專利名稱:有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
所描述的實施例涉及一種有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法,更具體地,涉及一種能夠防止RC延遲以改善有機電致發(fā)光顯示器的可靠性并簡化工藝的有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法。
背景技術(shù):
近來,隨著信息導(dǎo)向社會的發(fā)展,在對有機電致發(fā)光顯示器的需求增加的同時,對諸如液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示面板(PDP)、場發(fā)射顯示器(FED)、電泳顯示器(EPD)、 有機電致發(fā)光顯示器的顯示器的研究正在活躍地進(jìn)行。在有機電致發(fā)光顯示器中,使用的是通過由陰極提供的電子和由陽極提供的空穴的復(fù)合來產(chǎn)生光的有機發(fā)光二極管。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實施例,提供了一種有機電致發(fā)光顯示器,所述有機電致發(fā)光顯示器包括子像素,通過布置在基板上的垂直交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線限定,緩沖層設(shè)置在基板上;驅(qū)動開關(guān)元件,將驅(qū)動電流施加到子像素;保護(hù)層,設(shè)置在整個基板上并且覆蓋數(shù)據(jù)線和驅(qū)動開關(guān)元件;有機發(fā)光二極管(OLED),設(shè)置在子像素中的保護(hù)層上以從驅(qū)動開關(guān)元件接收驅(qū)動電流,其中,數(shù)據(jù)線通過層間絕緣層和柵極絕緣層設(shè)置在緩沖層上。數(shù)據(jù)線可包括與驅(qū)動開關(guān)元件的源電極和漏電極的材料相同的材料。數(shù)據(jù)線可埋置在層間絕緣層和柵極絕緣層中。數(shù)據(jù)線可與層間絕緣層被平坦化。所述有機電致發(fā)光顯示器還可包括在覆蓋數(shù)據(jù)線和驅(qū)動開關(guān)元件的保護(hù)層上的平坦化層。數(shù)據(jù)線上的平坦化層的厚度可以大于驅(qū)動開關(guān)元件上的平坦化層的厚度。根據(jù)實施例,一種制造有機電致發(fā)光顯示器的方法包括以下步驟在由子像素單元和數(shù)據(jù)線單元限定的整個基板上形成緩沖層;在子像素單元的緩沖層上形成半導(dǎo)體層; 在設(shè)置有半導(dǎo)體層的基板的整個表面上形成柵極絕緣層;在子像素單元的柵極絕緣層上形成柵電極,以覆蓋半導(dǎo)體層;在基板的整個表面上形成層間絕緣層,以覆蓋柵電極;選擇性地蝕刻層間絕緣層和柵極絕緣層使得子像素單元的半導(dǎo)體層的源極區(qū)和漏極區(qū)被暴露,并且至少部分地去除數(shù)據(jù)線單元的層間絕緣層和柵極絕緣層使得數(shù)據(jù)線單元的緩沖層被暴露;形成結(jié)合到子像素單元的暴露的半導(dǎo)體層的源電極和漏電極,并在數(shù)據(jù)線單元的暴露的緩沖層上形成數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)線可埋置在層間絕緣層和柵極絕緣層中。數(shù)據(jù)線可與層間絕緣層被平坦化。所述方法還可包括如下步驟在設(shè)置有數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的基板的整個表面上形成保護(hù)層;在子像素單元中形成通過保護(hù)層電結(jié)合到漏電極的陽極;在基板上形成平坦化層,從而暴露陽極;在暴露的陽極上形成有機發(fā)光層;在形成有有機發(fā)光層的基板的整個表面上形成陰極,從而形成0LED。形成在數(shù)據(jù)線上的平坦化層的厚度可大于形成在源電極和漏電極上的平坦化層的厚度。根據(jù)實施例,一種制造有機電致發(fā)光顯示器的方法包括以下步驟在由子像素單元和數(shù)據(jù)線單元限定的整個基板上形成緩沖層;在子像素單元處的緩沖層上形成驅(qū)動開關(guān)元件;在數(shù)據(jù)線單元處的緩沖層上形成數(shù)據(jù)線;在設(shè)置有驅(qū)動開關(guān)元件和數(shù)據(jù)線的基板的整個表面上形成保護(hù)層;在子像素單元的保護(hù)層上形成電結(jié)合到驅(qū)動開關(guān)元件的0LED,其中,在緩沖層上形成數(shù)據(jù)線的步驟包括至少部分地暴露數(shù)據(jù)線單元,同時執(zhí)行接觸孔工藝以形成驅(qū)動開關(guān)元件的源電極和漏電極。數(shù)據(jù)線可埋置在形成在基板的整個表面上的層間絕緣層和柵極絕緣層中。數(shù)據(jù)線可與層間絕緣層被平坦化。
