用于魚骨形差分電容器的結(jié)構(gòu)和方法交叉引用本發(fā)明涉及以下共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請，這些美國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文：發(fā)明人Hsiu-YingCho于2011年6月10日提交的、名稱為“AVERTICALINTERDIGITATEDSEMICONDUCTORCAPACITOR”的美國專利申請13/158,044(代理卷號(hào)TSMC2011-0077)；發(fā)明人Hsiu-YingCho于2011年8月20日提交的、名稱為“VERTICALLYORIENTEDSEMICONDUCTORDEVICEANDSHIELDINGSTRUCTURETHEREOF”的美國專利申請13/212,982(代理卷號(hào)TSMC2011-0149)；發(fā)明人Hsiao-TsungYen于2011年10月25提交的、名稱為“STRUCTUREANDMETHODFORAHIGH-KTRANSFORMERWITHCAPACITIVECOUPLING”的美國專利申請13/280,786(代理卷號(hào)TSMC2011-0436)；以及發(fā)明人Hsiu-YingCho于2011年10月13日提交的、名稱為“VERTICIALLYORIENTEDSEMICONDUCTORDERVICEANDSHIELDSTRUCTURETHEREOF”的美國專利申請13/272,866(代理卷號(hào)TSMC2011-0572)；以及發(fā)明人Hsiu-YingCho于2011年9月7日提交的、名稱為“AHORIZONTALINTERDIGITATEDCAPACITORSTRUCTUREWITHVIAS”的美國專利申請13/227,242(代理卷號(hào)TSMC2011-0564)。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及用于魚骨形差分電容器的結(jié)構(gòu)和方法。

背景技術(shù)：
集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)歷快速增長。IC材料和設(shè)計(jì)方面的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了若干代IC產(chǎn)品，其中每一代比前一代具有更小和更復(fù)雜的電路。然而，這些進(jìn)步增加了加工和制造IC的復(fù)雜性并且，同時(shí)為實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，IC加工和制造方面需要類似的發(fā)展。在IC演進(jìn)過程中，隨著幾何尺寸(即，使用制造工藝能生產(chǎn)的最小部件(或者線路))的縮減，功能密度(即，單位芯片面積的互連器件的數(shù)量)已普遍地增加。各種有源或者無源電子元件可以形成在半導(dǎo)體IC上。例如，半導(dǎo)體電容器可以形成為無源電子元件。傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體電容器可以具有金屬-氧化物-金屬(MOM)結(jié)構(gòu)。隨著器件尺寸繼續(xù)縮減，用于傳統(tǒng)半導(dǎo)體電容器的MOM結(jié)構(gòu)可能遇到諸如占用面積過多，低電容器密度和/或高制造成本的問題。因此，盡管現(xiàn)有半導(dǎo)體電容器器件總體上滿足它們的預(yù)期目的，然而并不是在各個(gè)方面完全令人滿意。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底，具有由第一軸線和與所述第一軸線垂直的第二軸線限定的表面；以及設(shè)置在所述襯底上的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述電容器結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電部件，以及第二導(dǎo)電部件和第三導(dǎo)電部件，對稱配置在所述第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)，其中所述第一導(dǎo)電部件、所述第二導(dǎo)電部件以及所述第三導(dǎo)電部件通過相應(yīng)的介電材料相互隔離。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件被配置成連接至第一信號(hào)線；以及所述第二導(dǎo)電部件和所述第三導(dǎo)電部件被配置成連接至第二信號(hào)線。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件被配置成連接至第一信號(hào)線；以及所述第二導(dǎo)電部件被配置成連接至第二信號(hào)線；以及所述第三導(dǎo)電部件被配置成連接至與所述第二信號(hào)線不同的第三信號(hào)線。在可選實(shí)施例中，所述第一信號(hào)線是地線；所述第二信號(hào)線具有第一交流電的電源線，所述第一交流電具有第一幅度和第一相位；以及所述第三信號(hào)線是具有第二交流電的另一電源線，所述第二交流電具有所述第一幅度和與所述第一相位相反的第二相位。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件包括以所述第一軸線為方向的第一主干部件；所述第二導(dǎo)電部件設(shè)置在所述第一導(dǎo)電部件的第一側(cè)，并且所述第二導(dǎo)電部件包括以所述第二軸線為方向的多個(gè)第一分支部件；以及所述第三導(dǎo)電部件設(shè)置在所述第一導(dǎo)電部件的第二側(cè)，并且所述第三導(dǎo)電部件包括以所述第二軸線為方向的多個(gè)第二分支部件。在可選實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電部件進(jìn)一步包括以所述第一軸線為方向并且連接至所述多個(gè)第一分支部件的第二主干部件；以及所述第三導(dǎo)電部件進(jìn)一步包括以所述第一軸線為方向并且連接至多所述個(gè)第二分支部件的第三主干部件。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件進(jìn)一步包括以所述第一軸線為方向并且連接至所述第一主干部件的多個(gè)第三分支部件；每個(gè)所述第三分支部件都包括延伸至所述第一主干部件的所述第一側(cè)的第一段以及延伸至所述第一主干部件的所述第二側(cè)的第二段；并且所述第三分支部件與在所述第一側(cè)的所述第一分支部件相互交叉，以及與在所述第二側(cè)的所述第二分支部件相互交叉。