技術(shù)特征：
1.用于合成包含顆粒的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料的方法，其中所述顆粒在顆粒表面的至少一部分上攜帶通過熱解沉積的碳，所述方法包括：在第一固態(tài)熱反應(yīng)之前對所述碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽的前體進行的第一干燥高能研磨步驟，其中所述第一固態(tài)熱反應(yīng)產(chǎn)生第一固態(tài)熱反應(yīng)產(chǎn)物；和在第二固態(tài)熱反應(yīng)之前對所述產(chǎn)物進行的第二干燥高能研磨步驟，其中所述前體包括至少一種堿金屬的源化合物；至少一種金屬M的源化合物，其中M是Fe和/或Mn；至少一種金屬M’的源化合物，其中M’是碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽中的2+或更高的金屬；至少一種磷(P)的源化合物，如果元素P不存在于另一種源化合物中的話；至少一種硅(Si)的源化合物，如果元素Si不存在于另一種源化合物中的話；和至少一種碳源。2.權(quán)利要求1的方法，其中所述方法包括將碳的源化合物在所述第一干燥高能研磨步驟之前添加到所述前體中和/或在所述第二干燥高能研磨步驟之前添加到所述產(chǎn)物中。3.權(quán)利要求2的方法，其中所述碳源是液體、固體或氣態(tài)烴。4.權(quán)利要求2的方法，其中所述碳源選自多環(huán)芳族物質(zhì)，苝及其衍生物，多羥基化合物，纖維素，淀粉及其酯和醚，脂肪酸，脂肪酸鹽，脂肪酸酯，脂肪醇，脂肪醇酯，烷氧基化的醇，烷氧基化的胺，脂肪醇硫酸酯、磷酸酯，咪唑鎓和季銨鹽，氧化乙烯/氧化丙烯共聚物、氧化乙烯/氧化丁烯共聚物，聚烯烴，聚丁二烯，聚乙烯醇，酚的縮合產(chǎn)物，和衍生自糠醇、苯乙烯、二乙烯基苯、萘、苝、丙烯腈和乙酸乙烯酯的聚合物。5.權(quán)利要求4的方法，其中所述多環(huán)芳族物質(zhì)選自焦油和瀝青。6.權(quán)利要求4的方法，其中所述多羥基化合物選自糖、碳水化合物及其衍生物。7.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述M的源化合物選自鐵、氧化鐵(III)、磁石(Fe3O4)、三價磷酸鐵、羥基磷酸鋰鐵、三價硝酸鐵、磷酸亞鐵、藍鐵礦Fe3(PO4)2、乙酸鐵(CH3COO)2Fe、硫酸亞鐵(FeSO4)、草酸鐵、硝酸鐵(III)、硝酸亞鐵(II)、FeCl3、FeCl2、FeO、磷酸銨鐵(NH4FePO4)、Fe2P2O7、二茂鐵及其任意的組合。8.權(quán)利要求1至6任一項的方法，其中所述M的源化合物選自錳、MnO、MnO2、乙酸錳、草酸錳、乙酰丙酮酸錳(III)、乙酰丙酮酸錳(II)、氯化錳(II)、MnCO3、硫酸錳、硝酸錳、磷酸錳、二茂錳及其任意的組合。9.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述堿金屬的源化合物選自氧化鋰，氧化鈉，氫氧化鋰，氫氧化鈉，氫氧化鉀，碳酸鋰，碳酸鈉，碳酸鉀，Li3PO4，Na3PO4，K3PO4，磷酸氫鹽LiH2PO4、LiNaHPO4、LiKHPO4、NaH2PO4、KH2PO4、Li2HPO4，鋰、鈉或鉀的原硅酸鹽、正硅酸鹽或聚硅酸鹽，硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鉀、草酸鋰、草酸鈉、草酸鉀、乙酸鋰、乙酸鈉、乙酸鉀及其任意的組合。10.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述磷的源化合物選自磷酸及其酯；M3PO4，其中M是選自Li、Na和K的至少一種；磷酸氫鹽MH2PO4，其中M是選自Li、Na和K的至少一種；磷酸二氫銨或磷酸氫二銨；三價磷酸鐵或磷酸錳銨(NH4MnPO4)；MnHPO4；Fe2P2O7及其任意的組合。11.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述硅的源化合物選自有機硅、烷氧基硅、原硅酸四烷基酯、原硅酸四乙酯、納米化的SiO2、Li2SiO3、Li4SiO4及其任意的組合。12.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述M’的源化合物是選自Zr4+、Ti4+、Nb4+、Mo4+、Ge4+,Ce4+和Sn4+的金屬的源化合物和/或選自Al3+、Y3+、Nb3+、Ti3+、Ga3+、Cr3+和V3+的金屬的源化合物和/或選自Ta5+和Nb5+的金屬的源化合物和/或選自Zn2+和Ca2+的金屬的源化合物。13.權(quán)利要求12的方法，其中所述金屬是Zr4+且所述源化合物選自氫氧化乙酸鋯、烷氧基鋯、鋯酸正丁酯、乙酰丙酮酸鋯(IV)、乙氧基鋯(IV)、磷酸氫鋯(IV)、硅酸鋯(IV)及其任意的組合。14.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中選擇所述源化合物，以提供堿金屬:M:M’:P:Si比為1:0.7-1:>0-0.3:>0.7-1:>0-0.3的陰極材料。15.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中采用研磨設(shè)備進行所述高能研磨步驟，所述研磨設(shè)備選自高能球磨機、粉碎混合磨、行星式球磨機、桶式研磨機/球磨機、振蕩研磨機、攪拌球磨機、混合球磨機、立式磨碎機或臥式磨碎機。