專利名稱：阻擋膜和包括該阻擋膜的電子裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)異的阻氣性、阻濕性和透光率的阻擋膜，以及包括該阻擋膜的電子裝置。
背景技術：
使用液晶元件、電子墨元件或有機發(fā)光二極管(OLED)等的顯示裝置目前在被廣泛應用或者正被引入到市場。使用有機或無機材料的太陽光裝置也正被用于產生清潔能源。由于構成這些裝置的電子元件和金屬線易受廣泛存在于生活環(huán)境中的化學物質(例如，水分和氧氣等)的侵害，所以它們易于被劣化或氧化。因此，阻止這些化學物質到達存在于上述裝置內部的電子元件是非常重要的。 根據現(xiàn)有技術，玻璃板被用作基板材料或蓋板以保護易受化學物質侵害的內部電子元件。這樣的玻璃板具有合意的性能，例如透光率、熱膨脹系數(shù)和耐化學性等。然而，因為玻璃板重、易碎和堅硬，所以難以操作，并且成為產品設計中的限制因素。為了解決如上所述的這些問題，已經做出積極的嘗試，以用重量輕的并具有優(yōu)異的抗沖擊性和撓性的代表性塑料材料代替用作電子元件的基板材料的玻璃板。然而，目前商業(yè)上生產的塑料膜相對于玻璃板具有多種缺點，因此有必要彌補物理性能上的不足。特別是，當與玻璃板的性能相比時，塑料膜迫切需要改善阻氣性。為了改善阻氣性，正在通過將無機材料沉積在撓性塑料膜的至少一個表面上來制備阻氣膜，所述無機材料是包括SiOx、AlOy, SiOaNb和AlOeNd等的金屬氧化物或氮化物且具有優(yōu)異的阻氣性。然而，通過沉積而制得的無機材料層具有易受濕氣侵害的趨勢，從而透氣性隨著濕氣而增加(Surf. Coat. Tech.，74/75 (1995) 676; Surf. Coat.Tech.，142/144(2001) 163)。另外，阻氣膜的缺點在于透濕性隨著時間不斷增加。這是典型的無機材料層在濕氣的影響下劣化的結果。因此，有必要通過在無機材料層上層疊防水性或斥水性保護層來防止該無機材料層被濕氣劣化。同時，已知金屬鋁具有比氧化鋁更好的阻濕性(Thin SolidFilms, 355/356(1999)500)，并且已知在沉積金屬及其氧化物的方法中，即，在氧化物沉積法和金屬沉積法之間，金屬沉積法提供了具有更好的阻濕性的沉積層(J. Electrochem.Soc.，149 (2002) B487)。通過利用這些事實，韓國專利No. 10-0575563中公開了金屬(例如，銀)及其氧化物連續(xù)層疊的結構。然而，盡管金屬膜具有優(yōu)異的阻濕性，但它的問題在于透光率大幅降低(J. Appl. Phys.，47 (1976) 4968)。因此，專利文件提出了一種額外層疊防反射膜以保持透光率的方法。在此種情形中，為了實現(xiàn)優(yōu)異的透光率，需要精確控制額外層疊的防反射膜的折射率和厚度。

發(fā)明內容
技術問題
本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)異的阻氣性、阻濕性和透光率的阻擋膜，以及包括該阻擋膜的電子裝置。根據本發(fā)明的阻擋膜的特征在于，該阻擋膜包括重復交替設置的第一層和第二層，所述第一層由半共價無機材料形成，所述第二層由離子無機材料形成。技術方案本發(fā)明涉及提供了一種具有優(yōu)異的阻氣性、阻濕性和透光率的阻擋膜，以及包括該阻擋膜的電子裝置。本發(fā)明的一個方面提供了一種阻擋膜，該阻擋膜具有包含半共價無機材料的第一層和包含離子無機材料的第二層。此處，所述第一層和第二層交替設置。本發(fā)明的另一個方面提供了包括所述阻擋膜的電子裝置。
有益效果本發(fā)明的阻擋膜具有優(yōu)異的阻氣性、阻濕性和透光率，并且本發(fā)明的阻擋膜以多種方式用作電子裝置中的材料。


通過參考附圖詳細描述示例性實施方案，本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點對于本領域技術人員來說將變得更顯而易見，其中圖I是根據本發(fā)明的一個示例性實施方案的包括第一層110和第二層120的阻擋膜150的側面圖，顯示了(a)第二層層疊在第一層上的結構，(b)第二層層疊在第一層下的結構，(C)第二層設置在第一層之間的結構，(d)第一層和第二層重復層疊的結構。圖2是根據本發(fā)明的一個示例性實施方案的阻擋膜250的側面圖，其中，包括所述第一層和所述第二層的復合層220形成于基底層210上。圖3是根據本發(fā)明的一個示例性實施方案的阻擋膜350的側面圖，其中，包括所述第一層和所述第二層的復合層320形成于基底層210上，平面化層311和312分別額外形成于復合層320的上表面和下表面上。圖4是通過使用粘合劑層410層壓兩個阻擋膜250而制得的阻擋膜450的側面圖，其中，基底的表面和另一個基底的表面層壓，或者阻擋膜的表面和另一個阻擋膜的表面層壓。圖5顯示了根據本發(fā)明的一個示例性實施方案的結構550，其中，阻擋膜530層疊于電子元件510上，電子元件510形成于基板材料520上。圖6顯示了當在對比例2和3中僅使用ZnO時，透濕性隨著時間變化的表現(xiàn)。
