專利名稱：一種硅片的清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于晶硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶硅片的清洗裝置。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小，對硅片表面 的潔凈度及表面態(tài)的要求也越來越高。要得到高質(zhì)量的半導體器件，僅僅除去硅片表面的 沾污已不再是最終的要求。在清洗過程中造成的表面化學態(tài)、氧化膜厚度、表面粗糙度等已 成為同樣重要的參數(shù)。目前，由于清洗不佳引起的器件失效已超過集成電路制造中總損 失的一半。要得到高質(zhì)量的半導體器件，硅片必須具有非常潔凈的表面。超潔凈表面是指 不存在粒子、金屬、有機物及水分等污染物和自然氧化膜，具有原子級的平整度，表面是以 氫為終端的表面。表面懸掛鍵以氫為終端是硅表面穩(wěn)定化的絕對條件。當然，完全潔凈的 硅片表面是不存在的。但是，超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，要求硅片表面要盡可能地達到完 全潔凈。要達到此目標，對硅片清洗工藝是一個非常大的挑戰(zhàn)。目前，通常應(yīng)用的清洗方法 是濕式化學清洗法，即利用有機溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學試劑，配合兆 聲、超聲、加熱等物理措施，使有機物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面，然后用大量的去離 子水沖洗，獲得潔凈的硅片表面的清洗方法，同時，要求用更經(jīng)濟的、給環(huán)境帶來更少污 染的工藝獲得更高性能的硅片。硅片加工工藝流程一般經(jīng)過晶體生長、分段、開方、磨面、粘棒、切片、清洗、檢驗。 而清洗過程的第一步，自來水沖洗是整個清洗環(huán)節(jié)的重要部分，若沖洗時不能完全沖洗干 凈，硅片表面殘留的砂漿，會給下道工序帶來麻煩；不僅如此，嚴重時大量產(chǎn)生不合格硅片， 硅片成品率大大下降。故采用一種有效的沖洗方法和裝置對于生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)硅片極為重要。傳統(tǒng)的沖洗方法是將完成切片的硅棒朝上，用噴淋管進行垂直沖洗。這樣的沖洗 方法經(jīng)常導致粘膠面附近有大量的殘留砂漿，產(chǎn)生花片。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提出了一種硅片的清洗裝置，該裝置 結(jié)構(gòu)合理，制作方便，采用該裝置對硅片進行沖洗，不殘留砂漿，能避免碎片和崩邊現(xiàn)象的 發(fā)生，大大提高了硅片生產(chǎn)的成品率。本實用新型解決技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是，一種硅片的清洗裝置，包括沖洗 槽和若干噴管，所述沖洗槽兩側(cè)上沿向凹槽內(nèi)凸出，所述噴管設(shè)有一排噴射孔，所述噴管安 裝于凹槽內(nèi)的兩側(cè)，所述噴管的一端封閉，另一端與供水管相連。所述的清洗裝置還可以包括溫度計和流量計，所述溫度計和流量計，依次連接于 所述噴管與供水管的連接處。作為一種優(yōu)選，所述噴管設(shè)置噴射孔段的長度與被切割硅棒的長度相當，所述噴 射孔的孔徑為0. 8mm 1. 2mm，所述噴射孔的間距為1. 2mm 1. 6mm。作為進一步的選優(yōu)，所述噴管的噴射孔的孔徑為1mm，噴射孔的間距為1. 5mm。
3[0010]本實用新型中，所述噴管安裝于凹槽內(nèi)的兩側(cè)并合理分布，噴射孔朝向凹槽的中 間，噴管未封閉一端即開口端先依次與溫度計和流量計相連，然后與供水管相連。在與供水 管相連處，還可以設(shè)置閥門。使用本實用新型沖洗硅片，是將已完成切割的硅棒(完成切割但硅片仍粘接于玻 璃底板)倒置于沖洗槽內(nèi)，然后用自來水沖洗。沖洗時，應(yīng)控制好噴射的角度，水的溫度和流 量，通常將控制水溫在12°c左右，流量約為80L/min，沖洗干凈后進行脫膠。本實用新型的有益效果是其結(jié)構(gòu)合理，制作方便；對硅片進行沖洗，不殘留砂 漿，能避免碎片和崩邊現(xiàn)象的發(fā)生，大大提高了硅片生產(chǎn)的成品率。

圖1為本實用新型一種實施方式結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1所示本實用新型一種實施方式的噴管的示意圖。圖3為已完成切割的硅棒倒置于圖1所示本實用新型一種實施方式的沖洗槽的凹 槽內(nèi)的示意圖。
具體實施方式
如圖1和圖2所示，它包括沖洗槽1和四根噴管2，沖洗槽1兩側(cè)上沿向凹槽內(nèi)凸 出，噴管2設(shè)有一排噴射孔3，噴射孔3的孔徑為1mm，噴射孔3的間距為1. 5mm,噴管2安裝 于凹槽內(nèi)的兩側(cè)，每側(cè)各兩根，分別設(shè)置于上部和下部；噴管2的一端封閉，另一端與閥門、 溫度計、流量計和供水管相連。圖3所示為已完成切割的硅棒4倒置于沖洗槽1的凹槽內(nèi) 的情況。
權(quán)利要求1.一種硅片的清洗裝置，其特征在于，包括沖洗槽和若干噴管，所述沖洗槽兩側(cè)上沿向 凹槽內(nèi)凸出，所述噴管設(shè)有一排噴射孔，所述噴管安裝于凹槽內(nèi)的兩側(cè)，所述噴管的一端封 閉，另一端與供水管相連。
2.如權(quán)利要求1所述的一種硅片的清洗裝置，其特征在于，還包括溫度計和流量計，所 述溫度計和流量計，依次連接于所述噴管與供水管的連接處。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種硅片的清洗裝置，其特征在于，所述噴管設(shè)置噴射孔段 的長度與被切割硅棒的長度相當，所述噴射孔的孔徑為0. 8mm 1. 2mm，所述噴射孔的間距 為 1. 2mm 1. 6mm 0
4.如權(quán)利要求1所述的一種硅片的清洗裝置，其特征在于，所述噴管的噴射孔的孔徑 為1mm，噴射孔的間距為1. 5mm。
專利摘要本實用新型涉及一種硅片的清洗裝置。包括沖洗槽和若干噴管，沖洗槽兩側(cè)上沿向凹槽內(nèi)凸出，噴管設(shè)有一排噴射孔，噴管安裝于凹槽內(nèi)的兩側(cè)，噴管的一端封閉，另一端與供水管相連。它還可以包括溫度計和流量計，所述溫度計、流量計和閥門，依次連接于所述噴管與供水管的連接處。本實用新型結(jié)構(gòu)合理，制作方便；對硅片進行沖洗，不殘留砂漿，能避免碎片和崩邊現(xiàn)象的發(fā)生，大大提高了硅片生產(chǎn)的成品率。
文檔編號H01L21/00GK201880705SQ20102061977
公開日2011年6月29日 申請日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者徐國華 申請人:浙江芯能光伏科技有限公司