專利名稱：用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出一種用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體器件的方法以及一種光電子半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：

發(fā)明內(nèi)容
待實(shí)現(xiàn)的目的在于，提出一種用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法，所述方法是低成本的。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在第一步驟中提供有載體，所述載體具有上側(cè)和與載體的上側(cè)相對置的下側(cè)。載體能夠是電路板或金屬支架(引線框架)。同樣可設(shè)想的是，載體構(gòu)造為柔性的，并且例如構(gòu)造為薄膜。載體能夠用例如為金屬的導(dǎo)電材料和/或例如為熱固性或熱塑性材料的電絕緣的材料構(gòu)成，和/或也能夠用陶瓷材料構(gòu)成。在上側(cè)和下側(cè)上分別構(gòu)造有面，所述面由載體外表面的一部分構(gòu)成。在下側(cè)上的面是載體外表面的在載體的已安裝狀態(tài)下朝向接觸載體——接觸載體例如是電路板——的一部分。例如在載體的下側(cè)上的面是安裝面，所述安裝面能夠用于將之后的半導(dǎo)體器件安裝在接觸載體上。此外，所述載體還具有在橫向方向上并排設(shè)置在上側(cè)上的多個(gè)連接面。在本文中，在“橫向方向”上意味著，平行于載體的主延伸方向的方向?！安⑴拧币馕吨?，連接位置在橫向方向上彼此間隔開地設(shè)置。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在下一步驟中將在橫向方向上彼此間隔開地設(shè)置的多個(gè)光電子器件施加在載體的上側(cè)上。所述光電子器件分別具有背離于所述載體的至少一個(gè)接觸面。例如在橫向方向上在各個(gè)光電子器件之間存在間隙。在載體的俯視圖中，間隙由兩個(gè)分別彼此鄰接的光電子器件的側(cè)面和載體的朝向所述器件的安裝面所限定。至少一個(gè)接觸面用于光電子半導(dǎo)體器件的電接觸，并且由例如為金屬的可導(dǎo)電的材料制成。優(yōu)選的是，光電子器件的每個(gè)接觸面與載體的連接面明確地或一一對應(yīng)地相關(guān)聯(lián)。例如，所述連接面和所述光電子器件在橫向方向上并排設(shè)置。換句話說，連接面相應(yīng)地和光電子器件的與所述連接面相關(guān)聯(lián)的接觸面相鄰。例如，光電子器件借助背離于接觸面的外表面被壓接、焊接或?qū)щ姷卣辰釉谳d體的接觸位置上。光電子器件能夠是接收輻射的或發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。所述半導(dǎo)體芯片例如是突光二極管芯片(Lumineszenzdiodenchip)。所述突光二極管芯片能夠是發(fā)光二極管芯片(Leuchtdiodenchip)或激光二極管芯片。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在下一步驟中保護(hù)元件被施加到接觸面和連接面上。也就是說，保護(hù)元件至少局部地與連接面和接觸面直接接觸。在載體的俯視圖中，保護(hù)元件在垂直方向上至少局部地與接觸面和連接面重合。在此，“垂直方向”表示垂直于橫向方向的方向。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式， 在下一步驟中至少一個(gè)電絕緣層被施加到載體的、接觸面的以及保護(hù)元件的暴露的位置上。在電絕緣層和載體的、接觸面的以及保護(hù)元件的暴露的位置之間優(yōu)選既不構(gòu)成縫隙也不構(gòu)成中斷。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在下一步驟中移除保護(hù)元件，由此在電絕緣層中產(chǎn)生開口。所述開口分別在垂直方向上延伸完全穿過電絕緣層。所述開口例如具有至少一個(gè)側(cè)面。