專利名稱：透明導(dǎo)電薄膜及光電轉(zhuǎn)換元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有耐腐蝕性的透明導(dǎo)電薄膜和包括該透明導(dǎo)電薄膜的光電轉(zhuǎn)換元件。
背景技術(shù)：
近來(lái)，染料敏化太陽(yáng)能電池作為光電轉(zhuǎn)換元件之一正被研制。染料敏化太陽(yáng)能電池包括承載顏料的半導(dǎo)體層、與該半導(dǎo)體層接觸的負(fù)電極、電解質(zhì)和通過(guò)夾置在正電極與電解質(zhì)之間的電解質(zhì)與半導(dǎo)體層面對(duì)的正電極。顏料通過(guò)入射到半導(dǎo)體層的光發(fā)出光子， 并且所發(fā)出的光子經(jīng)由半導(dǎo)體層被輸送到負(fù)電極。負(fù)電極與正電極被連接到外部電路，并且使經(jīng)由外部電路已經(jīng)到達(dá)正電極的電子通過(guò)電解質(zhì)返回到顏料。通過(guò)重復(fù)上述循環(huán)，可以在外部電路中釋放電能。在染料敏化太陽(yáng)能電池中，通常采用其中通過(guò)透明導(dǎo)電薄膜形成負(fù)電極并且使太陽(yáng)光從負(fù)電極側(cè)進(jìn)入半導(dǎo)體層的系統(tǒng)(例如，參見日本專利申請(qǐng)公報(bào)第2005-19205號(hào)與日本專利申請(qǐng)公報(bào)第2006-66278號(hào))。在此情況下，為了便于有效地釋放從顏料發(fā)出的電子， 要求與半導(dǎo)體層接觸的負(fù)電極具備較高的光透射率與較低的電阻。另一方面，為了阻止轉(zhuǎn)換效率的暫時(shí)降低，要求負(fù)電極的構(gòu)成材料對(duì)電解質(zhì)的溶解更具耐久性。因此，將摻雜氟的氧化錫(fluorine-doped tin oxide, FT0)廣泛用作構(gòu)成負(fù)電極的透明導(dǎo)電薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
但是，由于FTO薄膜具有比其它透明導(dǎo)電氧化物如氧化鋅(SiO)和氧化銦錫 (indium tin oxide, IT0)更高的抵抗系數(shù)，所以限制了光電轉(zhuǎn)換效率的提高。另一方面， 由于ITO薄膜和氧化鋅系透明導(dǎo)電薄膜的耐酸性很差，所以難以將其應(yīng)用到使用腐蝕性較強(qiáng)的電解質(zhì)的太陽(yáng)能電池中。基于上述情況，需要具有透明性、導(dǎo)電性和耐腐蝕性的透明導(dǎo)電薄膜以及包括該透明導(dǎo)電薄膜的光電轉(zhuǎn)換元件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供包括第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的透明導(dǎo)電薄膜。第一導(dǎo)體層由具有第一比電阻的第一透明導(dǎo)電氧化物形成。第二導(dǎo)體層層壓在第一導(dǎo)體層上，具有大于等于第一比電阻且小于等于 l*106Q*cm的第二比電阻，并且由含鈦的第二透明導(dǎo)電氧化物形成。透明導(dǎo)電薄膜通過(guò)多層薄膜形成，該多層薄膜由第一導(dǎo)體層和具有高于第一導(dǎo)體層的阻抗的第二導(dǎo)體層構(gòu)成。由于第二導(dǎo)體層具有l(wèi)*106Q*cm或者更小的比電阻，所以抑制了整個(gè)薄膜薄層阻抗的增加，并且可以使整個(gè)薄膜的薄層阻抗大約處于與第一導(dǎo)體層單體的薄層阻抗相同的水平。此外，也可以抑制透明性的降低。另外，由于氧化鈦對(duì)酸具有良好的耐久性，所以通過(guò)利用含氧化鈦的第二導(dǎo)體層覆蓋第一導(dǎo)體層，可以有效地保護(hù)第一導(dǎo)體層免受酸的腐蝕。在層壓第二導(dǎo)體層之后所獲得的薄層阻抗相對(duì)于第一導(dǎo)體層單體的薄層阻抗增加了 10Ω/□或者更小。利用此結(jié)構(gòu)，可以在不損害第一導(dǎo)體層的低阻抗特性的情況下，獲得對(duì)第一導(dǎo)體層的保護(hù)效果。第一透明導(dǎo)電氧化物可以是含銦的氧化錫(ITO)。利用此結(jié)構(gòu)，可以容易地降低第一導(dǎo)體層的阻抗。透明導(dǎo)電薄膜還可以包括第三導(dǎo)體層。第三導(dǎo)體層設(shè)置在第一導(dǎo)體層內(nèi)部，具有小于第一比電阻的第三比電阻，并且形成為格狀?？梢詫⒔饘賹佑米鞯谌龑?dǎo)體層。利用此結(jié)構(gòu)，可以額外地降低整個(gè)透明導(dǎo)電薄膜的薄層阻抗。