專利名稱：薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電轉(zhuǎn)換裝置，且特別是涉及一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池是可以將陽(yáng)光的能量通過(guò)光電效應(yīng)轉(zhuǎn)換成電力的裝置。一般來(lái)說(shuō)，這樣的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊包含多個(gè)相串聯(lián)的薄膜光電轉(zhuǎn)換單元以進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。當(dāng)如樹葉或是鳥糞的污點(diǎn)附著于薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的受光面時(shí)，相對(duì)應(yīng)的薄膜光電轉(zhuǎn)換單元將部分或是完全地被遮住，從而降低光電動(dòng)勢(shì)。降低的光電動(dòng)勢(shì)將使薄膜光電轉(zhuǎn)換單元成為能量產(chǎn)生路徑上反向串聯(lián)的二極管。因此，被遮蔽的薄膜光電轉(zhuǎn)換單元將具有極高的阻抗，造成整體模塊輸出明顯的下降。進(jìn)一步地，電流無(wú)法在薄膜光電轉(zhuǎn)換單元中平均地流動(dòng)，而容易造成所謂的熱點(diǎn)現(xiàn)象。因此，如何設(shè)計(jì)一個(gè)新的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊及其制造方法，以降低熱點(diǎn)現(xiàn)象的影響，這是業(yè)界亟待解決的一個(gè)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面是提供一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，所述薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊包含基板以及多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，其中光電轉(zhuǎn)換單元形成于基板上并相串聯(lián)以形成串聯(lián)陣列。所述薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊還包含多個(gè)第一電極列以及電阻抗性物質(zhì)。第一電極列沿電流流動(dòng)方向延伸。電阻抗性物質(zhì)電性連接在多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)，其中電阻抗性物質(zhì)具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值，當(dāng)電阻抗性物質(zhì)是不同于第一電極列的物質(zhì)時(shí)，電阻抗性物質(zhì)使多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是至少部分電性相連，當(dāng)電阻抗性物質(zhì)是與第一電極列相同物質(zhì)時(shí)，電阻抗性物質(zhì)使多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是部分電性相連。本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，所述薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊包含第一電極層、至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層以及第二電極層。第一電極層形成于基板上，所述第一電極層包含多個(gè)第一電極列、電阻抗性物質(zhì)以及多個(gè)第一溝槽。第一電極列沿電流流動(dòng)方向延伸。電阻抗性物質(zhì)電性連接于多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)，其中電阻抗性物質(zhì)具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值。第一溝槽沿與電流流動(dòng)方向交錯(cuò)的特定方向分隔第一電極層成多個(gè)第一電極行。光電轉(zhuǎn)換層置于第一電極層上，其中光電轉(zhuǎn)換層包含多個(gè)第二溝槽，分別形成于多個(gè)第一溝槽其中之一的側(cè)邊。第二電極層置于光電轉(zhuǎn)換層上，其中第二電極層包含穿透第二電極層的多個(gè)第三溝槽，且第三溝槽分別形成于多個(gè)第二溝槽其中之一的側(cè)邊。其中當(dāng)電阻抗性物質(zhì)是不同于第一電極列的物質(zhì)時(shí)，電阻抗性物質(zhì)使多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是部分電性相連，當(dāng)電阻抗性物質(zhì)是與第一電極列相同物質(zhì)時(shí)，電阻抗性物質(zhì)使多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是部分電性相連。