專利名稱：封裝芯片的承載座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)一種承載座，特別是有關(guān)一種封裝芯片的承載座。
背景技術(shù)：
中央處理器(CPU)或其它數(shù)字IC元件，于高速或高頻下工作，容易形成熱點(diǎn)。熱點(diǎn)的存在，容易劣化元件運(yùn)轉(zhuǎn)的工作效率，甚至對元件本身造成損害。因此，如中央處理器 (CPU)等數(shù)字IC元件，通常會配置散熱或冷卻系統(tǒng)，以快速發(fā)散工作中所產(chǎn)生的熱，散熱或冷卻系統(tǒng)的設(shè)置對其散熱/冷卻效率有重要的影響。以現(xiàn)今的CPU而言，如圖1所示，一封裝芯片10’，包括一上表面101、一下表面 103、一連接上表面101及下表面103的側(cè)壁105、以及多個(gè)設(shè)于下表面103的金屬接點(diǎn)107。 一般而言，封裝芯片10’內(nèi)包括一芯片102、一承載基板104以及一封膠材料106。芯片102 設(shè)置于承載基板104上，金屬接點(diǎn)107由承載基板104延伸并設(shè)于封膠材料106，封膠材料 106則包覆芯片102、承載基板104以及金屬接點(diǎn)107的一部分，并構(gòu)成上表面101、下表面 103以及側(cè)壁105。再者，承載基板104用以承載以及信號連接芯片102，藉以將芯片102上的接點(diǎn)(圖未繪)擴(kuò)散(fan out)，形成金屬接點(diǎn)107。此外，為散熱考慮，于封膠材料106 的上表面101上可設(shè)置散熱片108作為一加速接觸傳導(dǎo)手段，藉以接觸設(shè)置于上表面101 的散熱裝置12，例如散熱鰭片、風(fēng)扇、冷卻系統(tǒng)、或是上述的組合等等，達(dá)到釋放工作中封裝芯片10’產(chǎn)生的熱。上述散熱裝置的安裝位置的選擇有限，以目前大多安裝于封裝芯片的上表面而言，散熱裝置的安裝增加了元件的整體高度，對于現(xiàn)在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)符合輕薄短小的要求而言，是設(shè)計(jì)上的缺點(diǎn)。其次，上述的封裝芯片10’ 一般藉由CPU插座固定于一系統(tǒng)板(圖未繪)，例如一印刷電路板上。透過設(shè)置于CPU插座中的導(dǎo)電端子以及系統(tǒng)板，封裝芯片10’可與系統(tǒng)板上的其它電路或元件，例如繪圖芯片等，產(chǎn)生信號連接。因此，另一種散熱方式是將散熱裝置設(shè)置于系統(tǒng)板上，達(dá)到散熱的目的。然而，上述方式將散熱裝置設(shè)置于系統(tǒng)板上，由于熱源在于封裝芯片的內(nèi)部芯片， 熱必須經(jīng)過CPU插座才能到達(dá)系統(tǒng)板，此散熱路徑較長，且CPU插座的熱導(dǎo)系數(shù)未必高于封裝芯片，此種情形下，熱透過緩慢的擴(kuò)散才能到達(dá)系統(tǒng)板，無法加速散熱，達(dá)到快速散熱的目的。此外，目前的封裝芯片10’組裝于CPU插座時(shí)，封裝芯片10’下方的位置沒有被利用，對于現(xiàn)在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)需符合輕薄短小的要求而言，如何利用此未被利用的區(qū)域亦是設(shè)計(jì)考慮的重點(diǎn)之一。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是，針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種承載座，應(yīng)用于封裝芯片。于封裝芯片的內(nèi)部芯片工作時(shí)，此承載座除了提供現(xiàn)今插座的功能外，還提供另一接觸傳導(dǎo)路徑，提高接觸傳導(dǎo)封裝芯片的物理信號的效率。本實(shí)用新型要解決的另一技術(shù)問題是，針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種承載座，應(yīng)用于封裝芯片。藉由選擇高傳導(dǎo)系數(shù)材料制作該承載座，可加速封裝芯片與系統(tǒng)板的運(yùn)行，且使元件設(shè)計(jì)更具彈性。本實(shí)用新型要解決的另一技術(shù)問題是，針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供一種承載座，應(yīng)用于封裝芯片之下。將接觸傳導(dǎo)手段設(shè)計(jì)于承載座中，亦可將部分電路及元件置于此承載座的表面或內(nèi)部，可以減少系統(tǒng)板的層數(shù)，降低系統(tǒng)板的制作成本。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種承載座，用以承載一封裝芯片，該封裝芯片包括上表面、下表面、以及設(shè)于該下表面的多個(gè)金屬接點(diǎn)。用以收容該些金屬接點(diǎn)的該承載座至少包括提供接觸傳導(dǎo)手段的上座，以及信號連接于該些金屬接點(diǎn)的多個(gè)金屬導(dǎo)件。