在可選實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括在所述襯底上的具有多個(gè)導(dǎo)電層的互連結(jié)構(gòu)，其中：每個(gè)所述導(dǎo)電層包括多根導(dǎo)線；相鄰兩個(gè)所述導(dǎo)電層通過通孔部件連接；以及所述第一導(dǎo)電部件、所述第二導(dǎo)電部件以及所述第三導(dǎo)電部件分布在所述多個(gè)導(dǎo)電層和通孔部件中。在可選實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括形成在所述襯底上的第一變?nèi)荻O管和第二變?nèi)荻O管，其中：所述第一導(dǎo)電部件連接至所述第一變?nèi)荻O管；以及所述第二導(dǎo)電部件連接至所述第二變?nèi)荻O管。在可選實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括：連接至所述第一導(dǎo)電部件的第一屏蔽部件；以及連接至所述第二導(dǎo)電部件的第二屏蔽部件。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件、所述第二導(dǎo)電部件和所述第三導(dǎo)電部件包括選自由金屬、金屬合金、金屬硅化物以及它們的組合組成的組中的導(dǎo)電材料。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件包括以所述第一軸線為方向的多個(gè)第一部件；所述第二導(dǎo)電部件包括以所述第一軸線為方向的多個(gè)第二部件；所述第三導(dǎo)電部件包括以所述第一軸線為方向的多個(gè)第三部件；所述多個(gè)第二部件和所述多個(gè)第三部件配置成對，其中每對包括一個(gè)所述第二部件和一個(gè)所述第三部件；每對中的一個(gè)所述第二部件和一個(gè)所述第三部件設(shè)置在以所述第一軸線為方向的相同的線上；以及所述第一部件與所述第二部件和所述第三部件組成的對相互交叉。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底，具有由第一軸線和與所述第一軸線垂直的第二軸線限定的表面，其中所述襯底包括第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域，其中所述第一區(qū)域介于所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域之間，以及設(shè)置在所述襯底上的差分電容器，其中所述差分電容器包括：設(shè)置在所述第一區(qū)域中的具有第一主干部件的第一導(dǎo)電部件；設(shè)置在所述第二區(qū)域中的第二導(dǎo)電部件；以及設(shè)置在所述第三區(qū)域中的第三導(dǎo)電部件，其中所述第二導(dǎo)電部件和所述第三導(dǎo)電部件對稱設(shè)計(jì)并且對稱配置在所述第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件進(jìn)一步包括以所述第二軸線為方向的多個(gè)第一分支部件，所述多個(gè)第一分支部件連接至所述第一主干部件并且延伸入所述第二區(qū)域；所述第一導(dǎo)電部件進(jìn)一步包括以所述第二軸線為方向的多個(gè)第二分支部件，所述多個(gè)第二分支部件連接至所述第一主干部件并且延伸入所述第三區(qū)域；所述第二導(dǎo)電部件包括以所述第一軸線為方向的第二主干部件，以及以所述第二軸線為方向的多個(gè)第三分支部件，所述多個(gè)第三分支部件連接至所述第二主干部件；以及所述第三導(dǎo)電部件包括以所述第一軸線為方向的第三主干部件，以及以所述第二軸線為方向的多個(gè)第四分支部件，所述多個(gè)第四分支部件連接至所述第三主干部件。在可選實(shí)施例中，所述多個(gè)第一分支部件在所述第二區(qū)域中與所述多個(gè)第三分支部件相互交叉；以及所述多個(gè)第二分支部件在所述第三區(qū)域中與所述多個(gè)第四分支部件相互交叉。在可選實(shí)施例中，所述多個(gè)第一分支部件沿所述第一軸線以及垂直于所述第一軸線和所述第二軸線的第三軸線與所述多個(gè)第三分支部件相互交叉；以及所述多個(gè)第二分支部件沿所述第一軸線和所述第三軸線與所述多個(gè)第四分支部件相互交叉。在可選實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：設(shè)置在所述第二區(qū)域中并且連接至所述第二導(dǎo)電部件的第一屏蔽部件；以及設(shè)置在所述第三區(qū)域中并且連接至所述第三導(dǎo)電部件的第二屏蔽部件。在可選實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：連接至所述第一導(dǎo)電部件并且設(shè)置在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域中的第三屏蔽部件，其中所述第一屏蔽部件、所述第二屏蔽部件和所述第三屏蔽部件被配置成使得：所述第一屏蔽部件和所述第二屏蔽部件設(shè)置在所述第一導(dǎo)電部件、所述第二部件和所述第三導(dǎo)電部件的一側(cè)；所述第三屏蔽部件設(shè)置在所述第一導(dǎo)電部件、所述第二導(dǎo)電部件和所述第三導(dǎo)電部件的相對側(cè)；以及所述第一導(dǎo)電部件、所述第二導(dǎo)電部件和所述第三導(dǎo)電部件夾在所述第一屏蔽部件、所述第二屏蔽部件和所述第三屏蔽部件之間。在可選實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電部件、所述第二導(dǎo)電部件和所述第三導(dǎo)電部件每個(gè)都包括多根金屬線，每根金屬線屬于互連結(jié)構(gòu)的不同金屬層；以及多組金屬通孔，每組所述金屬通孔沿第三軸線互連所述多個(gè)金屬線中的兩個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，還提供了一種制造集成電路的方法，包括：提供襯底，具有由第一軸線和與所述第一軸線垂直的第二軸線限定的表面；以及在所述襯底的所述表面上方形成互連結(jié)構(gòu)，所述互連結(jié)構(gòu)具有導(dǎo)線層以及互連所述導(dǎo)線層的導(dǎo)通孔層，其中所述互連結(jié)構(gòu)的形成包括形成在所述襯底上設(shè)置的電容器結(jié)構(gòu)，其中所述電容器結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電部件，以及對稱配置在所述第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)的第二導(dǎo)電部件和第三導(dǎo)電部件，其中所述第一導(dǎo)電部件、所述第二導(dǎo)電部件和所述第三導(dǎo)電部件通過相應(yīng)的介電材料相互隔離。