依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中電阻抗性物質(zhì)實(shí)質(zhì)上形成于多個(gè)第一橫向溝槽中，且第一橫向溝槽將第一電極層分隔為第一電極列。依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊還包含至少一個(gè)第二橫向溝層，所述第二橫向溝層形成于每一第一橫向溝槽的側(cè)邊且穿透第二電極層。依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例，其中第二溝槽實(shí)質(zhì)上為不連續(xù)，且各第二溝槽包含多個(gè)非溝槽部，非溝槽部位于第二溝槽與第一橫向溝槽交叉處。本發(fā)明的又一個(gè)方面是提供一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法，用以制造薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊包含基板以及復(fù)數(shù)光電轉(zhuǎn)換單元，其中光電轉(zhuǎn)換單元形成于基板上并相串聯(lián)以形成串聯(lián)陣列，制造方法包含下列步驟在串聯(lián)陣列的第一電極層上，沿電流流動(dòng)方向定義多個(gè)第一橫向溝槽，以分隔第一電極層為多個(gè)第一電極列；在多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)形成電阻抗性物質(zhì)，其中電阻抗性物質(zhì)具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值。依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，其中形成光電轉(zhuǎn)換單元還包含定義多個(gè)不連續(xù)第二溝槽， 至少一個(gè)不連續(xù)第二溝槽各包含多個(gè)非溝槽部，非溝槽部位于不連續(xù)第二溝槽與第一橫向溝槽交叉處。依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，其中定義不連續(xù)第二溝槽的步驟還包含在第一電極層及基板上形成光電轉(zhuǎn)換層；在光電轉(zhuǎn)換層上形成多個(gè)光掩模，其中光掩模對(duì)齊于第一橫向溝槽的位置；在光電轉(zhuǎn)換層中定義多個(gè)第二溝槽；以及移除光掩模。依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例，其中定義這些不連續(xù)第二溝槽的步驟還包含在基板上形成光電轉(zhuǎn)換層；以及在光電轉(zhuǎn)換層上進(jìn)行不連續(xù)切割工藝。依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例，還包含步驟在每一第一橫向溝槽的側(cè)邊定義至少一個(gè)第二橫向溝槽，第二橫向溝槽穿透串聯(lián)陣列的第二電極層，或第二橫向溝槽穿透串聯(lián)陣列的第二電極層及串聯(lián)陣列的光電轉(zhuǎn)換層。應(yīng)用本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)橫向溝槽及電阻抗性物質(zhì)的設(shè)置，將薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊分流以避免熱點(diǎn)的產(chǎn)生，而輕易地達(dá)到上述的目的。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，附圖的說(shuō)明如下圖IA為本發(fā)明一實(shí)施例中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的俯視圖；圖IB為圖IA的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊沿Hl方向的側(cè)剖視圖；圖IC為本發(fā)明另一實(shí)施例中，圖IA的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊沿Hl方向的側(cè)剖視圖；圖ID為本發(fā)明另一實(shí)施例中，圖IA的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊沿Hl方向的側(cè)剖視圖；圖2A至圖2C為本發(fā)明不同實(shí)施例中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的部分俯視圖；圖3A至圖3D分別為本發(fā)明一實(shí)施例中，圖2A的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊沿HI、H2、Vl 及V2方向的部分側(cè)剖面圖；圖4A至圖4D分別為本發(fā)明一實(shí)施例中，圖2B的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊沿HI、H2、Vl 及V2方向的部分側(cè)剖面圖；圖5A至圖5D分別為本發(fā)明一實(shí)施例中，圖2C的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊沿HI、H2、Vl 