具體實施例方式在下文中，將詳細描述本發(fā)明的示例性實施方案。然而，本發(fā)明不限于下面公開的實施方案，而可以以多種方式實施。下面的實施方案是為了使本領域普通技術人員能夠具體化和實施本發(fā)明而描述的。盡管用語第一和第二等可以用來描述不同的元件，但這些元件不受這些用語限制。這些用語僅用于使一個元件與另一個元件區(qū)分開。例如，在不偏離示例性實施方案的范圍的情況下，第一元件可以稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以稱為第一元件。用語“和/或”包括相關所列項目中一種或多種的任何和所有組合。應理解的是，當一個元件被稱為與另一個元件“連接”或“結合”時，它可以直接與另一個元件連接或結合，或者可以存在中間元件。相比之下，當一個元件被稱為與另一個元件“直接連接”或“直接結合”，不存在中間部件。此處所用的用辭是僅用于描述具體實施方案的目的，而不是用來限制示例性實施方案。除非上下文另外清楚地指明，否則單數(shù)形式“一個”、“一種”和“所述”意在同樣包括復數(shù)形式。應進一步理解的是，用語“包含”、“由…組成”、“包括”和/或“含有”當在此處被使用時，詳列其說明的特征、整體、步驟、操 作、元件、組件和/或群組的存在，但并不排除其一種或多種其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或群組的存在或加入。參照附圖，將在下面詳細描述本發(fā)明的示例性實施方案。為了幫助理解本發(fā)明，在整個附圖的描述中相同的附圖標記指相同的元件，并且對相同元件的描述將不再重復。根據本發(fā)明的阻擋膜的特征在于，該阻擋膜包括重復交替設置的第一層和第二層，所述第一層由半共價無機材料形成，所述第二層由離子無機材料形成。當所述阻擋膜形成為第二層設置在第一層的上面或下面，或者設置在第一層之間時，可以改善阻氣性、阻濕性和透光率。第二層中使用的無機材料由于與主要有害物質(例如濕氣)的高度相互作用而可以提高阻氣性，而第一層中使用的無機材料由于半共價性而可以改善阻擋效果。另外，所述阻擋膜可以具有0. 013g/m2 天或小于0. 013g/m2 天的透濕性，且更特別是，所述阻擋膜可以具有0. 005g/m2 天或小于0. 005g/m2 天的透濕性。與僅使用用于獲得常規(guī)阻氣性的金屬氧化物或金屬氮化物相比，在本發(fā)明中提供的阻擋膜具有改善的阻濕性。所述阻擋膜包括一個或多個第一層和一個或多個第二層。在此種情形中，第二層可以設置在第一層的上面或下面，或者可以設置在第一層的上面和下面。當在所述阻擋膜中有兩個或多個第一層時，第二層可以設置在第一層之間。另外，根據本發(fā)明示例性實施方案的阻擋膜包括1)其中第一層和第二層交替設置的阻擋膜，2)其中第二層設置在阻擋膜的最上層或最下層上的阻擋膜，等等，但本發(fā)明不限于此。所述第一層中包含的半共價無機材料可以包括金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物，所述金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物使用X-射線光電子能譜所測得的結合能(Ols)為530. 5eV至533. 5eV。另外,所述第二層中包含的離子無機材料可以包括金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物，所述金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物使用X-射線光電子能譜所測得的結合能(Ols)為529. 6eV至530. 4eV。