附圖說明當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的數(shù)量和尺寸可以被任意增加或減少。圖1是根據(jù)本發(fā)明各個(gè)方面的制造半導(dǎo)體器件的方法流程圖。圖2-圖3是在不同制造階段的具有電容器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分橫截面?zhèn)纫暿疽鈭D。圖4是一種實(shí)施方式的圖3的電容器結(jié)構(gòu)的部分俯視示意圖。圖5是一種實(shí)施方式的具有屏蔽結(jié)構(gòu)的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的部分截面示意圖。圖6是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖7，8和9是各種實(shí)施方式的圖6的電容器結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。圖10是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖11是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的截面圖。圖12是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖13是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖14是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的截面圖。圖15是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的示意圖。圖16是另一種實(shí)施方式的圖4的電容器結(jié)構(gòu)的立體圖。圖17和圖18是圖16的電容器結(jié)構(gòu)的部分立體圖。圖19是另一種實(shí)施方式的圖3的電容器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖20是另一種實(shí)施方式的圖3的電容器結(jié)構(gòu)的立體圖。圖21是另一種實(shí)施方式的圖3的電容器結(jié)構(gòu)的截面圖。圖22是另一種實(shí)施方式的圖3的電容器結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖23是另一種實(shí)施方式的圖3的電容器結(jié)構(gòu)的立體圖。圖24是另一種實(shí)施方式的圖3的電容器結(jié)構(gòu)的截面圖。具體實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)理解以下公開文本提供了用于實(shí)現(xiàn)各種實(shí)施方式的不同特征的許多不同的實(shí)施方式，或者實(shí)例。下面描述了部件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且并不旨在限制本發(fā)明。例如，在下面的描述中第一部件形成在第二部件上或者上方可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實(shí)施方式，還可包括另外的部件可以形成在第一部件和第二部件之間，使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明可能在不同實(shí)例中重復(fù)標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)目的是為了簡化和清楚，其并不指示所討論的各實(shí)施方式和/或配置之間的關(guān)系。圖1中示出了用于制造包括電容器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體襯底的方法20的流程圖。圖2和圖3是根據(jù)本發(fā)明各個(gè)方面制造的半導(dǎo)體器件30的部分截面截面示意圖。參考圖1至圖3共同描述了半導(dǎo)體器件30及其制造方法20。半導(dǎo)體器件30可以包括集成電路(IC)芯片、芯片上系統(tǒng)(SoC)或者它們的部分，這些可包括各種無源和有源微電子器件，例如，電阻器、電容器、電感器、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管、雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、橫向擴(kuò)散MOS(LDMOS)晶體管、大功率MOS晶體管或者其他類型的晶體管。應(yīng)當(dāng)理解，本文討論的附圖已簡化以便更好地理解本發(fā)明的發(fā)明概念。因此，應(yīng)當(dāng)注意到，可以在圖1的方法20之前，之中，以及之后提供另外的步驟，并且一些其他步驟可在本申請中僅簡要描述。參照圖1和圖2，方法20開始于框22，在框22中提供了襯底32。在一種實(shí)施方式中，襯底32是摻雜諸如硼的P型摻雜劑或者摻雜諸如含砷或者含磷的N型摻雜劑的硅襯底。襯底32可以由一些其他合適的元素半導(dǎo)體(例如，金剛石或者鍺)；合適的化合物半導(dǎo)體(例如，碳化硅、砷化銦或者磷化銦)；或者合適的合金半導(dǎo)體(例如，碳化鍺硅、磷砷化鎵或者磷化鎵銦)制成。進(jìn)一步地，襯底32可以包括外延層(epi層)，可以是應(yīng)變的以便增強(qiáng)性能，并且可包括絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)。雖然為了簡單起見沒有具體示出，多個(gè)電子元件可形成在襯底32中。例如，F(xiàn)ET晶體管器件的源極和漏極區(qū)可形成在襯底中。源極和漏極區(qū)可通過一種或者多種離子注入或者擴(kuò)散工藝形成。作為另一種實(shí)例，隔離結(jié)構(gòu)(例如，淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者深溝槽隔離(DTI)結(jié)構(gòu))可形成在襯底中以為各種電子元件提供隔離?？