用于制造光電子的半導(dǎo)體器件的方法和光電子的半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】提出一種用于制造光電子的半導(dǎo)體器件(100)的方法，其中提供具有載體主側(cè)(11)的載體(1)。此外，提供多個(gè)已分割的光電子的半導(dǎo)體芯片(2)，其中半導(dǎo)體芯片(2)分別具有主發(fā)射側(cè)(21)和與主發(fā)射側(cè)(21)相對(duì)置的接觸側(cè)(22)。將已分割的半導(dǎo)體芯片(2)隨后施加到載體主側(cè)(11)上，使得接觸側(cè)(22)分別朝向載體主側(cè)(11)。在半導(dǎo)體芯片(2)之間的區(qū)域中施加掩模框(3)，其中掩?？?3)是由隔板(31)構(gòu)成的柵格。在載體主側(cè)(11)的俯視圖中，每個(gè)半導(dǎo)體芯片(2)環(huán)形地由隔板(31)包圍。用轉(zhuǎn)換材料(4)將半導(dǎo)體芯片(2)澆注為，使得在半導(dǎo)體芯片(2)上分別形成轉(zhuǎn)換元件(41)。在此，轉(zhuǎn)換元件(41)至少部分地覆蓋相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片(2)的主發(fā)射側(cè)(21)。隨后移除載體(1)。在另一步驟中，從掩?？?3)中分離出光電子的半導(dǎo)體器件(100)，其中掩?？蚣?3)被破壞。
【專利說明】
用于制造光電子的半導(dǎo)體器件的方法和光電子的半導(dǎo)體器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]提出一種用于制造光電子的半導(dǎo)體器件的方法。此外，提出一種光電子的半導(dǎo)體器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0002]待實(shí)現(xiàn)的目的在于，提出一種用于盡可能簡(jiǎn)單且有效地制造光電子的半導(dǎo)體器件的方法，所述光電子的半導(dǎo)體器件具有均勻的光耦合輸出。另一待實(shí)現(xiàn)的目的在于，提出一種光電子的半導(dǎo)體器件，所述光電子的半導(dǎo)體器件具有均勻的光耦合輸出。
[0003]這些目的尤其通過根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的用于制造光電子的半導(dǎo)體器件的方法和光電子的半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)。有利的設(shè)計(jì)方案和改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。
[0004]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，提供具有載體主側(cè)的載體。載體例如能夠是藍(lán)寶石載體或金屬載體或由塑料構(gòu)成的載體。
[0005]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，提供一個(gè)或多個(gè)單個(gè)的光電子的半導(dǎo)體芯片。在此，半導(dǎo)體芯片優(yōu)選分別具有主發(fā)射側(cè)和與主發(fā)射側(cè)相對(duì)置的接觸側(cè)。由半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的光能夠經(jīng)由主發(fā)射側(cè)從半導(dǎo)體芯片中耦合輸出。接觸側(cè)優(yōu)選用于電接觸半導(dǎo)體芯片。在此，優(yōu)選沒有光經(jīng)由接觸側(cè)從半導(dǎo)體芯片中耦合輸出。主發(fā)射側(cè)和接觸側(cè)經(jīng)由側(cè)面彼此連接。在此，側(cè)面橫向于主發(fā)射側(cè)伸展并且能夠如主發(fā)射側(cè)那樣設(shè)置用于光耦合輸出。
[0006]半導(dǎo)體芯片優(yōu)選包括一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體層序列。至少一個(gè)半導(dǎo)體層序列優(yōu)選基于II1-V族化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料例如是氮化物化合物半導(dǎo)體材料、如AlnIm-n-WamN，或者是磷化物化合物半導(dǎo)體材料、如AlnIm-n-mGamP，或者也可以是砷化物化合物半導(dǎo)體材料、如AlnIru-n-mGamAs，其中分別有II并且n+m< I。在此，半導(dǎo)體層序列能夠具有摻雜劑以及附加的組成部分。然而，為了簡(jiǎn)單起見，僅說明半導(dǎo)體層序列的晶格的主要組成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使這些組成部分能夠部分地通過少量其他物質(zhì)替代和/或補(bǔ)充時(shí)也如此。
[0007]半導(dǎo)體芯片例如具有沿著主發(fā)射側(cè)的至少為250μπι或400μπι或600μπι的橫向擴(kuò)展。作為替代方案或附加方案，橫向擴(kuò)展至多為2000μπι或110(^111或70(^111。半導(dǎo)體芯片的垂直于主發(fā)射側(cè)測(cè)量的高度優(yōu)選為至少5WI1或50μπι或200μπι。作為替代方案或附加方案，半導(dǎo)體芯片的高度 < 400μηι 或 < 350μηι 或 < 300μηι。
[0008]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，將被分割的半導(dǎo)體芯片施加到載體主側(cè)上，使得半導(dǎo)體芯片的接觸側(cè)分別朝向載體主側(cè)。在此，接觸側(cè)能夠直接放置在載體主側(cè)上或者通過中間層與載體主側(cè)分開。
[0009]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，至少在半導(dǎo)體芯片之間的區(qū)域中施加掩模框。掩?？蛟诖耸怯啥鄠€(gè)相交的隔板構(gòu)成的柵格。隔板設(shè)置為用于使半導(dǎo)體芯片彼此分離。在載體主側(cè)的俯視圖中，在施加掩?？蛑?，每個(gè)半導(dǎo)體芯片或者也可以是半導(dǎo)體芯片的組環(huán)形地由掩?？虻母舭宀糠值鼗蛲耆匕鼑８舭謇缒軌蛞跃匦蔚幕蛄呅蔚臇鸥竦姆绞皆O(shè)置，使得半導(dǎo)體芯片分別由通過隔板構(gòu)成的矩形的或六邊形的框架包圍。