更具體而言，所述半共價無機材料可以由選自金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物中的至少一種材料形成，所述金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物使用X-射線光電子能譜所測得的結合能(Ols)為具有530. 5eV至533. 5eV,所述離子無機材料可以由選自金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物中的至少一種材料形成，所述金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物使用X-射線光電子能譜所測得的結合能(Ols)為529. 6eV至530. 4eV。在所述半共價無機材料和所述離子無機材料之間的結合能(Ols)之差可以在
0.IeV至3. 9eV的范圍內，特別是在0. 5eV至3. 5eV的范圍內，且更特別是在I. OeV至3. OeV的范圍內。通過使用由所述半共價無機材料形成的第一層和由所述離子無機材料形成的第二層來形成阻擋膜，可以同時提高該阻擋膜的阻氣和阻濕效果。根據本發(fā)明所述的半共價無機材料可以包括選自硅(Si)、鋁(Al)、鎂(Mg)和鎵(Ga)中的至少一種金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物，但本發(fā)明不限于此。另外，根據本發(fā)明的離子無機材料可以包括選自鈣(Ca)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、銦(In)、錫(Sn)、鈦(Ti)和鈰(Ce)中的至少一種金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物，且優(yōu)選為上述金屬的氧化物，但本發(fā)明不限于此。與單獨使用用于實現(xiàn)常規(guī)阻氣性的金屬的氧化物或氮化物的情形相比，本發(fā)明提供的阻擋膜具有改善的阻氣性。阻擋膜的物理和化學性能可以根據所述氧化物的特性(例如離子極化率、陽離子極化率、光學堿度或相互作用參數(shù))而變化?；谏鲜龆喾N特性，已經根據多種分類方法對所述氧化物進行了分類。最終，已知所述氧化物的特性與結合能密切相關(T.L.Barr, “Modern ESCA,The Principles and Practice ofX-Ray Photoelectron Spectroscopy”，CRC Press, Boca Raton, FLj 1994;V. Dimitrov & T. Komatsu,J.SolidState Chem. 163(2002) 100)。同時，已知所述無機化合物的離子性可以根據組成原子之間的電負性之差而變化，并且材料的結合結構與結合能密切相關。結果，根據結合能(Ols)的強度(其可以使用X-射線光電子能譜容易地測得)，所述無機化合物的離子性可以分成三類，例如，半共價性、離子性和強離子性。例如，當使用X-射線光電子能譜技術測得的結合能(Ols)分別在530.5eV至533. 5eV、529. 6eV至530. 4eV和528. OeV至529. 5eV時，該結合能提供了半共價氧化物、離子氧化物和強離子氧化物的特性。根據上述分類，半共價氧化物包括Si02、A1203、MgO或6&203，離子氧化物包括0&0、!102、附0、2110、21'02、111203、51102或0602，強離子氧化物包括似20、CdO, BaO 或 Sb203。根據上述分類，本發(fā)明提供的第二層中的無機材料包括在所述離子材料中。因此，由于所述無機材料與作為主要有害物質的極性水分子強烈地相互作用，所以可以預期該無機材料的阻氣性提高。然而，可以觀察到當單獨使用所述無機材料時，即使增加第二層的厚度也對阻濕沒有效果(表I中的對比例2和3)。同時，所述無機材料的能帶隙在透光率方面是一個非常重要的因素。作為對應于根據本發(fā)明的第二層的離子無機材料，Ca0、Ti02、Ni0、Zn0、Zr02、ln203、SnO2和CeO2的能帶隙分別是7. IeV,3. 2eV、3. 4eV、5. 0eV、3. 7eV、3. 2eV和3. 2eV。所有這些無機材料具有3eV或大于3eV的能帶隙，因此具有在可見光區(qū)域內光吸收較小的優(yōu)勢。根據一個示例性實施方案，所述離子無機材料的能帶隙可以為3eV或大于3eV。例如，所述離子無機材料的能帶隙可以為3eV至10eV，特別是，3eV至7. 5eV。本說明書中所用的術語“能帶隙”是指當目標材料在最高占據分子軌道(H0M0)狀態(tài)和最低占據分子軌道(LUMO)狀態(tài)時的能量值之差。所述阻擋膜的總厚度可以在IOnm至IOOOnm的范圍內，優(yōu)選在15nm至500nm的范圍內，且更優(yōu)選在20nm至300nm的范圍內，但本發(fā)明不限于此。當所述阻擋膜的厚度小于IOnm時，難以達到阻擋膜的連續(xù)性，這使得難以獲得所需的阻氣性水平，而當所述阻擋膜的厚度超過1，OOOnm時，由于內部應力的增加或阻擋膜撓性的降低而導致易于形成裂紋，這使得難以根據厚度來提高阻氣性。