梢酝ㄟ^在襯底32中蝕刻凹槽(或者溝槽)，然后用介電材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、摻氟硅酸鹽(FSG)和/或本領(lǐng)域熟知的低k介電材料)填充凹槽來形成這些隔離結(jié)構(gòu)。襯底32具有上表面34。表面34是由X軸線和Y軸線限定的二維平面，其中X軸線和Y軸線相互垂直或者正交。X軸線和Y軸線還可以分別稱為X方向和Y方向。參照圖1和圖3，方法20開始于框24，在框24中在襯底32的上表面34上方形成互連結(jié)構(gòu)36。換句話說，互連結(jié)構(gòu)36以垂直于表面34的Z軸向或者Z方向設(shè)置在表面34上方?；ミB結(jié)構(gòu)36包括多個(gè)圖案化的介電層和互連的導(dǎo)電層。這些互連的導(dǎo)電層提供電路、輸入/輸出端以及形成在襯底32中的各種摻雜的部件之間的互連(例如，線路)。更詳細(xì)地，互連結(jié)構(gòu)36可包括多個(gè)互連層，也稱為金屬層(例如，M1、M2、M3，等等)。每一互連層包括多個(gè)互連部件，也稱為金屬線。金屬線可包括金屬、金屬合金和/或金屬硅化物。金屬線可以為鋁互連線或者銅互連線，并且可包括導(dǎo)電材料，例如，鋁、銅、鋁合金、銅合金、鋁/硅/銅合金、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、多晶硅、金屬硅化物或者它們的組合。金屬線可通過包括物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、濺射、電鍍或者它們的組合的工藝形成?；ミB結(jié)構(gòu)36包括在第一金屬層和襯底之間提供隔離的層間介電層(ILD層)，并且包括在金屬層之間提供隔離的金屬間介電層(IMD層)。ILD和IMD層可包括諸如氧化物材料的介電材料?；ミB結(jié)構(gòu)36還包括在襯底上的不同金屬層和/或部件之間提供電連接的多個(gè)通孔/接觸件。為了簡便起見，互連層中的金屬線、互連金屬線的通孔/接觸件以及隔離它們的介電材料沒有在此具體示出。互連結(jié)構(gòu)36以使得電容器結(jié)構(gòu)40形成在互連結(jié)構(gòu)中的方式形成。電容器結(jié)構(gòu)40用互連結(jié)構(gòu)的至少一些導(dǎo)線以及至少一些通孔形成。在一種實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)被形成為具有第一導(dǎo)電部件；第二導(dǎo)電部件以及第三導(dǎo)電部件。第二和第三導(dǎo)電部件對稱地配置在第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)。第一、第二和第三導(dǎo)電部件通過相對應(yīng)的介電材料相互隔離。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面，電容器結(jié)構(gòu)形成在互連結(jié)構(gòu)36中。或者換句話說，互連結(jié)構(gòu)36的多個(gè)部件構(gòu)成本文公開的電容器結(jié)構(gòu)。為了簡便起見，圖3中沒有示出電容器結(jié)構(gòu)，但是圖4至圖21中更詳細(xì)地示出了其各種實(shí)施方式，并且通過以下段落更詳細(xì)討論這些實(shí)施方式?，F(xiàn)在參照圖4，根據(jù)本發(fā)明的各方面示出了沿Z軸向的電容器結(jié)構(gòu)40的實(shí)施方式的俯視示意圖。電容器結(jié)構(gòu)40包括第一導(dǎo)電部件44、第二導(dǎo)電部件46以及第三導(dǎo)電部件48。第二和第三導(dǎo)電部件對稱地配置在第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)。第一、第二以及第三導(dǎo)電部件通過相應(yīng)的介電材料(例如，互連結(jié)構(gòu)的ILD層)相互隔離。在一種實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40包括集合式電容器42，其具有結(jié)合在一起的兩個(gè)電容器。第一和第二電容器對稱地設(shè)計(jì)和配置。第一和第二電容器共用共同的接地極。在本實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電部件是共同的接地板。第二和第一導(dǎo)電部件構(gòu)成第一電容器，其中第二導(dǎo)電部件是第一電容器的另一個(gè)板。第三和第一導(dǎo)電部件構(gòu)成第二電容器，其中第三導(dǎo)電部件是第二電容器的另一個(gè)板。具體地，第二導(dǎo)電部件被配置成與第一信號(hào)線連接，并且第三導(dǎo)電部件被配置成與第一信號(hào)線相位相反的第二信號(hào)線連接。在另一些實(shí)施方式中，可操作第一信號(hào)線以具有第一交流電，該第一交流電具有某一幅度、某一頻率和第一相位?？刹僮鞯诙盘?hào)線以具有相同幅度、相同頻率和相反相位的第二交流電。換句話說，第一和第二交流電之間的相位差實(shí)質(zhì)上為180度。在一種實(shí)例中，基于信號(hào)振蕩器的設(shè)計(jì)質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性，相位差接近180度±5度。在另一種實(shí)例中，第一交流電在其正峰值(+V)內(nèi)，并且第二交流電在其負(fù)峰值(-V)內(nèi)。類似地，第二交流電在其正峰值(+V)內(nèi)，并且第一交流電在其負(fù)峰(-V)內(nèi)。第一和第二電容器被配置為形成差分電容器。在另一種實(shí)施方式中，第一、第二和第三導(dǎo)電部件44/46/48的每一個(gè)都包括主干部件和多個(gè)分支部件。具體地，第一導(dǎo)電部件包括第一主干部件和多個(gè)第一分支部件。第二導(dǎo)電部件包括第二主干部件和多個(gè)第二分支部件。第三導(dǎo)電部件包括第三主干部件和多個(gè)第三分支部件。第一分支部件與在第一主干部件一側(cè)的第二分支部件相互交叉。第一分支部件與在第一主干部件另一側(cè)的第三分支部件相互交叉。還應(yīng)當(dāng)理解，導(dǎo)電部件42和44/46/48的相對配置不是決定性的。例如，在其他實(shí)施方式中部件46和48可以旋轉(zhuǎn)、翻轉(zhuǎn)或者交換。還應(yīng)當(dāng)理解，互連結(jié)構(gòu)36的介電材料充當(dāng)電容器結(jié)構(gòu)40的各導(dǎo)電部件之間的電介質(zhì)。在圖4中，介電材料將一個(gè)導(dǎo)電部件(例如，44)的各個(gè)部分與另一個(gè)導(dǎo)電部件(例如，46或者48)的各個(gè)部分分離和電隔離。