16.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第一固態(tài)熱步驟在選自200℃-600℃的溫度范圍的溫度操作。17.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第二固態(tài)熱步驟在選自400℃-800℃的溫度范圍的溫度操作。18.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第一和/或第二固態(tài)熱步驟在惰性或還原氣氛下進行，其中所述氣氛是任選加濕的。19.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第一干燥高能研磨步驟和/或第二干燥高能研磨步驟在惰性或還原氣氛下進行。20.權(quán)利要求18的方法，其中所述還原氣氛參與還原或防止前體中的至少一種金屬的氧化態(tài)氧化而不完全還原成單質(zhì)態(tài)。21.權(quán)利要求18的方法，其中所述還原氣氛包括外部施加的還原氣氛、來源于化合物降解的還原氣氛、來源于合成反應(yīng)的還原氣氛或其任意的組合。22.權(quán)利要求21的方法，其中所述外部施加的還原氣氛包括CO、H2、NH3、HC及其任意的組合，其中HC是烴或含碳產(chǎn)物。23.權(quán)利要求21的方法，其中所述來源于化合物降解的還原氣氛包括在化合物受熱轉(zhuǎn)化或降解時產(chǎn)生的還原氣氛。24.權(quán)利要求21的方法，其中所述來源于化合物降解的還原氣氛包括CO、CO/CO2、H2或其任意的組合。25.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述前體包括鐵源，所述鐵源包括FePO4或草酸鐵；鋰源，所述鋰源包括Li2CO3或LiH2PO4；SiO4源和Zr(IV)源。26.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第一固態(tài)熱反應(yīng)產(chǎn)生基本上無定形的產(chǎn)物和/或其中第二干燥高能研磨產(chǎn)生基本上無定形的產(chǎn)物。27.碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其包含具有橄欖石結(jié)構(gòu)的并且在它們的表面的至少一部分上攜帶通過熱解沉積的碳的顆粒，其中所述顆粒具有通式，所述通式中元素Li:Fe:M’:PO4:SiO4以1+/-x:0.95+/-x:0.05+/-x:0.95+/-x:0.05+/-x的比例存在，其中x獨立地為20％的值且其中M’是4+價金屬。28.權(quán)利要求27的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其中x獨立地為10％的值。29.權(quán)利要求27的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其中x獨立地為5％的值。30.權(quán)利要求27的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其中x獨立地為4％的值。31.權(quán)利要求27的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其中x獨立地為3％的值。32.權(quán)利要求27的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其中x獨立地為2％的值。33.權(quán)利要求27-32任一項的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其中M’是Zr4+。34.權(quán)利要求27的碳沉積的堿金屬磷硅酸鹽陰極材料，其中M’是Zr4+，且其中所述顆粒具有通式，所述通式中元素Li:Fe:Zr:PO4:SiO4以1:0.95:0.05:0.95:0.05的比例存在。35.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述高能研磨是高能球磨。36.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第一固態(tài)熱步驟在選自400℃-600℃或200℃-500℃或250℃-450℃或300℃-400℃的溫度范圍的溫度操作。37.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第二固態(tài)熱步驟在選自400℃-700℃或450℃-650℃或500℃-600℃的溫度范圍的溫度操作。38.權(quán)利要求1-6任一項的方法，其中所述第一干燥高能研磨步驟和/或第二干燥高能研磨步驟在選自如下時間范圍的時間段期間進行：5分鐘-4小時、10分鐘-4小時、30分鐘-4小時、60分鐘-4小時、90分鐘-4小時、120分鐘-4小時、150分鐘-4小時、180分鐘-4小時、210分鐘-4小時或230分鐘-4小時。39.權(quán)利要求1-6任一項的方法，還包括隨后的閃熱處理，所述處理在選自以下溫度范圍的溫度進行：650℃-900℃、700℃-900℃、750℃-900℃、800℃-900℃或825℃-900℃或850℃-900℃。