專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器(organic electroluminescentdisplay)的制造方法(以下簡稱OELD)，在不影響一設(shè)備的其它部分的情況下通過對該設(shè)備的一鈍化層(passivation layer)施以激光退火(1aser annealing)，而能增進(jìn)設(shè)備的特性及可靠性。
背景技術(shù)：
由于信息通信技術(shù)的大幅進(jìn)步，對電子顯示裝置的需求隨著信息社會的多元化大大地增加，從而對各種顯示器的需求也一樣不斷地增加。為了滿足信息社會對電子顯示設(shè)備高分辨率、大尺寸、低成本、高性能、薄小化、以及小型化等的特性的要求，新型的平板顯示器(flatpanel display；FPD)已被開發(fā)來替代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器(CRT)。
在目前己開發(fā)或使用中的平板顯示器中，有液晶顯示器(LCD)、發(fā)光二極管顯示器(LED)、等離子平板顯示器(Plasma Display Panel；PDP)、真空熒光顯示器(Vacuum Fluorescence Display；VFD)、電致發(fā)光顯示器(ELD)等等。
與光接收裝置相比較，于例如為液晶顯示器之類的，電致發(fā)光顯示器作為比諸如液晶顯示器之類的非發(fā)射性裝置具有諸如較快反應(yīng)速度之類的特性的平面顯示器吸引了人們注意，由于其自行發(fā)光的特性使得電致發(fā)光顯示器具有絕佳的亮度，由于其結(jié)構(gòu)簡單而易于制造，而且設(shè)計(jì)上亦是既輕且薄。電致發(fā)光顯示器被應(yīng)用到新一代的平板顯示器(flat panel display；FPD)作為下一代的替代品。由于用于場發(fā)光層(field luminescent layers)的材料的不同，電致發(fā)光顯示器通常可劃分為兩類，即有機(jī)電致發(fā)光顯示器(后面簡稱OELD)，以及無機(jī)電致發(fā)光雜顯示器(inorganic electroluminescent display；后面簡稱IELD。
在上述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器中，一透明導(dǎo)電陽極層、一空穴注入層、一空穴輸送層，以及一有機(jī)電致發(fā)光層、一電子輸送層以及一陰極層依序堆疊在由玻璃或石英等形成的一透明基板上。在這種情況下，所構(gòu)成該有機(jī)電致發(fā)光層的有機(jī)材料很容易受氧化或濕氣或由于雜質(zhì)的污染所影響，從而需要一氣密的鈍化層(passivation layer)。具體地來說，該陰極層由一具有低逸出功(work function)的金屬所形成，用以降低驅(qū)動電壓并達(dá)到有效的電子注入(electron injection)。這樣的金屬對于外界的氧氣及濕氣非常敏感。也就是說，會由于構(gòu)成該陰極層的金屬被氧化而使得有機(jī)電致發(fā)光顯示器的發(fā)光特性，例如發(fā)光亮度及發(fā)光均勻性等特性嚴(yán)重劣化，進(jìn)而縮短有機(jī)電致發(fā)光顯示器的壽命。
另外，當(dāng)陰極層的金屬表面存在有缺陷例如微孔等時(shí)，氧氣、濕氣等會經(jīng)這些微孔滲透進(jìn)該有機(jī)電致發(fā)光層，使該有機(jī)電致發(fā)光層劣化，因此使設(shè)備特性急速地劣化。為了確保有機(jī)電致發(fā)光顯示器的可靠性，該有機(jī)電致發(fā)光層以及該陰電極層中的微孔應(yīng)該與外界空氣隔絕，以避免劣化。
用于使有機(jī)電致發(fā)光顯示器的該有機(jī)電致發(fā)光層與外界環(huán)境隔離的方法之一，是使用一金屬蓋。
圖1圖示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的使用一金屬蓋的OELD的橫截面圖。
參照圖1，一種使用金屬蓋20的有機(jī)電致發(fā)光顯示器10是以這樣的一種方式制成的，由透明導(dǎo)電材料所形成的一陽電極層12堆疊在一透明基板11上。并且，在該陽電極層12上依序堆疊一空穴注入層13、一空穴輸送層14、一有機(jī)電致發(fā)光層15、一電子輸送層17以及一陰電極層18。堆疊于該透明基板11上的該陽電極層12、空穴注入層13、空穴輸送層14、有機(jī)電致發(fā)光層15、電子輸送層17以及陰電極層18用一金屬蓋20密封，其中該金屬蓋20有一干燥劑19于中央內(nèi)側(cè)。