[0010]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，隨后用轉(zhuǎn)換材料澆注半導(dǎo)體芯片，使得在半導(dǎo)體芯片上分別沉積由轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成的層，所述層隨后構(gòu)成轉(zhuǎn)換元件。在此，轉(zhuǎn)換元件至少部分地或完全地覆蓋相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)。在此并且在下文中，由光電子的半導(dǎo)體芯片和轉(zhuǎn)換元件構(gòu)成的復(fù)合物稱作光電子的半導(dǎo)體器件。
[0011 ]在半導(dǎo)體芯片上的由轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成的層的厚度優(yōu)選為至多20μηι或50μηι或ΙΟΟμπι。作為替代方案或附加方案，轉(zhuǎn)換元件的厚度彡200μπι或彡250μπι或彡150μπι。在此，層的厚度分別垂直于半導(dǎo)體芯片的面來測(cè)量，由轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成的層被施加到所述面上。
[0012]為了用轉(zhuǎn)換材料澆注半導(dǎo)體芯片，轉(zhuǎn)換材料例如能夠施加到掩?？蛏喜⑶医柚趬河》?、例如借助于印刷刮刀在隔板之間的中間區(qū)域中壓印到半導(dǎo)體芯片上。此外可能的是，轉(zhuǎn)換材料是液態(tài)的或粘性的材料，所述材料施加在掩?？蛏喜⑶译S后獨(dú)立地在沒有外部壓力的情況下流入隔板之間的區(qū)域中并且在那分布在半導(dǎo)體芯片上。因此，相應(yīng)的轉(zhuǎn)換元件例如通過如下方式產(chǎn)生:干燥或硬化轉(zhuǎn)換材料。
[0013]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在施加轉(zhuǎn)換材料之后移除載體。通過移除載體，優(yōu)選至少部分地露出半導(dǎo)體芯片的接觸側(cè)。特別地，在此露出接觸側(cè)的如下區(qū)域，所述區(qū)域必須是露出的以便實(shí)際接觸半導(dǎo)體芯片。為了移除載體，例如能夠?qū)⑤d體逐層地剝蝕，經(jīng)由化學(xué)工藝溶解或作為整體從半導(dǎo)體芯片剝離。
[0014]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，隨后將光電子的半導(dǎo)體器件從掩模框中移除。在進(jìn)行分離出時(shí)，掩?？蚣軙?huì)完全被破壞。例如能夠借助于溶劑分離或溶解掩?？?。作為替代方案，也可行的是，拆開或打破將掩?？虻母鱾€(gè)隔板。在分離出半導(dǎo)體器件時(shí)，有利地完全移除掩模框，使得半導(dǎo)體器件隨后不具有掩?？颉Ｒ惨呀?jīng)能夠通過分離載體來進(jìn)行從掩?？蛑械姆蛛x出和/或掩?？虻钠茐?。
[0015]在用于制造光電子的半導(dǎo)體器件的方法的至少一個(gè)實(shí)施方式中，提供具有載體主側(cè)的載體。此外，提供一個(gè)或多個(gè)單個(gè)的光電子的半導(dǎo)體芯片，其中半導(dǎo)體芯片分別具有主發(fā)射側(cè)和與主發(fā)射側(cè)相對(duì)置的接觸側(cè)。在此，接觸側(cè)設(shè)置為用于電接觸半導(dǎo)體芯片。被分割的半導(dǎo)體芯片隨后施加到載體主側(cè)上，使得接觸側(cè)分別朝向載體主側(cè)。此外，至少在半導(dǎo)體芯片之間的區(qū)域中施加掩?？?，其中掩?？蚴怯筛舭鍢?gòu)成的柵格。在載體主側(cè)的俯視圖中，每個(gè)半導(dǎo)體芯片環(huán)形地由掩模框的隔板包圍。在另一步驟中，用轉(zhuǎn)換材料將半導(dǎo)體芯片澆注為，使得在半導(dǎo)體芯片上分別形成轉(zhuǎn)換元件。在此，轉(zhuǎn)換元件至少部分地覆蓋相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)。隨后移除載體，其中至少部分地露出半導(dǎo)體芯片的接觸側(cè)。在另一步驟中，將光電子的半導(dǎo)體器件從掩?？蛑蟹蛛x出，其中掩模框架被破壞。
[0016]借助于在此所描述的方法，能夠尤其有效并且簡(jiǎn)單地制造多個(gè)光電子的半導(dǎo)體器件。因?yàn)槭┘友谀？蜃鳛闋奚鼘?，所以在半?dǎo)體芯片上的轉(zhuǎn)換元件的形狀能夠自由地設(shè)計(jì)，所述犧牲層在分離半導(dǎo)體器件時(shí)能夠被破壞。此外，對(duì)于半導(dǎo)體器件而言借助于破壞掩?？虻姆指罟に囀怯绕浜?jiǎn)單的。不同的半導(dǎo)體器件既不必經(jīng)由鋸割也不必經(jīng)由基于激光的分離法彼此分離。由此降低半導(dǎo)體芯片和/或轉(zhuǎn)換元件在分割工藝中受損傷或被污染的風(fēng)險(xiǎn)。因此，有利的是，在這里所描述的方法中也使用具有敏感的發(fā)光物質(zhì)的轉(zhuǎn)換材料。
[0017]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，為了施加掩?？驁?zhí)行中間步驟。在第一中間步驟中，為此將有機(jī)的掩模材料的層施加到半導(dǎo)體芯片上和半導(dǎo)體芯片之間。在此，掩模材料優(yōu)選完全地覆蓋每個(gè)半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)和側(cè)面。有機(jī)的掩模材料優(yōu)選是自硬的、例如根據(jù)溫度硬化的有機(jī)材料。特別地，掩模材料能夠是光敏漆。掩模層的垂直于載體主側(cè)測(cè)量的厚度例如為至少ΙΟΟμπι或200μπι或500μπι。作為替代方案或附加方案，掩模層的厚度<I OOOymS 彡 800μπι 或彡 700μπι。
[0018]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，將由掩模材料構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)化。通過結(jié)構(gòu)化至少部分地露出半導(dǎo)體芯片，使得產(chǎn)生包圍半導(dǎo)體芯片的掩?？?。在此，結(jié)構(gòu)化例如能夠經(jīng)由自由射束光學(xué)裝置，簡(jiǎn)稱LDI來實(shí)現(xiàn)。為了構(gòu)成具有彎曲的側(cè)面或側(cè)沿的隔板，由掩模材料構(gòu)成的層也能夠由多個(gè)單層構(gòu)成，所述單層例如具有不同的光敏度。例如，由掩模材料構(gòu)成的層為此不僅具有正性的光刻膠而且具有負(fù)性的光刻膠，也就是說，不僅具有在光照下可溶的光刻膠而且具有在光照下不可溶的光刻膠。但是作為替代方案，也可能的是，借助于3D印刷法制造掩模框。
