專利名稱：氧化鋁陶瓷基板1瓦5dB衰減片的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB的衰減片。
背景技術：
目前集成了三個膜狀電阻設計的衰減片廣泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域。使用負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時還能抽取需要的信號進行分析，并在高頻電路上調整功率電平，去耦，對相關設備起到了保護作用。由于國外對同類產品的研發(fā)與制造比國內起步早，無論在產品系列還是產品特性上都處于優(yōu)勢地位。同時國內市場上現有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對較窄。我們希望的衰減器是一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當衰減精度或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。

發(fā)明內容
針對上述現有技術的不足，本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種阻抗?jié)M足50± I. 5 Q，在3G頻段以內衰減精度為5 ±0. 5dB,駐波要求輸入、輸出端在I. 2以內，能夠滿足目前3G網絡的應用要求的功率氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片，取代國外同類產品，并在特性上填補國內產品的空白。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案一種氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片，其包括一尺寸為2*3. 5*0. 635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述電阻采用多次印刷一次燒結成型技術，避免了電阻因多次燒結產生阻值變化的現象，所述電阻上印刷有高溫保護膜，在激光精確切割時放置高溫對電阻的破壞，以保證調試精度。 優(yōu)選的，所述膜狀電阻采用左右對稱設計，以保證信號的穩(wěn)定性。優(yōu)選的，所述電路采用串并聯電路設計，所述并聯采用單邊接地導通。優(yōu)選的，所述膜狀電阻采用高溫燒結電阻漿料。上述技術方案具有如下有益效果該氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，該產品體積小，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于2G-3G的網絡?？蓮V泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環(huán)形器等微波產品的生產。上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖I為本發(fā)明實施例的結構示意圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。如圖I所示，該氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片包括一尺寸為2*3. 5*0. 635MM的氧化鋁基板1，氧化鋁基板I的背面印刷有背導層，氧化鋁基板I的正面印刷有導線2及膜狀電阻R1、R2、R3，膜狀電阻R1、R2、R3通過導線連接形成衰減電路，衰減電路通過銀漿與背導層電連接，從而使衰減電路接地導通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對稱，膜狀電阻Rl、R2、R3上印刷有玻璃保護膜3，導線2及高溫保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，這樣可對導線2及膜狀電阻Rl、R2、R3形成保護。該氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50± I. 5 Q，輸出端 和接地端的阻抗為50±1. 5Q。信號輸入端進入衰減片，經過膜狀電阻R1、R3、R2對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。該氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片以尺寸為2*3. 5*0. 635MM的氧化鋁基板作為基板，該產品體積小，頻率特性好，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，同時特殊的設計讓衰減電路處于一個完全對稱的狀態(tài)，使得電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使其能應用于2G-3G的網絡?？蓮V泛應用于航空、航天、雷達、電臺、廣播通訊等設備領域隔離器、環(huán)形器等微波產品的生產。以上對本發(fā)明實施例所提供的一種氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領域的一般技術人員，依據本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片，其特征在于其包括一尺寸為2*3. 5*0. 635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述電阻采用多次印刷一次燒結成型技術，避免了電阻因多次燒結產生阻值變化的現象，所述電阻上印刷有高溫保護膜，在激光精確切割時放置高溫對電阻的破壞，以保證調試精度。
2.根據權利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片，其特征在于所述膜狀電阻采用左右對稱設計，以保證信號的穩(wěn)定性。
3.根據權利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片，其特征在于所述電路采用串并聯電路設計，所述并聯采用單邊接地導通。
4.根據權利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦5dB衰減片，其特征在于所述膜狀電阻采用高溫燒結電阻漿料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氧化鋁陶瓷基板1瓦5dB衰減片，其包括一尺寸為2*3.5*0.635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導線及膜狀電阻，所述電阻采用多次印刷一次燒結成型技術，避免了電阻因多次燒結產生阻值變化的現象，所述電阻上印刷有高溫保護膜，在激光精確切割時放置高溫對電阻的破壞，以保證調試精度。該衰減片在案設計上充分考慮了各項性能指標，高頻無感，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，能夠滿足目前3G網絡的應用要求，同時延伸了1瓦固定膜狀電阻式衰減片的系列產品線。
文檔編號H01P1/22GK102723554SQ201210216600
公開日2012年10月10日 申請日期2012年6月28日 優(yōu)先權日2012年6月28日
發(fā)明者陳建良 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司