及V2方向的部分側(cè)剖面圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中，一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法的流程圖；圖7A至圖7D圖示薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法的各步驟中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的俯視圖；以及圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例中一i^^s^Mm-AMtu^+WM夂主要組件符號(hào)說(shuō)明1 薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊100:第一電極列102:電阻抗性物質(zhì)11 水平方向14:第二電極層160 不透明物質(zhì)200:第一橫向溝槽204 第二溝槽208 非溝槽部210、212 第二橫向溝槽23:電流流動(dòng)方向26:第二電極層70:光掩模801-808 步驟
具體實(shí)施例方式請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)DIA及圖1B。圖IA為本發(fā)明一實(shí)施例中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1的俯視圖，而圖IB為圖IA的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1沿Hl方向的側(cè)剖視圖。薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1依序包含基板16、第一電極層10、光電轉(zhuǎn)換層12以及第二電極層14。第一電極層10包含多個(gè)第一電極列100以及電阻抗性物質(zhì)102。在一實(shí)施例中， 第一電極層10為前電極。第一電極列100實(shí)質(zhì)上互相平行，并沿電流流動(dòng)方向延伸，即沿圖IA中的水平方向11延伸。電流流動(dòng)方向是薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1在運(yùn)作時(shí)，電流在薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1中流動(dòng)的方向。電阻抗性物質(zhì)102電性連接在任意兩個(gè)相鄰的第一電極列100，其中電阻抗性物質(zhì)102具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值。在一實(shí)施例中，第二電極層14為背電極。 第一電極層10在本實(shí)施例中，可為一個(gè)透明導(dǎo)電氧化層，以使光線通過(guò)而入射至光電轉(zhuǎn)換層12。第二電極層14依不同設(shè)計(jì)方式，可為一個(gè)透明導(dǎo)電氧化層或是一個(gè)金屬物質(zhì)層。鄰接第一電極層10的基板16可由透明材質(zhì)如玻璃形成。因此，在薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1中的電流將可在不同的電極列中分流，避免過(guò)熱的情形。由于電阻抗性物質(zhì)102具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值，因此任意兩個(gè)相鄰的第一電極列100依然是電性連接而非互相電性獨(dú)立。換句話說(shuō)，第一電極列100并非電性平行連接的形式。然而，在不同的第一電極列100間，電流不容易透過(guò)電阻抗性物質(zhì)102 流至另一個(gè)第一電極列100中，因此電流分流的機(jī)制仍可維持住。因此，熱點(diǎn)現(xiàn)象將可大幅下降。
τ ？ rr得躍」匕吧十2伏1矢坎口 υ巾Υ厶口、jpim、王
10:第一電極層 101 高電阻抗性結(jié)構(gòu) 104:第一橫向溝槽 12 光電轉(zhuǎn)換層 16 基板
20基板
202 第一溝槽 206 第三溝槽
21特定方向 22:第一電極層
24 光電轉(zhuǎn)換層 601-604 步驟 72 邊緣割除工藝
在一實(shí)施例中，電阻抗性物質(zhì)102實(shí)質(zhì)上形成在第一電極層10中的多個(gè)第一橫向溝槽104中。在一實(shí)施例中，當(dāng)電阻抗性物質(zhì)102為不同于第一電極列的物質(zhì)時(shí)，電阻抗性物質(zhì)102使任意相鄰兩個(gè)第一電極列100是至少部分電性相連。即，電阻抗性物質(zhì)102可以部分填入在第一橫向溝槽104以使兩相鄰第一電極列100部分電性連接或是全部填入第一橫向溝槽104以使兩相鄰第一電極列100全部電性連接。而當(dāng)電阻抗性物質(zhì)102與第一電極列100的物質(zhì)相同時(shí)，電阻抗性物質(zhì)102僅使任意相鄰兩個(gè)第一電極列100是部分電性相連。在一實(shí)施例中，部分光電轉(zhuǎn)換層12的物質(zhì)被填入第一橫向溝槽104以形成此電阻抗性物質(zhì)102。