專(zhuān)利名稱(chēng)：一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件封裝的技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的T0-3P封裝結(jié)構(gòu)是在T0-3P框架通過(guò)導(dǎo)電膠/或絕緣膠粘結(jié)芯片，芯片外再包封環(huán)氧樹(shù)脂，由于該工藝的所封裝的芯片尺寸較大，封裝后由于芯片與框架兩種材料之間熱膨脹系數(shù)差異較大，易造成后加熱包封及使用過(guò)程中由于溫度過(guò)高，使得芯片破裂， 使產(chǎn)品失效，且目前的加熱包封易導(dǎo)致芯片破裂，封裝結(jié)構(gòu)一次加工良率只有80%左右，力口工良率低。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，其使得封裝的芯片不易與底部的框架因?yàn)椴牧系臒崤蛎浵禂?shù)差異而導(dǎo)致在高溫環(huán)境中破裂，確保產(chǎn)品有效，且提高了一次加工良率。一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，其技術(shù)方案是這樣的其包括框架底板、基島、芯片、弓丨線(xiàn)、外引腳，所述框架底板上設(shè)置有基島，所述芯片位于所述基島的區(qū)域內(nèi)，所述引線(xiàn)連接所述芯片、外引腳，其特征在于所述基島上涂布有導(dǎo)熱膠層，鉬片底部粘接所述導(dǎo)熱膠層， 所述鉬片的上表面涂布有導(dǎo)電膠層，所述芯片的底部粘接所述導(dǎo)電膠層，所述芯片的外邊緣均位于所述鉬片的外邊緣內(nèi)部。其進(jìn)一步特征在于所述導(dǎo)電膠層可替換成絕緣膠層；所述鉬片的厚度為2mm。采用本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)后，由于基島和芯片之間設(shè)置了鉬片，鉬片的熱膨脹系數(shù)介于基島材質(zhì)、芯片之間，在高溫環(huán)境中，熱膨脹得到了一定的中和，使得芯片的變形和鉬片大致相同，而鉬片和基島的變形大致相同，進(jìn)而芯片不會(huì)再高溫環(huán)境中破裂，確保產(chǎn)品有效，并提高依次加工良率至95%以上，加工良率高。

圖1為本實(shí)用新型的T0-3P封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1的左視圖結(jié)構(gòu)示意圖(加入環(huán)氧樹(shù)脂層)。
具體實(shí)施方式
見(jiàn)圖1、圖2，其包括框架底板1、基島2、芯片3、引線(xiàn)4、外引腳5，框架底板1上設(shè)置有基島2，芯片3位于基島2的區(qū)域內(nèi)上，引線(xiàn)4連接芯片3、外引腳5，基島2上涂布有導(dǎo)熱膠層6，2mm厚的鉬片7的底部粘接導(dǎo)熱膠層6，鉬片7的上表面涂布有導(dǎo)電膠層8，芯片 3的底部粘接導(dǎo)電膠層8，芯片3的外邊緣均位于鉬片7的外邊緣內(nèi)部。其中導(dǎo)電膠層8可替換成絕緣膠層。圖中9為環(huán)氧樹(shù)脂層。
權(quán)利要求1.一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，其包括框架底板、基島、芯片、引線(xiàn)、外引腳，所述框架底板上設(shè)置有基島，所述芯片位于所述基島的區(qū)域內(nèi)，所述引線(xiàn)連接所述芯片、外引腳，其特征在于所述基島上涂布有導(dǎo)熱膠層，鉬片底部粘接所述導(dǎo)熱膠層，所述鉬片的上表面涂布有導(dǎo)電膠層，所述芯片的底部粘接所述導(dǎo)電膠層，所述芯片的外邊緣均位于所述鉬片的外邊緣內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)電膠層可替換成絕緣膠層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，其特征在于所述鉬片的厚度為 2mm。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供了一種封裝引線(xiàn)框架結(jié)構(gòu)，其使得封裝的芯片不易與底部的框架因?yàn)椴牧系臒崤蛎浵禂?shù)差異而導(dǎo)致在高溫環(huán)境中破裂，確保產(chǎn)品有效，且提高了一次加工良率。其包括框架底板、基島、芯片、引線(xiàn)、外引腳，所述框架底板上設(shè)置有基島，所述芯片位于所述基島的區(qū)域內(nèi)，所述引線(xiàn)連接所述芯片、外引腳，其特征在于所述基島上涂布有導(dǎo)熱膠層，鉬片底部粘接所述導(dǎo)熱膠層，所述鉬片的上表面涂布有導(dǎo)電膠層，所述芯片的底部粘接所述導(dǎo)電膠層，所述芯片的外邊緣均位于所述鉬片的外邊緣內(nèi)部。
文檔編號(hào)H01L23/28GK202259273SQ201120417628
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者侯友良 申請(qǐng)人:無(wú)錫紅光微電子有限公司