所述開口的至少一個(gè)側(cè)面至少局部地由電絕緣層構(gòu)成。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在下一步驟中將可導(dǎo)電的材料設(shè)置在電絕緣層上并且至少局部地設(shè)置在開口中，其中所述可導(dǎo)電的材料分別將接觸面和與所述接觸面相關(guān)聯(lián)的連接面導(dǎo)電地連接。也就是說，可導(dǎo)電的材料分別將光電子器件和載體的與所述器件相關(guān)聯(lián)的連接面導(dǎo)電地連接，并且在此，在光電子器件和連接面之間至少局部地在電絕緣層的背離于載體的上側(cè)上延伸。在此，所述可導(dǎo)電的材料能夠局部地直接設(shè)置在電絕緣層的外表面上。例如，可導(dǎo)電的材料由金屬或可導(dǎo)電的粘合劑構(gòu)成。優(yōu)選的是，在光電子器件和載體的與所述光電子器件相關(guān)聯(lián)的連接面之間的導(dǎo)電連接部完全由可導(dǎo)電的材料構(gòu)成。例如，所述開口被可導(dǎo)電的材料完全填滿。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在第一步驟中提供有載體，所述載體具有上偵U、與載體的上側(cè)相對置的下側(cè)、以及在橫向方向上并排設(shè)置在上側(cè)上的多個(gè)連接面。在下一步驟中，將在橫向方向上彼此間隔開地設(shè)置的多個(gè)光電子器件設(shè)置在載體的上側(cè)上，其中所述光電子器件分別具有背離于載體的至少一個(gè)接觸面。在下一步驟中將保護(hù)元件施加到接觸面和連接面上。在另一步驟中，將至少一個(gè)電絕緣層施加到載體的、接觸面的以及保護(hù)元件的暴露的位置上。此外，在下一步驟中將保護(hù)元件移除，由此在電絕緣層中產(chǎn)生開口。在下一步驟中將可導(dǎo)電的材料設(shè)置在電絕緣層上并且至少局部地設(shè)置在開口中，其中可導(dǎo)電的材料分別將接觸面和與所述接觸面相關(guān)聯(lián)的連接面導(dǎo)電地連接。在此，這里所說明的用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法還基于以下知識，即穿過電絕緣層接觸的光電子半導(dǎo)體器件的制造會(huì)是高成本的。為了使例如光電子器件的被電絕緣層覆蓋的接觸部暴露出來，能夠在所述位置上借助于材料去除例如通過鉆孔來移除電絕緣層。在移除材料之后，接觸面露出，并且能夠從外部被電接觸。但是，接觸面的這樣的之后的露出會(huì)是高成本 的且耗時(shí)的。此外通過這類材料去除，光電子器件的接觸面會(huì)受到損傷?，F(xiàn)在，為了提出一種用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體器件的低成本的且耗時(shí)少的方法，在這里所說明的方法還采用下述思想，即在將電絕緣層中的一個(gè)施加到光電子器件上之前，將保護(hù)元件設(shè)置在光電子器件的相應(yīng)的接觸部上。換句話說，所述接觸部至少局部地被保護(hù)元件覆蓋。現(xiàn)在，如果在下一步驟中將電絕緣層施加到光電子器件的暴露的位置上，那么接觸面與電絕緣層至少局部地不直接接觸。因此，在下一步驟中能夠?qū)⒈Ｗo(hù)元件從接觸面移除。在移除保護(hù)元件之后，在電絕緣層中引入開口，因此接觸面能夠至少局部地暴露出來，并且能夠通過所述開口從外部被接觸。換句話說，保護(hù)元件代替了在電絕緣層中在接觸面之上的材料去除。這類方法不僅是低成本的和更少耗時(shí)的，而且對于接觸面而言是特別保護(hù)材料的，因?yàn)椴槐卦僖瞥娊^緣層以暴露出接觸面。在這里所說明的方法同樣避免了例如在電絕緣層的開口中的、耗費(fèi)的再清潔過程。此外，所述方法在生產(chǎn)流程中能夠是靈活的，因?yàn)槔缒軌蛑鸩降厥┘颖Ｗo(hù)元件。有利的是，在本方法中接觸面不會(huì)被例如高能量的激光損傷。通過避免在接觸面上的表面損傷，接觸面能夠被可靠地接通，因此之后的半導(dǎo)體器件的光學(xué)輸出功率被提高。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，電絕緣層是反射輻射的或者吸收輻射的?！