其中，當(dāng)該封裝芯片工作時(shí)，除該些金屬導(dǎo)件用以提供該封裝芯片的第一運(yùn)行路徑之外，該上座的該接觸傳導(dǎo)手段用以形成第二運(yùn)行路徑于該承載座中，藉以引導(dǎo)由該封裝芯片所產(chǎn)生的物理信號至該封裝芯片的外界。該接觸傳導(dǎo)手段接觸該封裝芯片的該下表面，或是該上表面及該下表面之間的一側(cè)壁，或是該封裝芯片的該些金屬接點(diǎn)中的至少一金屬接點(diǎn)。該接觸傳導(dǎo)手段包括鋁質(zhì)基板、金屬層、金屬導(dǎo)熱環(huán)、金屬抓勾、金屬驅(qū)動構(gòu)造或金屬卡扣結(jié)構(gòu)或是包括具有至少一金屬層的層板(laminate)。所述承載座還包括設(shè)置于該層板中或該層板表面的金屬線、金屬墊、金屬孔、金屬端子、金屬結(jié)合結(jié)構(gòu)、金屬卡扣結(jié)構(gòu)、金屬驅(qū)動結(jié)構(gòu)或錫球。該金屬線、該金屬墊、該金屬孔、 該金屬端子、該金屬結(jié)合結(jié)構(gòu)、該金屬卡扣結(jié)構(gòu)、該金屬驅(qū)動結(jié)構(gòu)或該錫球信號連接該些金屬接點(diǎn)中的至少一信號接點(diǎn)、接地接點(diǎn)或是電源接點(diǎn)。該接觸傳導(dǎo)手段為導(dǎo)熱手段或是導(dǎo)電手段。其中，該導(dǎo)熱手段至少包括第一導(dǎo)熱手段與第二導(dǎo)熱手段，該導(dǎo)電手段至少包括第一導(dǎo)電手段與第二導(dǎo)電手段，其中該第一導(dǎo)熱手段或是該第一導(dǎo)電手段接觸該封裝芯片的該下表面、或接觸該封裝芯片的該些金屬接點(diǎn)，而該第二導(dǎo)熱手段或是該第二導(dǎo)電手段設(shè)置于未接觸于該封裝芯片的承載座處。該第二導(dǎo)熱手段與該第一導(dǎo)熱手段間具有第一導(dǎo)熱路徑，及/或該第二導(dǎo)熱手段與一外部散熱手段間具有第二導(dǎo)熱路徑。所述承載座還包括信號連接于該導(dǎo)電手段的至少一信號處理元件或信號處理電路。其中，該至少一信號處理元件或信號處理電路為電容元件或是電容結(jié)構(gòu)、電感元件或是電感結(jié)構(gòu)、光學(xué)元件或是光學(xué)結(jié)構(gòu)、電磁干擾(EMI)保護(hù)元件或是靜電放電(ESD)保護(hù)元件、或是主/被動信號處理元件或是主/被動信號處理結(jié)構(gòu)。該封裝芯片為CPU封裝芯片，或其它需高速運(yùn)轉(zhuǎn)的單一封裝芯片。該封裝芯片內(nèi)部于接近該接觸傳導(dǎo)手段的該下表面，設(shè)有加速接觸傳導(dǎo)手段。該加速接觸傳導(dǎo)手段為加速導(dǎo)熱或?qū)щ姷慕饘賯鲗?dǎo)結(jié)構(gòu)。所述承載座還包括收容該些金屬導(dǎo)件的下座，且該上座與該下座可相對移動。該上座與該下座中的至少任一包括金屬件或是具有至少一金屬層的層板(laminate)。此時(shí)， 該金屬件或是該金屬層信號連接該些金屬接點(diǎn)中的至少一信號接點(diǎn)、接地接點(diǎn)或是電源接點(diǎn)ο所述承載座還包括信號連接于該承載座的系統(tǒng)板。該系統(tǒng)板設(shè)置于該承載座下方，以與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接?；蛘?，該承載座設(shè)置于該系統(tǒng)板中，以與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。或者，該承載座中的至少部分結(jié)構(gòu)屬于該系統(tǒng)板的一部分，且該系統(tǒng)板與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。本實(shí)用新型還提供一種承載座，用以承載一封裝芯片，該封裝芯片包括上表面、下表面、以及設(shè)于該下表面的多個(gè)金屬接點(diǎn)。用以收容該些金屬接點(diǎn)的該承載座至少包括導(dǎo)熱手段以及信號連接該些金屬接點(diǎn)與一系統(tǒng)板(system board)的導(dǎo)電手段。當(dāng)該封裝芯片工作時(shí)，該導(dǎo)熱手段導(dǎo)出該封裝芯片產(chǎn)生的熱至該封裝芯片的外界。該導(dǎo)熱手段或是該導(dǎo)電手段包括鋁質(zhì)基板、金屬層、金屬環(huán)、金屬抓勾、金屬驅(qū)動構(gòu)造或金屬卡扣結(jié)構(gòu)或是包括具有至少一金屬層的層板(laminate)。該鋁質(zhì)基板、該金屬層、該金屬環(huán)、該金屬抓勾、該金屬驅(qū)動構(gòu)造、該金屬卡扣結(jié)構(gòu)或是該金屬層信號連接該系統(tǒng)板。所述承載座還包括設(shè)置于該層板中或該層板表面的金屬線、金屬墊、金屬孔、金屬端子、金屬結(jié)合結(jié)構(gòu)、金屬卡扣結(jié)構(gòu)或金屬驅(qū)動結(jié)構(gòu)。該金屬線、該金屬墊、該金屬孔、該金屬端子、該金屬結(jié)合結(jié)構(gòu)、該金屬卡扣結(jié)構(gòu)或該金屬驅(qū)動結(jié)構(gòu)信號連接該系統(tǒng)板。