[0019]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，掩模材料在施加之后硬化。在硬化之后，掩模材料優(yōu)選是形狀穩(wěn)定的和/或堅(jiān)硬的和/或脆性的和/或易碎的。在此，例如將形狀穩(wěn)定理解為:由掩模材料制成的掩?？虿粫?huì)因例如會(huì)在借助于印刷法施加轉(zhuǎn)換材料時(shí)出現(xiàn)的機(jī)械負(fù)荷而變形。特別地，掩?？蚴浅志玫匦螤罘€(wěn)定的，即至少在施加轉(zhuǎn)換材料期間、優(yōu)選直至掩?？蚣鼙黄茐亩际切螤罘€(wěn)定的。
[0020]在將由掩模材料構(gòu)成的層結(jié)構(gòu)化時(shí)，能夠?qū)⑺a(chǎn)生的隔板和半導(dǎo)體芯片的側(cè)面之間的間距有利地調(diào)節(jié)到明確規(guī)定的、尤其恒定的值上。為此，能夠在將掩模層結(jié)構(gòu)化之前測(cè)量每個(gè)半導(dǎo)體芯片在載體上的位置。這例如允許生產(chǎn)如下掩膜框，所述掩膜框的隔板厚度和取向調(diào)整都是獨(dú)特的。
[0021]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，掩?？虻母舭寰哂袀?cè)沿。在此，側(cè)沿橫向于載體的載體主側(cè)伸展并且分別朝向一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體芯片。隔板的側(cè)沿能夠是平面的或平坦的，因此側(cè)沿不具有彎曲部。作為替代方案，可行的是，側(cè)沿具有彎曲部、例如凹狀的彎曲部。在此例如將凹狀的彎曲部理解為:隔板的寬度在遠(yuǎn)離載體主側(cè)的方向上首先減小隨后再次增加。同樣地，隔板的寬度在遠(yuǎn)離載體的方向上能夠單調(diào)地增加或單調(diào)地減小或也能夠首先增加并且隨后減小。
[0022]例如，一個(gè)或多個(gè)隔板或每個(gè)隔板在隔板的中間區(qū)域中具有最小寬度。此外，隔板在隔板的朝向載體主側(cè)的下端部上能夠具有第一最大寬度。在隔板的背離載體主側(cè)的上端部上，隔板例如具有第二最大寬度。最小寬度例如為第一和/或第二最大寬度的至少70%或50%或20% ο第一和第二最大寬度優(yōu)選彼此相差小于20%或10%或5%。在此，中間區(qū)域例如在從載體主側(cè)起測(cè)量出的高度中設(shè)置，所述高度為隔板的總高度的至少30%或40%或50%。作為替代方案或附加方案，中間區(qū)域例如位于小于隔板的總高度的80%或70%或60%的高度上。在此，隔板的高度限定為隔板的垂直于載體主側(cè)的擴(kuò)展。
[0023]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，掩?？虻母舭鍌?cè)向地與半導(dǎo)體芯片隔開，使得在半導(dǎo)體芯片和隔板之間產(chǎn)生間隙，在所述間隙中優(yōu)選露出載體主側(cè)。在載體主側(cè)的俯視圖中，半導(dǎo)體芯片環(huán)形地由間隙至少部分地、尤其完全地包圍。
[0024]在澆注時(shí)，間隙例如由轉(zhuǎn)換材料填滿。由此產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換元件部分地或完全地環(huán)繞相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)和露出的側(cè)面成形。術(shù)語(yǔ)“環(huán)繞成形”意味著，轉(zhuǎn)換元件形狀配合地包圍半導(dǎo)體芯片并且在此在局部地或整面地與半導(dǎo)體芯片直接接觸。
[0025]此外，轉(zhuǎn)換元件能夠至少部分地環(huán)繞隔板的側(cè)沿成形并且在此形狀配合地仿效側(cè)沿。換言之，轉(zhuǎn)換元件的背離半導(dǎo)體芯片的外面因此至少部分地具有隔板的側(cè)沿的陰模。也就是說，尤其轉(zhuǎn)換元件的外面的形狀至少部分地通過掩?？虻母舭宓男螤铑A(yù)設(shè)。因此，隔板的凹狀的側(cè)沿形狀例如在轉(zhuǎn)換元件的部分凸?fàn)畛尚蔚耐饷嬷挟a(chǎn)生。
[0026]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，掩?？虻膬?nèi)棱邊部分地或完全地倒圓。掩?？虻膬?nèi)棱邊分別朝向至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片并且由兩個(gè)相交的、相對(duì)于彼此橫向伸展的隔板形成。由于掩模框的倒圓的內(nèi)棱邊能夠?qū)崿F(xiàn):轉(zhuǎn)換元件具有倒圓的外棱邊。
[0027]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在施加轉(zhuǎn)換材料之前將反射性材料引入半導(dǎo)體芯片和隔板之間的間隙中。在此，半導(dǎo)體芯片的露出的側(cè)面至少部分地由反射層覆蓋。在此，反射層優(yōu)選至少部分地覆蓋半導(dǎo)體芯片的所有側(cè)面，使得在載體主側(cè)的俯視圖中，反射層形成圍繞半導(dǎo)體芯片的連續(xù)的軌道。例如能夠通過使用另一掩模防止主發(fā)射側(cè)由反射性材料潤(rùn)濕，其中所述另一掩模保護(hù)半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)。此外，半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)能夠用如下材料覆層，所述材料防止由反射性材料潤(rùn)濕。
[0028]反射層例如具有銀或鋁或鉑或者由這類材料構(gòu)成。此外，反射層能夠具有氧化鈦顆粒，所述氧化鈦顆粒例如嵌入硅酮基體材料中。
[0029]反射層尤其覆蓋側(cè)面的鄰接于半導(dǎo)體芯片的接觸面的區(qū)域。例如，反射層在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上從接觸側(cè)延伸直至如下高度，所述高度為半導(dǎo)體芯片的總高度的至多80%或50%或5%。然而，尤其反射層也能夠完全地覆蓋側(cè)面并且與半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)齊平。反射層例如用于使經(jīng)由側(cè)壁從半導(dǎo)體芯片中出射的光朝主發(fā)射側(cè)轉(zhuǎn)向。
