存片腔內(nèi)的存片槽內(nèi)；執(zhí)行步驟S5 :當(dāng)所述待工藝的晶片經(jīng)過所述工藝腔完成所述薄膜工藝后并全部存儲在所述真空存片腔內(nèi)的存片槽后，與所述真空存片腔連通的泵抽單元啟動并回氣，待所述真空存片腔回歸大氣氛圍后，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述大氣傳送裝置的作用下，從所述真空存片腔傳送至所述晶片存儲單元。
可選的，所述存片槽活動設(shè)置在所述真空存片腔內(nèi)，并可相對于所述真空存片腔上下移動?？蛇x的，所述薄膜工藝為薄膜沉積、薄膜刻蝕工藝?？蛇x的，所述存片槽的存儲數(shù)量根據(jù)實際需要進行調(diào)節(jié)。綜上所述，本發(fā)明所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)通過增加具有活動設(shè)置存片槽的真空存片腔不僅有效的減少已工藝晶片存在風(fēng)險的等候時間，并避免已經(jīng)過薄膜工藝的晶片和待工藝晶片之間的相互影響，而且規(guī)避了潛在風(fēng)險，提高了產(chǎn)品性能和品質(zhì)。



圖I所示為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)之存片槽位于上端的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3所示為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)之存片槽位于下端的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法的工藝流程圖；圖5所示為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜工藝系統(tǒng)之干法刻蝕設(shè)備的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為詳細說明本發(fā)明創(chuàng)造的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達成目的及功效，下面將結(jié)合實施例并配合附圖予以詳細說明。請參閱圖I、圖2、圖3，圖I所示為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2所示為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)之存片槽位于上端的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。圖3所示為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)之存片槽位于下端的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)I包括依次順序連接的晶片存儲單元11、晶片傳送腔體12、真空送片腔13、工藝腔14，以及設(shè)置在所述晶片傳輸腔體12和所述真空送片腔13之間的真空存片腔15。其中，所述晶片存儲單元11用于存儲所述待工藝的晶片111。所述真空存片腔15用于存儲已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112。所述晶片傳輸腔體12內(nèi)設(shè)置所述大氣傳送裝置121，所述大氣傳送裝置121用于所述待工藝晶片111在所述晶片存儲單元11和所述晶片傳輸腔體12之間傳送，以及所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112在所述晶片存儲單元11與所述真空存片腔15之間傳送。所述真空送片腔13設(shè)置在所述晶片傳送腔體12與所述工藝腔14之間，并用于所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)I的真空度過渡。所述真空送片腔13內(nèi)進一步設(shè)置所述真空傳送裝置131，所述真空傳送裝置131用于所述待工藝晶片111在所述晶片傳送腔12和所述工藝腔14之間傳送，以及所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112在所述工藝腔14和所述真空存片腔15之間傳送。所述真空存片腔15進一步包括具有與所述真空存片腔15連通的泵抽單元151，所述泵抽單元151用于為所述真空存片腔15提供真空氛圍或者大氣氛圍，且在所述真空存片腔15內(nèi)活動設(shè)置所述存片槽152，所述存片槽152用于存儲已經(jīng)過薄膜工藝的所述晶片112。在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述大氣傳送裝置121為大氣傳送手臂。所述真空傳送裝置131為大氣傳送手臂。