該承載座包括第一部分以及第二部分，且該第一部分與該第二部分可相對移動。 該第一部分較該第二部分鄰近該下表面，且該導(dǎo)熱手段至少位于該第一部分。該導(dǎo)電手段至少位于該第一部分以及該第二部分的至少任一。該導(dǎo)熱手段至少包括第一導(dǎo)熱手段與第二導(dǎo)熱手段，其中該第一導(dǎo)熱手段接觸該封裝芯片的該下表面、或接觸該封裝芯片的該些金屬接點(diǎn)，而該第二導(dǎo)熱手段設(shè)置于未接觸于該封裝芯片的承載座處。該導(dǎo)電手段包括信號連接該些金屬接點(diǎn)的多個(gè)金屬導(dǎo)件，且該些金屬導(dǎo)件收容于該第二部分。該第二導(dǎo)熱手段與該第一導(dǎo)熱手段間具有第一導(dǎo)熱路徑，及/或該第二導(dǎo)熱手段與一外部散熱手段間具有第二導(dǎo)熱路徑。該外部散熱手段為設(shè)置于該封裝芯片的該上表面處，或未接觸于該封裝芯片的承載座處。該導(dǎo)電手段至少包括第一導(dǎo)電手段與第二導(dǎo)電手段，其中該第一導(dǎo)電手段接觸該封裝芯片的該下表面、或接觸該封裝芯片的該些金屬接點(diǎn)，而該第二導(dǎo)電手段設(shè)置于未接觸于該封裝芯片的承載座處。該第二導(dǎo)電手段包括信號連接該些金屬接點(diǎn)的多個(gè)金屬導(dǎo)件，且該些金屬導(dǎo)件收容于該第二部分。該第一導(dǎo)電手段包括金屬端子、金屬槽孔、或?yàn)槠渌饘僭蚪饘俳Y(jié)構(gòu)，該金屬端子、金屬槽孔或其它金屬元件或金屬結(jié)構(gòu)信號連接該些金屬接點(diǎn)中的至少一信號接點(diǎn)、接地接點(diǎn)或是電源接點(diǎn)。所述承載座還包括信號連接于該導(dǎo)電手段的至少一信號處理元件或信號處理電路。其中，該至少一信號處理元件或信號處理電路為電容元件或是電容結(jié)構(gòu)、電感元件或是電感結(jié)構(gòu)、光學(xué)元件或是光學(xué)結(jié)構(gòu)、電磁干擾(EMI)保護(hù)元件或是靜電放電(ESD)保護(hù)元件、或是主/被動信號處理元件或是主/被動信號處理結(jié)構(gòu)。該系統(tǒng)板設(shè)置于該承載座的下方，以與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。或者，該承載座中的至少部分結(jié)構(gòu)屬于該系統(tǒng)板的一部分，且該系統(tǒng)板與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。[0031]本實(shí)用新型封裝芯片的承載座于封裝芯片的內(nèi)部芯片工作時(shí)不僅可提供現(xiàn)有插座的功能，還可提供另一接觸傳導(dǎo)路徑，從而提高傳導(dǎo)封裝芯片的物理信號的效率；且本實(shí)用新型選擇高接觸傳導(dǎo)系數(shù)材料制作，可加速封裝芯片與系統(tǒng)板的運(yùn)行，且使元件設(shè)計(jì)更具彈性；此外，本實(shí)用新型還將接觸傳導(dǎo)手段設(shè)計(jì)于承載座中，亦可將部分電路及元件置于此承載座的表面或內(nèi)部，因此，可以減少系統(tǒng)板的層數(shù)，降低系統(tǒng)板的制作成本。

圖1為現(xiàn)有的一封裝芯片的剖面示意圖。圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例的承載座與封裝芯片的剖面示意圖。圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的承載座、封裝芯片與系統(tǒng)板的剖面示意圖。圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的承載座、封裝芯片與系統(tǒng)板的剖面示意圖。圖5為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的承載座、封裝芯片與系統(tǒng)板的剖面示意圖。圖6為本實(shí)用新型承載座另一實(shí)施例的立體示意圖。圖7為圖6中的承載座的分解示意圖。圖8為圖6中的承載座的剖面示意圖。圖9為本實(shí)用新型承載座另一實(shí)施例的分解示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的目的之一，在于提供類似圖1的封裝芯片10的其它運(yùn)行路徑，藉由原本承載上述封裝芯片10的承載座提供一接觸傳導(dǎo)手段。如圖2所示，承載座11承載上述封裝芯片10，其包括一接觸傳導(dǎo)手段13與信號連接于金屬接點(diǎn)107的多個(gè)金屬導(dǎo)件15。 其中，當(dāng)封裝芯片10的內(nèi)部芯片102工作時(shí)，除該些金屬導(dǎo)件15，例如金屬端子、一金屬槽孔、抑或?yàn)槠渌饘僭蚪饘俳Y(jié)構(gòu)，用以提供封裝芯片10的一第一運(yùn)行路徑151之外，接觸傳導(dǎo)手段13更用以形成一第二運(yùn)行路徑131于承載座11中，藉以引導(dǎo)由封裝芯片10所產(chǎn)生的一物理信號至封裝芯片10的外界。