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供包括第一電極、氧化物半導(dǎo)體層、第二電極和電解質(zhì)層的光電轉(zhuǎn)換元件。第一電極包括第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層。第一導(dǎo)體層由具有第一比電阻的第一透明導(dǎo)電氧化物形成。第二導(dǎo)體層層壓在第一導(dǎo)體層上，具有大于等于第一比電阻且小于等于l*106Q*cm的第二比電阻，并且由含鈦的第二透明導(dǎo)電氧化物形成。氧化物半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層接觸，并且承載光敏化顏料。第二電極與氧化物半導(dǎo)體層相對(duì)。電解質(zhì)層設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層與第二電極之間。在光電轉(zhuǎn)換元件中，第一電極對(duì)強(qiáng)氧化性的電解質(zhì)具有透明性、導(dǎo)電性和充分的耐久性。因此，利用此轉(zhuǎn)換元件，可以通過(guò)負(fù)電極的低阻抗來(lái)提高光電轉(zhuǎn)換效率，并且可以阻止光電轉(zhuǎn)換效率因阻止負(fù)電極受腐蝕而隨時(shí)間降低。氧化物半導(dǎo)體層可以由多孔的氧化鈦形成。利用此結(jié)構(gòu)，由于氧化物半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層由同一類型的材料形成，所以可以增強(qiáng)電子從氧化物半導(dǎo)體層向第一電極的輸送效率，并且可以提供光電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，能夠獲得具有良好透明性、導(dǎo)電性和耐腐蝕性的透明導(dǎo)電薄膜。此外，能夠獲得其光電轉(zhuǎn)換效率得以提高的光電轉(zhuǎn)換元件。隨著下面最優(yōu)實(shí)施例的詳細(xì)描述，如附圖所示，本發(fā)明的這些及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件的概要剖視圖；圖2A、2B及2C是用于解釋根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的透明導(dǎo)電薄膜的耐腐蝕性的樣圖以及示出試驗(yàn)結(jié)果的視圖；圖3根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件的概要剖視圖；以及圖4根據(jù)本發(fā)明改進(jìn)示例的印刷電路板的概要剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。<第一實(shí)施例>(光電轉(zhuǎn)換元件)圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件的概要剖視圖。以下，將描述本實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件1。
本實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件1由燃料敏化太陽(yáng)能電池構(gòu)成。光電轉(zhuǎn)換元件1包括作為集電極的負(fù)電極11、作為相對(duì)極的正電極12、氧化物半導(dǎo)體層13和電解質(zhì)層14。負(fù)電極11和正電極12被連接到外部電路(負(fù)載)(未示出)的負(fù)電極和正電極。氧化物半導(dǎo)體層13與負(fù)電極11接觸，并且由多孔的氧化鈦形成。氧化物半導(dǎo)體層13承載顏料，其中顏料的電子通過(guò)照射到顏料上的可見光被激勵(lì)。電解質(zhì)層14夾置在氧化物半導(dǎo)體層13與正電極12之間，并且由例如金屬碘化物與碘化物的結(jié)合體構(gòu)成的氧化還原材料形成。負(fù)電極11形成在透明襯底10上，并且由多層薄膜所構(gòu)造的透明導(dǎo)薄膜構(gòu)成，其中該多層薄膜由下述第一導(dǎo)體層111與第二導(dǎo)體層112構(gòu)成。正電極12形成在透明襯底20 上，并且例如由銀形成的金屬薄膜構(gòu)成?？商鎿Q地，正電極12可以由透明導(dǎo)電薄膜形成。