[0030]反射層以及轉(zhuǎn)換元件能夠形狀配合地仿效掩?？蚣艿母舭宓膫?cè)沿的一部分。也就是說，在光電子的半導(dǎo)體器件的外面上，優(yōu)選形成在反射層和轉(zhuǎn)換元件之間的齊平的過渡部，而在反射層和轉(zhuǎn)換元件之間的過渡區(qū)域中不產(chǎn)生凹口或突起或隆起部或縫隙。
[0031]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，轉(zhuǎn)換元件不具有接縫結(jié)構(gòu)。在此，將接縫結(jié)構(gòu)理解為轉(zhuǎn)換元件中因制造工藝產(chǎn)生的隆起部或凹陷部。這種接縫部位例如在注塑成型法中產(chǎn)生。在此，注塑成型模板通常由兩個(gè)或更多個(gè)接合的子模板構(gòu)成。在兩個(gè)子模板之間的接觸面的區(qū)域中通常形成小的縫隙。在澆注時(shí)，該縫隙例如仿造轉(zhuǎn)換元件的外面上的隆起部的形狀。因?yàn)樵谶@里所描述的方法中模板是一件式的、連續(xù)的掩模，所以在此所描述的方法中有利地不產(chǎn)生這種接縫結(jié)構(gòu)。
[0032]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，掩模框或隔板具有如下高度，所述高度大于半導(dǎo)體芯片的高度。在此，所述高度分別垂直于載體主側(cè)測(cè)量。半導(dǎo)體芯片優(yōu)選僅用轉(zhuǎn)換材料澆注至，使得兩個(gè)相鄰的半導(dǎo)體芯片的所產(chǎn)生的所述轉(zhuǎn)換元件不連貫。也就是說，尤其半導(dǎo)體器件連同施加在其上的轉(zhuǎn)換元件的總高度小于掩?？虻母叨?。
[0033]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，將轉(zhuǎn)換元件施加到半導(dǎo)體芯片上，使得所產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換元件在半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)上構(gòu)成拱頂狀的和/或透鏡狀的形狀。為了實(shí)現(xiàn)這種形狀，轉(zhuǎn)換材料能夠具有觸變性的和/或粘性的材料，例如轉(zhuǎn)換材料在施加時(shí)的粘度至少是12Pa.s或13Pa.s或14Pa.S。
[0034]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，載體是粘結(jié)膜。在粘結(jié)膜的載體主側(cè)上施加有粘結(jié)層。在此，粘結(jié)層例如具有至少2μπι或5μπι或ΙΟμπι的厚度。作為替代方案或附加方案，粘結(jié)層的厚度< 50μπι或(30μπι或< 20μπι。
[0035]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在半導(dǎo)體芯片的接觸側(cè)上施加接觸墊作為隆起部。接觸墊例如是金屬的并且例如具有銀或金或鋁。接觸墊的厚度優(yōu)選為至少5μπ?或ΙΟμ??或20μπι。作為替代方案或附加方案，接觸墊的厚度彡50μπι或彡40μπι或彡30μπι。接觸墊尤其設(shè)置為用于半導(dǎo)體芯片的電接觸。
[0036]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在將半導(dǎo)體芯片施加到由粘結(jié)層覆蓋的粘結(jié)膜上時(shí)，將接觸墊完全地或部分地壓入粘結(jié)層中。在此，接觸墊例如能夠以Iym或1.5μπι或2μm的深度進(jìn)入粘結(jié)層中。作為替代方案或附加方案，接觸墊進(jìn)入粘結(jié)層中不多于5μπι或4μπι或3μπι。有利地，接觸墊通過粘結(jié)層來保護(hù)免受隨后施加的轉(zhuǎn)換材料或反射性材料。在剝離粘結(jié)膜和分割半導(dǎo)體器件之后，接觸墊因此是至少部分地露出的。這允許相應(yīng)的半導(dǎo)體器件的隨后的接觸。
[0037]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，在所述方法中，用轉(zhuǎn)換材料或反射性材料至少部分地覆蓋接觸面的設(shè)置在接觸墊之間的區(qū)域。作為替代方案，也可行的是，接觸面保持不具有轉(zhuǎn)換材料或反射性材料。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，例如用如特氟隆的材料對(duì)接觸墊之間的區(qū)域覆層，所述材料防止由轉(zhuǎn)換材料或反射性材料潤(rùn)濕。此外可考慮的是，半導(dǎo)體芯片壓入粘結(jié)層中至，使得接觸側(cè)的所有區(qū)域由粘結(jié)層覆蓋，并且在粘結(jié)層和接觸面之間不產(chǎn)生縫隙。
[0038]根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式，轉(zhuǎn)換材料具有基體材料。將有機(jī)的或無機(jī)的發(fā)光物質(zhì)、例如呈發(fā)光顆粒形式的發(fā)光物質(zhì)引入到基體材料中?；w材料例如能夠是有機(jī)材料如硅酮或樹脂。發(fā)光物質(zhì)例如是陶瓷的發(fā)光物質(zhì)，如摻雜有稀土的釔鋁石榴石、簡(jiǎn)稱YAG，或者镥鋁石榴石、簡(jiǎn)稱LUAG。此外，發(fā)光物質(zhì)能夠是摻雜有稀土的堿土氮化硅或堿土氮化招娃。
[0039]發(fā)光顆粒尤其設(shè)置用于將由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的第一波長(zhǎng)范圍的光至少部分地轉(zhuǎn)換為第二波長(zhǎng)范圍的光。然后，已制成的半導(dǎo)體器件在運(yùn)行時(shí)例如發(fā)射具有第一波長(zhǎng)范圍的和第二波長(zhǎng)范圍的光的份額的混合光。半導(dǎo)體芯片例如發(fā)射藍(lán)光或UV光，所述藍(lán)光或UV光由發(fā)光材料吸收并且被轉(zhuǎn)換為黃綠色的或橘紅色的光。由半導(dǎo)體器件發(fā)射的混合光例如是白光。
[0040]此外提出一種光電子的半導(dǎo)體器件。在此所描述的光電子的半導(dǎo)體器件能夠借助于在此所描述的方法制造。也就是說，結(jié)合制造方法所公開的所有特征對(duì)于光電子的半導(dǎo)體器件而言也是公開的并且反之亦然。