此處的接觸傳導(dǎo)手段13，并非藉由封裝芯片10的上表面101作為運(yùn)行路徑的始點(diǎn)，而是藉由上表面101以外的封裝面，于承載座11中建立一運(yùn)行路徑，藉以引導(dǎo)由封裝芯片10所產(chǎn)生的一物理信號至封裝芯片10的外界。本實(shí)用新型所提供的承載座，其接觸傳導(dǎo)手段所建立的運(yùn)行路徑，亦可進(jìn)一步與以封裝芯片10的上表面101為運(yùn)行路徑始點(diǎn)的運(yùn)行路徑連結(jié)，提供另一運(yùn)行路徑以引導(dǎo)封裝芯片10的物理信號。再者，包括上述接觸傳導(dǎo)手段的承載座不限于應(yīng)用在上述的封裝芯片10類型，封裝芯片10中包括多個(gè)內(nèi)部芯片，或并列，或堆棧等態(tài)樣，皆不脫本實(shí)用新型的應(yīng)用范圍。再者，亦可于封裝芯片10與承載座11接觸處設(shè)置加速接觸傳導(dǎo)手段109以加速傳遞物理信號。其次，上述封裝芯片10的金屬接點(diǎn)107用以使芯片102與封裝芯片10的外界溝通，但本實(shí)用新型的接觸傳導(dǎo)手段不限于應(yīng)用在上述的金屬接點(diǎn)107類型，其它例如金屬接墊、 金屬球等形式的金屬接點(diǎn)，皆不脫本實(shí)用新型的承載座的應(yīng)用范圍。又，此處所謂的物理信號，可以包括光、電、熱或磁信號等等，此時(shí)本實(shí)用新型中的傳導(dǎo)手段則分別為導(dǎo)光手段、導(dǎo)電手段、導(dǎo)熱手段或?qū)Т攀侄?，上述傳?dǎo)手段可單獨(dú)或組合存在于承載座中，此時(shí)承載座還包括連接于導(dǎo)磁手段的磁/電轉(zhuǎn)換手段信號或是連接于導(dǎo)光手段的光/電轉(zhuǎn)換手段信號。于一實(shí)施例中，當(dāng)上述的物理信號為熱時(shí)，本實(shí)用新型即提供上述封裝芯片10的其它散熱手段于承載座中，此處的其它散熱手段，即非直接藉由封裝芯片10的上表面101發(fā)散工作中封裝芯片10產(chǎn)生的熱。以下，將以引導(dǎo)熱信號的散熱手段作說明，但可以理解地，本實(shí)用新型可應(yīng)用于其它的物理信號，而不限于實(shí)施例所列。如圖3所示，一承載座20，具有一承載封裝芯片10的承載部22，并且包括一導(dǎo)熱手段，當(dāng)封裝芯片10的內(nèi)部芯片102工作時(shí)，該導(dǎo)熱手段形成一導(dǎo)熱路徑于承載座20中， 藉以引導(dǎo)封裝芯片10所產(chǎn)生的熱至封裝芯片10的外界。其次，系統(tǒng)板30設(shè)置于承載座20 的下方，以與設(shè)置于承載座20上方的封裝芯片10進(jìn)行信號連接。另一選擇是，承載座20設(shè)置于系統(tǒng)板30中，以與設(shè)置于承載座20上方的封裝芯片10進(jìn)行信號連接。要說明的是， 此處所謂的系統(tǒng)板(system board)，即用以使封裝芯片與其它芯片信號連接的橋梁之一， 亦有以母板(mother board)、主板(main board)等稱之。于此第一實(shí)施例中，金屬件，以一金屬板201a為例，例如一鋁質(zhì)基板，接觸封裝芯片10的下表面103。此時(shí)，封裝芯片10的下表面103內(nèi)側(cè)亦可設(shè)置熱導(dǎo)系數(shù)高于封膠材料 106的元件作為加速散熱的手段。類似的方式可運(yùn)用于側(cè)壁105，如金屬部件201b承靠側(cè)壁105 ；或是金屬板201c與部分金屬接點(diǎn)107接觸。要說明的是，金屬板201c與金屬接點(diǎn) 107的至少一個(gè)或多個(gè)接地接點(diǎn)107a信號連接，且與其它的金屬接點(diǎn)107例如工作接點(diǎn)電性絕緣，或是與金屬接點(diǎn)107無信號連接。上述電性絕緣的方式，可利用氧化鋁質(zhì)基板來達(dá)到。可以理解地，金屬板201c亦可僅與金屬接點(diǎn)的一個(gè)或多個(gè)電源接點(diǎn)電性絕緣。其次， 此處所謂的金屬，泛包括單一元素的金屬或是混合多元素或晶格結(jié)構(gòu)的合金。當(dāng)封裝芯片10的內(nèi)部芯片工作時(shí)，熱源來自工作中的芯片102。根據(jù)上述，因?yàn)榻饘偌佑|下表面或是金屬接點(diǎn)中的接地接點(diǎn)或電源接點(diǎn)，藉由金屬件的熱導(dǎo)系數(shù)高的性質(zhì)，可以形成一導(dǎo)熱路徑于承載座20中，直接從封裝芯片10將熱從封裝芯片10引導(dǎo)至封裝芯片10的外界，此與封裝芯片10直接接觸可謂第一導(dǎo)熱手段。再者，金屬件亦可如一導(dǎo)熱環(huán)201d設(shè)置于承載座20的周圍，此未與封裝芯片10直接接觸可謂第二導(dǎo)熱手段。此實(shí)施例中，第一導(dǎo)熱路徑自封裝芯片10至金屬板201a，延伸至導(dǎo)熱環(huán)201d，以加速散出封裝芯片10的熱。再者，亦可使導(dǎo)熱環(huán)201d與封裝芯片10上方的散熱裝置12接觸，形成第二導(dǎo)熱路徑；金屬環(huán)201f與系統(tǒng)板30接觸，亦可形成第二導(dǎo)熱路徑。