通過參照附圖對示例性實施例進(jìn)行的描述,對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,上述和其他特征和優(yōu)點將會變得更加明白,其中圖IA示出了根據(jù)實施例的用于簡化有機電致發(fā)光顯示器的布局的示圖;圖IB示出了關(guān)于根據(jù)沿線A-A’截取的圖IA的有機電致發(fā)光顯示器的剖視圖;圖IC示出了關(guān)于根據(jù)沿線B-B’截取的圖IA的有機電致發(fā)光顯示器的剖視圖;圖2A至圖21示出了關(guān)于制造根據(jù)圖IA的有機電致發(fā)光顯示器的方法的剖視圖。
具體實施例方式2010年8月M日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的名稱為“Organic Electroluminescence Emitting Display Device and Manufacturing Method of the Same"的第10-2010-0082084號韓國專利申請通過引用全部包含于此。在下文中將參照附圖更充分地描述示例實施例;然而,示例實施例可以以不同的形式來實施,且不應(yīng)該解釋為局限于在這里所提出的實施例。相反,提供這些實施例使得本公開將是徹底和完全的,并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中,為了清晰示出起見,會夸大層和區(qū)域的尺寸。還將理解的是,當(dāng)層或元件被稱作“在”另一層或基板“上”或者基板的表面“上”,這樣的層或元件可以直接在該另一層或基板上,或者也可以存在中間層。此外,將理解的是,當(dāng)層被稱作“在”另一層“下面” 時,該層可以直接在該另一層下面,也可以存在一個或更多個中間層。此外,還將理解的是, 當(dāng)層被稱作“在”兩層“之間”時,該層可以是該兩層之間唯一的層,或者也可以存在一個或更多個中間層。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。以下,將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)實施例的有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法。這里,i)附圖中示出的形狀、尺寸、比率、角度和數(shù)值可稍微改變。ii)由于附圖是從觀察者的視角描繪的,所以示出在附圖中的方向和位置可根據(jù)觀察者的位置而進(jìn)行各種改變。iii)盡管不同的標(biāo)號可以分配給相同的部件。iv)在使用術(shù)語“包含”、“具有”和“包括”的情況下,當(dāng)沒有使用術(shù)語“僅”時,可以增加另一術(shù)語。ν)單數(shù)可被理解為復(fù)數(shù)。vi)盡管形狀、尺寸的比較和位置關(guān)系沒有用“大約”、“基本上”等來解釋,但形狀、尺寸的比較和位置關(guān)系理解為包括通常的誤差范圍。vii)盡管使用術(shù)語“在…之后”、“在…之前”、“然后”、“并且”、“這里”、“接下來”、 “此時”和“在這種情況下”,但這些術(shù)語不意味著時間位置的限制。viii)術(shù)語“第一”、“第二”和“第三”等用于選擇性地、可互換地或重復(fù)地進(jìn)行常規(guī)的區(qū)分,但不理解為限制的意 )思Oix)在描述兩個部件之間的諸如“在…上”、“在…上方”、“在…下面”和“在…旁邊” 的位置關(guān)系的情況下,當(dāng)沒有使用術(shù)語“直接”時,一個或更多個其他部件可位于所述兩個部件之間。