透明襯底10和20由諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene ter印hthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)及玻璃襯底之類的具有光透性的樹脂薄膜形成。(透明導(dǎo)電薄膜)下面將具體描述構(gòu)成負(fù)電極11的透明導(dǎo)電薄膜。通過(guò)由第一導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)體層112構(gòu)成的多層薄膜構(gòu)造負(fù)電極11。第一導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)體層112以所述次序形成在透明襯底10上。第一導(dǎo)體層111由透明導(dǎo)電氧化物形成，在本實(shí)施例中由ITO形成。除ITO以夕卜， 也可應(yīng)用其它透明導(dǎo)電氧化物如SnO和&10。因此，這樣能夠容易降低負(fù)電極11的阻抗。 此外，可以使用摻雜鋁、鎵、銦等的AZO、GZO、IZO、IGZO等作為ZnO系的透明導(dǎo)電氧化物。鑒于光電轉(zhuǎn)換元件1的光電轉(zhuǎn)換效率，第一導(dǎo)體層111的比電阻較小。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)體層111具有例如5*10_3Q*cm或者更小的比電阻。第一導(dǎo)體層111的厚度并未被特別限制，可以是例如150nm至400nm。第二導(dǎo)體層112由透明導(dǎo)電氧化物形成，并且形成在第一導(dǎo)體層111上。第二導(dǎo)體層112具有保護(hù)層的功能，用來(lái)保護(hù)第一導(dǎo)體層111免受因第一導(dǎo)體層111與電解質(zhì)層 14接觸而產(chǎn)生的腐蝕。因此，第二導(dǎo)體層112由具有耐酸性的透明導(dǎo)電氧化物形成。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)體層112由含氧化鈦(TiOx)的透明導(dǎo)電氧化物形成。第二導(dǎo)體層112由比氧化物半導(dǎo)體層13更密集的薄膜構(gòu)成。在此，含氧化鈦的透明導(dǎo)電氧化物可以包括除氧化鈦以外的金屬氧化物。其它金屬氧化物的示例包括鋯(.Ir) M (Nb)、鋪(Ce)、鎢(W)、硅(Si)、鋁(Al)、錫(Sn)、鋅(Zn), 鎂(Mg)、鉍(Bi)、猛(Mn)、釔(Y)、鉭(Ta)、鑭(La)和鍶(Sr)的氧化物。第二導(dǎo)電體層112具有大于等于第一導(dǎo)體層111的比電阻(第一比電阻)的比電阻(第二比電阻)。如上所述，第二導(dǎo)體層112由具有大于第一導(dǎo)體層111的阻抗的透明導(dǎo)電氧化物形成。第二導(dǎo)體層112的比電阻為l*106Q*cm或者更小。因此，可以抑制負(fù)電極 11阻抗的增加。第二導(dǎo)體層112的厚度例如為大于等于5nm且小于等于500nm。其厚度小于5nm 時(shí)，難以確保第二導(dǎo)體層112的耐酸性。此外，厚度超過(guò)500nm時(shí)，恐怕會(huì)降低透明導(dǎo)電薄膜(負(fù)電極11)的光透性。透明導(dǎo)電氧化物如氧化鈦的比電阻一般隨氧的化合價(jià)(氧化階)變化。因此，通過(guò)調(diào)節(jié)氧的化合價(jià)，可以控制第二導(dǎo)體層112的比電阻。
在本實(shí)施例中，確定第二導(dǎo)體層112的比電阻和厚度，使得在層壓第二導(dǎo)體層112 之后所獲得的薄層電阻相對(duì)于第一導(dǎo)體層111單體的薄層電阻增加了 10Ω/ □或者更小。 因此，可以在不損害第一導(dǎo)體層111的低阻抗特征的情況下，獲得第二導(dǎo)體層112在第一導(dǎo)體層111上的保護(hù)效果。鑒于光電轉(zhuǎn)換元件1的光電轉(zhuǎn)換效率，透明導(dǎo)電薄膜(負(fù)電極11)對(duì)于可見光的透過(guò)率較高。在本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電薄膜(負(fù)電極11)的可見光透過(guò)率為70%或者更大。 第一導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)體層112的每一者的厚度被設(shè)置為適合實(shí)現(xiàn)上述的高透過(guò)性特征。盡管第一導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)體層112通過(guò)濺射的方法形成，但是該方法當(dāng)然并不限于此，諸如真空蒸汽沉積法和離子電鍍法等其它薄膜形成方法也是適用的。