在具有上述結(jié)構(gòu)的金屬蓋20的有機(jī)電致發(fā)光顯示器10中，當(dāng)在該陽電極層12與該陰電極層18之間施加一電壓時(shí)，空穴會經(jīng)過該空穴注入層13以及該空穴輸送層14注入該有機(jī)電致發(fā)光層15中，而電子則經(jīng)過該電子輸送層17注入到該有機(jī)電致發(fā)光層15。因此，當(dāng)這些空穴以及電子彼此結(jié)合時(shí)，該有機(jī)電致發(fā)光層15發(fā)光。在這種情況下，該空穴注入層13、該空穴輸送層14以及電子輸送層17對增加該有機(jī)電致發(fā)光顯示器10的發(fā)光效率方面起著輔助性的作用。
不幸的是，在現(xiàn)有技術(shù)中，該具有干燥劑的金屬蓋與該陰電極表面并未接觸。當(dāng)鈍化層無法保證通過金屬蓋100％密封時(shí)，該有機(jī)電致發(fā)光層以及該陰電極層即會與氧氣及濕氣接觸，從而導(dǎo)致劣化發(fā)生。因此，單靠部分存在的該干燥劑，很難對該設(shè)備達(dá)到完全的保護(hù)。而且，將該干燥劑以及該金屬蓋附著到該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的步驟亦非常復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
據(jù)此，本發(fā)明提出一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，以克服由于現(xiàn)有技術(shù)的限制與不利之處所產(chǎn)生的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法(以下簡稱OELD)，通過避免有機(jī)電致發(fā)光層及陰電極層與氧氣及濕氣等相接觸，而能增進(jìn)設(shè)備特性以及可靠性。
本發(fā)明的其它特征及優(yōu)點(diǎn)，將在接下來的說明中進(jìn)行闡明，其中部分會在說明中顯而易見，或在本發(fā)明的實(shí)例中可被獲悉。而本發(fā)明的目的及其它優(yōu)點(diǎn)將由本發(fā)明的文字說明及其權(quán)利要求書以及附圖所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和達(dá)到。
為了達(dá)到這些及其它優(yōu)點(diǎn)并與所體現(xiàn)及概括說明的本發(fā)明的目的一致，根據(jù)本發(fā)明的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的實(shí)施例包括下列步驟依序形成一陽電極層、一有機(jī)電致發(fā)光層以及一陰電極層在一透明基板上；形成一鈍化層在包括有該陰電極層的該透明基板上；以及在該鈍化層上局部地實(shí)施一熱處理。
將要明白的是，上述的總體說明以及接下來的詳細(xì)說明皆是示范與解釋且是用以對所要求保護(hù)的發(fā)明做進(jìn)一步的解釋。


所包括的附圖是為了提供對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，其被結(jié)合于說明書中并形成該說明書中的一部分。這些附示出本發(fā)明的實(shí)施例，且與文字描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。所述附圖包括圖1圖示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的使用一金屬蓋的OELD的截面圖。
圖2圖示出根據(jù)本發(fā)明的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖。
圖3A-3C圖示出制作根據(jù)本發(fā)明的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖。
圖4A和圖4B圖示出用于氮化硅層的化學(xué)鍵圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的較佳實(shí)施例將以附圖中的實(shí)例加以詳細(xì)說明作為參考。整個說明書中相同的設(shè)備可能會以同樣的標(biāo)號來標(biāo)示說明。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖。