所述泵抽單元151在所述真空存片腔15處于存片狀態(tài)時為所述真空存片腔15提供真空氛圍；所述泵抽單元151在所述真空存片腔15處于取片狀態(tài)時為所述真空存片腔15提供大氣氛圍。所述存片槽152活動設(shè)置在所述真空存片腔15內(nèi)，并可相對于所述真空存片腔15上下移動，所述存片槽152可容納25片已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112。所述待工藝晶片111的薄膜工藝包括但不限于薄膜沉積、薄膜刻蝕等工藝。請參閱圖4，圖4為本發(fā)明具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法的工藝流程圖。所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法的工藝流程包括以下步驟執(zhí)行步驟SI :在所述大氣傳送裝置121的作用下將所述待工藝的晶片111從所述晶片存儲單元11中傳輸至處于大氣氛圍下的所述晶片傳送腔體12中；執(zhí)行步驟S2 :在所述真空傳送裝置131的作用下將所述待工藝的晶片111從所述 晶片傳輸腔體12經(jīng)由所述真空送片腔13傳送至工藝腔14 ；執(zhí)行步驟S3 :所述待工藝的晶片111在所述工藝腔14內(nèi)完成所述薄膜工藝；執(zhí)行步驟S4 :當(dāng)所述薄膜工藝結(jié)束后，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112在所述真空傳送裝置131的作用下經(jīng)由所述真空送片腔13傳送至所述真空存片腔15內(nèi)，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片121存儲在位于所述真空存片腔13內(nèi)的存片槽131內(nèi)；執(zhí)行步驟S5 :當(dāng)所述待工藝的晶片111經(jīng)過所述工藝腔14完成所述薄膜工藝后并全部存儲在所述真空存片腔15內(nèi)的存片槽152后，與所述真空存片腔15連通的泵抽單元151啟動并回氣，待所述真空存片腔15回歸大氣氛圍后，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112在所述大氣傳送裝置121的作用下，從所述真空存片腔15傳送至所述晶片存儲單元11。請繼續(xù)參閱圖2、圖3，并結(jié)合參閱圖1，在本發(fā)明中，為了便于所述已經(jīng)過薄膜工藝后的晶片112存儲，所述位于真空存片腔15內(nèi)的存片槽152可相對于所述真空存片腔15上下移動，所述存片槽152可容納25片已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112。所述薄膜工藝包括但不限于薄膜沉積、薄膜刻蝕等工藝。明顯地，所述存片槽152的存儲數(shù)量可根據(jù)實際需要進行調(diào)節(jié)。本發(fā)明中所述存片槽152容納25片已經(jīng)過薄膜工藝的晶片112僅為列舉，不應(yīng)視為對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。綜上所述，本發(fā)明所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)通過增加具有活動設(shè)置存片槽的真空存片腔不僅有效的減少已工藝晶片存在風(fēng)險的等候時間，并避免已經(jīng)過薄膜工藝的晶片和待工藝晶片之間的相互影響，而且規(guī)避了潛在風(fēng)險，提高了產(chǎn)品性能和品質(zhì)。本領(lǐng)域技術(shù)人員均應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權(quán)利要求書及等同物的保護范圍內(nèi)時，認為本發(fā)明涵蓋這些修改和變型。
權(quán)利要求
1.一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，其特征在于，所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)包括依次順序連接的晶片存儲單元、晶片傳送腔體、真空送片腔、工藝腔，以及設(shè)置在所述晶片傳輸腔體和所述真空送片腔之間的真空存片腔； 晶片存儲單元，所述晶片存儲單元用于存儲所述待工藝的晶片； 真空存片腔，所述真空存片腔用于存儲已經(jīng)過薄膜工藝的晶片； 晶片傳輸腔體，所述晶片傳輸腔體內(nèi)設(shè)置所述大氣傳送裝置，所述大氣傳送裝置用于所述待工藝晶片在所述晶片存儲單元和所述晶片傳輸腔體之間傳送，以及所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述晶片存儲單元與所述真空存片腔之間傳送； 真空送片腔，所述真空送片腔內(nèi)進一步設(shè)置所述真空傳送裝置，所述真空傳送裝置用于所述待工藝晶片在所述晶片傳送腔和所述工藝腔之間傳送，以及所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述工藝腔和所述真空存片腔之間傳送； 真空存片腔，所述真空存片腔進一步包括具有與所述真空存片腔連通的泵抽單元，所述泵抽單元用于為所述真空存片腔提供真空氛圍或者大氣氛圍，且在所述真空存片腔內(nèi)活動設(shè)置所述存片槽。