根據(jù)電容器結(jié)構(gòu)40執(zhí)行的需要和功能，可謹(jǐn)慎選擇互連結(jié)構(gòu)36的介電材料以便產(chǎn)生期望的電容。例如，為了示例說明，平行板電容器可用以下方程計(jì)算：其中C是電容量，A是兩個(gè)平板的重疊面積；εr是平板之間的材料的介電常數(shù)；ε0是電常數(shù)(ε0≈8.854×10-12Fm-1)；并且d是平板之間的間距。這樣，如果期望高電容量的電容器，可選擇具有高介電常數(shù)的互連結(jié)構(gòu)的介電材料。在另一種實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40另外包括被配置為與電容器結(jié)構(gòu)40的第一、第二和第三導(dǎo)電部件連接的屏蔽板。圖5中示出了X軸線方向的屏蔽板的一種實(shí)施方式的的截面示意圖。參照圖5，電容器結(jié)構(gòu)40包括具有第一、第二和第三導(dǎo)電部件44/46/48的集合式電容器42。集合式電容器42類似于圖4的集合式電容器。例如，第二和第三導(dǎo)電部件對稱地配置在第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)。第一、第二和第三導(dǎo)電部件通過相對應(yīng)的介電材料(例如，互連結(jié)構(gòu)的ILD層)相互隔離。根據(jù)本實(shí)施方式，圖5的集合式電容器42是圖4的集合式電容器42沿虛線AA’的截面圖。電容器結(jié)構(gòu)40進(jìn)一步包括電連接至第一導(dǎo)電部件44的第一屏蔽板50，電連接至第二導(dǎo)電部件46的第二屏蔽板52，以及電連接至第三導(dǎo)電部件48的第三屏蔽板54。第一、第二和第三屏蔽板被配置成圍繞集合式電容器42，例如，夾心式集合式電容器42。在本實(shí)施方式中，第一屏蔽板50設(shè)置在集合式電容器42下面并且與第一導(dǎo)電部件44連接。第二屏蔽板52設(shè)置在第二導(dǎo)電部件46上面并且與第二導(dǎo)電部件46連接。類似地，第三屏蔽板54設(shè)置在第三導(dǎo)電部件48上面并且與第三導(dǎo)電部件48連接。第一、第二和第三屏蔽板被配置成將集合式電容器42夾在中間。Z方向(Z軸向)被限定為垂直于X方向和Y方向。第一屏蔽板50、集合式電容器42以及屏蔽板52/54沿Z方向延伸。根據(jù)一種實(shí)施方式，參考圖6至圖9進(jìn)一步描述電容器結(jié)構(gòu)40。圖6是具有集合式電容器42的電容器結(jié)構(gòu)40的俯視圖。圖7至圖9是圖6的電容器結(jié)構(gòu)40的部分俯視圖。集合式電容器42包括第一導(dǎo)電部件44、第二導(dǎo)電部件46以及第三導(dǎo)電部件48。集合式電容器42形成在襯底的各個(gè)區(qū)域中。具體地，第一區(qū)域58從一側(cè)與第二區(qū)域60相鄰并且從另一側(cè)與第三區(qū)域62相鄰。第一、第二和第三導(dǎo)電部件44/46/48每一個(gè)都包括主干部件和多個(gè)分支部件。具體地，如圖7中進(jìn)一步示出的，第一導(dǎo)電部件44包括第一主干部件72以及與第一主干部件72連接并且延伸至第一主干部件72兩側(cè)的多個(gè)第一分支部件。在一側(cè)的第一分支部件稱為左分支部件(或者第一側(cè)分支部件)74，在另一側(cè)的第一分支部件稱為右分支部件(或者第二側(cè)分支部件)76。第一主干部件72在X方向上延伸而左和右分支部件在垂直于X方向的Y方向上延伸。第一主干部件72設(shè)置在第一區(qū)域58內(nèi)。左分支部件74從第一主干部件72延伸至第二區(qū)域60。右分支部件76從第一主干部件72延伸至第三區(qū)域62。如圖8中進(jìn)一步示出的，第二導(dǎo)電部件46包括第二主干部件78以及與第二主干部件78連接并且延伸至第二主干部件78一側(cè)的多個(gè)第二分支部件80。第二主干部件78在X方向上延伸而第二分支部件80在Y方向上延伸。第二主干部件78和第二分支部件80設(shè)置在第二區(qū)域60內(nèi)。如圖9中進(jìn)一步示出的，第三導(dǎo)電部件48包括第三主干部件82和與第三主干部件82連接并且延伸至第三主干部件82一側(cè)的多個(gè)第三分支部件84。第三主干部件82在X方向上延伸而第三分支部件84在Y方向上延伸。第三主干部件82和第三分支部件84設(shè)置在第三區(qū)域62內(nèi)。此外，第一導(dǎo)電部件44的第一側(cè)分支部件74以及第二導(dǎo)電部件46的第二分支部件80在第二區(qū)域60中相互交叉。在一種實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電部件44的第一側(cè)分支部件74和第二導(dǎo)電部件46的第二分支部件80在X方向上相互交叉。同樣地，第一導(dǎo)電部件44的第二側(cè)分支部件76和第三導(dǎo)電部件48的第三分支部件84在第三區(qū)域62中相互交叉。在一種實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電部件44的第二側(cè)分支部件76和第三導(dǎo)電部件48的第三分支部件84在X方向上相互交叉。圖10是電容器結(jié)構(gòu)40的部分俯視圖以及圖11是根據(jù)各種實(shí)施方式構(gòu)造的電容器結(jié)構(gòu)40的部分截面圖。分支部件的數(shù)量可為奇數(shù)或者可選地為偶數(shù)。例如，第一導(dǎo)電部件44的第一分支部件的數(shù)量是偶數(shù)，例如，如圖6或者圖10中示出的。在另一種實(shí)例中，第二(或者第三)導(dǎo)電部件的第二(或者第三)分支部件的數(shù)量是奇數(shù)(如圖6中示出的)或者偶數(shù)(如圖10中示出的)。在另一種實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40包括圍繞集合式電容器42的屏蔽部件。在又一種實(shí)施方式中，集合式電容器42分布在互連結(jié)構(gòu)的多于一個(gè)的金屬層中。設(shè)置在每層中的集合式電容器42的部分可以被設(shè)計(jì)成具有對稱結(jié)構(gòu)，例如，圖7和圖10中示出的那些，但是具有不同的配置。其他配置包括圖12和13中示出的那些，其在后續(xù)進(jìn)一步描述。集合式電容器42的各個(gè)部分被堆疊。圖11中示出了電容器結(jié)構(gòu)40的一個(gè)實(shí)例，其是圖10中電容器結(jié)構(gòu)40沿虛線BB’的截面圖。