參照圖2，根據(jù)本發(fā)明的具有薄鈍化層的一有機(jī)電致發(fā)光顯示器100是由下述方式制作的，一陽極層112、一空穴注入層113、一空穴輸送層114、一有機(jī)電致發(fā)光層115、一電子輸送層117，以及一陰極層118依序堆疊在一透明基板111上。并且根據(jù)本發(fā)明的該有機(jī)電致發(fā)光顯示器100還包括一堆疊在該陰極層118上的薄鈍化層130，該薄鈍化層由硅基絕緣材料所組成，用以隔絕氧氣、濕氣等。
圖3A-3C圖示出制作根據(jù)本發(fā)明的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖。
參考圖3A，將多個陽極層112形成于一透明基板111上。在本這種情況下，該透明基板111可由玻璃、石英玻璃、透明塑膠等的材料之一構(gòu)成。
優(yōu)選地，該陽極層112可通過化學(xué)氣相沉積法、濺射法、真空沉積法、及電子束法中之一沉積而成，并且利用一照相平板印刷技術(shù)(photolithorgaphy)加以圖案化。而且，該陽極層的厚度可在100至10,000埃，并且最好100至3000埃厚。該陽極層112對可見光的透射率最好接近100％。且透射率的至少30％是可接收的。
優(yōu)選地，該陽極層112由金屬、合金、導(dǎo)電化合物及它們的混合物中之一所形成，其逸出功(work function)至少為4.0eV。例如，該陽極層112可為氧化銦錫(ITO)、摻雜銦的氧化鋅(indium-dopedzinc oxide，IXO)、氧化錫(TO)、錫、金、鉑、鈀及它們的混合物中之一所構(gòu)成的單層或雙層結(jié)構(gòu)。
在該陽極層112上，依序堆疊一些有機(jī)材料層一空穴注入層113、一空穴輸送層114、一有機(jī)電致發(fā)光層115、以及一電子輸送層117。
當(dāng)該有機(jī)材料層由小分子有機(jī)材料時(shí)，該空穴注入層113、該空穴輸送層114、該有機(jī)電致發(fā)光層115及該電子輸送層117的厚度分別為200～600埃、200～600埃、400～500埃、以及約600埃。
該空穴注入層113由具有星爆發(fā)型(star-burst type)分子的有機(jī)材料所形成，例如，金屬酞菁(metal-lophthalocyanine)、非金屬酞菁(non-metal-phthalocyanine)、4，4’，4”-三(二對甲基苯氨基)三苯胺(4，4’，4”-tris(di-p-methylphenylamino)triphenylamine)或類似物。當(dāng)施加一外加電場時(shí)，該空穴注入層113將陽極層112的空穴注入到該空穴輸送層114中。
該空穴輸送層114則是由諸如N’，N’-二苯基-N’，N’-(4-甲基苯基)-1，1’-聯(lián)苯基4，4’-二胺(N’，N’-diphenyl-N’，N’-(4-methylphenyl)-1，1’-biphenyl4，4’-diamine)，以及4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯氨基]-聯(lián)苯(4，4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)其中的一種有機(jī)材料所形成。并且該空穴輸送層114通過該電場，將所注入的空穴傳輸?shù)皆撚袡C(jī)電致發(fā)光層115。
該有機(jī)電致發(fā)光層115則是由諸如三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)(tris(4-methyl-8-hydroxquinoline)aluminum)、3-(2’-苯并噻唑基)-7--N，N-二乙氨基香豆素(3-(2’-benzthiazolyl)-7-N，N-diethylaminocoumarine)、9，18-二羥基苯并[h]苯并[8]喹啉并[2，3-b]acrydyne-7，16-二酮(9，18-dihydroxybenzo[h]benzo[8]quino[2，3-b]acrydyne-7，16-dione)、4、4’-二(2，2’-二苯基-乙烯-4-基)-聯(lián)苯(4、4’-bis(2，2’-diphenyl-ethene-4-yl)-diphenyl)、亞苯(phenylene)之類的有機(jī)材料所形成。該有機(jī)電致發(fā)光層115由于在來自于該空穴輸送層114的空穴與來自于該電子輸送層117的電子的重新結(jié)合產(chǎn)生光發(fā)射。
