一種高產(chǎn)能半導體薄膜沉積設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種沉積設備，尤其是一種高產(chǎn)能半導體薄膜沉積設備，主要應用于半導體設備。
【背景技術】
[0002]隨著半導體技術的發(fā)展，需要提高設備工作效率。目前反應腔與儲存腔、傳片腔單一循環(huán)進行工藝，設備的等待時間長。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]針對上述現(xiàn)有技術的不足，本實用新型提供了一種高產(chǎn)能半導體薄膜沉積設備。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種高產(chǎn)能半導體薄膜沉積設備，包括前置設備(I)、儲存腔(2)、傳片腔(3)及反應腔(4)。前置設備⑴通過門閥與儲存腔(2)連接，晶圓升降機構處于儲存腔(2)內(nèi)。儲存腔(2)與傳片腔(3)連接。傳片腔
(3)與三個反應腔⑷連接。儲存腔(2)內(nèi)安裝晶圓升降機構。傳片腔(3)內(nèi)安裝雙層機械手。
[0005]本實用新型的有益效果及特點:結構緊湊合理，前置設備(I)通過門閥與儲存腔
(2)連接，傳片腔(3)與三個反應腔(4)連接。儲存腔內(nèi)安裝晶圓升降機構。傳片腔(3)安裝雙層機械手，可以滿足使用要求。
【附圖說明】
[0006]圖1是本實用新型的結構示意圖。
[0007]圖2是圖1的A-A剖視圖。
【具體實施方式】
[0008]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清晰、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0009]如圖1和圖2所示:一種高產(chǎn)能半導體薄膜沉積設備，包括前置設備1、儲存腔2、傳片腔3及反應腔4。前置設備I通過門閥與儲存腔2連接，晶圓升降機構6處于儲存腔2內(nèi)。儲存腔2與傳片腔3連接。傳片腔3與三個反應腔4連接。儲存腔2內(nèi)安裝晶圓升降機構6。傳片腔3內(nèi)安裝雙層機械手5。
[0010]當反應腔進行工藝時，傳片可以繼續(xù)進行傳片，以滿足使用要求。
【主權項】
1.一種高產(chǎn)能半導體薄膜沉積設備，其特征在于:包括前置設備(I)、儲存腔(2)、傳片腔(3)及反應腔(4);前置設備(I)通過門閥與儲存腔(2)連接，晶圓升降機構處于儲存腔(2 )內(nèi)，儲存腔(2 )與傳片腔(3 )連接，傳片腔(3 )與三個反應腔(4)連接，儲存腔(2 )內(nèi)安裝晶圓升降機構，傳片腔(3)內(nèi)安裝雙層機械手。
【專利摘要】一種高產(chǎn)能半導體薄膜沉積設備，包括前置設備(1)、儲存腔(2)、傳片腔(3)及反應腔(4)。前置設備(1)通過門閥與儲存腔(2)連接，晶圓升降機構處于儲存腔(2)內(nèi)。儲存腔(2)與傳片腔(3)連接。傳片腔(3)與三個反應腔(4)連接。儲存腔(2)內(nèi)安裝晶圓升降機構。傳片腔(3)內(nèi)安裝雙層機械手。本實用新型結構緊湊合理，可以滿足使用要求。
【IPC分類】H01L21/677, H01L21/20
【公開號】CN204927241
【申請?zhí)枴緾N201520555722
【發(fā)明人】劉憶軍, 續(xù)震, 王燚
【申請人】沈陽拓荊科技有限公司
【公開日】2015年12月30日
【申請日】2015年7月29日