(光電轉(zhuǎn)換元件的操作)在本實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件1中，諸如太陽(yáng)光及人造光之類的光從負(fù)電極11側(cè)進(jìn)入氧化物半導(dǎo)體層13。當(dāng)利用光照射氧化物半導(dǎo)體層13時(shí)，顏料中的電子從基準(zhǔn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榧?lì)狀態(tài)從顏料中發(fā)出。氧化物半導(dǎo)體層13將從顏料發(fā)出的電子從顏料轉(zhuǎn)移到負(fù)電極 11，以將該電子從負(fù)電極供給外部電路。通過(guò)外部電路的電子與電介質(zhì)層14經(jīng)過(guò)氧化還原反應(yīng)之后，將該電子輸送到正電極并且返回到氧化物半導(dǎo)體層13上的顏料。通過(guò)重復(fù)上述循環(huán)，在外部電路中釋放電能。在本實(shí)施例中，負(fù)電極11通過(guò)由第一導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)體層112構(gòu)成的多層薄膜構(gòu)造。第二導(dǎo)體層112由具有高于第一導(dǎo)體層111的阻抗的透明導(dǎo)電氧化物形成。通過(guò)將第二導(dǎo)體層112的比電阻設(shè)定為l*106Q*cm或者更小，可以抑制整個(gè)薄膜薄層阻抗的增加，并且使該薄層阻抗處于與第一導(dǎo)體層111單體的薄層阻抗相同的水平。因此，由于在保持負(fù)電極11的透過(guò)性的同時(shí)可以確保低阻抗特征，所以能夠阻止光電轉(zhuǎn)換效率的降低。本發(fā)明的發(fā)明人通過(guò)濺射方法在厚度為125 μ m的PEN襯底上依次形成ITO層和 TiOx層，并且測(cè)量了所形成多層薄膜的薄層阻抗和總光透過(guò)率。結(jié)果如表1所示。[表 1]試驗(yàn)示例1試驗(yàn)示例2高阻抗導(dǎo)電薄膜TiOx薄膜厚度50 nmIOOnm透明導(dǎo)電薄膜ITO薄膜厚度200 nm200 nm透明襯底PEN厚度125 μιη125 μπιITO單體的薄層阻抗(Ω/口)14.0215.33層壓ITO/TiOx后的薄層阻抗 (Ω/D)15.0613.93層壓ITO/TiOx后的總光透過(guò)率 (%)72.670.5在試驗(yàn)示例1中，ITO層的厚度為200nm，且TiOx層的厚度為50nm。ITO層單體的薄層阻抗為14. 02 Ω / □，多層薄膜的薄層阻抗為15. 06 Ω / □，并且多層薄膜的總光透過(guò)率為72.6%。此外，在試驗(yàn)示例2中，ITO層的厚度為200nm，且TiOx層的厚度為lOOnm。ITO 層單體的薄層阻抗為15. 33 Ω / □，多層薄膜的薄層阻抗為13. 93 Ω / □，并且多層薄膜的總光透過(guò)率為70. 5%。應(yīng)該注意，采用了四探針?lè)▽?duì)薄層阻抗進(jìn)行了測(cè)量。ITO的比電阻為3*10_4 Ω *cm。TiOx層單體的比電阻在其厚度為50nm的情況下高達(dá)107Ω/ □，且其比電阻為5*102Q*cm。根據(jù)試驗(yàn)示例1，多層薄膜的薄層電阻相對(duì)于ITO 層單體的薄層電阻僅增加了約1Ω/□，且光透過(guò)率保持在70%或者更多。此外。根據(jù)試驗(yàn)示例2，由于TiOx層的厚度相比試驗(yàn)示例1增加，所以略微降低了其透過(guò)率。但是，可以肯定多層薄膜的薄層電阻低于ITO層單體的薄層電阻，并且即使在考慮到誤差的時(shí)候，也可以得到與ITO層單體的薄層電阻處于相同水平的數(shù)值。另一方面，根據(jù)本實(shí)施例，由于第一導(dǎo)體層111被具有耐酸性的第二導(dǎo)體層112覆蓋，所以可以阻止由耐酸性較差的透明導(dǎo)電氧化物如ITO形成的第一導(dǎo)體層111與具有強(qiáng)氧化性的電解質(zhì)層14接觸。因此，可以保護(hù)第一導(dǎo)體層111免受腐蝕，并且可以阻止因第一導(dǎo)體層111的腐蝕而引起光電轉(zhuǎn)換效率的降低。在室溫下測(cè)量導(dǎo)電薄膜樣品浸泡在強(qiáng)鹽酸(包含70%鹽酸的水溶液(PH 0. 7))中時(shí)所獲得的阻抗值。