在另一實(shí)施例中，部分第二電極層14的物質(zhì)也可被填入第一橫向溝槽104 中。請(qǐng)參考圖1C。在又一實(shí)施例中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1的基板16為透明基板。基板 16還包含多個(gè)不透明物質(zhì)160，各置于基板16及第一電極層10間，以遮蔽陽(yáng)光，使陽(yáng)光不會(huì)穿過(guò)薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1被對(duì)應(yīng)遮蔽的部分，在其下對(duì)應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換層12將因此變成高電阻抗性結(jié)構(gòu)101。各不透明物質(zhì)160的位置可以與各第一橫向溝槽104對(duì)齊。因此，在不同列間的電流分流機(jī)制將由于不透明物質(zhì)160的存在而加強(qiáng)。在其它實(shí)施例中，不透明物質(zhì)160可以如圖ID所示，形成在基板16上，與第一電極層10相反的一側(cè)。請(qǐng)同時(shí)參考圖2A以及圖3A至圖3D。圖第2A為本發(fā)明一實(shí)施例中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2的部分俯視圖。圖3A至圖3D分別為本發(fā)明一實(shí)施例中，圖2A的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊 2沿Hl、H2、Vl及V2方向的部分側(cè)剖面圖。請(qǐng)先參考圖2A、圖3C及圖3D，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2包含基板20、第一電極層22、 光電轉(zhuǎn)換層M以及第二電極層26。第一電極層22包含多個(gè)第一溝槽202，以沿與電流流動(dòng)方向23交錯(cuò)的特定方向21，將第一電極層22分隔為多個(gè)第一電極行。第一電極層22還包含多個(gè)第一橫向溝槽200，各與上述的第一電極行橫向交錯(cuò)， 以如圖2A、圖3A及圖:3B所示，將第一電極層22分隔為多個(gè)第一電極列。換句話說(shuō)，第一橫向溝槽200形成第一電極列間的邊界。在一實(shí)施例中，第一橫向溝槽200以及第一溝槽 202實(shí)質(zhì)上相正交。需注意的是，在此處所用「實(shí)質(zhì)上」一詞意指第一橫向溝槽200以及第一溝槽202間的角度可能與90度有些微可接受的差距。如圖3A、圖;3B以及圖3D所示，電阻抗性物質(zhì)102將填入在第一橫向溝槽200中，以使第一電極列任意相鄰兩個(gè)是電性連接。光電轉(zhuǎn)換層M包含多個(gè)第二溝槽204，分別實(shí)質(zhì)地平行形成在第一溝槽202其中之一的側(cè)邊。第二電極層沈以及光電轉(zhuǎn)換層M包含穿透第二電極層沈及光電轉(zhuǎn)換層M 的多個(gè)第三溝槽206。各第三溝槽206分別實(shí)質(zhì)地平行形成在第二溝槽204其中之一的側(cè)邊。需注意的是，當(dāng)?shù)诙喜?04是通過(guò)激光切割工藝形成時(shí)，電阻抗性物質(zhì)102可根據(jù)激光的波長(zhǎng)選擇適合的物質(zhì)，以使在第一橫向溝槽200及第二溝槽204的交界中的電阻抗性物質(zhì)102不致被激光所移除。如第二溝槽204是通過(guò)化學(xué)蝕刻工藝或是機(jī)械式的切割工藝形成時(shí)，則需要控制蝕刻或切割的深度，以避免在第一橫向溝槽200及第二溝槽204的交界中的電阻抗性物質(zhì)102被移除。請(qǐng)同時(shí)參考圖2B及圖4A至圖4D。圖2B為本發(fā)明一實(shí)施例中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊 2的部分俯視圖。圖4A至圖4D分別為本發(fā)明一實(shí)施例中，圖2B的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2沿 Hl、H2、Vl及V2方向的部分側(cè)剖面圖。
需注意的是，填入在第一橫向溝槽200的電阻抗性物質(zhì)102是光電轉(zhuǎn)換層M的一部分。因此，圖2B中的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2與圖2A的不同處在于圖2B中的第二溝槽204 是不連續(xù)的。換句話說(shuō)，圖2B中的第二溝槽204各包含多個(gè)非溝槽部208。非溝槽部208在一實(shí)施例中是在形成第二溝槽204前，沿著第一橫向溝槽200的位置形成多個(gè)光掩模。因此，舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)激光切割工藝或是化學(xué)蝕刻工藝被用以形成第二溝槽204時(shí)，光掩模將提供其底下的物質(zhì)保護(hù)作用。因此即使其底下的物質(zhì)會(huì)吸收激光的能量或是會(huì)被蝕刻劑侵蝕，也可受到光掩模的保護(hù)而不致被激光切割工藝或是化學(xué)蝕刻工藝移除。