X)使用術(shù)語“或者”作為連接語描述部件時,作為連接語的術(shù)語“或者”可理解為不僅指單獨的所描述的部件,而且指部件的組合。當(dāng)使用術(shù)語“…之一、或者…”來描述部件時,這樣的短語可指可選擇的所描述的部件。有機電致發(fā)光顯示器根據(jù)所描述的實施例的有機電致發(fā)光顯示器包括多個子像素。然而,以下,將參照一個子像素描述根據(jù)實施例的有機電致發(fā)光顯示器。這里描述的方面可應(yīng)用到形成在有機電致發(fā)光顯示器中的其他子像素。參照圖IA至圖1C,根據(jù)實施例的有機電致發(fā)光顯示器包括柵極線IM和數(shù)據(jù)線 128,布置在基板110上;有機發(fā)光二極管(OLED),形成在由垂直交叉的柵極線IM和數(shù)據(jù)線1 限定的子像素單元P中;驅(qū)動開關(guān)元件TFT,用于向OLED提供驅(qū)動電流?;?10可限定為子像素單元P和數(shù)據(jù)線單元DL。這里,對于在此描述或陳述為層形成“在整個基板上”或“在基板的整個表面上”的情況,這樣的描述或陳述是指在子像素單元P和數(shù)據(jù)線單元DL的區(qū)域中的基板,并不要求所述層形成在整個有機發(fā)光顯示裝置之上。形成在子像素單元P中的OLED根據(jù)通過驅(qū)動開關(guān)元件TFT提供的驅(qū)動電流的流動發(fā)射紅光分量、綠光分量和藍(lán)光分量,以顯示預(yù)定的圖像信息。OLED包括陽極132,電結(jié)合到驅(qū)動開關(guān)元件TFT;陰極136,電結(jié)合到電源布線(未示出);有機發(fā)光層(未示出),設(shè)置在陽極132和陰極136之間。陽極132形成在平坦化層118上以通過第一接觸孔152電結(jié)合到驅(qū)動開關(guān)元件 TFT的漏電極127。陽極132可由透明導(dǎo)電材料形成在子像素單元P中。透明導(dǎo)電材料可由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或上述材料的組合形成。有機發(fā)光層(未示出)是這樣一個層,在所述層中,從陽極132注入的空穴和從陰極136注入的電子彼此結(jié)合以形成激子,激子躍遷到基態(tài),從而發(fā)光。有機發(fā)光層(未示出)包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。板型的陰極136整個形成在基板110上。陰極136可由非透明導(dǎo)電材料或透明導(dǎo)電材料形成。Cr、Al.AlNd, Mo、Cu、W、Au、Ni、Ag、上述材料的合金、或氧化物用作非透明導(dǎo)電材料,或者可使用上述材料的層壓結(jié)構(gòu)。如上所述形成的OLED根據(jù)驅(qū)動開關(guān)元件TFT的驅(qū)動電流以子像素為單位發(fā)射紅光分量、綠光分量和藍(lán)光分量,從而顯示圖像。驅(qū)動開關(guān)元件TFT形成在柵極線IM和數(shù)據(jù)線1 垂直交叉的區(qū)域中,以將驅(qū)動電流提供到形成在子像素單元P中的0LED。因此,驅(qū)動開關(guān)元件TFT電結(jié)合到陽極132以向OLED施加電流。
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驅(qū)動開關(guān)元件TFT包括半導(dǎo)體層121,形成在基板110的緩沖層112上;柵電極 123,形成為與半導(dǎo)體層121的溝道疊置。驅(qū)動開關(guān)元件TFT還包括源電極1 和漏電極 127,源電極1 和漏電極127通過層間絕緣層116和柵極絕緣層114在柵電極123的兩側(cè)上接觸半導(dǎo)體層121中的源極區(qū)和漏極區(qū)。術(shù)語“數(shù)據(jù)線單元DL”可指形成有數(shù)據(jù)線128的區(qū)域,數(shù)據(jù)線1 用于響應(yīng)于柵極線1 的掃描信號將數(shù)據(jù)信號提供到驅(qū)動開關(guān)元件TFT。數(shù)據(jù)線單元DL可定義為相鄰的子像素單元P的相鄰的長邊之間的區(qū)域。術(shù)語“數(shù)據(jù)線形成區(qū)域”可指數(shù)據(jù)線單元DL中的形成有數(shù)據(jù)線128的特定位置。