專利名稱：蝕刻設(shè)備及其芯片匣的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種蝕刻設(shè)備，特別是涉及一種能增進(jìn)蝕刻效率的蝕刻設(shè)備。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的濕蝕刻制作工藝的蝕刻設(shè)備中，多個晶片收納于芯片匣中，由芯片匣中 的晶片夾持部所夾持，并浸泡在蝕刻槽內(nèi)的蝕刻液中以進(jìn)行蝕刻。為了同時能處理大量的 晶片，芯片匣中晶片彼此之間的間距極小。然而，當(dāng)晶片被浸泡在蝕刻液中以進(jìn)行蝕刻時， 蝕刻液的流場分布不均會造成晶片蝕刻效果的不一致。特別是晶片的邊緣部分蝕刻效果 差，造成外圍蝕刻殘留(Under etch)的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種蝕刻設(shè)備及其芯片匣，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的，即提供的一種蝕刻設(shè)備，用以利用一蝕刻液體 對多個晶片進(jìn)行蝕刻。該蝕刻設(shè)備包括一芯片匣以及一槽體。芯片匣包括多個晶片夾持 部，其中，該多個晶片分別由該多個晶片夾持部所夾持，每相鄰的該多個晶片夾持部之間均 維持有一間距。槽體包括一槽體本體、多個流體出口、至少一流體入口以及一循環(huán)管路，其 中，該蝕刻液體從該流體出口流出，直接取道該多個間距流經(jīng)該槽體本體，經(jīng)過該流體入口 進(jìn)入該循環(huán)管路，再從該多個流體出口流出。本實用新型還提供一種芯片匣，用以夾持多個晶片以進(jìn)行蝕刻。該芯片匣包括多 個晶片夾持部，其中，該多個晶片分別由該多個晶片夾持部所夾持，每相鄰的該多個晶片夾 持部之間均維持有一間距，其中，該間距介于1. 0 1. 5厘米之間。本實用新型的優(yōu)點在于，應(yīng)用本實用新型的實施例，可維持槽體中蝕刻液體的流 場穩(wěn)定，避免渦流產(chǎn)生，并提供均勻的蝕刻效果，避免外圍蝕刻殘留(Under etch)產(chǎn)生。

圖1是顯示本實用新型第一實施例的蝕刻設(shè)備；以及圖2是顯示本實用新型第二實施例的蝕刻設(shè)備。主要元件符號說明10 蝕刻液體20 晶片100、100， 蝕刻設(shè)備110,110' 芯片匣111 晶片夾持部120 槽體121 槽體本體[0017]122 流體出口123 流體入口124 循環(huán)管路125循環(huán)泵
具體實施方式
參照圖1，其是顯示本實用新型第一實施例的蝕刻設(shè)備100，用以利用一蝕刻液體 10對多個晶片20進(jìn)行蝕刻。蝕刻設(shè)備100包括一芯片匣110以及一槽體120。芯片匣110 包括多個晶片夾持部111，其中，該多個晶片20分別由該多個晶片夾持部111所夾持。每個 晶片夾持部111具有一夾持間隙W，晶片20插入于夾持間隙W之中，而由圓夾持部111所 夾持。每相鄰的該多個晶片夾持部111之間均維持有一間距G1，間距Gl大于夾持間隙W。 槽體120包括一槽體本體121、多個流體出口 122、流體入口 123、循環(huán)管路124以及循環(huán)泵 125。該蝕刻液體10從該流體出口 122流出，直接取道該多個間距Gl流經(jīng)該槽體本體121， 經(jīng)過該流體入口 123進(jìn)入該循環(huán)管路124，由循環(huán)泵125帶動，再從該多個流體出口 122流 出ο在上述實施例中，由于每一流體出口 122分別正對該間距G1，間距Gl大于夾持 間隙W。因此蝕刻液體10直接取道該多個間距Gl流經(jīng)該槽體本體12，因而可維持槽體 120中蝕刻液體10的流場穩(wěn)定，避免渦流產(chǎn)生，并提供均勻的蝕刻效果，避免外圍蝕刻殘留 (Under etch)產(chǎn)生。在此實施例中，該間距Gl介于1. 0 1. 5厘米之間，通過調(diào)整間距Gl， 可使蝕刻液體10順暢的在該多個晶片之間流動，增進(jìn)蝕刻效率。該多個流體出口 122為圓 孔，其孔徑介于1.0 1.5厘米之間。且，該蝕刻液體10從該流體出口 122流出時具有一 出口流速，該出口流速約為350ml/s (毫升/秒)。參照圖2，其是顯示本實用新型第二實施例的蝕刻設(shè)備100’，用以利用一蝕刻液 體10對多個晶片20進(jìn)行蝕刻。該蝕刻設(shè)備100’包括一芯片匣110’以及一槽體120。芯 片匣110’包括多個晶片夾持部111，其中，該多個晶片20分別由該多個晶片夾持部111所 夾持。每個晶片夾持部111具有一夾持間隙W，晶片20插入于夾持間隙W之中，而由圓夾持 部111所夾持。每相鄰的該多個晶片夾持部111之間均維持有一間距G2，間距G2大于夾持 間隙W。槽體120包括一槽體本體121、多個流體出口 122、流體入口 123、循環(huán)管路124以 及循環(huán)泵125。該蝕刻液體10從該流體出口 122流出，取道該多個間距G2流經(jīng)該槽體本 體121，經(jīng)過該流體入口 123進(jìn)入該循環(huán)管路124，由循環(huán)泵125帶動，再從該多個流體出口 122流出。