本發(fā)明涉及一種通過陽極氧化電沉積來制備陰極材料AgCuO2的方法,屬于無機電極材料制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
AgCuO2是一種呈層狀晶體結(jié)構(gòu)的材料,其各原子間存在電荷離域的現(xiàn)象,部分Cu呈現(xiàn)+3價的特殊價態(tài),因而,它也是一種導(dǎo)電性較好的電極材料,具有超高的充放電速率,可作為堿性二次電池的陰極材料,充放電時間可小于29秒。
迄今為止,AgCuO2的制備主要是通過對前驅(qū)體Ag2Cu2O3進行化學(xué)氧化(臭氧、過硫酸鹽等)或電化學(xué)氧化得到,因此需要先制備前驅(qū)體Ag2Cu2O3,再氧化得到產(chǎn)物AgCuO2,然而,通過陽極電沉積從相應(yīng)的鹽AgNO3、Cu(NO3)2直接一步得到AgCuO2的方法還未見報道。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的缺點和不足,提供一種簡便高效的通過陽極氧化電沉積來制備陰極材料AgCuO2的方法。
通過陽極氧化電沉積來制備陰極材料AgCuO2的方法的步驟如下:
1)工作電極,即ITO導(dǎo)電玻璃的活化:用丙酮清洗ITO導(dǎo)電玻璃3~5次,再用去離子水將導(dǎo)電玻璃放在超聲波清洗器中清洗30~60min,接著將導(dǎo)電玻璃放在稀硝酸溶液中活化30~60s,最后用去離子水清洗,備用;
2)AgCuO2薄膜電極的制備:將0.000375mol的AgNO3和0.0003mol的Cu(NO3)2·3H2O于一定量蒸餾水中攪拌溶解,攪拌中逐滴加入0.05mol的NH3,使之與Ag+和Cu2+充分絡(luò)合至溶液呈深藍(lán)色澄清狀,后加入0.025mol NaOH溶液調(diào)節(jié)溶液的pH,最后補加蒸餾水得到體積為100mL的澄清電解液;以ITO導(dǎo)電玻璃為工作電極,鉑片電極為對電極,銀-氯化銀電極為參比電極,置于電解液中進行恒電流沉積,電沉積所得樣品用去離子水沖洗后自然晾干,得到基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜。
所述的恒電流沉積時實驗水浴溫度40℃,施加陽極恒電流為0.1A,沉積時間為1000~3000s。
本發(fā)明采用了陽極電沉積的實驗方法,通過施加合適的實驗條件,得到了穩(wěn)定的具有片狀形貌的AgCuO2薄膜晶體,實驗設(shè)備簡單、操作簡便快速、常溫常壓下同一溶液中即可進行。本發(fā)明還具有成本低、環(huán)境友好的優(yōu)點,有望進行工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明制備得到的AgCuO2均具有一定的晶面取向。
附圖說明
圖1為實施例1中所得AgCuO2的X射線衍射圖譜,其中,井號代表的是基底氧化銦的衍射峰;
圖2為實施例1中所得片狀形貌的AgCuO2的掃描電鏡圖;
圖3為實施例1中所得AgCuO2的電流密度-電位圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明做進一步闡述和說明。本發(fā)明中各個實施方式的技術(shù)特征在沒有相互沖突的前提下,均可進行相應(yīng)組合。
實施例1
1)工作電極,即ITO導(dǎo)電玻璃的活化:用丙酮清洗ITO導(dǎo)電玻璃3次,再用去離子水將導(dǎo)電玻璃放在超聲波清洗器中清洗30min,接著將導(dǎo)電玻璃放在稀硝酸溶液中活化30s,最后用去離子水清洗,備用;
2)AgCuO2薄膜電極的制備:將0.000375mol的AgNO3和0.0003mol的Cu(NO3)2·3H2O于一定量蒸餾水中攪拌溶解,攪拌中逐滴加入0.05mol的NH3,使之與Ag+和Cu2+充分絡(luò)合至溶液呈深藍(lán)色澄清狀,后加入0.025mol NaOH溶液調(diào)節(jié)溶液的pH,最后補加蒸餾水得到體積為100mL的澄清電解液;以ITO導(dǎo)電玻璃為工作電極,鉑片電極為對電極,銀-氯化銀電極為參比電極,置于電解液中進行恒電流沉積,實驗水浴溫度40℃,施加陽極恒電流為0.1A,沉積時間為1000s,電沉積所得樣品用去離子水沖洗后自然晾干,得到基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜,備用;
3)將步驟2)所得基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜進行X-射線粉末衍射、場發(fā)射掃描電鏡表征,將從X-射線粉末衍射儀上所得的數(shù)據(jù)用Origin8軟件做XRD圖,如圖1所示,樣品為(-202)優(yōu)先取向;將從場發(fā)射掃描電鏡上所得的圖片作為SEM圖,如圖2所示,所得AgCuO2呈長方體片狀微觀形貌;