[0041]根據(jù)光電子的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，該光電子的半導(dǎo)體器件包括光電子的半導(dǎo)體芯片。在此，半導(dǎo)體芯片具有主發(fā)射側(cè)和與主發(fā)射側(cè)相對(duì)置的接觸側(cè)。接觸側(cè)設(shè)有接觸墊，其中所述接觸墊用于光電子的半導(dǎo)體器件的電接觸。此外，光電子的半導(dǎo)體芯片具有側(cè)面，所述側(cè)面橫向于主發(fā)射側(cè)定向并且使主發(fā)射側(cè)和接觸側(cè)彼此連接。
[0042]根據(jù)光電子的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，該光電子的半導(dǎo)體器件具有轉(zhuǎn)換元件。轉(zhuǎn)換元件至少覆蓋半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)。作為附加方案，半導(dǎo)體芯片的側(cè)面能夠部分地或完全地由轉(zhuǎn)換元件覆蓋。轉(zhuǎn)換元件設(shè)置為用于轉(zhuǎn)換來自半導(dǎo)體芯片的光。
[0043]根據(jù)光電子的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，在主發(fā)射側(cè)的俯視圖中，轉(zhuǎn)換元件在所有方向上超出半導(dǎo)體芯片。也就是說，在俯視圖中，轉(zhuǎn)換元件完全地覆蓋半導(dǎo)體芯片。
[0044]根據(jù)光電子的半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)實(shí)施方式，施加到半導(dǎo)體芯片上的轉(zhuǎn)換元件具有外棱邊和外面。在此，外面是轉(zhuǎn)換元件的背離半導(dǎo)體芯片的側(cè)，外棱邊是外面之間的連接棱邊。轉(zhuǎn)換元件的外棱邊能夠部分地或完全地倒圓。特別地，轉(zhuǎn)換元件的所有外棱邊能夠是完全地倒圓的。在此，外棱邊優(yōu)選被倒圓至，使得外棱邊和半導(dǎo)體芯片上的點(diǎn)之間的最小間距與在面和半導(dǎo)體芯片上的點(diǎn)之間的間距相差不大于5%或10%或20%。
[0045]被倒圓的外棱邊的半徑與轉(zhuǎn)換元件的平均厚度相比優(yōu)選以類似的大小來選擇。被倒圓的外棱邊的半徑例如為轉(zhuǎn)換元件的平均厚度的至少10%或50%或90%。作為替代方案或附加方案，所述半徑是轉(zhuǎn)換元件的平均厚度的至多1000%或200%或110%。通過這樣倒圓的外棱邊補(bǔ)償從半導(dǎo)體芯片中耦合輸出的光束在整個(gè)轉(zhuǎn)換元件中的光程。這引起半導(dǎo)體器件的色角特性改善。
【附圖說明】
[0046]在下文中，根據(jù)實(shí)施例詳細(xì)闡述在此所描述的用于制造光電子的半導(dǎo)體器件的方法以及在此所描述的光電子的半導(dǎo)體器件。在此，相同的附圖標(biāo)記說明在各個(gè)附圖中的相同的元件。然而，在此不以合乎比例的關(guān)系進(jìn)行示出，更確切地說，為了更好的理解能夠夸大地示出各個(gè)元件。
[0047]附圖示出:
[0048]圖1a至4示出用于制造光電子的器件的不同的方法步驟的實(shí)施例的橫截面圖，
[0049]圖5a和5b示出用于制造光電子的器件的不同的方法步驟的實(shí)施例的示意俯視圖，[ΟΟδΟ]圖6a至6c不出光電子的器件的實(shí)施例的側(cè)視圖和俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]在圖1a中示出用于制造光電子的器件的一個(gè)方法步驟的實(shí)施例。將多個(gè)已分割的半導(dǎo)體芯片2施加到具有載體主側(cè)11的載體I上。在此，半導(dǎo)體芯片2分別具有主發(fā)射側(cè)21和與主發(fā)射側(cè)21相對(duì)置的接觸側(cè)22。主發(fā)射側(cè)21和接觸側(cè)22通過半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23彼此連接。在每個(gè)半導(dǎo)體芯片2的接觸側(cè)22上施加接觸墊220，所述接觸墊設(shè)置為用于半導(dǎo)體芯片2的電接觸。因此，將半導(dǎo)體芯片2施加到載體I上，使得接觸側(cè)22分別朝向載體主側(cè)11。
[0052]在圖1b的方法步驟中示出另一方法步驟。將有機(jī)的掩模層31涂覆到半導(dǎo)體芯片2上并且涂覆到半導(dǎo)體芯片之間。在此，掩模層31優(yōu)選完全地覆蓋露出的側(cè)面23和主發(fā)射側(cè)
21。掩模層31例如是光敏的漆層31。漆層的厚度例如為200μπι。
[0053]在圖1c中示出另一方法步驟。在此，將漆層31結(jié)構(gòu)化并且使其硬化。例如能夠借助于自由射束光學(xué)裝置、簡(jiǎn)稱LDI來實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)化。通過將漆層31結(jié)構(gòu)化來產(chǎn)生掩模框3，所述掩模框由多個(gè)柵格狀設(shè)置的隔板30構(gòu)成。此外，通過結(jié)構(gòu)化使半導(dǎo)體芯片2露出。
[0054]在根據(jù)圖1c的方法步驟中，隔板30在橫截面圖中示出，其中隔板的主延伸方向垂直于視圖平面伸展。隔板30具有側(cè)沿33，其中側(cè)沿33橫向于載體主側(cè)11伸展并且分別朝向半導(dǎo)體芯片2。從相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片2起觀察，離得最近的側(cè)沿33分別具有凹狀的彎曲部。由此，隔板30的寬度在遠(yuǎn)離載體主側(cè)11的方向上首先減小至最小寬度并且再次增加。隔板30的寬度在載體主側(cè)11的區(qū)域中和在離載體主側(cè)11最遠(yuǎn)的區(qū)域中例如是最小寬度的兩倍。最小寬度例如設(shè)置在高于載體主側(cè)11的高度中，所述高度在隔板30的總高度的40%和60%之間。
[0055]在圖1c中示出的凹狀成形的隔板30例如能夠借助于灰度平版印刷產(chǎn)生。為此，載體I例如能夠是透明的，使得穿過載體也能夠照射漆層31。
[0056]在圖1c中，隔板30此外與半導(dǎo)體芯片2側(cè)向地隔開。由此，半導(dǎo)體芯片2環(huán)形地由間隙包圍，在所述間隙中載體I的載體主側(cè)11是露出的。