注意到，圖10僅示出了一層但圖11示出了電容器結(jié)構(gòu)40的多層。參照圖11，電容器結(jié)構(gòu)40分布在互連結(jié)構(gòu)36的多個(gè)金屬層中。當(dāng)前的實(shí)例示出了標(biāo)號(hào)分別為M(n)、M(n+1)、M(n+2)、M(n+3)和M(n+4)的5個(gè)金屬層。數(shù)字“n”為0、1、2或者等等。不同金屬層中的各種部件通過通孔部件(圖11中標(biāo)號(hào)為“V”)連接。在當(dāng)前的實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40進(jìn)一步包括分別分布在金屬層M(n)和M(n+4)中的屏蔽部件。集合式電容器42分布在M(n+1)、M(n+2)和M(n+3)3個(gè)金屬層中，被夾在屏蔽部件中。分支部件在兩個(gè)方向相互交叉。具體地，第一側(cè)分支部件74和第二分支部件80設(shè)置在第二區(qū)域60中并且配置為由X軸線和Z軸線限定的平面中的陣列。第一側(cè)分支部件74沿X軸線和Z軸線與第二分支部件80相互交叉。換句話說，所述陣列包括沿X軸線對準(zhǔn)的第一側(cè)分支部件74以及第二分支部件80的第一子集。第一子集中的第一側(cè)分支部件74沿X軸線與第一子集中的第二分支部件80相互交叉。所述陣列進(jìn)一步包括沿Z軸線對準(zhǔn)的第一側(cè)分支部件74以及第二分支部件80的第二子集。第二子集中的第一側(cè)分支部件74沿Z軸線與第二子集中的第二分支部件80相互交叉。類似地，第二側(cè)分支部件76和第三分支部件84設(shè)置在第三區(qū)域62中并且配置為由X軸線和Z軸線限定的平面中的陣列。第二側(cè)分支部件76沿X軸線和Z軸線與第三分支部件84相互交叉。換句話說，所述陣列包括沿X軸線對準(zhǔn)的第二側(cè)分支部件76以及第三分支部件84的第一子集。第一子集中的第二側(cè)分支部件76沿X軸線與第一子集中的第三側(cè)分支部件84相互交叉。所述陣列進(jìn)一步包括沿Z軸線對準(zhǔn)的第二側(cè)分支部件76以及第三側(cè)分支部件84的第二子集。第二子集中的第二側(cè)分支部件76沿Z軸線與第二子集中的第三分支部件84相互交叉。圖12是另一種實(shí)施方式的電容器結(jié)構(gòu)40的集合式電容器42的部分俯視圖。集合式電容器42包括第一導(dǎo)電部件44、第二導(dǎo)電部件46以及第三導(dǎo)電部件48。集合式電容器42形成在襯底的各個(gè)區(qū)域中。具體地，第一區(qū)域58從一側(cè)與第二區(qū)域60相鄰并且從另一側(cè)與第三區(qū)域62相鄰。第一、第二和第三導(dǎo)電部件44/46/48每一個(gè)都包括多個(gè)分支部件。具體地，如圖7中進(jìn)一步示出的，第一導(dǎo)電部件44包括第一主干部件72以及多個(gè)第一分支部件，所述多個(gè)第一分支部件與第一主干部件連接并且延伸至第一主干部件72的兩側(cè)。一側(cè)的第一分支部件稱為左分支部件(或者第一側(cè)分支部件)74并且另一側(cè)的第一分支部件稱為右分支部件(或者第二側(cè)分支部件)76。第一主干部件72在X方向上延伸而左和右分支部件在垂直于X方向的Y方向上延伸。第一主干部件72設(shè)置在第一區(qū)域58內(nèi)。左分支部件74從第一主干部件72延伸至第二區(qū)域60。右分支部件76從第一主干部件72延伸至第三區(qū)域62。第二導(dǎo)電部件46包括多個(gè)第二分支部件，它們通過通孔部件連接至第二導(dǎo)電部件的其他部分。第二分支部件在Y方向上延伸并且設(shè)置在第二區(qū)域60內(nèi)。圖12中的圈表示在本實(shí)施方式中的設(shè)置通孔部件的地方。第三導(dǎo)電部件包括多個(gè)第三分支部件，它們通過通孔部件連接至第三導(dǎo)電部件的其他部分。第三分支部件在Y方向上延伸并且設(shè)置在第三區(qū)域62內(nèi)。此外，第一導(dǎo)電部件44的第一側(cè)分支部件74和第二導(dǎo)電部件46的第二分支部件在第二區(qū)域60中相互交叉。在一種實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電部件44的第一側(cè)分支部件74和第二導(dǎo)電部件46的第二分支部件80在X方向上相互交叉。類似地，第一導(dǎo)電部件44的第二側(cè)分支部件76和第三導(dǎo)電部件48的第三分支部件在第三區(qū)域62中相互交叉。在一種實(shí)施方式中，第一導(dǎo)電部件44的第二側(cè)分支部件和第三導(dǎo)電部件48的第三分支部件在X方向上相互交叉。圖13是另一種實(shí)施方式的電容器結(jié)構(gòu)40的集合式電容器42的部分俯視圖。集合式電容器42包括第一導(dǎo)電部件44、第二導(dǎo)電部件46以及第三導(dǎo)電部件48。集合式電容器42形成在襯底的各個(gè)區(qū)域中。第一、第二和第三導(dǎo)電部件44/46/48每一個(gè)都包括主干部件。具體地，第一導(dǎo)電部件44包括在X方向?qū)?zhǔn)并且設(shè)置在第一區(qū)域58中的第一主干部件。第二導(dǎo)電部件46包括如圖8中示出的第二主干部件78以及連接至第二主干部件78的多個(gè)第二分支部件80。第二主干部件78在X方向上延伸并且第二分支部件80在Y方向上延伸。第二主干部件78和第二分支部件80都設(shè)置在第二區(qū)域60內(nèi)。第三導(dǎo)電部件48包括如圖9中示出的第三主干部件82以及連接至第三主干部件82的多個(gè)第三分支部件84。第三主干部件82在X方向上延伸并且第三分支部件84在Y方向上延伸。第三主干部件82和第三分支部件84都設(shè)置在第三區(qū)域62內(nèi)。圖14是電容器結(jié)構(gòu)40的部分截面圖并且圖15是根據(jù)各種實(shí)施方式構(gòu)造的電容器結(jié)構(gòu)40的截面示意圖。參照圖14，電容器結(jié)構(gòu)40包括圍繞集合式電容器42的屏蔽部件。集合式電容器42分布在設(shè)置在襯底32上的互連結(jié)構(gòu)的多個(gè)金屬層中。設(shè)置在各個(gè)金屬層中的集合式電容器42的部分可以被設(shè)計(jì)成具有對稱結(jié)構(gòu)但是具有不同的配置，例如，圖7、10、12和/或13中示出的那些。集合式電容器42的各個(gè)部分被堆疊。在本實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40分布在互連結(jié)構(gòu)36的多個(gè)金屬層中。