所述阻擋膜可以使用例如化學氣相沉積法(CVD)、濺射法、蒸發(fā)法、原子層沉積法或離子電鍍法等方法來形成，但本發(fā)明不限于此。所述第二層的厚度是大于0至小于等于IOOnm,特別是大于等于0. Inm至小于等于70nm,且更特別是大于等于0. 5nm至5小于等于50nm,但本發(fā)明不限于此。當所述第二層的厚度是0. Inm或大于0. Inm時，通過易于形成連續(xù)層而可以更容易地形成均勻的第二層，從而可以進一步改善第二層的層疊效果。另外，當所述第二層的厚度超過IOOnm時，第二層的固有特性增強或者可能產生應力。結果，由于包括該第二層的阻擋膜可能易于受到損壞，所以阻氣性可能降低。另外，所述第二層可以設置在所述第一層的上面或下面或者設置在所述第一層之間，并且取決于所述阻擋膜是如何形成的，通過重復層疊第二層，可以預期第一層的沉積被周期性地初始化。也就是說，通過所述阻擋膜的層疊結構，可以獲得在Barix 膜結構中缺陷增長和層間缺陷互連的預防效果，上述缺陷是由交替形成有機層和無機層引起的。 此外，通過連續(xù)層疊無機層，可以減少在典型Barix 膜結構中的有機層和無機層之間的界面處易于形成的層間剝離，這使得可以提供具有優(yōu)異阻氣性的阻擋膜。另外，當在有機材料上層疊無機材料的過程中形成來源于該有機材料的揮發(fā)性物質時，該揮發(fā)性物質可能引起所層疊的無機材料層的緊密度降低。根據本發(fā)明，因為無機材料被層疊在無機材料層上，所以由于新增的無機材料層改善的緊密度，可以提供具有改善的阻氣性的阻擋膜。根據本發(fā)明的阻擋膜可以還包括基底層。所述阻擋膜的結構可以為包括所述第一層和所述第二層的復合層形成于基底層的一個或兩個表面上。所述基底層可以由塑料膜材料形成，但本發(fā)明不限于此。因此，本發(fā)明提供了一種包括基底層且具有優(yōu)異的阻氣性的塑料阻擋膜。當使用具有優(yōu)異的撓性的塑料膜作為基底膜來形成所述阻擋膜時，可以同時實現(xiàn)膜的阻氣性和撓性。顯示例如撓性的特性且具有60%或大于60%，優(yōu)選90%或大于90%的透明度的塑料膜可以用作所述基底層。例如，可以形成為所述基底層的塑料膜可以由選自如下中的至少一種材料形成聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)、多芳基化合物和環(huán)氧樹脂。另外，還可以加入選自純填料、纖維型填料及其混合物中的至少一種來增強所述塑料膜的機械性能和熱性能。例如，選自如下中的至少一種可以用作純填料金屬、玻璃粉、金剛石粉、二氧化硅、粘土、磷酸鈣、磷酸鎂、硫酸鋇、氟化鋁、硅酸鈣、硅酸鎂、硅酸鋇、碳酸鋇、氫氧化鋇、硅酸鋁。另外，玻璃纖維或玻璃纖維織物可以用作纖維型填料。所述阻擋膜可以還包括平面化層，該平面化層形成于包括所述第一層和所述第二層的層疊結構的一個或兩個表面上，或者設置于該層疊結構的層之間。在所述基底層和所述層疊結構之間的平面化層可以起到緩沖層的作用，而在所述阻擋膜的外部形成的平面化層可以起到保護層的作用。也就是說，所述平面化層可以用于使所述基底層的表面平坦，或用于提高包括所述基底層的多個層的層間粘合強度，或用于釋放在機械變形過程中施加到所述阻擋膜上的應力，或用于防止在所述阻擋膜的處理過程中該膜的損壞。另外，所述平面化層可以設置在所述阻擋膜的層之間。設置于所述阻擋膜的層間中的平面化層可以起到防止缺陷增長和層間缺陷互連的作用，所述缺陷發(fā)生在無機材料層的任何一層中，并且所述平面化層可以起到提高阻濕效果的作用。所述平面化層是有機-無機混合層，該混合層可以由選自丙烯酸類涂料組合物、基于環(huán)氧的涂料組合物、金屬醇鹽組合物和基于聚氨酯的涂料組合物中的至少一種形成。另外，所述平面化層可以使用溶膠-凝膠型涂料組合物來形成。例如，如韓國專利號2006-0041696,2008-0012553和20 08-0012555中所公開的，所述溶膠-凝膠型涂料組合物包括有機硅烷和金屬醇鹽。