該電子輸送層117是由諸如三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum)、三(8-羥基喹啉)鎵(tris(8-hydroxyquinoline)gallium)、1，3-二(5-(對叔buphyl苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基)-苯(1，3-bis[5-(p-tertiary-buphylphenyl)-1，3，4-oxadiasole-2-yl]benzen)之類的有機(jī)材料所形成。并且，當(dāng)施加一外加電場時(shí)，該電子輸送層117將從該陰極層118所注入的電子傳送到該有機(jī)電致發(fā)光層115。
至此，說明了重量輕的分子有機(jī)材料。
在利用聚合物(高分子)材料的電致發(fā)光設(shè)備，所堆疊的有機(jī)材料層結(jié)構(gòu)中具有一緩沖層(buffer layer)例如PEDOT、PSS或類似物，以及一發(fā)光層，例如聚苯乙烯基(poly(phenylvinylene))的衍生物、PPV或類似物，其可利用旋涂法(spin-coating)、浸漬法(dipping)或沉積法等來形成。在此情況下，該緩沖層以及該有機(jī)電致發(fā)光層被形成的厚度分別為200～900埃以及200～900埃。
該陰極層118由逸出功低于4.0eV的金屬所形成，例如由鎂、鋁、銦、鋰、鈉、鈉、銀，構(gòu)成單層或雙層結(jié)構(gòu)，或?yàn)槎叩幕旌蠈?。并且該陰極層118被形成為100至10,000埃，較佳厚度為100至3,000埃，可利用濺鍍法、真空沉積法、電子束法或化學(xué)氣相沉積(CVD)法形成。
為了增加電子注入效率，在該陰極層118以及該電子輸送層117之間可形成一厚度為1至100埃的氟化鋰、氟化銫、氧化鋰(Li2O)或鋰鋁合金或類似物。
參考圖3B，一鈍化層130堆疊于包括有該陰極層118的該透明基板111上。該鈍化層130由選用SiO2、SiOxNy、Si3N4、以及SiNx中之一的至少一層所構(gòu)成，其厚度d1為100至50,000埃，較佳厚度為100至3000埃。因此，該鈍化層130由一硅基絕緣材料所形成，用以防止該有機(jī)電致發(fā)光層以及該陰極層被氧氣、濕氣等滲透而劣化。該鈍化層130可通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)、濺鍍法、真空沉積法或電子束法來形成。
當(dāng)該鈍化層130由利用化學(xué)氣相沉積法所形成的硅基絕緣材料所形成時(shí)，其形成溫度為25 to 300℃，使用惰性氣體做為載體氣體，且SiNx是使用SiH4、NH3以及氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，SiNO是使用SiH4、N2O、NH3以及氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，SiO2是使用SiH4和氧氣作為反應(yīng)氣體。
當(dāng)該鈍化層130利用濺鍍法由硅基絕緣材料形成時(shí)，其形成溫度為25 to 300℃，使用惰性氣體做為載體氣體，并且SiNx、SiNO和SiO2分別使用SiNx、SiNO和SiO2的靶材。
另外，一硅基絕緣無機(jī)材料、一樹脂層以及一硅基無機(jī)材料層依序沉積，以形成該鈍化層130?？蛇x地，該鈍化層130由一樹脂層、一硅基絕緣無機(jī)材料以及一樹脂層依序堆疊而形成。
參考圖3C，熱處理因鈍化層130的缺陷而被實(shí)施。由于該鈍化層130并非以熱成長方式長成，而是由化學(xué)氣相沉積或?yàn)R鍍法堆疊而成，所以在硅原子和氧/氮原子之間有多個不完整(incomplete)的結(jié)合產(chǎn)生。這樣的原子間不完整的鍵產(chǎn)生多個松散的鍵及孔洞，因而造成該鈍化層130的缺陷。換句話說，這種在鈍化層處的缺陷提供了氧氣及濕氣所通過的路徑。因此，這種缺陷應(yīng)通過結(jié)晶化而加以消除。