胺瓷漭椛洹庇绕湟馕吨?，電絕緣層反射至少至80%的，優(yōu)選最多至90%的射到其上的光。對于外部觀察者而言，電絕緣層例如顯現(xiàn)出白色。為此，例如在電絕緣層中引入反射輻射的顆粒，所述反射輻射的顆粒例如由材料TiO2、BaSo4、ZnO或AlxOy中的至少一種構(gòu)成或者包含上述材料中的一種。在吸收輻射的電絕緣層中，對于外部觀察者而言，電絕緣層能夠顯現(xiàn)出黑色或彩色。因此，例如在電絕緣層中引入碳黑顆粒。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，電絕緣層是通過澆注施加的澆注體。為此，例如電絕緣層借助于澆注和緊接著的硬化而施加到載體的、接觸面的以及保護(hù)元件的暴露的位置上。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，保護(hù)元件中的至少一個(gè)由半導(dǎo)體材料、陶瓷材料、塑料材料中的至少一種制成，或者包含上述材料中的至少一種。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，借助于噴射、層壓、點(diǎn)膠、絲網(wǎng)印刷、噴涂工藝中的至少一種來施加保護(hù)元件。例如，在噴射時(shí)壓印所述電絕緣層。在點(diǎn)膠的情況下可設(shè)想的是，例如借助于滴管儀器以滴狀物的形式來施加電絕緣層。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，至少一個(gè)保護(hù)元件的橫向延展部從保護(hù)元件背離于載體的側(cè)起沿朝向載體的下側(cè)的方向縮小?！皺M向延展部”表示相應(yīng)的保護(hù)元件的兩個(gè)點(diǎn)之間的最大間距，所述兩個(gè)點(diǎn)在橫向方向上位于同一平面中。如果保護(hù)元件在俯視圖中例如是圓形的，那么橫向延展部就是直徑。例如，保護(hù)元件中的至少一個(gè)在側(cè)視圖中是錐形的。那么，保護(hù)元件中的至少一個(gè)從其背離于載體的側(cè)起沿朝向載體的下側(cè)的方向上逐漸變窄。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在步驟d)之前將保護(hù)元件在載體的上側(cè)上沿著分割線施加在載體上。在此，也在移除保護(hù)元件之后在分割線的區(qū)域中產(chǎn)生其它開口。
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根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在移除保護(hù)元件之后，沿著分割線將載體分割為單獨(dú)的光電子半導(dǎo)體器件。因?yàn)樵诜指罹€的區(qū)域中移除了電絕緣層，所以必須僅還通過載體分割。因此能夠放棄耗費(fèi)的并且不太保護(hù)材料的分離過程。換句話說，能夠放棄用于分割的、耗時(shí)且耗費(fèi)的過程。這導(dǎo)致成本節(jié)約以及光電子半導(dǎo)體器件的更快的生產(chǎn)。 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，保護(hù)元件與電絕緣層在垂直方向上齊平。也就是說，在保護(hù)元件和電絕緣層之間在橫向方向上既不構(gòu)成縫隙也不構(gòu)成中斷。例如，保護(hù)元件和電絕緣層一起構(gòu)成連續(xù)的并且不間斷的平面。優(yōu)選的是，保護(hù)元件是從外部可見的。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，在步驟d)之前將至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件施加到光電子器件的輻射穿透面上。通過輻射穿透面，將例如在光電子器件內(nèi)產(chǎn)生的電磁輻射從光電子器件耦合輸出，或者由光電子器件檢測穿過輻射穿透面進(jìn)入光電子器件中的電磁輻射。轉(zhuǎn)換元件用于將在光電子器件內(nèi)產(chǎn)生的初級電磁福射至少部分地轉(zhuǎn)換為其它波長的電磁輻射。例如，將所述轉(zhuǎn)換元件粘貼在輻射穿透面上。