緩沖層112、數(shù)據(jù)線128、保護(hù)層118、平坦化層119和陰極136順序地層壓在數(shù)據(jù)線單元DL的基板110上。根據(jù)實施例,數(shù)據(jù)線1 通過柵極絕緣層114和層間絕緣層116 形成在基板110的緩沖層112上。例如,除了數(shù)據(jù)線1 與柵極線IM交叉的地方之外,數(shù)據(jù)線1 可直接設(shè)置在緩沖層112上。數(shù)據(jù)線1 可埋置在柵極絕緣層114和層間絕緣層116之間。因此,數(shù)據(jù)線1 可不形成階梯差,并可與被柵極絕緣層114上的層間絕緣層116被平坦化。由于數(shù)據(jù)線1 被層間絕緣層116平坦化使得順序地層壓在數(shù)據(jù)線1 上的保護(hù)層118和平坦化層119的厚度可大于順序地層壓在柵極線1 上的保護(hù)層118和平坦化層119的厚度。數(shù)據(jù)線1 可由與驅(qū)動開關(guān)元件TFT的源電極1 和漏電極127的材料相同的材料形成。由于數(shù)據(jù)線1 可形成在層間絕緣層116和柵極絕緣層114中,所以數(shù)據(jù)線1 上的保護(hù)層118和平坦化層119的厚度大于驅(qū)動開關(guān)元件TFT的源電極1 和漏電極127 上的保護(hù)層118和平坦化層119的厚度。根據(jù)實施例的數(shù)據(jù)線1 在絕緣層上不形成階梯差,數(shù)據(jù)線1 不影響諸如形成在數(shù)據(jù)線1 上的保護(hù)層118和/或平坦化層119的絕緣層的厚度。根據(jù)實施例,通過去除在數(shù)據(jù)線1 下面的柵極絕緣層114和層間絕緣層116來增大在數(shù)據(jù)線1 上的保護(hù)層 118和/或平坦化層119的厚度,數(shù)據(jù)線1 和陰極136之間的距離增大。因此,可減小在數(shù)據(jù)線1 和陰極136之間產(chǎn)生的寄生電容Cdc。因此,可防止數(shù)據(jù)線128的RC延遲。作為實驗結(jié)果,可將寄生電容Cdc減小大約9%至36%。如上所述, 根據(jù)實施例,可防止數(shù)據(jù)線128的RC延遲。因此,可穩(wěn)定有機電致發(fā)光顯示器的驅(qū)動,從而可改善有機電致發(fā)光顯示器的可靠性。由子像素單元P和數(shù)據(jù)線單元DL的相同的標(biāo)號表示的元件可由相同的材料形成。制造有機電致發(fā)光顯示器的方法以下,將參照圖2A至圖21描述制造圖IA中示出的有機電致發(fā)光顯示器的方法。參照圖2A,在根據(jù)實施例的制造有機電致發(fā)光顯示器的方法中,在準(zhǔn)備由子像素單元P和數(shù)據(jù)線單元DL限定的基板110之后,緩沖層112整個形成在基板110上。參照圖2B,在基板110的整個表面上形成非晶硅層或多晶硅層之后,通過光刻工藝和蝕刻工藝將非晶硅層或多晶硅層以島的形式圖案化,從而在子像素單元P的基板110 上形成半導(dǎo)體層121。參照圖2C,在包括半導(dǎo)體層121的基板110的整個表面上形成柵極絕緣層114。柵極絕緣層114可由諸如氮化硅(SiNx)層和氧化硅(SiOx)層的無機絕緣材料的單層或者氮化硅(SiNx)層和氧化硅(SiOx)層的多層形成。
參照圖2D,在沉積第一非透明導(dǎo)電材料之后,通過光刻工藝和蝕刻工藝將第一非透明導(dǎo)電材料圖案化,從而在柵極絕緣層114上形成柵電極123以與子像素單元P的半導(dǎo)體層121疊置。此時,一起形成柵極線(未示出)。Mo、W、Ti、Cu、Al、Nd和Cr的單層、上述材料的合金的單層、上述材料的多層結(jié)構(gòu)
或者上述材料的合金的多層結(jié)構(gòu)可用作第一非透明導(dǎo)電材料。參照圖2E,使用柵電極123作為掩模將雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體層121中,以形成源極區(qū)和漏極區(qū)。然后,在形成有柵電極123的基板110的整個表面上形成層間絕緣層116 之后,將層間絕緣層116和柵極絕緣層114選擇性地蝕刻以形成暴露半導(dǎo)體層121的源極區(qū)和漏極區(qū)的第一接觸孔152。此時,數(shù)據(jù)線單元DL的層間絕緣層116和柵極絕緣層114同時被蝕刻,從而形成暴露緩沖層112的第二接觸孔156。