用以去除硅基化學(xué)合成物的所沉積鈍化層130的缺陷的熱處理溫度為700到1100℃。這樣的溫度己足以對包括有機(jī)電致發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的其它元件造成致命的影響。因此，本發(fā)明乃利用準(zhǔn)分子激光(excimer laser)來進(jìn)行局部的熱處理。
在此種情況下，是利用一種氬(Ar2)、氪(Kr2)、氙(Xe2)、氟化氬(ArF)、氟化氪(KrF)、氯化氙(XeCl)、或氟(F2)的準(zhǔn)分子激光來進(jìn)行熱處理。表一說明各準(zhǔn)分子激光的放電波長，其中準(zhǔn)分子激光的退火功率為10～2000mJ/cm2，環(huán)境溫度為25～300℃，且該退火時(shí)間為數(shù)分鐘。而且，對該鈍化層130進(jìn)行退火的瞬間溫度為一能實(shí)現(xiàn)晶格化(去除缺陷)的溫度。該退火至少實(shí)施一次。
因此，對鈍化層130的表面退火使得形成一厚度d2介于10至10000埃之間的高密度均勻?qū)?31，優(yōu)選地為100至2000埃。該高密度均勻?qū)?31具有由構(gòu)成該鈍化層130的硅基絕緣退火處理后的硅有氧(或氮)的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而該高密度均勻?qū)?31中的氫含量減少從而減少了其多孔性。因此，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)以及減少了的氫含量使該有機(jī)電致發(fā)光層115以及該陰極層118免除因外部環(huán)境中氧氣及濕氣的滲透所造成的劣化現(xiàn)象。
對鈍化層130的表面進(jìn)行退火處理所用的準(zhǔn)分子激光的種類及波長如表一中所示，其中該退火處理可至少被實(shí)施一次。
表一


另外，為了避免由設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的材料釋放出氣體所造成的劣化，可在該陰極層118與該鈍化層130之間插入干燥性及吸附性優(yōu)良的一金屬氧化物層(未示出)，例如氧化鈣、氧化釔、氧化鎂或類似物，以做為一干燥劑層。該金屬氧化物層的厚度為100～50,000埃，較佳厚度為200～10,000埃。
然后，利用玻璃、AS樹酯、ABS樹酯、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(HIPS)、聚甲基丙烯甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、金屬等以組裝/密封方式在該透明基板111上可形成一外部鈍化蓋，用以強(qiáng)化該鈍化層130的機(jī)械強(qiáng)度。
圖4A和圖4B圖示出用于硅氮層的化學(xué)鍵圖。
如圖4A所示，由硅基絕緣材料形成的鈍化層130并非以熱成長方式長成，而是利用化學(xué)氣相沉積(CVD)法或是濺鍍法或真空沉積法堆疊形成。因此，硅及氮原子無法完成它們的化學(xué)鍵合，從而產(chǎn)生多個未彼此鍵結(jié)的鍵140。因此，該鈍化層130的性質(zhì)130變得具有多孔性。而且，該鍵140會與氫原子開始形成化學(xué)鍵結(jié)使得該鈍化層130中的氫含量增加。鈍化層的裸露的鍵140和孔隙造成氧氣及濕氣的滲透。
參考圖4B，利用準(zhǔn)分子激光對該鈍化層130進(jìn)行退火。該鈍化層130急劇地結(jié)晶，使得該裸露的鍵與氫原子之間斷開化學(xué)鍵，并且在硅原子與氮原子間產(chǎn)生新的化學(xué)鍵141。因此，該裸露的鍵140的去除減少了該鈍化層130的多孔性也降低了氫含量。因此，該均勻的鈍化層130能夠達(dá)到限制氧氣及水氧的滲透的目的。
據(jù)此，提供有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)及減少了的氫含量的本發(fā)明通過對硅與氮/氧形成的鈍化層的局部地進(jìn)行退火處理，能防止有機(jī)電致發(fā)光層以及陰極層因外部濕氣與氧氣滲透所造成的劣化現(xiàn)象，而不會影響到其它的元件。
另外，考慮到現(xiàn)有技術(shù)利用化學(xué)氣相沉積至少需2到5小時(shí)才能形成一能夠隔絕外部氧氣及濕氣的層。本發(fā)明利用激光退火處理僅需要短短數(shù)分鐘，從而能夠大幅減少處理時(shí)間。
