半導(dǎo)體成膜設(shè)備、襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體成膜設(shè)備、襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)，包括M個定位卡緊結(jié)構(gòu)，其與所述基座同軸心地環(huán)形分布在所述基座上表面的周圍，用于在工藝過程中卡緊襯底；其中，M為大于等于3的整數(shù)；所述定位卡緊結(jié)構(gòu)包括：貫穿所述基座的定位孔洞；自定位卡緊支架，所述定位卡緊支架包括相互垂直固定的圓柱形支桿和橫桿，以及位于所述基座下方的支座；所述橫桿位于所述支桿的頂部，所述橫桿的一端朝向軸心，另一端遠(yuǎn)離軸心；所述遠(yuǎn)離軸心的外端包括高出橫桿上表面的定位臺階和凹入定位臺階內(nèi)側(cè)的卡緊銳角卡槽；所述支桿穿過所述定位孔洞，其球面底部與所述支座相抵接，且所述圓柱形支桿上與所述定位臺階同側(cè)處具有切面。
【專利說明】
半導(dǎo)體成膜設(shè)備、襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體成膜設(shè)備和半導(dǎo)體襯底的自動定位卡緊結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展迅速，涉及半導(dǎo)體、集成電路、太陽能電池板、平面顯示器、微電子、發(fā)光二極管等，而這些器件主要是由在襯底上形成的數(shù)層材質(zhì)厚度不同的薄膜組成，因此，作為半導(dǎo)體設(shè)備之核心的成膜設(shè)備，是決定半導(dǎo)體器件薄膜生長的質(zhì)量和成品率的重要因素。
[0003]通常，半導(dǎo)體成膜設(shè)備在反應(yīng)腔室內(nèi)包括用于放置襯底的基座，機(jī)械手將襯底與反應(yīng)氣體噴淋頭同心放置于基座上表面后，就可以進(jìn)行成膜工藝過程。然而，現(xiàn)有技術(shù)的成膜方法往往會導(dǎo)致薄膜不均勻，其原因在于:
[0004]第一，當(dāng)襯底被放置于基座上后，反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力會降壓到工藝壓強(qiáng)，由于襯底沒有固定，該抽氣過程會導(dǎo)致不固定襯底的漂移，從而使得成膜過程中襯底與反應(yīng)氣體噴淋頭不同心；
[0005]第二，當(dāng)執(zhí)行基座升降時，由于襯底不固定，基座的升降過程會造成襯底漂移，使得襯底無法落在基座要求位置；
[0006]第三，當(dāng)基座旋轉(zhuǎn)時，由于襯底不固定，基座的旋轉(zhuǎn)也會造成襯底移動，使得襯底無法落在基座要求位置，甚至是將襯底甩出基座，造成襯底破碎；
[0007]第四，襯底的漂移也會造成襯底片間的不均勻成膜。
[0008]也就是說，半導(dǎo)體成膜設(shè)備要求襯底與反應(yīng)氣體噴淋頭同心才能長出均勻高質(zhì)量的膜，而上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題會顯著降低成膜的均勻性，從而增加產(chǎn)品的不合格率。
[0009]然而，半導(dǎo)體成膜過程需要一個密閉的環(huán)境中進(jìn)行，操作人員無法實(shí)時觀察襯底在反應(yīng)腔室內(nèi)的位置變化。通常，只有當(dāng)機(jī)械手取出長出膜的襯底后，發(fā)現(xiàn)襯底不在要求的位置上，才能知道襯底已經(jīng)移動過，而此時工藝過程已經(jīng)完成，增加了不必要的時間成本。