參照圖2F,在基板110上形成第二非透明導(dǎo)電材料,從而埋置第一接觸孔152和第二接觸孔156,并且通過光刻工藝和蝕刻工藝圖案化第二非透明導(dǎo)電材料,以形成通過子像素單元P的層間絕緣層116和柵極絕緣層114結(jié)合到半導(dǎo)體層121的源極區(qū)和漏極區(qū)的源電極126和漏電極127。同時,在通過數(shù)據(jù)線單元DL的層間絕緣層116和柵極絕緣層114暴露的緩沖層 112上形成數(shù)據(jù)線128。因此,在子像素單元P中完成驅(qū)動開關(guān)元件TFT,并且在數(shù)據(jù)線單元 DL中完成數(shù)據(jù)線128。數(shù)據(jù)線單元DL的數(shù)據(jù)線1 被層間絕緣層116的頂表面平坦化。Mo、W、Ti、Cu、Al、Nd和Cr的單層、上述材料的合金的單層、上述材料的多層結(jié)構(gòu)或者上述材料的合金的多層結(jié)構(gòu)可用作第二非透明導(dǎo)電材料。參照圖2G,在基板110的整個表面上形成具有暴露驅(qū)動開關(guān)元件TFT的漏電極 127的接觸孔158的保護(hù)層118。保護(hù)層118可由諸如氧化硅(SiO2)層或氮化硅(SiNx)層的單層或者氧化硅(SiO2)層或氮化硅(SiNx)層的多層形成。此時,由于數(shù)據(jù)線1 不具有階梯差,在數(shù)據(jù)線1 上的保護(hù)層118可形成為平坦的而不具有階梯差。參照圖2H,在沉積透明導(dǎo)電材料之后,通過光刻工藝和蝕刻工藝使用掩模將透明導(dǎo)電材料圖案化,以形成陽極132,陽極132連接到通過子像素單元P的保護(hù)層118上的接觸孔158暴露的漏電極127。透明導(dǎo)電材料可由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化銦錫鋅 (ITZO)或上述材料的組合形成。之后,在用平坦化層119涂覆形成有陽極132的基板110的整個表面后,選擇性地去除平坦化層119,使得子像素單元P的陽極132暴露,從而以子像素為單位分離0LED。此時,由于數(shù)據(jù)線單元DL的數(shù)據(jù)線1 和保護(hù)層118不具有階梯差,所以平坦化層119不具有階梯差并形成為平坦的。參照圖21,通過諸如熱沉積的沉積方法將由有機材料層壓的有機發(fā)光層134形成在子像素單元P的暴露的陽極132上。有機發(fā)光層134包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層 (HTL)、發(fā)射層(EL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。此時,發(fā)射層形成在陽極132上,從而以子像素為單位分離,以以子像素為單位反射紅光分量、綠光分量和藍(lán)光分量。然后,將導(dǎo)電材料沉積在形成有有機發(fā)光層134的基板 110的整個表面上以形成陰極136,從而制造出有機電致發(fā)光顯示器。
如上所述,由于根據(jù)實施例制造的數(shù)據(jù)線1 在絕緣層上不形成階梯差,所以數(shù)據(jù)線1 不影響形成在數(shù)據(jù)線1 上的諸如保護(hù)層118和/或平坦化層119的絕緣層的厚度。即,根據(jù)實施例,由于通過去除在數(shù)據(jù)線1 下面的柵極絕緣層114和層間絕緣層116 增大了在數(shù)據(jù)線1 上的保護(hù)層118和/或平坦化層119的厚度,所以數(shù)據(jù)線1 和陰極 136之間的距離增大。因此,在數(shù)據(jù)線1 和陰極136之間產(chǎn)生的寄生電容Cdc減小。因此,可防止數(shù)據(jù)線128的RC延遲。根據(jù)實施例,可防止數(shù)據(jù)線128的RC延遲。因此,使有機電致發(fā)光顯示器的驅(qū)動穩(wěn)定,并且可改善有機電致發(fā)光顯示器的可靠性。此外,可在形成構(gòu)成子像素單元P的驅(qū)動開關(guān)元件TFT的源電極和漏電極的接觸孔工藝中一起形成用于數(shù)據(jù)線1 的接觸孔。因此,不會需要額外的掩模和額外的工藝。根據(jù)實施例,可改善數(shù)據(jù)線128的RC延遲,同時簡化工藝。