此外，亦可利用一金屬結(jié)構(gòu)201e設(shè)置于承載座20中，且金屬板201a/201c與金屬結(jié)構(gòu)201e，例如結(jié)合件接觸，形成一第一導(dǎo)熱路徑，再藉由金屬結(jié)構(gòu)201e與外部散熱手段，例如系統(tǒng)板30接觸，亦可形成第二導(dǎo)熱路徑，達(dá)到加速散熱的目的。又，封裝芯片10產(chǎn)生的熱，亦能經(jīng)過第一導(dǎo)熱手段直接到達(dá)系統(tǒng)板30后，由系統(tǒng)板30傳導(dǎo)到與系統(tǒng)板30接觸的金屬結(jié)構(gòu)201e，如此亦可達(dá)到本實(shí)用新型提供散熱的目的。要說明的是，上述金屬板201a、金屬部件201b、金屬板201c、導(dǎo)熱環(huán)201d、金屬環(huán) 201f或是金屬結(jié)構(gòu)201e可單獨(dú)或是彼此組合部分結(jié)構(gòu)而構(gòu)成本實(shí)用新型承載座的導(dǎo)熱手段。例如以金屬板201a以及導(dǎo)熱環(huán)201d組合構(gòu)成本實(shí)用新型承載座的導(dǎo)熱手段，一方面封裝芯片10直接與金屬件接觸，以形成第一導(dǎo)熱手段；另一方面，金屬件未接觸于該封裝芯片的承載座處形成一第二導(dǎo)熱手段，第二導(dǎo)熱手段與第一導(dǎo)熱手段間具有一第一導(dǎo)熱路徑，及/或第二導(dǎo)熱手段與一外部散熱手段間具有第二導(dǎo)熱路徑。其次，承載部22可承載的其它元件，亦可為導(dǎo)熱手段的一部分，若導(dǎo)熱手段的強(qiáng)度夠的情形下，亦可忽略該些其它元件的導(dǎo)熱作用。圖3所示的上述所有金屬件/板/結(jié)構(gòu)類型，僅用以說明，其它類型的金屬件，例如鋁質(zhì)基板、金屬層、金屬導(dǎo)熱環(huán)、金屬抓勾、金屬驅(qū)動構(gòu)造或是金屬卡扣結(jié)構(gòu)等，皆可應(yīng)用于本實(shí)用新型的金屬件。其次，上述金屬件可利用適當(dāng)?shù)姆绞剑缱タ?、包覆、貼附等方式與封裝芯片的金屬接點(diǎn)接觸/固定，但本實(shí)用新型不限于上述。再者，上述所有金屬板/結(jié)構(gòu)，僅用以說明該些金屬件與承載座/封裝芯片的位置關(guān)系，非用以限制承載座中導(dǎo)熱手段的形式。其次，上述金屬件/板/結(jié)構(gòu)，在組合成為承載座的導(dǎo)熱手段時(shí)，必要時(shí)可以設(shè)置絕緣層于其間、或是保留空隙或空間于其間。如圖4所示，承載座40包括一具有金屬層44的層板42 (laminate)。一般而言，層板42可包括一或多層金屬層44，金屬層44之間或是與外界之間具有一介電層46或是絕緣層，例如一般的印刷電路板，利用壓合的方式將金屬層與介電層壓合形成層板。其次，金屬層44可作為線路層、接地層或是電源層，于本實(shí)用新型中，金屬層44可表示線路層、接地層或是電源層。再者，一般金屬層44除了可導(dǎo)電外，亦有高于一般其它材料的熱導(dǎo)系數(shù)可作為一種導(dǎo)熱手段。因此，以下對于層板42的說明，雖以作為導(dǎo)電手段為例，但可以理解地， 在對于封裝芯片20的金屬接點(diǎn)107進(jìn)行必要的絕緣以防止短路的情形下，層板42亦可作為導(dǎo)熱手段，其位置以及形成傳導(dǎo)路徑的方式與圖3相同，于此不再贅述。其次，于此實(shí)施例中，層板42為一電路板，故一般電路板可設(shè)置通/盲/埋孔于電路板中的設(shè)計(jì)，亦可應(yīng)用于本實(shí)用新型承載座中的導(dǎo)電手段。例如層板42中設(shè)置金屬結(jié)構(gòu)，例如金屬通孔、絕緣通孔、金屬盲/埋孔、或是絕緣盲/埋孔或是上述不同形式的孔的組合，可用以作為信號連接或收容金屬接點(diǎn)107、金屬抓勾或金屬端子之用。根據(jù)封裝芯片10 的金屬接點(diǎn)107的不同需求，例如接地接點(diǎn)信號連接至接地層，電源接點(diǎn)應(yīng)信號連接至電源層，工作信號需部分內(nèi)連接、或是信號連接至系統(tǒng)板30等等的需求，承載座40的層板42 提供一導(dǎo)電路徑，藉由透過金屬通孔、絕緣通孔、金屬盲/埋孔、或是絕緣盲/埋孔等，連接或收容金屬接點(diǎn)107、金屬抓勾或金屬端子等，使封裝芯片10與承載座40本身或/及系統(tǒng)板30進(jìn)行信號連接，或是使承載座40與系統(tǒng)板30進(jìn)行信號連接。此外，系統(tǒng)板30的信號，亦可藉由承載座40提供的導(dǎo)電手段，與層板42中的線路或金屬層進(jìn)行溝通。根據(jù)上述，層板42中的金屬層44可作為接地層/電源層，因此可將原本設(shè)計(jì)于系統(tǒng)板30的接地層/電源層移至本實(shí)用新型承載座中，進(jìn)而減少系統(tǒng)板30的層數(shù)，降低系統(tǒng)板30的制作成本。故，本實(shí)用新型的承載座中的至少部分結(jié)構(gòu)屬于該系統(tǒng)板的一部分，且該系統(tǒng)板與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。