在一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙喜?04是通過(guò)激光切割工藝形成時(shí)，基板20及第一電極層22可根據(jù)激光的波長(zhǎng)選擇適合的物質(zhì)，以使其不會(huì)吸收激光的能量。因此，激光可以由基板20及第一電極層22的一側(cè)進(jìn)行切割以形成第二溝槽204而不致傷害到基板20及第一電極層22。然而，光掩模需設(shè)置在對(duì)應(yīng)激光照射的一側(cè)，以對(duì)其下的部分進(jìn)行遮蔽。在另一實(shí)施例中，非溝槽部208可由不連續(xù)切割工藝形成，而不需利用光掩模。 舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用激光切割工藝時(shí)，可以分?jǐn)?shù)次進(jìn)行，以在非溝槽部208兩側(cè)分別形成各區(qū)段的子溝槽。這表示不連續(xù)的溝槽可以藉由控制激光的開關(guān)或是在必要時(shí)以遮光器 (shutter)遮住激光束來(lái)形成。在其它實(shí)施例中，化學(xué)蝕刻工藝及機(jī)械切割工藝也可以上述不連續(xù)的方式實(shí)施。如圖4D所示，第一橫向溝槽200為光電轉(zhuǎn)換層M的物質(zhì)所填入。更進(jìn)一步地，非溝槽部208在各電極列的邊界，將第一電極層22分隔，使其中一電極列的電流不易流入另一鄰接的電極列中。因此，熱點(diǎn)現(xiàn)象的影響可再次被降低。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2C及圖5A至圖5D。圖2C為本發(fā)明一實(shí)施例中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊 2的部分俯視圖。圖5A至圖5D分別為本發(fā)明一實(shí)施例中，圖2C的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2沿 Hl、H2、Vl及V2方向的部分側(cè)剖面圖。在本實(shí)施例中，第二電極層沈以及光電轉(zhuǎn)換層M還包含多個(gè)第二橫向溝槽210 及212，并如圖2C、圖5A及圖5B所示，穿透第二電極層沈及光電轉(zhuǎn)換層24。其中各兩第二橫向溝槽210及212實(shí)質(zhì)相平行，并位于其中一個(gè)第一橫向溝槽200兩旁。在一實(shí)施例中， 第二橫向溝槽210及212可僅穿透第二電極層26。因此，第二電極層沈不論實(shí)體亦或電性上都為第二橫向溝槽210及212分隔成為平行的形式。在先前所述的實(shí)施例中，當(dāng)熱點(diǎn)現(xiàn)象產(chǎn)生時(shí)，其中一電極列的電流仍可能從相連接的第二電極層26迅速流入鄰接的電極列中。在本實(shí)施例中，由于第二電極層沈在水平方向的分隔，當(dāng)薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2的其中一電極列產(chǎn)生熱點(diǎn)現(xiàn)象時(shí)，在其它電極列中的電流無(wú)法從第二電極層26流至熱點(diǎn)產(chǎn)生的區(qū)域。因此，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2的電流可達(dá)到更佳的分流效果。在一實(shí)施例中，第二橫向溝槽210及212僅需形成其中之一即可達(dá)到使第二電極層沈平行分隔的效果。更進(jìn)一步地，第二橫向溝槽210及212也可應(yīng)用于如圖IA及圖2A 的結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D6。圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中，一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法的流程圖，用以制造如圖IA及圖IB所示的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊1。制造方法包含下列步驟。步驟601，在基板上形成第一電極層10，其中第一電極層10包含沿電流流動(dòng)方向延伸的多個(gè)第一電極列100。步驟602，在任意相鄰兩個(gè)第一電極列100形成電阻抗性物質(zhì)102，其中電阻抗性物質(zhì)具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值。步驟603，在第一電極層 10上沉積光電轉(zhuǎn)換層12。接著步驟604，在光電轉(zhuǎn)換層12上沉積第二電極層14。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D7A至圖7D以及圖8。圖7A至圖7D圖示薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法的各步驟中，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的俯視圖。然而，基板、第一電極層、光電轉(zhuǎn)換層以及第二電極層在圖7A至圖7D中并未標(biāo)示。圖8為本發(fā)明一實(shí)施例中，一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法的流程圖。