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在步驟d)之前將保護(hù)層施加到光電子器件的輻射穿透面上，所述保護(hù)層至少局部地覆蓋輻射穿透面，其中，在步驟d)之后移除所述保護(hù)層，由此在電絕緣層中產(chǎn)生窗口。所述保護(hù)層例如被直接施加到光電子器件的輻射穿透面上，并且至少局部地覆蓋所述輻射穿透面。在步驟d)之后，在將保護(hù)層施加到輻射穿透面上的位置上，電絕緣層不與光電子器件直接接觸。換句話說，在所述位置上保護(hù)層被設(shè)置在輻射穿透面和電絕緣層之間。在施加電絕緣層之后，能夠從保護(hù)層例如借助于高能量的激光，再次從保護(hù)層將所述電絕緣層移除。緊接著也能夠從光電子器件的輻射穿透面移除保護(hù)層。保護(hù)層的移除能夠借助于例如使用氫氧化鉀(也稱作KOH)刻蝕保護(hù)層來進(jìn)行。例如，在移除保護(hù)層后所產(chǎn)生的在電絕緣層中的窗口由至少一個(gè)側(cè)面、一個(gè)底面和一個(gè)與所述底面相對置的頂面構(gòu)成。例如，所述側(cè)面完全由電絕緣層構(gòu)成，其中所述底面例如能夠完全由光電子器件構(gòu)成?？稍O(shè)想的是，保護(hù)層由如保護(hù)元件相同的材料制成。在本文中“相同的材料”意味著，保護(hù)層的材料和保護(hù)元件的材料是一致的。同樣，保護(hù)層能夠通過如施加保護(hù)元件的相同的方法來施加。根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在所述窗口中設(shè)置有至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件和/或另一澆注體，其中所述另一澆注體包含至少一種熒光轉(zhuǎn)換材料。所述熒光轉(zhuǎn)換材料用于將光電子器件內(nèi)所產(chǎn)生的初級電磁輻射至少部分地轉(zhuǎn)換為其它波長的電磁輻射。此外，本發(fā)明還提出一種光電子半導(dǎo)體器件。光電子半導(dǎo)體器件例如能夠借助于在這里所說明的方法來制造，如其結(jié)合上述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式所說明的。也就是說，為在這里所說明的方法而闡述的特征也為在這里所說明的光電子半導(dǎo)體器件公開，并且反之亦然。

根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，光電子半導(dǎo)體器件包括載體，所述載體具有上側(cè)、與所述載體的上側(cè)相對置的下側(cè)、以及設(shè)置在上側(cè)上的至少一個(gè)連接面。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，光電子半導(dǎo)體器件包括設(shè)置在載體的上側(cè)上的至少一個(gè)光電子器件，所述光電子器件具有背離于載體的至少一個(gè)接觸面。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，光電子半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)電絕緣層，所述電絕緣層施加在載體的和光電子器件的暴露的位置上。例如，所述電絕緣層形狀配合地覆蓋光電子器件所有的暴露位置。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，光電子半導(dǎo)體器件包括在連接面和接觸面之上的、在橫向方向上彼此間隔開地設(shè)置的、在電絕緣層中的至少兩個(gè)開口。也就是說，在垂直方向上連接面和接觸面至少局部地與開口重合，并且在所述位置上不具有電絕緣層。 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式,光電子半導(dǎo)體器件包括可導(dǎo)電的材料，所述可導(dǎo)電的材料設(shè)置在電絕緣層上，并且至少局部地設(shè)置在開口中。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，開口中的至少一個(gè)的橫向延展部從電絕緣層背離于載體的側(cè)起沿朝向載體的下側(cè)的方向縮小。