根據(jù)上述，電路板的層板42提供導(dǎo)電手段以形成多個(gè)導(dǎo)電運(yùn)行路徑，因此，層板 42可收容其它的信號處理元件或信號處理電路、主/被動信號處理元件、保護(hù)元件、保護(hù)電路或是保護(hù)結(jié)構(gòu)。于此實(shí)施例中，一主/被動信號處理元件，例如一電容元件49、電感元件 48或電阻元件50等收容于層板42中或表面，透過層板42提供的導(dǎo)電手段，可以使封裝芯片10及/或系統(tǒng)板30信號連接至電容元件49以及電感元件48。其次，保護(hù)元件/電路/ 結(jié)構(gòu)，例如電磁干擾(EMI)保護(hù)元件或是一靜電放電(ESD)保護(hù)元件/電路/結(jié)構(gòu)等亦可被收容于層板42中或表面，藉由層板42提供的導(dǎo)電手段，實(shí)現(xiàn)保護(hù)元件/電路/結(jié)構(gòu)的保護(hù)功能。再者，由于層板42可設(shè)置線路層，因此配合金屬層44以及金屬通孔、絕緣通孔、金屬盲/埋孔、金屬接點(diǎn)107、金屬抓勾或金屬端子等，可以實(shí)現(xiàn)信號處理元件或信號處理電路或是主/被動信號處理電路形成于承載座40中，特別是形成于封裝芯片10正下方的位置或是封裝芯片10下方的周遭區(qū)域。要說明的是，封裝芯片10，例如一 CPU芯片等數(shù)字IC元件的封裝，于工作時(shí)可能有瞬間電源的需求，一般會利用旁路(by pass)電容來提供數(shù)字IC元件瞬間電源的需求。 根據(jù)上述，于本實(shí)用新型中，可將旁路(by pass)電容設(shè)置于承載座中或是承載座的表面位置，再加以一平整層51覆蓋，使旁路(by pass)電容盡量接近封裝芯片10。故，藉由層板 42提供導(dǎo)電運(yùn)行路徑，使封裝芯片10藉由導(dǎo)電手段與承載座40的信號處理元件或信號處理電路或是主/被動信號處理元件進(jìn)行信號連接?？梢岳斫獾?，系統(tǒng)板30的信號，亦可藉由承載座40提供的導(dǎo)電手段，與層板42中的信號處理元件或信號處理電路或是主/被動信號處理元件進(jìn)行信號連接。根據(jù)上述，本實(shí)用新型的承載座，可充分利用封裝芯片10下方的區(qū)域設(shè)置其它的信號處理元件或信號處理電路或是主/被動信號處理元件，不但優(yōu)化了封裝芯片10的工作運(yùn)行路徑，亦增加了其它的信號處理元件或信號處理電路或是主/被動信號處理元件的設(shè)置位置的彈性。再者，圖2中承載座11的金屬導(dǎo)件15，亦可應(yīng)用于此實(shí)施例中，將金屬導(dǎo)件15設(shè)置于適當(dāng)?shù)慕饘偻住⒔^緣通孔、金屬盲/埋孔、以及絕緣盲/埋孔中，構(gòu)成第一導(dǎo)電手段。 再者，除了金屬導(dǎo)件15外，本實(shí)用新型的承載座40還包括其它的金屬結(jié)構(gòu)421。于此實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)421可以是不同的形式，例如層板42中的線路層、金屬墊、或是其它的金屬端子、金屬驅(qū)動元件、金屬卡扣元件或是金屬結(jié)合元件等等。其次，金屬結(jié)構(gòu)421可以設(shè)置于承載座40的適當(dāng)位置，例如層板42中的金屬通孔、絕緣通孔、金屬盲/埋孔，或是承載座 40的一側(cè)。于此實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)421可作為第一導(dǎo)電手段，直接信號連接封裝芯片10的金屬接點(diǎn)107，或是作為第二導(dǎo)電手段，即設(shè)置于未接觸于封裝芯片10的承載座處，而是信號連接層板42中的金屬層44、或是系統(tǒng)板30，故，金屬結(jié)構(gòu)421配合層板42可形成一導(dǎo)電路徑，此導(dǎo)電路徑可建立封裝芯片10與承載座40間的信號連接，亦可建立封裝芯片10與系統(tǒng)板30間的信號連接。故根據(jù)上述，本實(shí)用新型的承載座所提供的導(dǎo)電手段至少包括第一與第二導(dǎo)電手段，第一導(dǎo)電手段接觸封裝芯片的下表面或封裝芯片的金屬接點(diǎn)，且第二導(dǎo)電手段設(shè)置于未接觸于封裝芯片的承載座處，而第二導(dǎo)電手段與第一導(dǎo)電手段間具有一導(dǎo)電路徑。圖5為本實(shí)用新型的承載座另一實(shí)施例的剖面示意圖。與圖4不同之處在于，承載座60包括第一部分(或稱上座)602與第二部分604 (或稱下座)，其中第一部分602與第二部分604可相對移動，例如現(xiàn)今插座的上蓋與底座的設(shè)計(jì)，其可以是彼此平行移動或掀蓋式移動，但本實(shí)用新型不限于上述。其次，圖3中所示的金屬件或是圖4中所示的層板、信號處理元件或信號處理電路或是主/被動信號處理元件或是金屬結(jié)構(gòu)至少設(shè)置于第一部分602，因此，上述的接觸傳導(dǎo)手段至少設(shè)置于第一部分602，故于此實(shí)施例中，導(dǎo)熱手段或是導(dǎo)電手段至少設(shè)置于第一部分602，于圖3或圖4中所形成的運(yùn)行路徑皆可適用于此實(shí)施例中，于此不再贅述。