必要時，所述溶膠-凝膠型涂料組合物可以還包含合適的添加齊U、溶劑或反應催化劑。所述涂料組合物可以單獨使用或組合使用熱固化或光固化技術來形成平面化層。為了改善所述平面化層和所述基底層之間的粘合強度，該基底的表面可以使用紫外線、電暈、火焰、等離子體、濺射、離子束、化學品等進行處理，或者可以在該基底上形成底涂層。經固化的平面化層的厚度可以為0. I ii m至20 ii m,優(yōu)選為0. 2 ii m至10 ii m,且更優(yōu)選為0. 3 ii m至5 ii m,但本發(fā)明不限于此。根據本發(fā)明的阻擋膜可以廣泛用作電子裝置的材料。例如，電子裝置可以包括包裹在根據本發(fā)明的阻擋膜中的電子元件。所述阻擋膜可以以基板材料、保護層或包裝材料的形式包括在電子裝置中。所述阻擋膜可以包括單獨的基底層。在一些情形中，不包括基底層的所述阻擋膜應用于電子元件中，使得該阻擋膜可以用作電子元件的保護層。另外，所述電子裝置可以是有機或無機發(fā)光體、顯示裝置、膜型電池、傳感器或光伏元件，但本發(fā)明不限于此。在下文中，將參照圖I至4進一步詳細描述根據本發(fā)明的阻擋膜。如圖I所示，圖I是根據本發(fā)明一個示例性實施方案的包括第一層110和第二層120的阻擋膜150的側面圖，顯示了(a)第二層層疊在第一層上的結構，(b)第二層層疊在第一層下的結構，以及，作為結構(a)和(b)的改變結構，(C)第二層設置在第一層之間的結構，(d)第一層和第二層重復層疊的結構，但本發(fā)明不限于此。如圖2所示，根據本發(fā)明的另一個示例性實施方案的阻擋膜250的結構可以為包括所述第一層和所述第二層的復合層220形成于基底層210上。如圖3所示，根據本發(fā)明的又一個示例性實施方案的阻擋膜350的結構可以為包括所述第一層和所述第二層的復合層320形成于基底層210上，平面化層311和312分別額外形成于復合層150的上表面和下表面上。如圖4所示，根據本發(fā)明的阻擋膜450可以包括兩個阻擋膜250和設置于該兩個阻擋膜250之間的粘合劑層410，并且具有兩個阻擋膜250通過粘合劑層410被層壓的結構。如圖5所示，根據本發(fā)明的阻擋膜530可以用于對形成于基板材料520上的電子元件510進行電保護或化學保護。此處，所述基板材料可以是玻璃板、半導體晶片或所述阻擋膜，所述電子元件可以是顯示元件、光伏元件、面內發(fā)光體等。通過參考下面實施例將進一步詳細描述本發(fā)明。然而，應當理解此處提出的描述僅是用于說明目的優(yōu)選實施例，而不是用來限制本發(fā)明的范圍。實施例
實施例I厚度為50 ii m的PET膜(購自Toyobo的A4300)用作塑料基底層。用基于硅烷的溶膠型溶液涂布上述塑料基底層的上表面，并在120°C下熱固化涂布的基于硅烷的溶膠型溶液10分鐘以形成0. 5 y m厚度的平面化層(緩沖層)，所述基于硅烷的溶膠型溶液包含32. 5重量份的四乙氧基硅烷和64. 0重量份的環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷作為主要成分。在對沉積裝置提供氬氣和氧氣的混合氣體的同時，采用濺射技術在上述平面化層的上表面沉積由SiON形成的第一層至48nm厚度。此后，在上述SiON第一層上沉積由ZnO形成的第二層至8nm厚度,在該由ZnO形成的第二層上再沉積另一個由SiON形成的第一層至24nm厚度以形成阻擋膜。然后，與基底層的上表面相同的方式用上述基于硅烷的溶膠型溶液涂布上述阻擋膜，對該基于硅烷的溶膠型溶液進行熱固化以形成外平面化層(保護層)，由此制得阻擋膜。使用L80-5000LP (Lyssy)在100%相對濕度和38°C溫度的條件下評價所制得的阻 擋膜的透濕性，使用Cary 3E(Varian)測量光學性能。結果列于下面表I中。 對比例I在對比例I中，除了僅由ZnO形成并沉積至89nm厚度的無機材料層用作無機材料層之外，按照與實施例I中相同的方式制備阻擋膜。測得的所制得阻擋膜的透濕性和光學性能列于下面表I中。對比例2在對比例2中，除了僅由SiON形成并沉積至80nm厚度的無機材料層用作無機材料層之外，按照與實施例I中相同的方式制備阻擋膜。測量的所制得阻擋膜的透濕性和光學性能列于下面表I中。對比例3在對比例3中，除了僅由ZnO形成并沉積至89nm厚度的無機材料層用作無機材料層之外，按照與實施例I中相同的方式制備阻擋膜。測得的所制得阻擋膜的透濕性和光學性能列于下面表I中。[表 I]