在側(cè)視圖中開口能夠是錐形的。尤其不借助于材料去除在電絕緣層中產(chǎn)生開口。例如，開口、接觸面和連接面不具有表面機(jī)械損傷。開口的側(cè)面，例如附加的還有接觸面和連接面的外表面尤其不具有例如呈表面熱損傷的形式的材料去除的痕跡。因此也就是說，不借助于高能量的激光處理和/或損傷所述側(cè)面和外表面。換句話說，借助于在這里所說明的、從電絕緣層被移除的保護(hù)元件來產(chǎn)生所述開口。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，可導(dǎo)電的材料分別將接觸面與連接面導(dǎo)電地連接。


下面根據(jù)實(shí)施例和相應(yīng)的附圖詳細(xì)闡述在這里所說明的方法以及在這里所說明的光電子半導(dǎo)體器件。圖1和圖2通過在這里所說明的方法示出兩個(gè)實(shí)施例的用于制造的各個(gè)生產(chǎn)步驟。
圖3示出在這里所說明的光電子半導(dǎo)體器件的一個(gè)實(shí)施例的示意的側(cè)視圖。在實(shí)施例和附圖中，相同的或起相同作用的組成部分分別設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。所示出的元件不視為是按比例的，相反，為了更好的理解，各個(gè)元件被夸大地示出。
具體實(shí)施例方式圖1在部段A中示出步驟a)和b)，其中首先提供有載體1，所述載體具有上側(cè)12和與載體I的上側(cè)12相對置的下側(cè)11。此外，載體I具有在橫向方向L上并排設(shè)置在上側(cè)12上的多個(gè)連接面13。光電子器件2設(shè)置在載體I上。光電子器件2中的每個(gè)具有背離于載體I的接觸面22。光電子器件2能夠是發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片發(fā)射紫外輻射或可見光。在圖1的部段A至H中所示出的是，連接面13分別由貫通接觸部14構(gòu)成。所述貫通接觸部14從載體I的上側(cè)12起沿朝向載體I的下側(cè)11的方向延伸完全穿過載體I。貫通接觸部14在下側(cè)11上相應(yīng)地構(gòu)成另一連接面15。例如，借助這類的另一連接面15，之后的光電子半導(dǎo)體器件100是可表面貼裝的。在圖1的部段B中，在步驟c)中所示出的是，如何將保護(hù)元件41和42分別施加到連接面13和光電子器件2的接觸面22上。當(dāng)前，借助于噴射來施加所述保護(hù)元件41和42。此外，從圖1的部段B中可見，沿著分割線S附加地施加保護(hù)元件43。在此，能夠借助光刻膠和/或熱熔膠來構(gòu)成保護(hù)元件41、42和/或43。在圖1的部段C中所示出的是，如何將轉(zhuǎn)換元件9施加到光電子器件2的輻射穿透面21上。當(dāng)前，所述轉(zhuǎn)換元件9以層的形式構(gòu)成，并且至少局部地覆蓋光電子器件2的輻射穿透面21。例如,所述轉(zhuǎn)換元件9將由光電子器件2發(fā)射的藍(lán)光部分地轉(zhuǎn)換為黃光，因此所述黃光能夠連同藍(lán)光一起混合成白光。如在圖1的部段D中所示出的，在下一步驟d)中，將電絕緣層3借助于澆注施加到保護(hù)元件41、42和43的、光電子器件2的、轉(zhuǎn)換元件9的暴露的位置上以及載體I的暴露的位置上。換句話說，電絕緣層3是通過澆注來施加的澆注體33。當(dāng)前，保護(hù)元件41和42以及轉(zhuǎn)換元件9在垂直方向V上與電絕緣層3齊平。反之，保護(hù)元件43在暴露的位置上被電絕緣層3完全地且形狀配合地覆蓋。在載體I的俯視圖中，保護(hù)元件41和42是從外部可見的并且是例如可自由接近的。在圖1的部段E中示出了步驟e)，其中將保護(hù)元件41和42再次移除。當(dāng)前，保護(hù)元件41的橫向延展部45從保護(hù)元件41和42背離于載體I的側(cè)起沿朝向載體I的下側(cè)11的方向縮小。換句話說，保護(hù)元件41和42構(gòu)造為錐形的。通過保護(hù)元件41和42的這類錐形的構(gòu)造，能夠特別簡單且低成本地再次移除保護(hù)元件41和42。