又，封裝芯片10產(chǎn)生的熱，亦能經(jīng)過封裝芯片10的金屬接點(diǎn) 107、金屬導(dǎo)件15直接到達(dá)系統(tǒng)板30后，由系統(tǒng)板30傳導(dǎo)到與系統(tǒng)板30接觸的金屬結(jié)構(gòu) 421，如此亦可達(dá)到本實(shí)用新型提供散熱的目的。[0059]圖6為本實(shí)用新型承載座另一實(shí)施例的側(cè)面示意圖。承載座70包括第一部分702 與第二部分704，并藉由凸輪結(jié)合件721使第一部分702與第二部分704進(jìn)行相對移動。上述的圖3、4或5的承載座形式皆可應(yīng)用于本實(shí)施例中，此時(shí)上述導(dǎo)熱/金屬結(jié)構(gòu)即為此實(shí)施例中的凸輪結(jié)合件721與卡扣件722。其次，目前承載座于中間開槽的設(shè)計(jì)仍可保留，亦可于第一部分702與第二部分704不開槽以增加電路設(shè)計(jì)的彈性。再者，于圖3、4或5中所形成的接觸傳導(dǎo)手段皆可適用于此實(shí)施例中，于此不再贅述。圖7為圖6中的承載座的分解示意圖，圖8則為圖6中的承載座的一剖面示意圖。 根據(jù)圖6的說明并參照圖7，本實(shí)施例中的多個(gè)卡扣件722于組裝承載座70前，與第一部分 702(亦可稱為上蓋)與第二部分704(亦可稱為底座)分離為個(gè)別的元件，任一卡扣件722 可利用導(dǎo)電/導(dǎo)熱材料形成的錫球7M與下方的系統(tǒng)板(圖上未繪)形成信號連接，如此的承載座70可提供一經(jīng)過第一部分702、卡扣件722以及錫球7M的接觸傳導(dǎo)路徑，作為引導(dǎo)出封裝芯片的物理信號之用。故，封裝芯片產(chǎn)生的熱可以透過第一部分702傳導(dǎo)至卡扣件722，并經(jīng)過錫球7M后傳至系統(tǒng)板，或是封裝芯片產(chǎn)生的熱透過導(dǎo)電的金屬導(dǎo)件傳送至系統(tǒng)板后，由系統(tǒng)板透過錫球7M后傳至卡扣件722，一樣可達(dá)到本實(shí)用新型提供多傳導(dǎo)路徑的目的。圖9為本實(shí)用新型承載座另一實(shí)施例的分解示意圖。參照圖9，由上而下依序?yàn)榘ɡ鋮s風(fēng)扇121以及散熱鰭片122的散熱裝置12、封裝芯片100、包括上蓋802以及底座 804的承載座80以及系統(tǒng)板301，其中上蓋802以單層或多層的印刷電路板的層板形成，底座804則為一塑料座體，但本實(shí)用新型不限于上述，亦可以兩者分別以單層或多層的印刷電路板的層板形成。其次，上蓋802以及底座804利用卡扣件822扣合成為一體，以及凸輪結(jié)合件821用以使上蓋802以及底座804相對移動。再者，因本實(shí)施例中上蓋802以單層或多層的印刷電路板的層板形成，故一信號或保護(hù)處理元件823，例如一光學(xué)元件、電磁干擾(EMI)保護(hù)元件或是一靜電放電(ESD)保護(hù)元件等，可以設(shè)置于上蓋802上或中的適當(dāng)位置，例如本例設(shè)置于凸輪結(jié)合件821的兩側(cè)，但本實(shí)用新型不限于此一位置以及數(shù)量。其次，信號處理元件823可整合于單層或多層印刷電路板以形成上蓋802 ；信號處理元件823 亦可藉由上蓋802與封裝芯片100及/或系統(tǒng)板301信號連接，但本實(shí)用新型不限于上述方式設(shè)置及信號連接信號處理元件823。在本實(shí)用新型以部分實(shí)施例的方式討論之時(shí)，應(yīng)可了解本實(shí)用新型并非如此受限。此處的實(shí)施例是由實(shí)例進(jìn)行解釋，而在本實(shí)用新型的范圍之內(nèi)還有許多的修改、變化或是其它實(shí)施例，可增加、移除、及/或重組元件。此外，亦可增加、移除、或是重新排序處理步驟。許多不同的設(shè)計(jì)及方式亦為可行。
權(quán)利要求1.一種承載座，用以承載一封裝芯片，該封裝芯片包括上表面、下表面、以及設(shè)于該下表面的多個(gè)金屬接點(diǎn)，其特征在于，用以收容該些金屬接點(diǎn)的該承載座至少包括上座，提供接觸傳導(dǎo)手段；以及信號連接于該些金屬接點(diǎn)的多個(gè)金屬導(dǎo)件；其中，當(dāng)該封裝芯片工作時(shí)，除該些金屬導(dǎo)件用以提供該封裝芯片的第一運(yùn)行路徑之外，該上座的該接觸傳導(dǎo)手段用以形成第二運(yùn)行路徑于該承載座中，藉以引導(dǎo)由該封裝芯片所產(chǎn)生的物理信號至該封裝芯片的外界。
2.如權(quán)利要求1所述的承載座，其特征在于，該接觸傳導(dǎo)手段接觸該封裝芯片的該下表面，或是該上表面及該下表面之間的一側(cè)壁，或是該封裝芯片的該些金屬接點(diǎn)中的至少一金屬接點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的承載座，其特征在于，該接觸傳導(dǎo)手段包括鋁質(zhì)基板、金屬層、 金屬導(dǎo)熱環(huán)、金屬抓勾、金屬驅(qū)動構(gòu)造或金屬卡扣結(jié)構(gòu)或是包括具有至少一金屬層的層板。