[0057]在圖1d的方法步驟中，用轉(zhuǎn)換材料4澆注半導(dǎo)體芯片2，對(duì)于每個(gè)半導(dǎo)體芯片2而言分別由所述轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成轉(zhuǎn)換元件41。在此，轉(zhuǎn)換材料4填充半導(dǎo)體芯片2和隔板30之間的中間區(qū)域并且部分地或完全地覆蓋半導(dǎo)體芯片2的主發(fā)射側(cè)21。特別地，轉(zhuǎn)換元件41在圖1d中分別形狀配合地包圍半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23和主發(fā)射側(cè)21。轉(zhuǎn)換元件41此外形狀配合地仿效隔板30的側(cè)沿33，使得轉(zhuǎn)換元件41的側(cè)向的外面從半導(dǎo)體芯片2起來觀察具有凸?fàn)畹膹澢俊Ｔ趫D1d中，由轉(zhuǎn)換材料4構(gòu)成的層在半導(dǎo)體芯片2的主發(fā)射側(cè)21上的厚度例如為70μmD
[0058]在圖1e的方法步驟中，在用轉(zhuǎn)換材料4澆注半導(dǎo)體芯片2之后將半導(dǎo)體芯片從載體I處分離。通過分離載體I使接觸側(cè)22的一部分、尤其接觸墊220的一部分露出。這實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體芯片2的之后的電接觸。在圖1e中，載體I作為整體從半導(dǎo)體芯片2處剝離。作為替代方案，也可行的是，逐層地剝蝕載體I或借助于溶劑分離載體I。
[0059]圖1f示出另一方法步驟，其中分割已完成澆注的半導(dǎo)體器件100，所述半導(dǎo)體器件由半導(dǎo)體芯片2和轉(zhuǎn)換元件41構(gòu)成。在分割半導(dǎo)體器件100時(shí)，掩?？?并且尤其是隔板30從半導(dǎo)體器件100分離，其中掩?？?能夠被破壞。掩模框3的分離例如通過溶劑或折斷隔板30來進(jìn)行。
[0060]根據(jù)圖2a的實(shí)施例與圖1d的方法步驟的不同之處在于，載體I構(gòu)成為粘結(jié)膜I。在此，在粘結(jié)膜I上施加粘結(jié)層12。粘結(jié)層12例如具有ΙΟμπι的厚度。在此，半導(dǎo)體芯片2壓入粘結(jié)層12中至，使得接觸墊220部分地進(jìn)入粘結(jié)層12中。在此，粘結(jié)層12保護(hù)接觸墊220免受轉(zhuǎn)換材料4。在這里所描述的方法中，接觸側(cè)22的在接觸墊220之間的區(qū)域能夠完全由轉(zhuǎn)換材料4覆蓋。作為替代方案，也可行的是，這些區(qū)域不由轉(zhuǎn)換材料4潤(rùn)濕。
[0061 ]圖2b的實(shí)施例與圖1d中示出的方法步驟的不同之處在于，在注入轉(zhuǎn)換材料4之前，將反射性材料引入到半導(dǎo)體芯片2和隔板30之間的間隙中。在此，反射性材料形成反射層5，所述反射層覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23的一部分。在半導(dǎo)體芯片2的主發(fā)射側(cè)21的俯視圖中，反射層5例如形成環(huán)繞半導(dǎo)體芯片2而不具有中斷部的軌道。在圖2b中，反射層5的高度從載體主側(cè)11起來觀察例如為50μηι。鄰接于反射層5構(gòu)成轉(zhuǎn)換元件41。在此，轉(zhuǎn)換元件41與反射層5直接接觸。在反射層5和轉(zhuǎn)換元件41之間不構(gòu)成縫隙或缺口。在外面上，轉(zhuǎn)換元件41與反射層5齊平。在此，反射層和轉(zhuǎn)換元件41形狀配合地仿效隔板30。此外，在轉(zhuǎn)換元件41的外面上不存在接縫結(jié)構(gòu)，所述接縫結(jié)構(gòu)例如能夠構(gòu)成為隆起部或凹陷部。在反射層5和轉(zhuǎn)換元件41之間的過渡區(qū)域中也不存在這種接縫結(jié)構(gòu)。
[0062]在圖2c的實(shí)施例中，與在圖2b中類似地，在施加轉(zhuǎn)換材料4之前在半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23上構(gòu)成反射層5。在此，反射層5與半導(dǎo)體芯片的主發(fā)射側(cè)21齊平。將轉(zhuǎn)換元件41施加到反射層5和主發(fā)射側(cè)21上。在此，轉(zhuǎn)換元件41具有彎曲的外面，所述外面透鏡狀地構(gòu)成。這種透鏡狀的外面例如能夠通過如下方式實(shí)現(xiàn):對(duì)于轉(zhuǎn)換材料4而言使用粘性的或觸變性的材料。
[0063]圖3a的實(shí)施例與圖1d的方法步驟的差別在于，側(cè)壁30的側(cè)沿33是平面的或平坦的、即不具有彎曲部。環(huán)繞側(cè)沿33成形的轉(zhuǎn)換元件41由此構(gòu)成同樣平坦的或平面的側(cè)向的外面。
[0064]在圖3b中示出在圖3a的實(shí)施例中的載體I和掩模框架3被移除之后已制成的器件100。已制成的器件100具有轉(zhuǎn)換元件41，所述轉(zhuǎn)換元件具有平坦的或平面的外面。連接外面的外棱邊不是倒圓的，而是銳邊的。
[0065]在圖4中示出另一實(shí)施例，所述實(shí)施例類似于圖2c的方法步驟。不同之處在于，在圖4中隔板30的寬度在遠(yuǎn)離載體主側(cè)11的方向上單調(diào)地減小并且不再增加。盡管如此，側(cè)沿33的彎曲部仍是凸?fàn)畹?。在圖4中，轉(zhuǎn)換元件41在遠(yuǎn)離載體主側(cè)11的方向上超出隔板30，但是其中兩個(gè)相鄰的半導(dǎo)體芯片2的轉(zhuǎn)換元件41不連貫或直接接觸。
[0066]在圖5a的實(shí)施例中，在半導(dǎo)體芯片2的主發(fā)射側(cè)21的俯視圖中觀察用于制造光電子的半導(dǎo)體器件100的方法步驟。掩模框3由多個(gè)柵格狀設(shè)置的隔板31形成。在此，半導(dǎo)體芯片2環(huán)形地由隔板31包圍。在此，隔板30不與半導(dǎo)體芯片2直接接觸，而是通過間隙與半導(dǎo)體芯片2分開。此外，在半導(dǎo)體芯片2和隔板30之間的間隙通過轉(zhuǎn)換材料4填充。此外，轉(zhuǎn)換材料4施加到半導(dǎo)體芯片2的主發(fā)射側(cè)21上。
[0067]在圖5b的實(shí)施例中，在半導(dǎo)體芯片2的主發(fā)射側(cè)21的俯視圖中示出另一用于制造光電子的器件的方法步驟光電子的。在所述方法步驟中，已制成的半導(dǎo)體器件100從掩?？蛱幟撾x。在分離出時(shí)破壞掩?？?，尤其折斷掩?？?的隔板30，使得半導(dǎo)體器件100能夠被分割。