[0010]因此，如何提供一種用于半導(dǎo)體成膜設(shè)備腔體中的襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)及卡緊方法，使其在成膜過程中可以對襯底進(jìn)行定位，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的在于解決襯底無定位卡緊的缺陷，且提供一種半導(dǎo)體成膜設(shè)備、半導(dǎo)體襯底的自動定位卡緊結(jié)構(gòu)及卡緊方法，其可以自動對襯底進(jìn)行固定定位，避免由于襯底移動造成成膜不均勻甚至失敗。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0012]—種半導(dǎo)體成膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和承載襯底的基座，所述基座具有支撐軸;其特征在于，還包括M個定位卡緊結(jié)構(gòu)，所述M個定位卡緊結(jié)構(gòu)與所述基座同軸心地環(huán)形分布在所述基座上表面的周圍，用于在工藝過程中卡緊所述襯底;其中，M為大于等于3的整數(shù)；所述定位卡緊結(jié)構(gòu)包括:
[0013]貫穿所述基座的定位孔洞；
[OOM]自定位卡緊支架，所述自定位卡緊支架包括相互垂直固定的圓柱形支桿和橫桿，以及位于所述基座下方的支座;所述橫桿位于所述支桿的頂部，所述橫桿的一端朝向軸心，另一端遠(yuǎn)離軸心;所述遠(yuǎn)離軸心的外端包括高出橫桿上表面的定位臺階和凹入定位臺階內(nèi)側(cè)的卡緊銳角卡槽;所述支桿穿過所述定位孔洞，其球面底部與所述支座相抵接，且所述圓柱形支桿上與所述定位臺階同側(cè)處具有切面;其中，
[0015]當(dāng)沒有加載所述襯底時，所述M個橫桿外端在自身重心的作用下朝下傾斜一個預(yù)定角度；
[0016]當(dāng)所述襯底下表面與所述自定位卡緊支架上的橫桿接觸后，所述M個橫桿外端在所述定位卡緊支架與所述襯底組成的配合體重心的作用下，以所述球面為支點(diǎn)且通過所述切面導(dǎo)向，向上抬升至水平位置，以使所述襯底卡緊在所述卡緊銳角卡槽中。
[0017]在本發(fā)明一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述基座的上表面具有定位凹槽，所述定位凹槽底部為一成角度的斜面，且所述基座的定位孔洞位于定位凹槽內(nèi)，所述成角度的斜面與所述橫桿外端朝下傾斜的預(yù)定角度相適配;且當(dāng)沒有加載所述襯底時，所述橫桿外端在自身重心的作用下朝下傾斜位于所述定位凹槽內(nèi)。
[0018]在本發(fā)明一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述M個定位卡緊結(jié)構(gòu)與所述基座同軸心地環(huán)形均勻分布。
[0019]在本發(fā)明一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述卡緊銳角卡槽與水平面之間的夾角為0.1°?10。。
[0020]在本發(fā)明一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述卡緊銳角卡槽與水平面之間的夾角為1°。
[0021]在本發(fā)明一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述切面的形狀可以是拋物線形面、圓錐型面或者直斜面。
[0022]在本發(fā)明一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述卡槽的開口夾角為5°?85°。
[0023]在本發(fā)明一些優(yōu)選的實(shí)施例中，所述支座為熱反射板。
[0024]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種技術(shù)方案如下:
[0025]—種半導(dǎo)體成膜設(shè)備的定位卡緊結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體成膜設(shè)備包括反應(yīng)腔室和承載襯底的基座，所述基座具有支撐軸;所述定位卡緊結(jié)構(gòu)包括:
[0026]位于所述基座的上表面的定位凹槽，其底部為一成角度的斜面，且所述定位凹槽內(nèi)設(shè)有貫穿所述基座的定位孔洞；