將如圖2A所示的ITO單層薄膜和如圖2B所示的多層薄膜用作導(dǎo)電薄膜樣品，其中ITO單層薄膜形成在硅襯底上并且具有IOOnm的厚度，多層薄膜由形成在硅襯底上并具有IOOnm厚度的ITO層和具有50nm厚度的TiOx層構(gòu)成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖2C所示。 在圖2C中，橫軸表示浸泡時(shí)間，并且縱軸表示浸泡后所獲得的阻抗值對(duì)導(dǎo)電薄膜樣品初始阻抗值的相對(duì)比值。從圖2C中明顯看出，ITO單層薄膜因與強(qiáng)鹽酸接觸而被迅速腐蝕，且阻抗值以指數(shù)方式增加。相反地，在ITO層被TiOx覆蓋的多層薄膜中，可以肯定其阻抗值因腐蝕而非常平緩地增加，并且多層薄膜對(duì)強(qiáng)鹽酸具有耐久性。因此，根據(jù)本實(shí)施例的包括由透明導(dǎo)電薄膜構(gòu)成的負(fù)電極11的光電轉(zhuǎn)換元件1，可以增強(qiáng)對(duì)電解質(zhì)層14的耐久性，并且確保穩(wěn)定的光電轉(zhuǎn)換特性。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，與氧化物半導(dǎo)體層13接觸的負(fù)電極11的界面由含氧化鈦的第二導(dǎo)體層112構(gòu)成。因此，氧化物半導(dǎo)體層13和氧化物半導(dǎo)體層13與負(fù)電極11之間的接觸界面由相同類型的半導(dǎo)體材料形成。因此，粗略計(jì)算層之間的電子導(dǎo)帶(electron conductance band)，促進(jìn)從氧化物半導(dǎo)體層13到負(fù)電極11的電子輸送效率，從而引起光電轉(zhuǎn)換效率的增加。同樣在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)體層112具有比第一導(dǎo)體層111更高的阻抗，并且由比氧化物半導(dǎo)體層13更密集的薄膜構(gòu)成。因此，因?yàn)榈诙雽?dǎo)體層112夾置在第一半導(dǎo)體層111與氧化物半導(dǎo)體層13之間，所以可以有效地阻止電子從負(fù)電極11向氧化物半導(dǎo)體層13逆流，即所謂的逆電子反應(yīng)(reverse electron reaction)，并且可以阻止形成局部電池。因此，第二導(dǎo)體層112很大程度上有助于提高光電轉(zhuǎn)換效率。此外，根據(jù)本實(shí)施例，由于第一導(dǎo)體層111和第二導(dǎo)體層112能夠以相對(duì)較低的溫度形成，所以可以將耐熱性相對(duì)較低的樹脂薄膜等用作透明襯底10。<第二實(shí)施例>圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件的概要剖視圖。圖中與上述第一實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的部分用同一符號(hào)標(biāo)識(shí)，并且將省略其具體描述。在本實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換元件2中，負(fù)電極21不同于第一實(shí)施例的負(fù)電極，并且包括由第一導(dǎo)體層111、第二導(dǎo)體層112和第三導(dǎo)體層113構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。第三導(dǎo)體層113 設(shè)置在第一導(dǎo)體層111內(nèi)部，并且具有小于第一導(dǎo)體層111的比電阻的比電阻(第三比電阻)。具體而言，第三導(dǎo)體層113由銀(Ag)、銀合金等金屬布線構(gòu)成，盡管金屬類型并不限于此?？商鎿Q地，可以將除金屬以外的導(dǎo)電材料用作第三導(dǎo)體層113。第三導(dǎo)體層113以格狀形成在透明襯底10上。格狀包括條紋狀、網(wǎng)狀及網(wǎng)孔狀。 第一導(dǎo)體層111形成在透明襯底10上以覆蓋第三導(dǎo)體層113，且第二導(dǎo)體層112層壓在第一導(dǎo)體層111上。根據(jù)本實(shí)施例，由于具有比第一導(dǎo)體層111更小比電阻的第三導(dǎo)體層113設(shè)置在第一導(dǎo)體層111內(nèi)部，所以可以降低負(fù)電極21的阻抗。因此，可以額外地增加光電轉(zhuǎn)換效率。此外，由于第三導(dǎo)體層113形成為格狀，所以可以保持負(fù)電極21的光透過(guò)率。并不特別限制構(gòu)成第三導(dǎo)體層113的布線的線寬、高度和厚度等。在此以前，已經(jīng)描述了本發(fā)明的實(shí)施例。