通過總結(jié)和回顧,有機電致發(fā)光顯示器包括有機發(fā)光二極管(0LED),形成在由彼此垂直交叉的柵極布線和數(shù)據(jù)布線限定的子像素中以顯示圖像;驅(qū)動開關(guān)元件,電結(jié)合到OLED以提供驅(qū)動電流。通常,由于可在形成驅(qū)動開關(guān)元件的源/漏電極的工藝中形成數(shù)據(jù)布線,所以諸如柵極絕緣層和層間絕緣層的各種絕緣層可存在于數(shù)據(jù)布線下面。由于存在于數(shù)據(jù)布線下面的平坦的絕緣層,使得在數(shù)據(jù)布線中可以形成階梯差。數(shù)據(jù)布線的階梯差可影響形成在數(shù)據(jù)布線上的絕緣層。此時,可在數(shù)據(jù)布線和形成在數(shù)據(jù)布線上的陰極之間形成寄生電容,絕緣層置于數(shù)據(jù)布線和形成在數(shù)據(jù)布線上的陰極之間。這樣的寄生電容可導(dǎo)致數(shù)據(jù)布線的RC延遲。具體地,由于數(shù)據(jù)布線的階梯差,與不存在數(shù)據(jù)布線的階梯差的地方相比,作為形成在數(shù)據(jù)布線上的絕緣層的平坦化層可以相對薄。數(shù)據(jù)布線和陰極之間的寄生電容可與薄薄地形成的平坦化層的厚度成反比地增大。根據(jù)增大的寄生電容,數(shù)據(jù)布線的RC延遲會劣化,從而會難以驅(qū)動有機電致發(fā)光顯示器,因而有機電致發(fā)光顯示器的可靠性劣化。因此,所描述的實施例提供能夠防止RC延遲的有機電致發(fā)光顯示器以改善有機電致發(fā)光顯示器的可靠性并簡化工藝的有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法。根據(jù)實施例, 數(shù)據(jù)線形成為埋置在層間絕緣層和柵極絕緣層中,從而減小產(chǎn)生在數(shù)據(jù)線和陰極之間的寄生電容,并且可防止數(shù)據(jù)線的RC延遲。根據(jù)實施例,由于可防止數(shù)據(jù)線的RC延遲,所以使有機電致發(fā)光顯示器的驅(qū)動穩(wěn)定,并且可改善有機電致發(fā)光顯示器的可靠性。此外,根據(jù)實施例,由于形成構(gòu)成驅(qū)動開關(guān)元件的源電極和漏電極的接觸孔工藝中形成用于數(shù)據(jù)線的接觸孔,因此不需要額外的掩模和額外的工藝,從而可簡化工藝。已經(jīng)在此公開了示例性實施例,盡管采用了特定術(shù)語,但僅在一般的和描述的意義上來使用和理解它們,而不是出于限制的目的。因此,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是, 在不脫離如權(quán)利要求闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以在形式和細(xì)節(jié)上作出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光顯示器,所述有機電致發(fā)光顯示器包括子像素,通過布置在基板上的垂直交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線限定,緩沖層設(shè)置在基板上;驅(qū)動開關(guān)元件,將驅(qū)動電流施加到子像素;保護(hù)層,設(shè)置在整個基板上并且覆蓋數(shù)據(jù)線和驅(qū)動開關(guān)元件;有機發(fā)光二極管,設(shè)置在子像素中的保護(hù)層上以從驅(qū)動開關(guān)元件接收驅(qū)動電流,其中,數(shù)據(jù)線通過層間絕緣層和柵極絕緣層設(shè)置在緩沖層上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器,其中,數(shù)據(jù)線包括與驅(qū)動開關(guān)元件的源電極和漏電極的材料相同的材料。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器,其中,數(shù)據(jù)線埋置在層間絕緣層和柵極絕緣層中。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器,其中,數(shù)據(jù)線與層間絕緣層被平坦化。