當(dāng)前實(shí)例示出了標(biāo)號(hào)分別為M(n)、M(n+1)、M(n+2)和M(n+3)的4個(gè)金屬層。數(shù)字“n”為0、1、2等等。不同金屬層中的各個(gè)部件通過通孔部件(標(biāo)號(hào)為“V”)連接。在當(dāng)前的實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40進(jìn)一步包括設(shè)置在金屬層M(n+3)中的屏蔽部件(例如54)。集合式電容器42分布在3個(gè)金屬層M(n)、M(n+1)和M(n+2)中。在本實(shí)施方式中，分支部件在兩個(gè)方向相互交叉。具體地，第一側(cè)分支部件74和第二分支部件80設(shè)置在第二區(qū)域60中并且被配置成為由X軸線和Z軸線限定的平面中的陣列。第一側(cè)分支部件74沿X軸線和Z軸線與第二分支部件80相互交叉。換句話說，所述陣列包括沿X軸線對準(zhǔn)的第一側(cè)分支部件74以及第二分支部件80的第一子集。第一子集中的第一側(cè)分支部件74沿X軸線與第一子集中的第二分支部件80相互交叉。所述陣列進(jìn)一步包括沿Z軸線對準(zhǔn)的第一側(cè)分支部件74以及第二分支部件80的第二子集。第二子集中的第一側(cè)分支部件74沿Z軸線與第二子集中的第二分支部件80相互交叉。類似地，第二側(cè)分支部件76和第三分支部件84設(shè)置在第三區(qū)域62中并且被配置成為由X軸線和Z軸線限定的平面中的陣列。第二側(cè)分支部件76沿X軸線和Z軸線與第三分支部件84相互交叉。換句話說，陣列包括沿X軸線對準(zhǔn)的第二側(cè)分支部件76以及第三分支部件84的第一子集。第一子集中的第二側(cè)分支部件76沿X軸線與第一子集中的第三分支部件84相互交叉。所述陣列進(jìn)一步包括沿Z軸線對準(zhǔn)的第二側(cè)分支部件74以及第三分支部件84的第二子集。第二子集中的第二側(cè)分支部件76沿Z軸線與第二子集中的第三分支部件84相互交叉。此外，電容器40進(jìn)一步包括形成在襯底32上并且分別連接至第二導(dǎo)電部件46以及第三導(dǎo)電部件48的變?nèi)荻O管，從而形成差分MOSFET變?nèi)荻O管。在這種情況下，襯底32可以是重N型或者P型摻雜的。具體地，第二導(dǎo)電部件46和第三導(dǎo)電部件48通過通孔部件“V”(如圖14和圖15中示出的)連接至相應(yīng)變?nèi)萜鞫O管的相應(yīng)柵電極。在本實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40包括第一柵電極“G1”和第二柵電極“G2”并且可進(jìn)一步包括第三柵電極“G3”。柵電極G1、G2和G3形成在相同層中，統(tǒng)稱為柵極層，標(biāo)號(hào)為“G”。第二導(dǎo)電部件46連接至第一變?nèi)萜?6的第一柵電極G1并且第三導(dǎo)電部件48連接至第二變?nèi)荻O管88的第二柵電極G2。圖16是電容器結(jié)構(gòu)40的立體圖，圖17和圖18是根據(jù)一種或者多種實(shí)施方式構(gòu)造的電容器結(jié)構(gòu)40的部分立體圖。電容器結(jié)構(gòu)40分布在互連結(jié)構(gòu)36的各個(gè)金屬層中。在本實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)40分布在兩個(gè)金屬層92/94以及通孔層96中。通孔層96包括配置成連接兩個(gè)金屬層中的各個(gè)部件的多個(gè)通孔部件“V”。第一金屬層92中的電容器結(jié)構(gòu)40的一部分進(jìn)一步示出在圖17中，并且第二金屬層94中的電容器結(jié)構(gòu)40的另一部分進(jìn)一步示出在圖18中。兩部分被堆疊以形成俯視圖中的對稱結(jié)構(gòu)。圖19是電容器結(jié)構(gòu)97的部分俯視圖，圖20是電容器結(jié)構(gòu)98的部分俯視圖并且圖21是電容器結(jié)構(gòu)100的截面圖。下面結(jié)合圖19，圖20和圖21分別描述電容器結(jié)構(gòu)40的不同實(shí)施方式。參照圖19，根據(jù)一種實(shí)施方式，電容器結(jié)構(gòu)97包括第一、第二和第三導(dǎo)電部件44、46和48。第一部件44包括在Y方向平行并且對準(zhǔn)的多個(gè)第一部件。第二部件46包括在Y方向平行并且對準(zhǔn)的多個(gè)第二部件。第三部件48包括在Y方向平行并且對準(zhǔn)的多個(gè)第三部件。第一部件在X方向與第二部件相互交叉。第一部件還沿X方向與第三部件相互交叉，如圖19中示出的。參照圖20，根據(jù)另一種實(shí)施方式，電容器結(jié)構(gòu)98包括第一、第二和第三導(dǎo)電部件44、46和48。電容器結(jié)構(gòu)98類似于圖6中的電容器結(jié)構(gòu)。例如，第一部件44包括第一主干部件以及連接至第一主干部件的多個(gè)第一分支部件。第一分支部件進(jìn)一步包括第一側(cè)分支部件和第二側(cè)分支部件。第二部件46包括第二主干部件以及連接至第二主干部件的多個(gè)第二分支部件。第三部件48包括第三主干部件以及連接至第三主干部件的多個(gè)第三分支部件。第一分支部件(或者具體地，第一側(cè)分支部件)沿X方向與第二分支部件相互交叉。第一分支部件(或者具體地，第二側(cè)分支部件)如也沿X方向與第三分支部件相互交叉，如圖20中示出的。參照圖21，根據(jù)另一種實(shí)施方式，電容器結(jié)構(gòu)100分布在互連結(jié)構(gòu)36的多個(gè)金屬層中。電容器結(jié)構(gòu)100類似于圖11的電容器結(jié)構(gòu)。電容器結(jié)構(gòu)100包括以交替順序堆疊的一個(gè)或者多個(gè)結(jié)構(gòu)97以及一個(gè)或者多個(gè)結(jié)構(gòu)98。結(jié)構(gòu)97的各個(gè)部件通過通孔部件分別連接至堆疊在下面或者上面的結(jié)構(gòu)98的相對應(yīng)部件。圖19中的圓圈表示根據(jù)一種實(shí)例的設(shè)置通孔部件的地方。此外，屏蔽部件(例如，50、52和54)配置成圍繞電容器結(jié)構(gòu)100并且分別連接至各個(gè)導(dǎo)電部件。圖22是電容器結(jié)構(gòu)102的部分俯視圖，圖23是電容器結(jié)構(gòu)104的部分俯視圖，并且24是電容器結(jié)構(gòu)106的部分俯視圖。下面結(jié)合圖19、20和21分別描述電容器結(jié)構(gòu)40的不同實(shí)施方式。參照圖22，根據(jù)一種實(shí)施方式，電容器結(jié)構(gòu)102包括第一導(dǎo)電部件44和第二導(dǎo)電部件46，但不包括第三導(dǎo)電部件。