例如，能夠?qū)⒈Ｗo(hù)元件41和42借助于水剝離移除，也就是說借助于濕法化學(xué)刻蝕來移除保護(hù)元件41和42。在圖1的部段F中所示出的是，如何在下一步驟f)中將可導(dǎo)電的材料8設(shè)置在電絕緣層3上并且設(shè)置在通過移除保護(hù)元件41和42而在電絕緣層3中產(chǎn)生的開口 5中?；诒Ｗo(hù)元件41和42的錐形的形狀，開口 5同樣是錐形的。因此開口 5不借助于材料去除例如鉆孔而在電絕緣層中產(chǎn)生?？蓪?dǎo)電的材料8完全地設(shè)置在開口 5中以及在橫向方向L上設(shè)置在電絕緣層3的背離于載體I的外表面上的兩 個(gè)開口 5之間。由于開口 5的錐形構(gòu)造，所述開口 5能夠特別簡單地由可導(dǎo)電的材料8填充。例如，借助于濺射和/或噴射來施加可導(dǎo)電的材料8。例如，可導(dǎo)電的材料8由Ti和/或Cu構(gòu)成?？蓪?dǎo)電的材料8與光電子器件2的相應(yīng)的接觸面22直接接觸以及與連接面13直接接觸。換句話說，當(dāng)前，光電子器件2中的每個(gè)通過可導(dǎo)電的材料8經(jīng)由連接位置13和貫通接觸部14與另一連接位置15導(dǎo)電地接觸。在圖1中的部段G中還示出的是，如何將在保護(hù)元件43的區(qū)域中的在保護(hù)元件43之上的電絕緣層3移除。例如，所述移除借助于高能量的激光實(shí)現(xiàn)。此外，在圖1的部段H中的下一步驟中所示出的是，如何移除保護(hù)元件43，由此在電絕緣層3中產(chǎn)生另一開口 55。有利地，在分割為各個(gè)光電子半導(dǎo)體器件100期間，不必通過電絕緣層3，而是僅通過載體I沿著分割線S進(jìn)行分割。在圖2中通過在這里所說明的方法說明了另一個(gè)實(shí)施例的用于制造的各個(gè)生產(chǎn)步驟。與在圖1中所示出的方法不同，在圖2所示出的方法中放棄了施加轉(zhuǎn)換元件9。代替于此，在圖2的部段B中將保護(hù)層44施加到光電子器件2中的每個(gè)的輻射穿透面21上。換句話說，保護(hù)層44至少局部地覆蓋光電子器件2的輻射穿透面21。在圖2的部段C中可見，保護(hù)層44在所有暴露的位置上被電絕緣層3完全地且形狀配合地覆蓋。在圖2的部段D和E中又示出了步驟e)，如何通過移除保護(hù)元件41和42而產(chǎn)生開口 5，以及如在圖1的實(shí)施形式中所說明的，緊接著將可導(dǎo)電的材料8設(shè)置在所述開口 5中。

在圖2的部段F中所示出的是，如何將電絕緣層3從保護(hù)層44移除。換句話說，因此保護(hù)層44至少局部地不具有電絕緣層3。在本文中“不具有”意味著，保護(hù)層44不再被電絕緣層3覆蓋。最大可能的是，由于制造，在保護(hù)層44的不具有電絕緣層的位置上仍存在電絕緣層3的材料殘余。在圖2的部段G中所示出的下一步驟中，將保護(hù)層44從輻射穿透面21移除。通過移除而在電絕緣層3中產(chǎn)生窗口 31，當(dāng)前，所述窗口 31具有底面311、與所述底面311相對置的開口 313以及側(cè)面312。側(cè)面312完全由電絕緣層3構(gòu)成，其中窗口 31的底面311完全由輻射穿透面21構(gòu)成。在圖2的段部H中還示出的是，在窗口 31中設(shè)置有另一澆注體32，所述澆注體32包含熒光轉(zhuǎn)換材料。當(dāng)前，所述熒光轉(zhuǎn)換材料是引入另一澆注體32的材料中的磷。例如，光電子器件2是RGB發(fā)光二極管芯片，所述RGB發(fā)光二極管芯片所發(fā)射的白光部分地轉(zhuǎn)換為其它波長的光。在圖3中示出一個(gè)在這里所說明的光電子器件100的側(cè)視圖。光電子器件100具有載體1，載體I具有上側(cè)12以及與上側(cè)12相對置的下側(cè)11。在構(gòu)造在上側(cè)12上的安裝面122上安裝有光電子器件2，并且所述光電子器件2與載體I導(dǎo)電地接觸。在電絕緣層3中的開口 5中設(shè)置有可導(dǎo)電的材料8，并且所述可導(dǎo)電的材料完全地填滿開口 5。此外，可導(dǎo)電的材料8沿著電絕緣層3的上側(cè)35在橫向方向L上在兩個(gè)開口 5之間延伸?？蓪?dǎo)電的材料8在連接面13和接觸面22之間構(gòu)成連續(xù)的導(dǎo)電連接部。所述開口尤其不借助于材料去除而在電絕緣層3中產(chǎn)生。也就是說，開口 5、接觸面22和連接面13不具有由于鉆孔而產(chǎn)生的表面損傷。