?0027]自定位卡緊支架，所述自定位卡緊支架包括相互垂直固定的圓柱形支桿和橫桿，以及位于所述基座下方的支座;所述橫桿位于所述支桿的頂部，所述橫桿的一端朝向軸心，另一端遠(yuǎn)離軸心;所述遠(yuǎn)離軸心的外端包括高出橫桿上表面的定位臺階和凹入定位臺階內(nèi)側(cè)的卡緊銳角卡槽;所述支桿穿過所述定位孔洞，其球面底部與所述支座相抵接，且所述圓柱形支桿上與所述定位臺階同側(cè)處具有切面;其中，
[0028]當(dāng)沒有加載所述襯底時，所述橫桿外端在自身重心的作用下朝下傾斜一個預(yù)定角度;所述成角度的斜面與所述橫桿外端朝下傾斜的預(yù)定角度相適配；
[0029]當(dāng)所述襯底下表面與所述自定位卡緊支架上的橫桿接觸后，所述橫桿外端在所述自定位卡緊支架與所述襯底組成的配合體重心的作用下，以所述球面為支點(diǎn)且通過所述切面導(dǎo)向，向上抬升至水平位置;通過與其它與所述基座同軸心地環(huán)形分布在所述基座上表面周圍的定位卡緊結(jié)構(gòu)，將所述襯底卡緊在所述卡緊銳角卡槽中。
[0030]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明再提供一種技術(shù)方案如下:
[0031]—種采用上述襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)的卡緊方法，包括如下步驟:
[0032]步驟S1:利用升降單元將所述基座降至低位，使得所述球面結(jié)構(gòu)與所述熱反射板接觸;在重力的作用下，所述自定位卡緊支架向所述基座的圓心外側(cè)打開；
[0033]步驟S2:利用機(jī)械手將襯底置于所述自定位卡緊支架上方，并向下至所述襯底下表面接觸所述自定位卡緊支架上的橫桿；
[0034]步驟S3:所述襯底脫離機(jī)械手，其自身重力作用于所述橫桿，并帶動所述自定位卡緊支架向所述切面的相反方向運(yùn)動，使得所述定位臺階與所述襯底的外圓接觸；
[0035]步驟S4:利用升降單元帶動基座上升至所述球面結(jié)構(gòu)脫離所述熱反射板；
[0036]步驟S5:所述自定位卡緊支架在重力作用下自動卡緊所述襯底。
[0037]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)，其依據(jù)錐形斜面、重力、杠桿機(jī)構(gòu)配合，結(jié)構(gòu)簡單，且無需外部提供動力就能實(shí)現(xiàn)自動定位卡緊的功能，從而保證了襯底在基座上位置固定不變，使其膜生長更加均勻，同時也消除了片間的差異性。
【附圖說明】
[0038]圖1示出為本發(fā)明具有單片不旋轉(zhuǎn)式基座的半導(dǎo)體成膜設(shè)備腔體一個實(shí)施例的剖面圖
[0039]圖2所示為本發(fā)明自動定位卡緊結(jié)構(gòu)中的自定位卡緊支架的立體結(jié)構(gòu)示意圖
[0040]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的基座和定位凹槽結(jié)構(gòu)的剖面圖[0041 ]圖4所示為本發(fā)明自動定位卡緊結(jié)構(gòu)和基座的立體結(jié)構(gòu)示意圖
[0042]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的自定位卡緊支架在基座處于低位時的結(jié)構(gòu)圖
[0043]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的自定位卡緊支架在放置襯底后的結(jié)構(gòu)圖
[0044]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的自定位卡緊支架卡緊襯底時的受力示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0045]下面參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明可以，但是以不同的方式體現(xiàn)，但是不應(yīng)該局限于在此所述的實(shí)施例。