在本實用新型第二實施例中，由于每一流體出口 122分別正對該晶片夾持部111。 因此當(dāng)該蝕刻液體10從該流體出口 122流出后，會沿晶片的兩側(cè)向上流經(jīng)該多個間距G2。 同第一實施例，本實用新型第二實施例可維持槽體120中蝕刻液體10的流場穩(wěn)定，避免渦 流產(chǎn)生，并提供均勻的蝕刻效果，避免外圍蝕刻殘留(Under etch)產(chǎn)生。在此實施例中，該 間距G2介于1. 0 1. 5厘米之間，通過調(diào)整間距G2，可使蝕刻液體10順暢的在該多個晶片 之間流動，增進(jìn)蝕刻效率。該多個流體出口 122為圓孔，其孔徑介于1. 0 1. 5厘米之間。 且，該蝕刻液體10從該流體出口 122流出時具有一出口流速，在此實施例中，該出口流速約 為350ml/s (毫升/秒)。[0025]在上述實施例中，流體出口為圓形，然其并未限制本實用新型，在一變形例中，流 體出口也可以為其他形狀，例如方形。本實用新型也揭露一種芯片匣，用以夾持多個晶片以進(jìn)行蝕刻，包括多個晶片夾 持部。其中，該多個晶片分別由該多個晶片夾持部所夾持，每相鄰的該多個晶片夾持部之間 均維持有一間距，其中，該間距介于1. 0 1. 5厘米之間。應(yīng)用本實用新型的芯片匣，由于 每相鄰的該多個晶片夾持部之間均維持有充足的間距，因此可維持蝕刻液體的流場穩(wěn)定， 避免渦流產(chǎn)生，并提供均勻的蝕刻效果。
權(quán)利要求1.一種蝕刻設(shè)備，用以利用一蝕刻液體對多個晶片進(jìn)行蝕刻，其特征在于，該蝕刻設(shè)備 包括芯片匣以及槽體，該芯片匣包括多個晶片夾持部，其中，該多個晶片分別由該多個晶 片夾持部所夾持，每一晶片夾持部具有一夾持間隙，該多個晶片分別插入在該夾持間隙之 中，而由該圓夾持部所夾持，每相鄰的該多個晶片夾持部之間均維持有一間距，該間距大于 該夾持間隙；該槽體包括槽體本體、多個流體出口、至少一流體入口以及一循環(huán)管路，其中， 該蝕刻液體從該流體出口流出，直接取道該多個間距流經(jīng)該槽體本體，經(jīng)過該流體入口進(jìn) 入該循環(huán)管路，再從該多個流體出口流出。
2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，每一流體出口分別正對該間距。
3.如權(quán)利要求2所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該間距介于1.0 1. 5厘米之間。
4.如權(quán)利要求3所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該多個流體出口為圓孔，其孔徑介于 1. 0 1. 5厘米之間。
5.如權(quán)利要求4所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該蝕刻液體從該流體出口流出時具有 一出口流速，該出口流速為350毫升/秒。
6.如權(quán)利要求1所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，每一流體出口分別正對該晶片夾持部。
7.如權(quán)利要求6所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該間距介于1.0 1. 5厘米之間。
8.如權(quán)利要求7所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該多個流體出口為圓孔，其孔徑介于 1. 0 1. 5厘米之間。
9.如權(quán)利要求8所述的蝕刻設(shè)備，其特征在于，該蝕刻液體從該流體出口流出時具有 一出口流速，該出口流速為350毫升/秒。
10.一種芯片匣，用以夾持多個晶片以進(jìn)行蝕刻，其特征在于，該芯片匣包括多個晶 片夾持部，其中，該多個晶片分別由該多個晶片夾持部所夾持，每一晶片夾持部具有一夾持 間隙，該多個晶片分別插入在該夾持間隙之中，而由該圓夾持部所夾持，每相鄰的該多個晶 片夾持部之間均維持有一間距，其中，該間距大于該夾持間隙。
專利摘要本實用新型公開一種蝕刻設(shè)備及其芯片匣。該蝕刻設(shè)備用以利用一蝕刻液體對多個晶片進(jìn)行蝕刻。該蝕刻設(shè)備包括芯片匣以及槽體。芯片匣包括多個晶片夾持部，其中，該多個晶片分別由該多個晶片夾持部所夾持，每相鄰的該多個晶片夾持部之間均維持有一間距。槽體包括槽體本體、多個流體出口、至少一流體入口以及循環(huán)管路，其中，該蝕刻液體從該流體出口流出，直接取道該多個間距流經(jīng)該槽體本體，經(jīng)過該流體入口進(jìn)入該循環(huán)管路，再從該多個流體出口流出。
文檔編號H01L21/02GK201785493SQ20102025210
公開日2011年4月6日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者賴偉銘 申請人:精材科技股份有限公司