[0068]在圖6a中，在載體主側(cè)21的俯視圖中不出光電子的半導(dǎo)體器件100的一個(gè)實(shí)施例。在此，半導(dǎo)體芯片2的主發(fā)射側(cè)21矩形地構(gòu)成。在主發(fā)射側(cè)21上設(shè)置有轉(zhuǎn)換元件41，其中轉(zhuǎn)換元件41在所有方向上超出主發(fā)射側(cè)21。在此，轉(zhuǎn)換元件41同樣具有矩形的形狀。
[0069]在圖6b的實(shí)施例中，在半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23的側(cè)視圖中示出半導(dǎo)體器件100。在此，轉(zhuǎn)換元件41具有矩形的橫截面形狀，其中矩形的距接觸側(cè)22最遠(yuǎn)的角部是倒圓的。
[0070]圖6b中的轉(zhuǎn)換元件41覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23的一部分并且在遠(yuǎn)離主發(fā)射側(cè)21的方向上超出半導(dǎo)體芯片2。在朝向半導(dǎo)體芯片2的接觸側(cè)22的方向上，在轉(zhuǎn)換元件41的下游設(shè)置有反射層5。在此，反射層5同樣覆蓋半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23的一部分。
[0071]在圖6a的以及圖6b的實(shí)施例中，轉(zhuǎn)換元件41具有外棱邊和外面。在此，外棱邊至少部分地被倒圓至，使得對(duì)于轉(zhuǎn)換元件41而言，在轉(zhuǎn)換元件41的外棱邊上的和半導(dǎo)體芯片2上的點(diǎn)之間的最小間距與在轉(zhuǎn)換元件41的外面上的和半導(dǎo)體芯片2上的點(diǎn)之間的最小間距相差小于20%。通過外棱邊的這種倒圓，在整個(gè)半導(dǎo)體器件100中再次補(bǔ)償在轉(zhuǎn)換元件41中對(duì)于從半導(dǎo)體芯片2中耦合輸出的光而言的光程長(zhǎng)度。由于被倒圓的外棱邊，在圖6a的俯視圖中或在圖6b的側(cè)視圖中，轉(zhuǎn)換元件41的一些角部顯現(xiàn)為是倒圓的。
[0072]圖6c在半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面23的側(cè)視圖中示出光電子的半導(dǎo)體器件100的一個(gè)實(shí)施例。在此，與圖4b的不同之處在于，側(cè)面23從接觸側(cè)22起至主發(fā)射側(cè)21都由反射層5覆蓋。也就是說，反射層5與主發(fā)射側(cè)21齊平。將轉(zhuǎn)換元件41施加到主發(fā)射側(cè)21上。在此，轉(zhuǎn)換元件41具有拱頂狀的或透鏡狀的外面。此外，轉(zhuǎn)換元件41與反射層5在外面上齊平。在此，轉(zhuǎn)換元件41的和反射層5的側(cè)向的外面具有凸?fàn)畹臋M截面形狀。特別地，施加到側(cè)面23上的反射層5的層厚度在遠(yuǎn)離接觸側(cè)22的方向上首先增加并且然后再次減小。與在圖6c中所示出的不同，半導(dǎo)體芯片2的側(cè)面也能夠主要由轉(zhuǎn)換元件41覆蓋或僅由轉(zhuǎn)換元件覆蓋。
[0073]本發(fā)明不受根據(jù)實(shí)施例的描述限制。更確切地說，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的任意組合，這尤其包含在權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或該組合本身并未明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├刑峒皶r(shí)也如此。
[0074]本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)10 2014 102 293.9的優(yōu)先權(quán)，所述德國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過參引并入本文。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制造光電子的半導(dǎo)體器件(100)的方法，所述方法包括如下步驟: -提供具有載體主側(cè)(11)的載體(I)， -提供一個(gè)或多個(gè)單個(gè)的光電子的半導(dǎo)體芯片(2)，其中所述半導(dǎo)體芯片(2)分別具有主發(fā)射側(cè)(21)和與所述主發(fā)射側(cè)(21)相對(duì)置的接觸側(cè)(22)，其中所述接觸側(cè)(22)設(shè)置為用于電接觸所述半導(dǎo)體芯片(2)， -將已分割的所述半導(dǎo)體芯片(2)施加到所述載體主側(cè)(11)上，使得所述接觸側(cè)(22)分別朝向所述載體主側(cè)(11)， -將掩?？?3)至少施加在所述半導(dǎo)體芯片(2)之間的區(qū)域中，其中所述掩?？?3)是由隔板(30)構(gòu)成的柵格，并且其中在所述載體主側(cè)(11)的俯視圖中，每個(gè)半導(dǎo)體芯片(2)環(huán)形地由所述掩?？?3)的所述隔板(30)包圍， -用轉(zhuǎn)換材料(4)澆注所述半導(dǎo)體芯片(2)，使得在所述半導(dǎo)體芯片(2)上分別形成轉(zhuǎn)換元件(41)，所述轉(zhuǎn)換元件至少部分地覆蓋相應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片(2)的所述主發(fā)射側(cè)(21)，-移除所述載體(I)，使得所述半導(dǎo)體芯片(2)的所述接觸側(cè)(22)至少部分地露出， -從所述掩?？?3)中分離出所述光電子的半導(dǎo)體器件(100)，其中所述掩模框(3)被破壞。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中執(zhí)行如下中間步驟以施加所述掩?？?3): -將光敏的漆層(31)施加到所述半導(dǎo)體芯片(2)上并且施加到所述半導(dǎo)體芯片(2)之間， -將所述漆層(31)結(jié)構(gòu)化，使得所述半導(dǎo)體芯片(2)至少部分地露出，并且使得包圍所述半導(dǎo)體芯片(2)的掩模框(3)產(chǎn)生， -使所述漆層(31)硬化， 其中已制成的所述漆層(31)是形狀穩(wěn)定的并且是堅(jiān)硬的。3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中 -所述掩模框(3)的所述隔板(30)具有側(cè)沿(33)，其中所述側(cè)沿(33)橫向于所述載體主側(cè)(11)伸展并且分別朝向半導(dǎo)體芯片(2)， -所述側(cè)沿(33)具有凹狀的彎曲部，使得所述隔板(30)的寬度在遠(yuǎn)離所述載體主側(cè)(11)的方向首先減小并且隨后再次增加。