制造方法包含下列步驟。步驟801，在基板上形成第一電極層10，如圖7A所示。步驟802，通過(guò)一切割工藝， 沿電流流動(dòng)方向在第一電極層10上定義多個(gè)第一橫向溝槽200，以分隔第一電極層10成多個(gè)第一電極列100。切割工藝可為，但不限于激光切割工藝、化學(xué)蝕刻工藝或機(jī)械切割工藝。進(jìn)一步如圖7A所示，步驟803中，沿一垂直方向21定義多個(gè)第一溝槽202，以進(jìn)一步分隔第一電極層10成多個(gè)第一電極行。在另一實(shí)施例中，步驟803可在步驟802前實(shí)施。根據(jù)圖7B，步驟804，在任意相鄰兩個(gè)第一電極列形成電阻抗性物質(zhì)，且在第一電極層22上沉積光電轉(zhuǎn)換層M。需注意的是在一實(shí)施例中，電阻抗性物質(zhì)可為光電轉(zhuǎn)換層 24的物質(zhì)。在圖7B中，多個(gè)光掩模70形成在光電轉(zhuǎn)換層M上，以與第一電極列的邊界即第一橫向溝槽200交迭。在其它實(shí)施例中，當(dāng)電阻抗性物質(zhì)不會(huì)對(duì)激光切割工藝及蝕刻工藝起反應(yīng)時(shí)，可不需設(shè)置光掩模70。請(qǐng)參照?qǐng)D7C，步驟805，定義多個(gè)第二溝槽204以分別形成在第一溝槽202其中之一的側(cè)邊。在本實(shí)施例中，光掩模70在第二垂直切割工藝后移除。接著步驟806，在光電轉(zhuǎn)換層M上沉積第二電極層26。在步驟807中，在第二溝槽206其中之一的側(cè)邊分別形成多個(gè)第三溝槽206以穿透第二電極層26。接著在步驟808，形成多個(gè)第二橫向溝槽210及212，其中各兩第二橫向溝槽210 及212如圖7D所示，位于其中一個(gè)第一橫向溝槽200兩旁。更進(jìn)一步地，為避免電流漏逸， 可在透明基板20的周邊施以邊緣割除工藝72 (在第7D圖中示為灰線72)，以移除第一電極層22、光電轉(zhuǎn)換層M及第二電極層沈的厚度，從而將薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊2的周邊進(jìn)行電性絕緣。需注意的是，上述的切割工藝可為，但不限于激光切割工藝、化學(xué)蝕刻工藝或機(jī)械切割工藝。并且，上述的實(shí)施方式中所提及的步驟，除特別敘明其順序者外，均可依實(shí)際需要調(diào)整其前后順序，甚至可同時(shí)或部分同時(shí)執(zhí)行雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式公開如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，包含基板以及多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，其中這些光電轉(zhuǎn)換單元形成在該基板上并相串聯(lián)以形成串聯(lián)陣列，所述薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊還包含多個(gè)第一電極列，沿電流流動(dòng)方向延伸；以及電阻抗性物質(zhì)，電性連接在這些所述第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)，其中所述電阻抗性物質(zhì)具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值，當(dāng)所述電阻抗性物質(zhì)是不同于所述第一電極列的物質(zhì)時(shí)，所述電阻抗性物質(zhì)使這些所述第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是至少部分電性相連，當(dāng)所述電阻抗性物質(zhì)是與所述第一電極列相同物質(zhì)時(shí)，所述電阻抗性物質(zhì)使這些所述第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是部分電性相連。
2.一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，包含第一電極層，形成在基板上，其中所述第一電極層包含多個(gè)第一電極列，沿電流流動(dòng)方向延伸；電阻抗性物質(zhì)，電性連接在這些所述第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)，其中所述電阻抗性物質(zhì)具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值；以及多個(gè)第一溝槽，沿與所述電流流動(dòng)方向交錯(cuò)的一特定方向分隔所述第一電極層成多個(gè)第一電極行；至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層，置于所述第一電極層上，其中所述光電轉(zhuǎn)換層包含多個(gè)第二溝槽，分別形成在這些所述第一溝槽其中之一的側(cè)邊；以及第二電極層，置于所述光電轉(zhuǎn)換層上，其中所述第二電極層包含穿透所述第二電極層的多個(gè)第三溝槽，且這些所述第三溝槽分別形成在這些所述第二溝槽其中之一的側(cè)邊；其中當(dāng)所述電阻抗性物質(zhì)是不同于所述第一電極列的物質(zhì)時(shí)，所述電阻抗性物質(zhì)使這些所述第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是至少部分電性相連，當(dāng)所述電阻抗性物質(zhì)是與所述第一電極列相同物質(zhì)時(shí)，所述電阻抗性物質(zhì)使這些所述第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)是部分電性相連。