前述實(shí)施例僅用以舉例說明而非用以限制本發(fā)明的范圍，而所啟示的內(nèi)容亦可運(yùn)用在其它形式的裝置上，熟習(xí)該項(xiàng)技術(shù)者在不脫離本發(fā)明的精神下會做出許多替換、修改與變更；故凡依本發(fā)明權(quán)利要求書所作的對等變化與變更，皆為本發(fā)明保護(hù)范圍所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，包含下列步驟依序形成一陽極層、一有機(jī)電致發(fā)光層以及一陰極層于一透明基板上；形成一鈍化層于包括有該陰極層的該透明基板上；在鈍化層上進(jìn)行局部的熱處理。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述陽極層與所述有機(jī)電致發(fā)光層之間還插入有一空穴注入層以及一空穴輸送層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述有機(jī)電致發(fā)光層與所述陰極層之間還插入有一電子輸送層。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述陰極層與所述鈍化層之間還插入有一干燥劑層。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述干燥劑層是選用氧化鈣、氧化釔及氧化鎂中之一形成的。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中該鈍化層由一種硅基絕緣層所構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述鈍化層是選用SiOx、SiNO以及SiNy中之一所形成的單一層，或選用SiOx、SiNO以及SiNy中的至少兩個所形成的至少雙層。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述熱處理是利用一準(zhǔn)分子激光來實(shí)施。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述準(zhǔn)分子激光的退火功率為10～2000mJ/cm2，環(huán)境溫度為25～300℃，并且所述熱處理實(shí)施數(shù)分鐘。
10.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述準(zhǔn)分子激光是使用Ar2、Kr2、Xe2、ArF、KrF、XeCl或F2的激光中之一。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述鈍化層是由一第一硅基無機(jī)材料層、一樹脂層以及一第二硅基無機(jī)材料層堆疊而成。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述鈍化層是由一第一樹脂層、一硅基無機(jī)材料層以及一第二樹脂層堆疊而成。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中在該鈍化層上以組裝/密封方式還形成有一外部鈍化蓋。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，其中所述外部鈍化蓋是用玻璃、丙烯腈苯乙烯共聚(AS)樹脂、丙烯腈丁二烯苯乙烯共聚(ABS)樹脂、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(HIPS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯以及金屬中之一形成。
全文摘要
本發(fā)明公開一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法，它能夠通過在鈍化層上進(jìn)行局部地激光退火而實(shí)現(xiàn)提高設(shè)備的特性和可靠性的目的。本發(fā)明包括依序形成在一透明基板上的一陽極層、一有機(jī)電致發(fā)光層以及一陰極層，在包括該陰極層的透明基板上形成一鈍化層，而且在鈍化層上進(jìn)行局部的熱處理。
文檔編號H01L51/50GK1516988SQ02812083
公開日2004年7月28日 申請日期2002年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月16日
發(fā)明者崔道鉉, 崔京姬 申請人:Cld株式會社