在不同的角度，結(jié)構(gòu)102可被視為圖19中結(jié)構(gòu)97的修改版本，圖19中第二導(dǎo)電部件46和第三導(dǎo)電部件48是連接的。因而，電容器結(jié)構(gòu)102中僅存在兩個(gè)導(dǎo)電部件44和46。導(dǎo)電部件44和46還可稱為陰極部件44和陽極部件46。第一導(dǎo)電部件44包括在Y方向平行并且對準(zhǔn)的多個(gè)第一部件。第二部件46包括在X方向平行并且對準(zhǔn)的多個(gè)第二部件。第一部件沿X方向與第二部件相互交叉。參照圖23，根據(jù)另一種實(shí)施方式，電容器結(jié)構(gòu)104包括第一導(dǎo)電部件44和第二導(dǎo)電部件46。電容器結(jié)構(gòu)104可被視為圖20中結(jié)構(gòu)98的修改版本，圖20中第二導(dǎo)電部件46和第三導(dǎo)電部件48配置成是連接的，因而統(tǒng)稱為第二導(dǎo)電部件46。第一部件44包括第一主干部件以及連接至第一主干部件的多個(gè)第一分支部件。第二部件46包括第二主干部件以及連接至第二主干部件的多個(gè)第二分支部件。第一分支部件沿X方向與第二分支部件相互交叉。參照圖24，根據(jù)另一種實(shí)施方式，電容器結(jié)構(gòu)106分布在互連結(jié)構(gòu)36的多個(gè)金屬層中。電容器結(jié)構(gòu)106類似于圖21的電容器結(jié)構(gòu)100。然而，電容器結(jié)構(gòu)106僅包括兩個(gè)導(dǎo)電部件(陰極和陽極部件)。電容器結(jié)構(gòu)106包括以交錯(cuò)順序堆疊的一個(gè)或者多個(gè)結(jié)構(gòu)102以及一個(gè)或者多個(gè)結(jié)構(gòu)104。結(jié)構(gòu)102的各個(gè)部件通過通孔部件分別連接至堆疊在下面或者上面的結(jié)構(gòu)104的相應(yīng)部件。圖22中的圓圈表示根據(jù)一個(gè)實(shí)例的設(shè)置通孔部件的地方。此外，屏蔽部件(例如，50和52)配置成圍繞電容器部件106并且分別連接至相應(yīng)的導(dǎo)電部件。例如，屏蔽部件50設(shè)置在頂部上并且連接至第一導(dǎo)電部件44，并且屏蔽部件52設(shè)置在底部上并且連接至第二導(dǎo)電部件46。在具體實(shí)施方式中，電容器結(jié)構(gòu)106(102和104也一樣)對稱設(shè)計(jì)。在俯視圖中，虛線CC’將電容器結(jié)構(gòu)分成兩部分，虛線CC’的一側(cè)的第一部分以及另一側(cè)的第二部分。第一部分和第二部分被對稱設(shè)計(jì)和配置。盡管描述了各種實(shí)施方式，根據(jù)本發(fā)明可采用電容器結(jié)構(gòu)的其他實(shí)施方式。在一種實(shí)例中，屏蔽結(jié)構(gòu)可包括側(cè)部部分，頂部部分以及底部部分的子集。在另一實(shí)例中，每個(gè)分支部件可包括通過通孔部件連接的兩個(gè)或者更多金屬線。應(yīng)當(dāng)理解，可實(shí)施附加的工藝以完成電容器結(jié)構(gòu)的制造。例如，這些附加工藝可包括鈍化層的沉積，封裝和測試。為了簡便起見，這些附加工藝沒有在本文中描述。根據(jù)本發(fā)明的一種廣泛形式，公開了一種半導(dǎo)體器件。在一種實(shí)施方式中，本發(fā)明提供了集成電路。集成電路包括具有由第一軸線和與第一軸線垂直的第二軸線限定的表面的襯底；以及設(shè)置在襯底上的電容器結(jié)構(gòu)。電容器結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電部件；對稱配置在第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)的第二導(dǎo)電部件和第三導(dǎo)電部件。第一、第二以及第三導(dǎo)電部件通過相應(yīng)的介電材料相互隔離。在另一種實(shí)施方式中，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括具有由第一軸線和與第一軸線垂直的第二軸線限定的表面的襯底；所述襯底包括第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域，第一區(qū)域介于第二區(qū)域和第三區(qū)域之間。半導(dǎo)體襯底還包括設(shè)置在襯底上的差分電容器。差分電容器包括設(shè)置在第一區(qū)域中的具有第一主干部件的第一導(dǎo)電部件；設(shè)置在第二區(qū)域中的第二導(dǎo)電部件；設(shè)置在第三區(qū)域中的第三導(dǎo)電部件。第二和第三導(dǎo)電部件對稱設(shè)計(jì)并且對稱配置在第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)。在另一種實(shí)施方式中，本發(fā)明提供了一種制造集成電路的方法。所述方法包括提供襯底，該襯底具有由第一軸線和與第一軸線垂直的第二軸線限定的表面；以及在襯底的表面上方形成互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電線層以及互連導(dǎo)電線層的導(dǎo)電通孔層?；ミB結(jié)構(gòu)的形成包括形成設(shè)置在襯底上的電容器結(jié)構(gòu)。電容器結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電部件，以及對稱配置在第一導(dǎo)電部件的相對側(cè)的第二導(dǎo)電部件和第三導(dǎo)電部件，其中第一、第二和第三導(dǎo)電部件通過相應(yīng)的介電材料相互隔離。以上概述了若干實(shí)施方式的特征以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解給出的詳細(xì)描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地利用所公開的內(nèi)容作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或者變更為其他實(shí)現(xiàn)與在此介紹的實(shí)施例相同的目的或者獲得相同優(yōu)點(diǎn)的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還應(yīng)意識(shí)到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。