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，其中所述電阻抗性物質(zhì)實(shí)質(zhì)上形成在多個(gè)第一橫向溝槽中，且這些所述第一橫向溝槽將所述第一電極層分隔成這些所述第一電極列。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，還包含至少一個(gè)第二橫向溝層，形成在每一所述第一橫向溝槽的側(cè)邊，且穿透所述第二電極層。
5.如權(quán)利要求3所述的薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，其中所述第二溝槽實(shí)質(zhì)上為不連續(xù)，且各所述第二溝槽包含多個(gè)非溝槽部，這些所述非溝槽部位于這些所述第二溝槽與所述第一橫向溝槽交叉處。
6.一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊的制造方法，用以制造薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，所述薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊包含基板以及多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，其中這些所述光電轉(zhuǎn)換單元形成在所述基板上并相串聯(lián)以形成串聯(lián)陣列，所述制造方法包含下列步驟在所述串聯(lián)陣列的第一電極層上，沿電流流動(dòng)方向定義多個(gè)第一橫向溝槽，以分隔所述第一電極層成多個(gè)第一電極列；以及在這些所述第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)形成電阻抗性物質(zhì)，其中所述電阻抗性物質(zhì)具有不小于10_9歐姆-厘米的電阻抗值。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中形成這些所述光電轉(zhuǎn)換單元還包含定義多個(gè)不連續(xù)第二溝槽，至少一個(gè)所述不連續(xù)第二溝槽包含多個(gè)非溝槽部，這些所述非溝槽部位于這些所述不連續(xù)第二溝槽與所述第一橫向溝槽交叉處。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中定義這些所述不連續(xù)第二溝槽的步驟還包含 在所述第一電極層及所述基板上形成光電轉(zhuǎn)換層；在所述光電轉(zhuǎn)換層上形成多個(gè)光掩模，其中所述光掩模對(duì)齊于所述第一橫向溝槽的位置；在所述光電轉(zhuǎn)換層中定義多個(gè)第二溝槽；以及移除所述光掩模。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中定義這些所述不連續(xù)第二溝槽的步驟還包含 在所述基板上形成光電轉(zhuǎn)換層；以及在所述光電轉(zhuǎn)換層上進(jìn)行不連續(xù)切割工藝。
10.如權(quán)利要求6所述的制造方法，還包含步驟在每一所述第一橫向溝槽的側(cè)邊定義至少一個(gè)第二橫向溝槽，所述第二橫向溝槽穿透所述串聯(lián)陣列的第二電極層或所述第二橫向溝槽穿透所述串聯(lián)陣列的所述第二電極層及所述串聯(lián)陣列的光電轉(zhuǎn)換層。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊，包含基板以及多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元，其中光電轉(zhuǎn)換單元形成在基板上并相串聯(lián)以形成串聯(lián)陣列，薄膜光電轉(zhuǎn)換模塊還包含多個(gè)第一電極列以及電阻抗性物質(zhì)。第一電極列沿電流流動(dòng)方向延伸。電阻抗性物質(zhì)電性連接在多個(gè)第一電極列中的任意相鄰兩個(gè)，其中電阻抗性物質(zhì)具有不小于10-9歐姆-厘米的電阻抗值，當(dāng)電阻抗性物質(zhì)是不同于第一電極列的物質(zhì)時(shí)，電阻抗性物質(zhì)使第一電極列中任意相鄰兩個(gè)是至少部分電性相連，當(dāng)電阻抗性物質(zhì)是與第一電極列相同物質(zhì)時(shí)，電阻抗性物質(zhì)使第一電極列中任意相鄰兩個(gè)是部分電性相連。
文檔編號(hào)H01L31/05GK102386264SQ20111026348
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者傅政邦, 葉協(xié)鑫, 周泱泱, 曾華斯, 林豈琪, 梁志超, 袁子健, 陳頌培, 馬嘉偉 申請(qǐng)人:杜邦太陽(yáng)能有限公司