本發(fā)明不被基于所述實(shí)施例的說明限制。相反，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的每個(gè)組合，這尤其包含權(quán)利要求中的特征的每個(gè)組合，即使所述特征或所述組合本身沒有在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_地說明。本專利申請要 求德國專利申請102010034565. 2的優(yōu)先權(quán)，所述德國專利申請的公開內(nèi)容通過參引的方式并入本文。
權(quán)利要求
1.用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體器件(100)的方法，具有下述步驟 a)提供載體(I)，所述載體(I)具有上側(cè)(12)、與所述載體(I)的所述上側(cè)(12)相對置的下側(cè)(11)、以及在橫向方向(L)上并排設(shè)置在所述上側(cè)(12)上的多個(gè)連接面(13)； b)將在橫向方向(L)上彼此間隔開地設(shè)置的多個(gè)光電子器件(2)施加到所述載體(I)的分別具有背離于所述載體(I)的至少一個(gè)接觸面(22)的上側(cè)(12)上； c )將保護(hù)元件(41、42 )施加到所述接觸面(22 )和所述連接面(13 )上； d)將至少一個(gè)電絕緣層(3)施加到所述載體(I)的、所述接觸面(22)的以及所述保護(hù)元件(4)的暴露的位置上； e)移除所述保護(hù)元件(41、42)，由此在所述電絕緣層(3)中產(chǎn)生開口(51、52)； f)將能導(dǎo)電的材料(8)設(shè)置在所述電絕緣層(3)上并且至少局部地設(shè)置在所述開口(5)中，其中所述能導(dǎo)電的材料(8)分別將接觸面(22)和與所述接觸面相關(guān)聯(lián)的連接面(13)導(dǎo)電地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電絕緣層(3)是反射輻射的或吸收輻射的。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述電絕緣層(3)是通過澆注來施加的澆注體(33)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述保護(hù)元件(41、42)中的至少一個(gè)由下述材料中的至少一種制成或包含下述材料中的至少一種半導(dǎo)體材料、陶瓷材料、塑料材料。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述保護(hù)元件(41、42)中的至少一個(gè)借助于下述工藝中的至少一種來施加噴射、層壓、點(diǎn)膠、絲網(wǎng)印刷、噴涂。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述保護(hù)元件(41、42)中的至少一個(gè)的橫向延展部(44)從所述保護(hù)元件(41、42)的背離于所述載體(I)的側(cè)起沿朝向所述載體(I)的所述下側(cè)(11)的方向縮小。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在步驟d)之前，將保護(hù)元件(43)在所述載體(I)的所述上側(cè)(12 )上沿著分割線(S)施加在所述載體(I)上。
8.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中在移除所述保護(hù)元件(43)之后，沿著所述分割線(S)將所述載體(I)分割為各個(gè)光電子半導(dǎo)體器件(100 )。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中所述保護(hù)元件(41、42)在垂直方向(V)上與所述電絕緣層(3)齊平。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中在所述步驟d)之前，將至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件(9)施加到光電子器件(2)的輻射穿透面(21)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的方法，其中在所述步驟d)之前，將保護(hù)層(44)施加到光電子器件(2)的輻射穿透面(21)上，所述保護(hù)層至少局部地覆蓋所述輻射穿透面(2)，其中在所述步驟d)之后將所述保護(hù)層(44)移除，由此在所述電絕緣層(3)中產(chǎn)生窗口(31)。