5.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示器,所述有機電致發(fā)光顯示器還包括在覆蓋數(shù)據(jù)線和驅(qū)動開關(guān)元件的保護(hù)層上的平坦化層。其中,數(shù)據(jù)線上的平坦化層的厚度大于驅(qū)動開關(guān)元件上的平坦化層的厚度。
6.一種制造有機電致發(fā)光顯示器的方法,所述方法包括以下步驟 在由子像素單元和數(shù)據(jù)線單元限定的整個基板上形成緩沖層; 在子像素單元的緩沖層上形成半導(dǎo)體層;在設(shè)置有半導(dǎo)體層的基板的整個表面上形成柵極絕緣層; 在子像素單元的柵極絕緣層上形成柵電極,以覆蓋半導(dǎo)體層; 在基板的整個表面上形成層間絕緣層,以覆蓋柵電極;選擇性地蝕刻層間絕緣層和柵極絕緣層使得子像素單元的半導(dǎo)體層的源極區(qū)和漏極區(qū)被暴露,并且至少部分地去除數(shù)據(jù)線單元的層間絕緣層和柵極絕緣層使得數(shù)據(jù)線單元的緩沖層被暴露;形成結(jié)合到子像素單元的暴露的半導(dǎo)體層的源電極和漏電極,并在數(shù)據(jù)線單元的暴露的緩沖層上形成數(shù)據(jù)線。
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其中,數(shù)據(jù)線埋置在層間絕緣層和柵極絕緣層中。
8.如權(quán)利要求6所述的方法,其中,數(shù)據(jù)線與層間絕緣層被平坦化。
9.如權(quán)利要求6所述的方法,所述方法還包括如下步驟在設(shè)置有數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的基板的整個表面上形成保護(hù)層; 在子像素單元中形成通過保護(hù)層電結(jié)合到漏電極的陽極; 在基板上形成平坦化層,從而暴露陽極; 在暴露的陽極上形成有機發(fā)光層;在形成有有機發(fā)光層的基板的整個表面上形成陰極,從而形成有機電致發(fā)光顯示器。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,形成在數(shù)據(jù)線上的平坦化層的厚度大于形成在源電極和漏電極上的平坦化層的厚度。
11.一種制造有機電致發(fā)光顯示器的方法,所述方法包括以下步驟 在由子像素單元和數(shù)據(jù)線單元限定的整個基板上形成緩沖層; 在子像素單元處的緩沖層上形成驅(qū)動開關(guān)元件;在數(shù)據(jù)線單元處的緩沖層上形成數(shù)據(jù)線;在設(shè)置有驅(qū)動開關(guān)元件和數(shù)據(jù)線的基板的整個表面上形成保護(hù)層; 在子像素單元的保護(hù)層上形成電結(jié)合到驅(qū)動開關(guān)元件的有機發(fā)光二極管, 其中,在緩沖層上形成數(shù)據(jù)線的步驟包括至少部分地暴露數(shù)據(jù)線單元,同時執(zhí)行接觸孔工藝以形成驅(qū)動開關(guān)元件的源電極和漏電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,數(shù)據(jù)線埋置在形成在基板的整個表面上的層間絕緣層和柵極絕緣層中。
13.如權(quán)利要求12所述的方法,其中,數(shù)據(jù)線與層間絕緣層被平坦化。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法。制造有機電致發(fā)光顯示器的方法包括選擇性地蝕刻層間絕緣層和柵極絕緣層使得子像素單元的半導(dǎo)體層的源極區(qū)和漏極區(qū)被暴露,并且去除數(shù)據(jù)線單元的數(shù)據(jù)線形成區(qū)域中的層間絕緣層和柵極絕緣層使得數(shù)據(jù)線單元的數(shù)據(jù)線形成區(qū)域處的緩沖層被暴露;形成結(jié)合到子像素單元的暴露的半導(dǎo)體層的源電極和漏電極,并在數(shù)據(jù)線單元的數(shù)據(jù)線形成區(qū)域的暴露的緩沖層上形成數(shù)據(jù)線。
文檔編號H01L51/52GK102376896SQ20111020842
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月24日
發(fā)明者姜哲圭, 樸東昱 申請人:三星移動顯示器株式會社