專利名稱：一種石墨舟飽和處理工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅太陽能電池制造中的鍍膜工藝，尤其是涉及一種石墨舟飽和處理工藝。
背景技術(shù)：
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)是硅太陽能電池制造工藝中不可缺少的一部分，隨著PECVD技術(shù)的不斷改進(jìn)，管式 PECVD在提高太陽能電池的效率上有了顯著提高。而石墨舟飽和效果的好壞，在相當(dāng)大的程度上，影響了管式PECVD的鍍膜效果，若不能控制好石墨舟的飽和工藝，將會導(dǎo)致色差片增多，嚴(yán)重制約了產(chǎn)能及效益。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決原來石墨舟飽和效果不好的問題，為此提供了一種石墨舟飽和處理工藝，包括如下步驟將石墨舟清洗并干燥的步驟；進(jìn)行干燥的步驟；在管式PECVD內(nèi)進(jìn)行飽和處理的步驟；進(jìn)行工藝調(diào)試的步驟。本發(fā)明石墨舟飽和處理工藝，所述石墨舟清洗步驟包括采用濃度為15% 20%的氫氟酸進(jìn)行清洗的方法，干燥步驟包括在烘干箱內(nèi)進(jìn)行4h 他烘干的步驟。本發(fā)明石墨舟飽和處理工藝，所述在管式PECVD內(nèi)進(jìn)行飽和處理的步驟包括在真空條件下進(jìn)行2 4次射頻輝光的步驟，所述射頻輝光可以為3次。本發(fā)明石墨舟飽和處理工藝，每次輝光時間為2000s 2500s，相鄰兩次輝光時間間隔200 500s，所述射頻輝光的頻射功率為4800W 5600W，飽和溫度為450°C 480°C， 氨氣和硅烷的流量比為1000 :9000,占空比為3 :30ο本發(fā)明的有益效果是
本發(fā)明的工藝技術(shù)使石墨舟的飽和效果匹配產(chǎn)線鍍膜工藝，提高了鍍膜的合格率，在一定程度上降低了色差等不良品的比例，解決了原來石墨舟飽和的技術(shù)難題，大大提高了產(chǎn)線的產(chǎn)能及效益。
具體實(shí)施例方式本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。本說明書(包括任何附加權(quán)利要求、摘要)中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而已。本發(fā)明石墨舟飽和處理工藝的過程如下
(1)將石墨舟清洗并干燥的步驟；
(2)進(jìn)行干燥的步驟；(3)在管式PECVD內(nèi)進(jìn)行飽和處理的步驟；
(4)進(jìn)行工藝調(diào)試的步驟。其中步驟(1)中的清洗清洗包括采用濃度為15% 20%的氫氟酸進(jìn)行清洗的方法；
其中步驟(2)中的干燥包括在烘干箱內(nèi)進(jìn)行4h 他的烘干方法。其中步驟(3)中的飽和處理包括在真空條件下進(jìn)行2 4次射頻輝光的步驟，每次輝光時間為2000s 2500s，相鄰兩次輝光時間間隔200 500s，射頻輝光的頻射功率為 4800W 5600W，飽和溫度為450°C 480°C，氨氣和硅烷的流量比為1000 =9000,占空比為 3 :30。下面通過具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明工藝方法的具體過程 實(shí)施例1
使用濃度為15% 20%的氫氟酸進(jìn)行清洗，然后放入烘干箱內(nèi)烘干4h 他；將烘干好的石墨舟送至管式PECVD進(jìn)行飽和處理，飽和溫度設(shè)定為450°C 480°C，在真空條件下進(jìn)行三次射頻輝光，每次輝光時間為2000s 2500s，相鄰兩次輝光時間間隔200 500s，射頻輝光的頻射功率為4800W 5600W，氨氣和硅烷的流量比為1000 =9000,占空比為3 :30。 將飽和的石墨舟送至產(chǎn)線進(jìn)行工藝調(diào)試并投入使用。本發(fā)明并不局限于前述的具體實(shí)施方式
。本發(fā)明擴(kuò)展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。
權(quán)利要求
1.一種石墨舟飽和處理工藝，其特征在于，包括如下步驟對石墨舟進(jìn)行清洗的步驟；進(jìn)行干燥的步驟；在管式PECVD內(nèi)進(jìn)行飽和處理的步驟；進(jìn)行工藝調(diào)試的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨舟飽和處理工藝，其特征在于，所述對石墨舟進(jìn)行清洗的步驟中采用濃度為15% 20%的氫氟酸對石墨舟進(jìn)行清洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨舟飽和處理工藝，其特征在于，所述干燥包括在烘干箱內(nèi)進(jìn)行4h 他烘干的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨舟飽和處理工藝，其特征在于，所述飽和處理包括在真空條件下進(jìn)行2 4次射頻輝光的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨舟飽和處理工藝，其特征在于，所述飽和處理包括在真空條件下進(jìn)行3次射頻輝光的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的石墨舟飽和處理工藝，其特征在于，每次輝光時間為 2000s 2500s，相鄰兩次輝光時間間隔200 500s。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨舟飽和處理工藝，其特征在于，所述射頻輝光的頻射功率為4800W 5600W，飽和溫度為450°C 480°C，氨氣和硅烷的流量比為1000 =9000,占空比為3 :30ο
全文摘要
本發(fā)明公開了一種石墨舟飽和處理工藝，包括如下步驟將石墨舟清洗并干燥的步驟；進(jìn)行干燥的步驟；在管式PECVD內(nèi)進(jìn)行飽和處理的步驟；進(jìn)行工藝調(diào)試的步驟。本發(fā)明提高了鍍膜的合格率，在一定程度上降低了色差等不良品的比例，解決了原來石墨舟飽和的技術(shù)難題，大大提高了產(chǎn)線的產(chǎn)能及效益。
文檔編號H01L21/205GK102280396SQ20111027001
公開日2011年12月14日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月14日
發(fā)明者劉亞新, 張宗陽, 陳樹同, 陳躍 申請人:江陰鑫輝太陽能有限公司