[0046]需要說明的是，本發(fā)明半導(dǎo)體襯底的自動定位卡緊結(jié)構(gòu)及卡緊方法，可以使用于需要在基座上固定襯底的任何一種半導(dǎo)體設(shè)備的腔體。具體地，本發(fā)明半導(dǎo)體襯底的自動定位卡緊結(jié)構(gòu)及卡緊方法，按基座的功能分，可以適用于具有升降基座或具有旋轉(zhuǎn)功能基座的半導(dǎo)體膜設(shè)備腔體中，當(dāng)然，也同樣適用于具有固定基座的半導(dǎo)體膜設(shè)備腔體中；按基座能承載晶圓(即襯底)片數(shù)分，本發(fā)明半導(dǎo)體襯底的自動定位卡緊結(jié)構(gòu)及卡緊方法，可以適用于多片旋轉(zhuǎn)式基座、單片旋轉(zhuǎn)式基座和單片不旋轉(zhuǎn)式基座。為敘述方便起見，下面的實(shí)施例僅以單片不旋轉(zhuǎn)式基座為例，進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0047]請參閱圖1，圖1示出為本發(fā)明具有單片不旋轉(zhuǎn)式基座的半導(dǎo)體成膜設(shè)備腔體一個實(shí)施例的剖面圖。如圖1所示，半導(dǎo)體成膜設(shè)備反應(yīng)腔室I中具有用于放置襯底4的基座2、自動定位卡緊支架3、機(jī)械手5、熱反射板6、升降單元7和反應(yīng)氣體噴淋頭8。其中，反應(yīng)腔室I為襯底4提供密閉潔凈的反應(yīng)場所，反應(yīng)氣體噴淋頭8在反應(yīng)腔室I上面且與腔室I同心，升降單元7與反應(yīng)腔室I底面連接，基座2與升降單元7連接并且保證基座2與反應(yīng)腔室I同心，升降單元7可帶動基座2做上下運(yùn)動，熱反射板6固定在反應(yīng)腔室I底面且與反應(yīng)腔室I同心；自定位卡緊支架3在基座2上與定位孔洞32(如圖3所示)配合，機(jī)械手5可以用于傳送襯底4，在執(zhí)行工藝過程中，襯底4通過自定位卡緊支架3坐落在基座2的上表面。
[0048]請參閱圖2，圖2所示為本發(fā)明定位卡緊結(jié)構(gòu)中的一個定位卡緊支架的立體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，自定位卡緊支架3包括相互基本垂直固定的支桿25和橫桿23，支桿25和橫桿23的材料可以與基座相同，優(yōu)選地，可以為陶瓷、石英或者石墨等。其中，橫桿23位于支桿25的頂部，且橫桿23的上表面為平面，橫桿23的一端朝向軸心，另一端遠(yuǎn)離軸心，遠(yuǎn)離軸心的外端包括高出橫桿23上表面的定位臺階21，定位臺階21用于卡緊襯底4 ο定位臺階21的內(nèi)偵叭朝向軸心的側(cè)面)具有卡緊銳角卡槽22，該卡槽22為嵌入定位臺階21內(nèi)側(cè)內(nèi)的一個契形空間。其中，該卡槽22上端到下端的角度優(yōu)選地為5°?85°，更優(yōu)選地，卡槽22的角度為10°。
[0049]在本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中，支桿25為長圓柱體結(jié)構(gòu)，其底部包括球面結(jié)構(gòu)26，且支桿25靠近定位臺階21的一側(cè)具有切面24，在沿橫桿23的延伸方向上，該切面24使得支架25靠近底部的長度小于靠近頂部的長度，同時，橫桿23的放置使得自定位卡緊支架3的重心位于切面24—側(cè)。其中，切面24的形狀可以是拋物線型面、圓錐型面或者直斜面。
[0050]請參閱圖3，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的基座和定位凹槽結(jié)構(gòu)的剖面圖，如圖3所示，基座2上表面有多個與自定位卡緊支架3的橫桿23配合的定位凹槽30，定位孔洞32開口于定位凹槽30的底面31，且定位孔洞32與自定位卡緊支架3的支桿25配合使用。在一些優(yōu)選的實(shí)施例中，底面31向定位臺階一側(cè)傾斜，且與水平面之間的夾角為0.1°?10°，更優(yōu)選地，其夾角為1°。支桿25穿過定位孔洞32，并且支桿25可以在定位孔洞32內(nèi)自由上下滑動且不能隨意旋轉(zhuǎn)。