權利要求
1.一種阻擋膜，該阻擋膜包括 由半共價無機材料形成的第一層；和 由離子無機材料形成的第二層， 其中，所述第一層和所述第二層交替設置。
2.根據權利要求I所述的阻擋膜，該阻擋膜的透濕性為0.013g/m2 天或小于0. 013g/m2 天。
3.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述第一層由兩個或更多個層組成，所述第二層設置在所述第一層的層之間。
4.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述半共價無機材料是金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物，所述金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物的結合能都為530.5eV 至 533. 5eV。
5.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述離子無機材料是金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物，所述金屬氧化物、對應金屬的氮化物及其混合物的結合能都為529. 6eV至 530. 4eV0
6.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述半共價無機材料和所述離子無機材料之間的結合能之差在0. IeV至3. 9eV的范圍內。
7.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述半共價無機材料是包括選自硅、鋁、鎂和鎵中的至少一種金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物。
8.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述離子無機材料是包括選自鈣、鎳、鋅、鋯、銦、錫、鈦和鈰中的至少一種金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物。
9.根據權利要求I所述的阻擋膜，該阻擋膜的厚度為IOnm至l，000nm。
10.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述第二層的厚度為大于0至小于等于IOOnm0
11.根據權利要求I所述的阻擋膜，其中，所述離子無機材料的能帶隙為3.OeV或大于3.OeV0
12.根據權利要求I所述的阻擋膜，該阻擋膜還包括基底層。
13.根據權利要求12所述的阻擋膜，其中，所述基底層由選自如下中的至少一種樹脂形成聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、多芳基化合物和環(huán)氧樹脂。
14.根據權利要求I所述的阻擋膜，該阻擋膜還包括平面化層，該平面化層設置于包括所述第一層和所述第二層的層疊片的一個或兩個表面上，或者設置于所述層疊片的層之間。
15.根據權利要求14所述的阻擋膜，其中，所述平面化層包含選自丙烯酸類涂料組合物、基于環(huán)氧的涂料組合物、金屬醇鹽組合物和基于聚氨酯的涂料組合物中的至少一種。
16.一種電子裝置，該電子裝置包括用權利要求I所限定的阻擋膜包裝的電子元件。
17.根據權利要求16所述的電子裝置，其中，所述阻擋膜作為基板材料、保護層或包裝材料包括在該電子裝置中。
18.根據權利要求16所述的電子裝置，其中，所述電子裝置是有機或無機發(fā)光體、顯示裝置、膜型電池、傳感器或光伏元件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種阻擋膜，該阻擋膜包括由半共價無機材料形成的第一層和由離子無機材料形成的第二層。此處，所述第一層和所述第二層交替設置。與僅使用金屬氧化物或氮化物制得的現(xiàn)有技術中的阻氣性塑料復合膜相比，本發(fā)明可以提供具有改善的阻濕性的阻擋膜。
文檔編號H01L33/48GK102741047SQ201080063162
公開日2012年10月17日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權日2009年12月3日
發(fā)明者金東烈, 馬承樂, 黃檣淵 申請人:Lg化學株式會社