專利名稱：帶選擇性黑氧化層的引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體元件的基礎(chǔ)材料的技術(shù)領(lǐng)域，具體講是一種用于裝載芯片并加以塑封的帶選擇性黑氧化層的引線框架。
背景技術(shù)：
引線框架是制作生產(chǎn)半導(dǎo)體元件的基礎(chǔ)材料，一般制作引線框架的基材為銅合金。在引線框架上裝載芯片和打?qū)Ь€之后，利用樹脂塑封料對(duì)芯片加以包封，形成一整體的半導(dǎo)體元件，由此可知，包封區(qū)域只占引線框架一部分。為加強(qiáng)對(duì)芯片的保護(hù)，防止水汽對(duì)芯片的侵蝕，塑封料和引線框架間的結(jié)合力越大越好，因此，通常會(huì)對(duì)引線框架的銅表面做化學(xué)藥水處理，形成一層黑氧化層，加大表面粗糙度，從而增強(qiáng)和塑封料的結(jié)合力。而現(xiàn)有技術(shù)中都是對(duì)引線框架的整體做表面黑氧化處理，消耗的化學(xué)藥水多，而塑封料的溢料部分也會(huì)和引線框架上的非包封區(qū)域結(jié)合，在引線框架的客戶使用端，不容易去除殘膠，且由于黑氧化層為絕緣體，還需要對(duì)引線框架的非包封區(qū)域做退黑氧化層的處理，較為繁瑣且成本很高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種節(jié)省成本且使用方便的用于裝在芯片并加以塑封的帶選擇性黑氧化層的引線框架。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供的帶選擇性黑氧化層的引線框架，它包括設(shè)有包封區(qū)域的引線框架主體，所述的引線框架主體上設(shè)有黑氧化層，所述的黑氧化層僅覆蓋引線框架主體上的包封區(qū)域。采用以上結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型引線框架與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)在引線框架上選擇性的設(shè)置黑氧化層(即帶選擇性的黑氧化層)，只在引線框架主體上的黑氧化層僅覆蓋包封區(qū)域，引線框架主體上的其余部分沒有黑氧化層，這樣，既能節(jié)省化學(xué)藥水，又能避免在客戶端進(jìn)行退黑氧化層處理的工序，使用較為簡便，而且即使塑封料的溢料與引線框架主體的其余部分結(jié)合，也會(huì)由于其結(jié)合力不強(qiáng)而很容易去除，不管是生產(chǎn)成本還是使用成本均較低。

附圖為本實(shí)用新型帶選擇性黑氧化層的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1、引線框架主體；2、包封區(qū)域；3、黑氧化層；4、芯片部；5、小焊點(diǎn)；6、散熱部；7、管腳。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。如附圖所示，本實(shí)用新型的帶選擇性黑氧化層的引線框架，它包括設(shè)有包封區(qū)域2的引線框架主體1，所述的引線框架主體1 一般都包括芯片部4、小焊點(diǎn)5以及管腳7，上述的引線框架主體1上設(shè)有黑氧化層3，這里包封區(qū)域2是指芯片安裝之后，引線框主體1上必須用塑封料進(jìn)行包封的區(qū)域。黑氧化層是指在銅面長許多的由氧化銅和氧化亞銅組成的黑須。黑氧化層具有較大粗糙度，可以提高塑封料與引線框架主體1的結(jié)合力。在本實(shí)用新型中，上述的黑氧化層3僅覆蓋引線框架主體1上的包封區(qū)域2，引線框架主體1上無需用塑封料包封的區(qū)域沒有黑氧化層3。通常來說，上述的的包封區(qū)域2包括芯片部4和小焊點(diǎn)5，芯片部4與管腳7之間的連接段上位于兩個(gè)小焊點(diǎn)5之間的部分也設(shè)有黑氧化層3。在行業(yè)常用的部分型號(hào)的引線框架中，芯片部4的背面暴露在塑封料外，行業(yè)稱為半包封引線框架，這些型號(hào)的芯片部 4的背面不在包封區(qū)域2內(nèi)，不設(shè)黑氧化層3。例如行業(yè)通用型號(hào)T0-251/252，該型號(hào)的引線框架屬于半包封引線框架，所述芯片部4的背面暴露在包封塑料外，不在包封區(qū)域2內(nèi)， 不設(shè)黑氧化層3。另外，如果在芯片部4和小焊點(diǎn)5上有電鍍層，如銀或鎳，則因?yàn)楹谘趸幚硭幩慌c銅發(fā)生反應(yīng)，電鍍層不受影響，也不會(huì)覆蓋上黑氧化層3。作為常規(guī)的公知常識(shí)，有些型號(hào)的引線框架上設(shè)有散熱部6，而有些型號(hào)則沒有設(shè)置散熱部6，很顯然，本實(shí)用新型的技術(shù)方案均均適用。如本實(shí)施例中的引線框架主體1上就設(shè)有散熱部6。用化學(xué)藥水對(duì)引線框架主體1進(jìn)行處理形成黑氧化層3的工藝為常規(guī)技術(shù)，在此不再累述。上述實(shí)施例只是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，不可看成是對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)允許有變化，它適用于領(lǐng)域所有通用型號(hào)的引線框架。
權(quán)利要求1. 一種帶選擇性黑氧化層的引線框架，它包括設(shè)有包封區(qū)域(2)的引線框架主體(1)， 所述的引線框架主體(1)上設(shè)有黑氧化層(3)，其特征在于所述的黑氧化層C3)僅覆蓋引線框架主體(1)上的包封區(qū)域O)。
專利摘要本實(shí)用新型提供的帶選擇性黑氧化層的引線框架，它包括設(shè)有包封區(qū)域的引線框架主體，所述的引線框架主體上設(shè)有黑氧化層，所述的黑氧化層僅覆蓋引線框架主體上的包封區(qū)域。在引線框架上選擇性的設(shè)置黑氧化層(即帶選擇性的黑氧化層)，只在引線框架主體上的黑氧化層僅覆蓋包封區(qū)域，引線框架主體上的其余部分沒有黑氧化層，這樣，既能節(jié)省化學(xué)藥水，又能避免在客戶端進(jìn)行退黑氧化層處理的工序，使用較為簡便，而且即使塑封料的溢料與引線框架主體的其余部分結(jié)合，也會(huì)由于其結(jié)合力不強(qiáng)而很容易去除，不管是生產(chǎn)成本還是使用成本均較低。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202003986SQ20102065416
公開日2011年10月5日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者曹光偉, 段華平, 馬葉軍 申請(qǐng)人:寧波康強(qiáng)電子股份有限公司