[0051]請參閱圖4，圖4所示為本發(fā)明定位卡緊結(jié)構(gòu)和基座的立體結(jié)構(gòu)示意圖。在本發(fā)明的實(shí)施例中，M個自動定位卡緊結(jié)構(gòu)與基座2同軸心地環(huán)形均勻分布在基座2的周圍，較佳地，自定位卡緊支架3的數(shù)量至少為3個。從圖4中可以看出，基座2上具有定位凹槽和定位孔洞，分別與自定位卡緊支架的橫桿和支桿的形狀相配合。
[0052]請參閱圖5，圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的自動定位卡緊結(jié)構(gòu)在基座處于低位時的結(jié)構(gòu)圖。如圖所示，當(dāng)升降單元7帶動基座2降至低位時，由于未放置襯底4，自定位卡緊支架3處于空閑狀態(tài)，此時支桿25的底部球面結(jié)構(gòu)26與熱反射板6接觸。由于定位卡緊支架3的重心位于切面24—側(cè)，使得其以球面結(jié)構(gòu)26為支點(diǎn)在重力作用下沿著切面24向下傾斜一個預(yù)定角度，此時橫桿23與水平方向之間的夾角小于90°，并且所述有角度傾斜的底面31與所述橫桿外端向下傾斜的預(yù)定角度相適配。
[0053]請參閱圖6，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的自定位卡緊支架在放置襯底后的結(jié)構(gòu)圖。如圖所示，當(dāng)基座2下降至要求位置時，機(jī)械手5(圖5中未示出)將襯底4送至M個自定位卡緊支架3上方，隨著機(jī)械手5的下降，襯底4的下表面與所述M個自定位卡緊支架3上的橫桿23接觸，同時襯底4與機(jī)械手5脫離。此時，由于橫桿23上增加了襯底4的重量，所述M個橫桿的外端在所述自定位卡緊支架與所述襯底組成的配合體重心的作用下，以所述球面結(jié)構(gòu)為支點(diǎn)且通過所述切面24導(dǎo)向，向上收縮抬升至水平位置。在收縮的過程中，所述M個自定位卡緊支架3與襯底4組成的配合體重心逐漸靠近球面結(jié)構(gòu)26的豎直中心，當(dāng)M個自定位卡緊支架3垂直時，其與襯底4組成的配合體便相對穩(wěn)定，使得M個自定位卡緊支架3不再向內(nèi)收縮，從而通過定位臺階21將襯底4卡緊定位在所述卡槽22中。之后，機(jī)械手5退出反應(yīng)腔室1(圖6中未示出)，升降單元7帶動基座2上升，至球面結(jié)構(gòu)26與熱反射板6脫離時，由于切面24的存在，所述M個自定位卡緊支架3在重力的作用下，有向下貼緊切面24的趨勢。同時，由于定位凹槽30的底面31具有一定傾斜角度，使得橫桿23具有定位臺階21的一端與底面31形成支點(diǎn)接觸，同時，襯底4定位后，其邊緣與卡槽22斜面接觸，這樣就形成了 L型杠桿結(jié)構(gòu)。
[0054]請參閱圖7，圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的自定位卡緊支架卡緊襯底時的受力示意圖。如圖7所示，當(dāng)基座升至最高點(diǎn)時，自定位卡緊支架的橫桿配合地陷于定位凹槽中，此時定位卡緊支架3在重力下提供動力，通過杠桿作用，卡槽22有向內(nèi)收縮的力41，其可以分解成水平指向圓心的力42和垂直向下的力43，其中水平指向圓心的力42卡緊襯底4，垂直向下的力43將襯底4壓緊在基座2的上表面。
[0055]以上的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體成膜設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和承載襯底的基座，所述基座具有支撐軸;其特征在于，還包括M個定位卡緊結(jié)構(gòu)，所述M個定位卡緊結(jié)構(gòu)與所述基座同軸心地環(huán)形分布在所述基座上表面的周圍，用于在工藝過程中卡緊所述襯底;其中，M為大于等于3的整數(shù);所述定位卡緊結(jié)構(gòu)包括: 貫穿所述基座的定位孔洞； 自定位卡緊支架，所述定位卡緊支架包括相互垂直固定的圓柱形支桿和橫桿，以及位于所述基座下方的支座;所述橫桿位于所述支桿的頂部，所述橫桿的一端朝向軸心，另一端遠(yuǎn)離軸心;所述遠(yuǎn)離軸心的外端包括高出橫桿上表面的定位臺階和凹入定位臺階內(nèi)側(cè)的卡緊銳角卡槽;所述支桿穿過所述定位孔洞，其球面底部與所述支座相抵接，且所述圓柱形支桿上與所述定位臺階同側(cè)處具有切面;其中， 