專利名稱：光半導(dǎo)體封裝材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體封裝材料。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及用于封裝發(fā)光元件例如 發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器的封裝件(package)，并涉及在點(diǎn)亮該發(fā)光元件時(shí)抑制封裝樹(shù) 脂溫度上升的片狀光半導(dǎo)體封裝材料、包含片狀成形體的光半導(dǎo)體封裝套件(kit)以及通 過(guò)用所述封裝材料或片材封裝得到的光半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
通常，使用藍(lán)色LED發(fā)白光的方法包括使用含有磷光體的樹(shù)脂涂布LED芯片的方 法、將含有磷光體的樹(shù)脂罐封至帽狀LED裝置中的方法、還有對(duì)含有磷光體的片狀樹(shù)脂層 進(jìn)行層壓接著進(jìn)行封裝的方法。
例如，專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種發(fā)光裝置，其中將半透明樹(shù)脂圍繞LED芯片封裝并固 化，然后使用含有熒光材料的樹(shù)脂將固化的半透明樹(shù)脂封裝。在這樣的裝置中，熒光材料在 LED芯片發(fā)光強(qiáng)度強(qiáng)的上表面方向中幾乎可以均勻分布，從而使其變得能夠阻止該發(fā)光元 件的發(fā)光顏色的顏色不均勻性并改進(jìn)歸因于熒光物質(zhì)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換效率。另外，降低了昂貴 的熒光材料的使用，這使得能夠?qū)崿F(xiàn)低成本的發(fā)光元件。
專利文獻(xiàn)1 JP-A-2000-156528發(fā)明內(nèi)容
然而，在具有如專利文獻(xiàn)1中所述這種結(jié)構(gòu)的光半導(dǎo)體裝置中，發(fā)射的光被原樣 照射到直接位于LED芯片上的熒光材料上，從而存在以下問(wèn)題在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換時(shí)，通過(guò)損失能 量極大地提高了含有熒光材料的樹(shù)脂部分(含磷光體的樹(shù)脂)的溫度，從而導(dǎo)致樹(shù)脂容易 劣化。
本發(fā)明的目的是提供一種片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包括用于涂布LED芯片的封 裝樹(shù)脂層(半透明樹(shù)脂層)和含有磷光體的樹(shù)脂層(含磷光體的樹(shù)脂層)，其中所述片狀光 半導(dǎo)體封裝材料在LED照明時(shí)能夠抑制封裝樹(shù)脂的溫度上升；還提供包括各樹(shù)脂層的片狀 成形體的光半導(dǎo)體封裝用套件，以及提供通過(guò)用所述封裝材料或片材進(jìn)行封裝得到的光半 導(dǎo)體。
本發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)行了深入的研究以解決上述問(wèn)題。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在包括半透明樹(shù)脂 的第一樹(shù)脂層和含磷光體樹(shù)脂的第二樹(shù)脂層的片狀封裝材料中，通過(guò)將無(wú)機(jī)粒子分散在第 一樹(shù)脂層中能夠抑制第二樹(shù)脂層的溫度上升，從而導(dǎo)致本發(fā)明的完成。
S卩，本發(fā)明涉及以下(1)到(11)項(xiàng)。
(1) 一種片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包含
含有無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層；和
含有磷光體并直接或間接疊置于第一樹(shù)脂層上的第二樹(shù)脂層。
(2)根據(jù)⑴的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第一樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
(3)根據(jù)(1)或( 的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇的至少一種。
(4)根據(jù)(1)至C3)任一項(xiàng)的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第二樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂 包含硅樹(shù)脂。
(5) 一種光半導(dǎo)體封裝用套件，其包含
包括含無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層的片狀成形體；和
包括含磷光體的第二樹(shù)脂層的片狀成形體。
(6)根據(jù)(5)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
(7)根據(jù)(5)或(6)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫 酸鋇的至少一種。
(8)根據(jù)( 至(7)任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂包 含硅樹(shù)脂。
(9) 一種光半導(dǎo)體裝置，其通過(guò)包含如下的方法制造
將根據(jù)(1)至(4)任一項(xiàng)的片狀光半導(dǎo)體封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元 件的基材上面或上方，使得第一樹(shù)脂層面向所述光半導(dǎo)體元件；和