12.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中在所述窗口(31)中設(shè)置有至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件(9)和/或另一澆注體(32)，其中所述另一澆注體(32)包含至少一種熒光轉(zhuǎn)換材料(51)。
13.光電子半導(dǎo)體器件(100)，具有-載體(1)，所述載體具有上側(cè)(12)、與所述載體(I)的所述上側(cè)(12)相對置的下側(cè)(11 )、以及設(shè)置在所述上側(cè)(12)上的至少一個(gè)連接面(13); -設(shè)置在所述載體(I)的所述上側(cè)(12 )上的至少一個(gè)光電子器件(2 )，所述光電子器件具有背離于所述載體(I)的至少一個(gè)接觸面(22)； -至少一個(gè)電絕緣層(3)，所述至少一個(gè)電絕緣層(3)被施加到所述載體(I)的和所述光電子器件(2)的暴露的位置上； -在所述連接面(13)和所述接觸面(22)上方的、在橫向方向(L)上彼此間隔開地設(shè)置的、在所述電絕緣層(3)中的至少兩個(gè)開口(5); -能導(dǎo)電的材料(8)，所述能導(dǎo)電的材料(8)設(shè)置在所述電絕緣層(4)上，并且至少局部地設(shè)置在所述開口( 5)中，其中， -所述開口(5)中的至少一個(gè)的橫向延展部(48)從所述電絕緣層(3)的背離于所述載體(I)的側(cè)起沿朝向所述載體(I)的所述下側(cè)(11)的方向縮小，并且 -所述能導(dǎo)電的材料(8)分別將所述接觸面(22)與所述連接面(13)導(dǎo)電地連接。
14.根據(jù)前一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體器件(100)，所述光電子半導(dǎo)體器件根據(jù)權(quán)利要求1至12之一制成。
全文摘要
本發(fā)明提出一種用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體器件的方法，所述方法具有下述步驟a)提供載體(1)，所述載體具有上側(cè)(12)、與所述載體(1)的所述上側(cè)(12)相對置的下側(cè)(11)、以及在橫向方向(L)上并排設(shè)置在所述上側(cè)(12)上的多個(gè)連接面(13)；b)施加多個(gè)光電子器件(2)，所述光電子器件分別具有背離于所述載體(1)的至少一個(gè)接觸面(22)；c)將保護(hù)元件(41、42)施加到所述接觸面(22)和所述連接面(13)上；d)將至少一個(gè)電絕緣層(3)施加到所述載體(1)的、所述接觸面(22)的以及所述保護(hù)元件(4)的暴露的位置上；e)移除所述保護(hù)元件(41、42)，由此在所述電絕緣層(3)中產(chǎn)生開口(51、52)；f)將可導(dǎo)電的材料(8)設(shè)置在所述電絕緣層(3)上并且至少局部地設(shè)置在所述開口(5)中，其中所述可導(dǎo)電的材料(8)分別將接觸面(22)和與所述接觸面相關(guān)聯(lián)的連接面(13)導(dǎo)電地連接。
文檔編號H01L33/50GK103069563SQ201180039774
公開日2013年4月24日 申請日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月17日
發(fā)明者卡爾·魏德納, 漢斯·維爾克施, 阿克塞爾·卡爾滕巴赫爾, 沃爾特·韋格萊特, 約翰·拉姆琴 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司