當(dāng)沒有加載所述襯底時，所述M個橫桿外端在自身重心的作用下朝下傾斜一個預(yù)定角度； 當(dāng)所述襯底下表面與所述定位卡緊支架上的橫桿接觸后，所述M個橫桿外端在所述定位卡緊支架與所述襯底組成的配合體重心的作用下，以所述球面為支點(diǎn)且通過所述切面導(dǎo)向，向上抬升至水平位置，以使所述襯底卡緊在所述卡緊銳角卡槽中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜設(shè)備，其特征在于，所述基座的上表面具有定位凹槽，所述定位凹槽底部為一成角度的斜面，且所述基座的定位孔洞位于定位凹槽內(nèi)，所述成角度的斜面與所述橫桿外端朝下傾斜的預(yù)定角度相適配;且當(dāng)沒有加載所述襯底時，所述橫桿外端在自身重心的作用下朝下傾斜位于所述定位凹槽內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜設(shè)備，其特征在于，所述M個定位卡緊結(jié)構(gòu)與所述基座同軸心地環(huán)形均勻分布。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜設(shè)備，其特征在于，所述卡緊銳角卡槽與水平面之間的夾角為0.1°?10°。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體成膜設(shè)備，其特征在于，所述卡緊銳角卡槽與水平面之間的夾角為1°。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜設(shè)備，其特征在于，所述切面的形狀是拋物線形面、圓錐型面或者直斜面中的一種。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜設(shè)備，其特征在于，所述卡槽的開口夾角為5°?85。。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體成膜設(shè)備，其特征在于，所述支座為熱反射板。9.一種半導(dǎo)體成膜設(shè)備的襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體成膜設(shè)備包括反應(yīng)腔室和承載襯底的基座，所述基座具有支撐軸;其特征在于，所述襯底自動定位卡緊結(jié)構(gòu)包括: 位于所述基座的上表面的定位凹槽，其底部為一成角度的斜面，且所述定位凹槽內(nèi)設(shè)有貫穿所述基座的定位孔洞； 自定位卡緊支架，所述定位卡緊支架包括相互垂直固定的圓柱形支桿和橫桿，以及位于所述基座下方的支座;所述橫桿位于所述支桿的頂部，所述橫桿的一端朝向軸心，另一端遠(yuǎn)離軸心;所述遠(yuǎn)離軸心的外端包括高出橫桿上表面的定位臺階和凹入定位臺階內(nèi)側(cè)的卡緊銳角卡槽;所述支桿穿過所述定位孔洞，其球面底部與所述支座相抵接，且所述圓柱形支桿上與所述定位臺階同側(cè)處具有切面;其中， 當(dāng)沒有加載所述襯底時，所述橫桿外端在自身重心的作用下朝下傾斜一個預(yù)定角度；所述成角度的斜面與所述橫桿外端朝下傾斜的預(yù)定角度相適配； 當(dāng)所述襯底下表面與所述定位卡緊支架上的橫桿接觸后，所述橫桿外端在所述定位卡緊支架與所述襯底組成的配合體重心的作用下，以所述球面為支點(diǎn)且通過所述切面導(dǎo)向，向上抬升至水平位置;通過與所述基座同軸心地環(huán)形分布在所述基座上表面的其他定位卡緊結(jié)構(gòu)，將所述襯底卡緊在所述卡緊銳角卡槽中。
【文檔編號】H01L21/67GK205452245SQ201521130336
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年12月31日
【發(fā)明人】王勇飛, 蘭云峰
【申請人】北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司