4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中所述半導(dǎo)體芯片(2)側(cè)向地與所述隔板(30)間隔開，使得所述半導(dǎo)體芯片(2)在俯視圖中分別環(huán)形地由間隙包圍，其中所述間隙由所述轉(zhuǎn)換材料(4)填滿，使得 -所產(chǎn)生的所述轉(zhuǎn)換元件(41)至少部分地環(huán)繞相應(yīng)的所述半導(dǎo)體芯片(2)的主發(fā)射側(cè)(21)和露出的側(cè)面(23)成形，并且使得 -所產(chǎn)生的所述轉(zhuǎn)換元件(41)至少部分地形狀配合地仿效所述隔板(30)的所述側(cè)沿(33)，使得所述轉(zhuǎn)換元件(41)的背離所述半導(dǎo)體芯片(2)的外面至少部分地具有所述側(cè)沿(33)的陰模。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法， 其中在施加所述轉(zhuǎn)換材料(4)之前，將反射性材料引入到所述半導(dǎo)體芯片(2)和所述掩?？?3)之間的所述間隙中，使得所述半導(dǎo)體芯片(2)的露出的所述側(cè)面(23)至少部分地由反射層(5)覆蓋。6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中所述轉(zhuǎn)換元件(41)不具有接縫結(jié)構(gòu)，所述接縫結(jié)構(gòu)在所述轉(zhuǎn)換元件(41)中作為隆起部或凹陷部出現(xiàn)。7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中所述掩?？?3)具有垂直于所述載體主側(cè)(11)的高度，所述高度大于所述半導(dǎo)體芯片(2)的高度，并且其中所述半導(dǎo)體芯片(2)僅用所述轉(zhuǎn)換材料(4)澆注至，使得兩個(gè)相鄰的半導(dǎo)體芯片(2)的所產(chǎn)生的所述轉(zhuǎn)換元件(41)不連貫。8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中將所述轉(zhuǎn)換材料(4)施加為，使得所產(chǎn)生的所述轉(zhuǎn)換元件(41)在所述半導(dǎo)體芯片(2)的所述主發(fā)射側(cè)(21)上構(gòu)成拱頂狀的和/或透鏡狀的形狀。9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中 -所述載體(I)是粘結(jié)膜，所述粘結(jié)膜具有施加在所述載體主側(cè)(11)上的粘結(jié)層(12)， -接觸墊(220)作為隆起部施加在所述接觸側(cè)(22)上，其中在將所述半導(dǎo)體芯片(2)施加到所述粘結(jié)膜(I)上之后，所述接觸墊(220)至少部分地被壓入所述粘結(jié)層(12)中。10.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法， 其中所述粘結(jié)層(12)具有2μπι至50μπι的厚度，其中所述接觸墊(220)具有在5μπι和50μπι之間的厚度，并且其中所述接觸墊(220)以在Ιμπι和5μπι之間的深度進(jìn)入所述粘結(jié)層(12)中。11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法， 其中用所述轉(zhuǎn)換材料(4)或反射性材料覆蓋所述接觸面(22)的設(shè)置在所述接觸墊(220)之間的區(qū)域。12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中所述半導(dǎo)體芯片(2)具有沿著所述主發(fā)射側(cè)(21)的在300μπι和100ym之間的橫向擴(kuò)展，其中所述半導(dǎo)體芯片(2)的高度在ΙΟΟμπι和400μπι之間，并且其中所述轉(zhuǎn)換元件(41)在所述半導(dǎo)體芯片(2)上具有在20μπι和250μπι之間的厚度。13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法， 其中所述轉(zhuǎn)換材料(4)是具有硅酮的基體材料，所述基體材料具有引入其中的無機(jī)的發(fā)光顆粒，其中所述發(fā)光顆粒將由所述半導(dǎo)體芯片(2)發(fā)射的第一波長(zhǎng)范圍的光至少部分地轉(zhuǎn)換為第二波長(zhǎng)范圍的光，使得已制成的所述半導(dǎo)體器件(100)發(fā)射混合光。14.一種根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法制造的光電子的半導(dǎo)體器件(100)， 所述光電子的半導(dǎo)體器件具有: -光電子的半導(dǎo)體芯片(2)，所述半導(dǎo)體芯片具有: a)主發(fā)射側(cè)(21)， b)與所述主發(fā)射側(cè)(21)相對(duì)置的接觸側(cè)(22)，所述接觸側(cè)設(shè)有接觸墊(220)，其中所述接觸墊(220)用于所述光電子的半導(dǎo)體器件(100)的電接觸， c)側(cè)面(23)，所述側(cè)面橫向于所述主發(fā)射側(cè)(21)定向并且使所述主發(fā)射側(cè)(21)和所述接觸側(cè)(22)彼此連接， -轉(zhuǎn)換元件(41)，所述轉(zhuǎn)換元件至少覆蓋所述半導(dǎo)體芯片(2)的所述主發(fā)射側(cè)(21)， 其中 i)所述轉(zhuǎn)換元件(41)設(shè)置用于轉(zhuǎn)換來自所述半導(dǎo)體芯片(2)的光，其中 ii)在所述主發(fā)射側(cè)(21)的俯視圖中，所述轉(zhuǎn)換元件(41)在所有方向上超出所述半導(dǎo)體芯片(2)， iii)所述轉(zhuǎn)換元件(41)具有外棱邊和外面，其中所述外棱邊至少部分地是倒圓的，使得在被倒圓的所述外棱邊和所述半導(dǎo)體芯片(2)之間的間距與在所述外面和所述半導(dǎo)體芯片(2)之間的間距相差小于20 %。
【文檔編號(hào)】H01L33/52GK106030830SQ201580009828
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2015年2月20日
【發(fā)明人】布麗塔·戈茨, 弗蘭克·辛格, 盧茨·赫佩爾, 于爾根·莫斯布格爾
【申請(qǐng)人】歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司