但是，本發(fā)明的實(shí)施例當(dāng)然并不限于上述實(shí)施例，并且可以基于本發(fā)明的技術(shù)要點(diǎn)作出各種更改。例如，盡管上述實(shí)施例已經(jīng)描述了本發(fā)明適用于光電轉(zhuǎn)換元件1和2的負(fù)電極11 和21的示例，但是本發(fā)明并不限于此，并且同樣適用于薄膜電阻型觸摸屏中的電極層、液晶顯示屏與有機(jī)EL顯示屏中的各種布線層等。本發(fā)明也可適用于形成在印刷電路板上的布線。圖4是印刷電路板的概要剖視圖。圖中所示的印刷電路板3包括襯底30、第一導(dǎo)體層31和第二導(dǎo)體層32。由第一導(dǎo)體層31和第二導(dǎo)體層32構(gòu)成的多層薄膜構(gòu)成了印刷電路板3中的布線層。第一導(dǎo)體層31 例如由ITO形成，且第二導(dǎo)體層32由包含例如氧化鈦的透明導(dǎo)電氧化物形成。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的印刷電路板3，可以形成具有透明性、導(dǎo)電性和耐腐蝕性的布線層。另外，可以通過(guò)濕式蝕刻、激光蝕刻等容易形成具有所需構(gòu)造的布線圖案。
本發(fā)明包括與日本專利局公開號(hào)為JP 2010-087M9、申請(qǐng)日為2010年4月6日的日本優(yōu)先專利申請(qǐng)相關(guān)的主題，在此通過(guò)應(yīng)用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在權(quán)利要求書及其替代物的范圍內(nèi)，可以基于設(shè)計(jì)要求及其它因素作出各種修改、組合、附加組合及替代。
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電薄膜，其包括第一導(dǎo)體層，其由具有第一比電阻的第一透明導(dǎo)電氧化物形成；以及第二導(dǎo)體層，其層壓在所述第一導(dǎo)體層上，具有大于等于所述第一比電阻且小于等于 l*106Q*cm的第二比電阻，并且由含鈦的第二透明導(dǎo)電氧化物形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其中層壓所述第二導(dǎo)體層后的薄層阻抗相對(duì)于所述第一導(dǎo)體層單體的薄層阻抗的增加量為10 Ω / □或者更小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電薄膜，其中所述第一透明導(dǎo)電氧化物是含銦的錫氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，還包括第三導(dǎo)體層，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)體層內(nèi)部，具有小于所述第一比電阻的第三比電阻， 并且形成為格狀。
5.一種光電轉(zhuǎn)換元件，其包括第一電極，其包括第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層由具有第一比電阻的第一透明導(dǎo)電氧化物形成，所述第二導(dǎo)體層層壓在所述第一導(dǎo)體層上，具有大于等于所述第一比電阻且小于等于l*106Q*cm的第二比電阻，并且由含鈦的第二透明導(dǎo)電氧化物形成；氧化物半導(dǎo)體層，其與所述第二導(dǎo)體層接觸，并且承載光敏化顏料；第二電極，其與所述氧化物半導(dǎo)體層相對(duì)；以及電解質(zhì)層，其設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層與所述第二電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換元件，其中所述氧化物半導(dǎo)體層由多孔的氧化鈦形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電薄膜及光電轉(zhuǎn)換元件。該透明導(dǎo)電薄膜包括第一導(dǎo)體層，其由具有第一比電阻的第一透明導(dǎo)電氧化物形成；以及第二導(dǎo)體層，其層壓在第一導(dǎo)體層上，具有大于等于第一比電阻且小于等于1×106Ω·cm的第二比電阻，并且由含鈦的第二透明導(dǎo)電氧化物形成。
文檔編號(hào)H01B1/08GK102237152SQ20111008380
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月6日
發(fā)明者關(guān)根昌章, 小野寺誠(chéng)一, 櫻井恭子 申請(qǐng)人:索尼公司