專利名稱：氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氧化鋁陶瓷衰減片，特別涉及ー種氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB的衰減片。
背景技術(shù)：
目前集成了三個(gè)膜狀電阻設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號(hào)進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對(duì)相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。由于國(guó)外對(duì)同類產(chǎn)品的研發(fā)與制造比國(guó)內(nèi)起步早，無(wú)論在產(chǎn)品系列還是產(chǎn)品特性 上都處于優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減片衰減精度低，且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是ー個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說(shuō)，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供ー種阻抗?jié)M足50±1.5 0，在36頻段以內(nèi)衰減精度為13±0. 8dB，駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)，能夠滿足目前3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的功率氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片，取代國(guó)外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片，其包括一 2*3. 5*0. 635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及膜狀電阻，所述導(dǎo)線連接所述膜狀電阻連接形成T型衰減電路。此衰減片在生產(chǎn)中采用高溫陶瓷與漿料共燒技術(shù)，使陶瓷金屬化而產(chǎn)生電路性能，減少了多次燒結(jié)可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。優(yōu)選的，所述膜狀電阻上印刷有高溫?zé)Y(jié)電阻保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層環(huán)氧樹(shù)脂藍(lán)色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述衰減電路沿所述氧化鋁基板的中心線對(duì)稱。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片采用高溫陶瓷與漿料共燒技術(shù)，使陶瓷金屬化而產(chǎn)生電路性能，減少了多次燒結(jié)可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。衰減電路處于ー個(gè)完全対稱的狀態(tài)，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)。可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖I所示，該氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片包括一尺寸為2*3. 5*0. 635MM的氧化鋁基板1，氧化鋁基板I的背面印刷有背導(dǎo)層，氧化鋁基板I的正面印刷有導(dǎo)線2及膜狀電阻R1、R2、R3，膜狀電阻R1、R2、R3通過(guò)導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過(guò)銀漿與背
導(dǎo)層電連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿氧化鋁基板的中心線對(duì)稱，膜狀電阻Rl、R2、R3上印刷有玻璃保護(hù)膜3，導(dǎo)線2及高溫?zé)Y(jié)電阻保護(hù)膜3的上表面還印刷有ー層環(huán)氧樹(shù)脂藍(lán)色保護(hù)膜4，這樣可對(duì)導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3形成保護(hù)。該氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50±1. 5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50±1. 5Ω。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過(guò)膜狀電阻R1、R3、R2對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。該氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片采用高溫陶瓷與漿料共燒技術(shù)，使陶瓷金屬化而產(chǎn)生電路性能，減少了多次燒結(jié)可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。衰減電路處于ー個(gè)完全対稱的狀態(tài)，電路的穩(wěn)定性得到提升，打破了原來(lái)衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于2G-3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片，其特征在于其包括一尺寸為2*3. 5*0. 635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及膜狀電阻，所述導(dǎo)線連接所述膜狀電阻連接形成T型衰減電路。此衰減片在生產(chǎn)中采用高溫陶瓷與漿料共燒技術(shù)，使陶瓷金屬化而產(chǎn)生電路性能，減少了多次燒結(jié)可能對(duì)廣品廣生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片，其特征在于所述膜狀電阻上印刷有高溫?zé)Y(jié)電阻保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片，其特征在于所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層環(huán)氧樹(shù)脂藍(lán)色保護(hù)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氧化鋁陶瓷基板I瓦13dB衰減片，其特征在于所述衰減電路沿所述氧化鋁基板的中心線對(duì)稱。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化鋁陶瓷基板1瓦13dB衰減片，其包括一尺寸為2*3.5*0.635MM的氧化鋁基板，所述氧化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氧化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及膜狀電阻，所述導(dǎo)線連接所述膜狀電阻連接形成T型衰減電路。此衰減片在生產(chǎn)中采用高溫陶瓷與漿料共燒技術(shù)，使陶瓷金屬化而產(chǎn)生電路性能，減少了多次燒結(jié)可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生的破壞性影響，減少使用中壞掉的風(fēng)險(xiǎn)。該衰減片在設(shè)計(jì)上充分考慮了各項(xiàng)性能指標(biāo)，包括阻值精度，駐波比，產(chǎn)品功率，延伸了1瓦固定膜狀電阻式衰減片的系列產(chǎn)品線。
文檔編號(hào)H01P1/22GK102709646SQ201210216598
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月28日
發(fā)明者陳建良 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司