4)將步驟2)所得基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜分別進行線性伏安掃描,通過分析還原峰位置、面積及其對應(yīng)的比容量來反映AgCuO2薄膜電極的放電性能;放電性能測試實驗在三通電解槽中進行,電解液為7M KOH溶液,電化學(xué)工作站型號為CHI660D,電壓掃描速度為0.1mV/s,實驗所得數(shù)據(jù)用Origin8軟件作電流密度-電壓圖,如圖3所示,通過計算還原峰的面積,該AgCuO2薄膜具有較好的放電性能。
實施例2
1)工作電極,即ITO導(dǎo)電玻璃的活化:用丙酮清洗ITO導(dǎo)電玻璃3次,再用去離子水將導(dǎo)電玻璃放在超聲波清洗器中清洗30min,接著將導(dǎo)電玻璃放在稀硝酸溶液中活化30s,最后用去離子水清洗,備用;
2)AgCuO2薄膜電極的制備:將0.000375mol的AgNO3和0.0003mol的Cu(NO3)2·3H2O于一定量蒸餾水中攪拌溶解,攪拌中逐滴加入0.05mol的NH3,使之與Ag+和Cu2+充分絡(luò)合至溶液呈深藍(lán)色澄清狀,后加入0.025mol NaOH溶液調(diào)節(jié)溶液的pH,最后補加蒸餾水得到體積為100mL的澄清電解液;以ITO導(dǎo)電玻璃為工作電極,鉑片電極為對電極,銀-氯化銀電極為參比電極,置于電解液中進行恒電流沉積,實驗水浴溫度40℃,施加陽極恒電流為0.1A,沉積時間為2000s,電沉積所得樣品用去離子水沖洗后自然晾干,得到基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜,備用;
3)將步驟2)所得基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜進行X-射線粉末衍射、場發(fā)射掃描電鏡表征,將從X-射線粉末衍射儀上所得的數(shù)據(jù)用Origin8軟件做XRD圖,將從場發(fā)射掃描電鏡上所得的圖片作為SEM圖,本例所得XRD圖、SEM圖與實施例1所得樣品的基本相同;
將步驟2)所得基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜分別進行線性伏安掃描,通過分析還原峰位置、面積及其對應(yīng)的比容量來反映AgCuO2薄膜電極的放電性能;放電性能測試實驗在三通電解槽中進行,電解液為7M KOH溶液,電化學(xué)工作站型號為CHI660D,電壓掃描速度為0.1mV/s,實驗所得數(shù)據(jù)用Origin8軟件作電流密度-電壓圖,結(jié)果與實施例1基本相同。
實施例3
1)工作電極,即ITO導(dǎo)電玻璃的活化:用丙酮清洗ITO導(dǎo)電玻璃3次,再用去離子水將導(dǎo)電玻璃放在超聲波清洗器中清洗30min,接著將導(dǎo)電玻璃放在稀硝酸溶液中活化30s,最后用去離子水清洗,備用;
2)AgCuO2薄膜電極的制備:將0.000375mol的AgNO3和0.0003mol的Cu(NO3)2·3H2O于一定量蒸餾水中攪拌溶解,攪拌中逐滴加入0.05mol的NH3,使之與Ag+和Cu2+充分絡(luò)合至溶液呈深藍(lán)色澄清狀,后加入0.025mol NaOH溶液調(diào)節(jié)溶液的pH,最后補加蒸餾水得到體積為100mL的澄清電解液;以ITO導(dǎo)電玻璃為工作電極,鉑片電極為對電極,銀-氯化銀電極為參比電極,置于電解液中進行恒電流沉積,實驗水浴溫度40℃,施加陽極恒電流為0.1A,沉積時間為3000s,電沉積所得樣品用去離子水沖洗后自然晾干,得到基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜,備用;
3)將步驟2)所得基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜進行X-射線粉末衍射、場發(fā)射掃描電鏡表征,將從X-射線粉末衍射儀上所得的數(shù)據(jù)用Origin8軟件做XRD圖,將從場發(fā)射掃描電鏡上所得的圖片作為SEM圖,本例所得XRD圖、SEM圖與實施例1所得樣品基本相同;
將步驟2)所得基于ITO導(dǎo)電玻璃的黑色AgCuO2薄膜分別進行線性伏安掃描,通過分析還原峰位置、面積及其對應(yīng)的比容量來反映AgCuO2薄膜電極的放電性能;放電性能測試實驗在三通電解槽中進行,電解液為7M KOH溶液,電化學(xué)工作站型號為CHI660D,電壓掃描速度為0.1mV/s,實驗所得數(shù)據(jù)用Origin8軟件作電流密度-電壓圖,結(jié)果與實施例1基本相同。
以上所述的實施例只是本發(fā)明的一種較佳的方案,然其并非用以限制本發(fā)明。有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型。如在AgCuO2薄膜電極的制備時,各試劑的用量不一定按實施例中的數(shù)值,可以此數(shù)值按比例進行擴展。因此凡采取等同替換或等效變換的方式所獲得的技術(shù)方案,均落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。