2.如權(quán)利要求I所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，其特征在于，所述大氣傳送裝置為大氣傳送手臂；所述真空傳送裝置為大氣傳送手臂。
3.如權(quán)利要求I所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，其特征在于，所述泵抽單元在所述真空存片腔處于存片狀態(tài)時為所述真空存片腔提供真空氛圍；所述泵抽單元在所述真空存片腔處于取片狀態(tài)時為所述真空存片腔提供大氣氛圍。
4.如權(quán)利要求I所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，其特征在于，所述存片槽活動設(shè)置在所述真空存片腔內(nèi)，并可相對于所述真空存片腔上下移動。
5.如權(quán)利要求I所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，其特征在于，所述存片槽容納25片已經(jīng)過薄膜工藝的晶片。
6.如權(quán)利要求I所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，其特征在于，所述待工藝晶片的薄膜工藝為薄膜沉積、薄膜刻蝕工藝。
7.如權(quán)利要求I所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法，其特征在于，所述工藝流程包括以下步驟 執(zhí)行步驟SI :在所述大氣傳送裝置的作用下將所述待工藝的晶片從所述晶片存儲單元中傳輸至處于大氣氛圍下的所述晶片傳送腔體中； 執(zhí)行步驟S2 :在所述真空傳送裝置的作用下將所述待工藝的晶片從所述晶片傳輸腔體經(jīng)由所述真空送片腔傳送至工藝腔； 執(zhí)行步驟S3 :所述待工藝的晶片在所述工藝腔內(nèi)完成所述薄膜工藝； 執(zhí)行步驟S4 :當(dāng)所述薄膜工藝結(jié)束后，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述真空傳送裝置的作用下經(jīng)由所述真空送片腔傳送至所述真空存片腔內(nèi)，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片存儲在位于所述真空存片腔內(nèi)的存片槽內(nèi)； 執(zhí)行步驟S5 :當(dāng)所述待工藝的晶片經(jīng)過所述工藝腔完成所述薄膜工藝后并全部存儲在所述真空存片腔內(nèi)的存片槽后，與所述真空存片腔連通的泵抽單元啟動并回氣，待所述真空存片腔回歸大氣氛圍后，所述已經(jīng)過薄膜工藝的晶片在所述大氣傳送裝置的作用下，從所述真空存片腔傳送至所述晶片存儲單元。
8.如權(quán)利要求7所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法，其特征在于，所述存片槽活動設(shè)置在所述真空存片腔內(nèi)，并可相對于所述真空存片腔上下移動。
9.如權(quán)利要求7所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法，其特征在于，所述薄膜工藝為薄膜沉積、薄膜刻蝕工藝。
10.如權(quán)利要求7所述的具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)的存取片方法，其特征在于，所述存片槽的存儲數(shù)量根據(jù)實際需要進行調(diào)節(jié)。
全文摘要
一種具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)，包括依次順序連接的晶片存儲單元、晶片傳送腔體、真空送片腔、工藝腔，以及設(shè)置在所述晶片傳輸腔體和所述真空送片腔之間的真空存片腔。所述真空存片腔進一步包括具有與所述真空存片腔連通的泵抽單元，所述泵抽單元用于為所述真空存片腔提供真空氛圍或者大氣氛圍，且在所述真空存片腔內(nèi)活動設(shè)置所述存片槽。本發(fā)明所述具有存片槽的薄膜工藝系統(tǒng)通過增加具有活動設(shè)置存片槽的真空存片腔不僅有效的減少已工藝晶片存在風(fēng)險的等候時間，并避免已經(jīng)過薄膜工藝的晶片和待工藝晶片之間的相互影響，而且規(guī)避了潛在風(fēng)險，提高了產(chǎn)品性能和品質(zhì)。
文檔編號H01L21/677GK102820245SQ20121029267
公開日2012年12月12日 申請日期2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月16日
發(fā)明者黃海 申請人:上海華力微電子有限公司