將所述片狀光半導(dǎo)體封裝材料壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
(10) 一種通過(guò)用根據(jù)( 至(8)任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝得到的光半導(dǎo) 體裝置，其中所述光半導(dǎo)體裝置通過(guò)包含如下的方法制造
將包含第一樹(shù)脂層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上面或 上方；
將包含第二樹(shù)脂層的片狀成形體疊置于包含第一樹(shù)脂層的片狀成形體上面或上 方；和
將所述片狀成形體壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
(11) 一種光半導(dǎo)體裝置，其包含
其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材；
含有無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層；和
含有磷光體的第二樹(shù)脂層，
其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一樹(shù)脂層和所述第二樹(shù)脂層按此順序封裝。
本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料是包括半透明樹(shù)脂的第一樹(shù)脂層和含磷光體樹(shù) 脂的第二樹(shù)脂層的封裝材料，并且其顯示出在LED照明時(shí)能夠抑制第二樹(shù)脂層溫度上升的 優(yōu)異效果。此外，通過(guò)將包括第一樹(shù)脂層和直接或間接疊置于其上的第二樹(shù)脂層的片狀成 形體疊置于光半導(dǎo)體裝置上并將所述成形體壓制成形，能夠容易地將所述成形體用于整體 封裝。


圖1是例示性地示出用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料封裝LED芯片的圖，其中 左邊示出了封裝之前的狀態(tài)；且右邊示出了封裝好的LED芯片。
圖2是例示性地示出用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝LED芯片的圖，其中左 邊示出了封裝之前的狀態(tài)；且右邊示出了封裝好的LED芯片。
標(biāo)號(hào)說(shuō)明
1 第一樹(shù)脂層
2 無(wú)機(jī)粒子
3 含磷光體的第二樹(shù)脂層
4 第三封裝材料
5.模具
6 基材
7 =LED 芯片具體實(shí)施方式
本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料(也稱作“本發(fā)明的片材”)是其中第一樹(shù)脂層 和第二樹(shù)脂層已經(jīng)直接或間接疊置的材料，并且所述第一樹(shù)脂層包含無(wú)機(jī)粒子且所述第二 樹(shù)脂層包含磷光體。通過(guò)如下方法利用這種片狀封裝材料來(lái)封裝光半導(dǎo)體裝置例如，將 所述片狀封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上，使得第一樹(shù)脂層面向LED芯 片(光半導(dǎo)體元件)，并將所述封裝材料壓制成形。由此，從LED發(fā)出的光穿過(guò)第一樹(shù)脂層， 其波長(zhǎng)被第二樹(shù)脂層中的磷光體轉(zhuǎn)換，然后就此發(fā)射。由此，得到了具有高亮度的發(fā)射光。 然而，穿過(guò)第一樹(shù)脂層的發(fā)射光就此到達(dá)磷光體，并在那里轉(zhuǎn)換其波長(zhǎng)。于是，在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換 時(shí)磷光體損失的能量被第二樹(shù)脂層吸收，從而導(dǎo)致第二樹(shù)脂層的溫度上升。因此，在本發(fā)明 中，通過(guò)向第一樹(shù)脂層中引入無(wú)機(jī)粒子，由所述無(wú)機(jī)粒子的光散射效果能夠分散到達(dá)第二 樹(shù)脂層的光，從而使由于磷光體引起的生熱密度(每單位體積樹(shù)脂層的生熱量)降低。結(jié) 果認(rèn)為，整體上能夠抑制生熱。順便提及，在本說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“其中已經(jīng)直接疊置了所述層 的片材”是指通過(guò)將第二樹(shù)脂層直接疊置于第一樹(shù)脂層上而形成的片材，而術(shù)語(yǔ)“其中已經(jīng) 間接疊置了所述層的片材”是指以常規(guī)方法將第二樹(shù)脂層通過(guò)任何需要的層例如已知的樹(shù) 脂層如環(huán)氧樹(shù)脂層疊置于第一樹(shù)脂層上方而形成的片材。
本發(fā)明的第一樹(shù)脂層包含無(wú)機(jī)粒子。
無(wú)機(jī)粒子不受特別限制，只要它們能夠散射可見(jiàn)光即可。然而，所述無(wú)機(jī)粒子優(yōu)選 包括選自二氧化硅和硫酸鋇的至少一種，更特別是含有二氧化硅的粒子，原因在于通過(guò)封 裝處理亮度沒(méi)有降低。
無(wú)機(jī)粒子的平均粒度可以是任意值，只要其能夠散射可見(jiàn)光并等于或小于第一樹(shù) 脂層的厚度即可。其優(yōu)選為0.1至200 μ m，更優(yōu)選為0.3至40 μ m。另外，從抑制由封裝處 理造成的溫度降低[ml]的觀點(diǎn)來(lái)看，還更加優(yōu)選為5至40 μ m。順便提及，在本說(shuō)明書(shū)中， 可通過(guò)在后述的實(shí)施例中所述的方法來(lái)測(cè)定無(wú)機(jī)粒子的平均粒度。