4.如權(quán)利要求3所述的承載座，其特征在于，還包括設(shè)置于該層板中或該層板表面的金屬線、金屬墊、金屬孔、金屬端子、金屬結(jié)合結(jié)構(gòu)、金屬卡扣結(jié)構(gòu)、金屬驅(qū)動結(jié)構(gòu)或錫球。
5.如權(quán)利要求4所述的承載座，其特征在于，該金屬線、該金屬墊、該金屬孔、該金屬端子、該金屬結(jié)合結(jié)構(gòu)、該金屬卡扣結(jié)構(gòu)、該金屬驅(qū)動結(jié)構(gòu)或該錫球信號連接該些金屬接點(diǎn)中的至少一信號接點(diǎn)、接地接點(diǎn)或是電源接點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1或是2所述的承載座，其特征在于，該接觸傳導(dǎo)手段為導(dǎo)熱手段或是導(dǎo)電手段。
7.如權(quán)利要求6所述的承載座，其特征在于，該導(dǎo)熱手段至少包括第一導(dǎo)熱手段與第二導(dǎo)熱手段，該導(dǎo)電手段至少包括第一導(dǎo)電手段與第二導(dǎo)電手段，其中該第一導(dǎo)熱手段或是該第一導(dǎo)電手段接觸該封裝芯片的該下表面、或接觸該封裝芯片的該些金屬接點(diǎn)，而該第二導(dǎo)熱手段或是該第二導(dǎo)電手段設(shè)置于未接觸于該封裝芯片的承載座處。
8.如權(quán)利要求7所述的承載座，其特征在于，該第二導(dǎo)熱手段與該第一導(dǎo)熱手段間具有第一導(dǎo)熱路徑，及/或該第二導(dǎo)熱手段與一外部散熱手段間具有第二導(dǎo)熱路徑。
9.如權(quán)利要求6所述的承載座，其特征在于，還包括信號連接于該導(dǎo)電手段的至少一信號處理元件或信號處理電路。
10.如權(quán)利要求9所述的承載座，其特征在于，該至少一信號處理元件或信號處理電路為電容元件或是電容結(jié)構(gòu)、電感元件或是電感結(jié)構(gòu)、光學(xué)元件或是光學(xué)結(jié)構(gòu)、電磁干擾保護(hù)元件或是靜電放電保護(hù)元件、或是主/被動信號處理元件或是主/被動信號處理結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求1所述的承載座，其特征在于，該封裝芯片為CPU封裝芯片，或需高速運(yùn)轉(zhuǎn)的單一封裝芯片。
12.如權(quán)利要求1所述的承載座，其特征在于，該封裝芯片內(nèi)部于接近該接觸傳導(dǎo)手段的該下表面，設(shè)有加速接觸傳導(dǎo)手段。
13.如權(quán)利要求12所述的承載座，其特征在于，該加速接觸傳導(dǎo)手段為加速導(dǎo)熱或?qū)щ姷慕饘賯鲗?dǎo)結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求1所述的承載座，其特征在于，還包括收容該些金屬導(dǎo)件的下座，且該上座與該下座可相對移動。
15.如權(quán)利要求14所述的承載座，其特征在于，該上座與該下座中的至少任一包括金屬件或是具有至少一金屬層的層板。
16.如權(quán)利要求15所述的承載座，其特征在于，該金屬件或是該金屬層信號連接該些金屬接點(diǎn)中的至少一信號接點(diǎn)、接地接點(diǎn)或是電源接點(diǎn)。
17.如權(quán)利要求1所述的承載座，其特征在于，還包括信號連接于該承載座的系統(tǒng)板。
18.如權(quán)利要求17所述的承載座，其特征在于，該系統(tǒng)板設(shè)置于該承載座的下方，以與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。
19.如權(quán)利要求17所述的承載座，其特征在于，該承載座設(shè)置于該系統(tǒng)板中，以與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。
20.如權(quán)利要求17所述的承載座，其特征在于，該承載座中的至少部分結(jié)構(gòu)屬于該系統(tǒng)板的一部分，且該系統(tǒng)板與設(shè)置于該承載座上方的該封裝芯片進(jìn)行信號連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種封裝芯片的承載座，用以承載并提供接觸傳導(dǎo)手段給封裝芯片。該承載座的上座的接觸傳導(dǎo)手段可形成多個(gè)傳導(dǎo)路徑，于封裝芯片的內(nèi)部芯片工作時(shí)，承載座中形成的上述傳導(dǎo)路徑可加速將封裝芯片的內(nèi)部芯片的物理信號傳出封裝芯片，而不限于由封裝芯片的單一表面?zhèn)鬟f。
文檔編號H01L23/367GK202134523SQ201020576390
公開日2012年2月1日 申請日期2010年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者蘇家慶, 蔡周賢 申請人:機(jī)智創(chuàng)新股份有限公司