無(wú)機(jī)粒子的形狀可以是任何形狀，只要其能夠散射可見(jiàn)光即可，以球狀和破碎狀 為例。但是，從抑制LED亮度降低的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選球狀。
從可均勻分散在第一樹(shù)脂層中和抑制第二樹(shù)脂層溫度上升的觀點(diǎn)來(lái)看，第一樹(shù)脂 層中無(wú)機(jī)粒子的含量?jī)?yōu)選為0. 1至70重量％。另外，從抑制LED亮度降低的觀點(diǎn)來(lái)看，更 優(yōu)選為0. 1至55重量％。
第一樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂不受特別限制，只要其是已常規(guī)用于光半導(dǎo)體封裝的樹(shù)脂 即可。其例子包括半透明樹(shù)脂如硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、苯乙烯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù) 脂、聚氨酯樹(shù)脂和聚烯烴樹(shù)脂。這些樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或作為其兩種以上的組合使用。尤其是，從耐久性的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選硅樹(shù)脂。
本發(fā)明的第二樹(shù)脂層包含磷光體。
所述磷光體不受特別限制，且其例子包括用于光半導(dǎo)體裝置的已知磷光體。具體 來(lái)說(shuō)，例舉黃色磷光體(α -sialon)、YAG、TAG等作為具有將藍(lán)色轉(zhuǎn)換成黃色的功能的合適 市售磷光體。
因?yàn)轭伾旌系某潭雀鶕?jù)磷光體的種類和第二樹(shù)脂層的厚度而變化，所以沒(méi)有徹 底確定磷光體的含量。
第二樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂不受特別限制，只要其是已常規(guī)用于光半導(dǎo)體封裝的樹(shù)脂 即可。作為第二樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂所例舉的樹(shù)脂，與作為第一封裝材料的構(gòu)成樹(shù)脂所例舉 的類似。這些樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或作為其兩種以上的組合使用。尤其是，從耐久性的觀點(diǎn) 來(lái)看，優(yōu)選硅樹(shù)脂。
除了上述無(wú)機(jī)粒子、磷光體和構(gòu)成樹(shù)脂之外，可以將添加劑例如固化劑、固化促進(jìn) 劑、防老劑、改性劑、表面活性劑、染料、顏料、變色抑制劑和UV吸收劑作為原材料引入第一 樹(shù)脂層和第二樹(shù)脂層中。
本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料能夠通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來(lái)制備，只 要所述第一樹(shù)脂層和第二樹(shù)脂層具有上述組成即可。
例如，能夠通過(guò)以下方法來(lái)形成各樹(shù)脂層向各樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂或向所述樹(shù)脂 的有機(jī)溶劑溶液中，在第一樹(shù)脂層的情況下添加無(wú)機(jī)粒子，或在第二樹(shù)脂層的情況下添加 磷光體，然后攪拌混合以制備用于形成樹(shù)脂層的溶液；通過(guò)使用涂布器等將溶液涂布到例 如表面經(jīng)剝離處理過(guò)的剝離片材(例如聚乙烯基材)上至適當(dāng)?shù)暮穸?，并通過(guò)在可除去溶 劑的溫度下加熱來(lái)對(duì)其進(jìn)行干燥。加熱溫度不能徹底確定，因?yàn)槠潆S樹(shù)脂或溶劑的種類而 變化。但是，其優(yōu)選為80至150°C，更優(yōu)選為90至150°C。順便提及，可以將通過(guò)層壓多個(gè) 片材并通過(guò)在20至10(TC下對(duì)其進(jìn)行熱壓來(lái)壓制它們從而使它們一體化而得到的片材用 作一個(gè)樹(shù)脂層。
以與上述相同的方式對(duì)得到的第一樹(shù)脂層和第二樹(shù)脂層進(jìn)行壓力接合。從而能夠 得到片狀光半導(dǎo)體封裝材料。
或者，可以使用下述方法其中用與上述相同的方式形成第一樹(shù)脂層或者第二樹(shù) 脂層，其后用涂布器等以合適的厚度直接向該樹(shù)脂層涂布用于形成另一個(gè)樹(shù)脂層的溶液， 然后加熱和干燥，從而形成本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料。
由此，得到了包括第一樹(shù)脂層和疊置于其上的第二樹(shù)脂層的片狀光半導(dǎo)體封裝材 料。順便提及，包括夾在第一樹(shù)脂層和第二樹(shù)脂層之間的任何所需樹(shù)脂層的片狀光半導(dǎo)體 封裝材料可以通過(guò)以與上述相同的方式預(yù)先形成這種樹(shù)脂層，將該樹(shù)脂層設(shè)置在第一樹(shù)脂 層和第二樹(shù)脂層之間并對(duì)所述層進(jìn)行壓力接合而得到?；蛘?，可以使用下述方法在第一樹(shù) 脂層或者第二樹(shù)脂層上形成這種樹(shù)脂層，然后在該樹(shù)脂層上形成剩余的樹(shù)脂層。
從對(duì)光半導(dǎo)體元件的封裝性能的觀點(diǎn)來(lái)看，第一樹(shù)脂層的厚度優(yōu)選為100至 1000 μ m,更優(yōu)選為300至800 μ m。從磷光體濃度和涂布性能的觀點(diǎn)來(lái)看，第二樹(shù)脂層的厚 度優(yōu)選為20至300 μ m,更優(yōu)選為30至200 μ m。已成一體的本發(fā)明片狀光半導(dǎo)體封裝材料 的厚度優(yōu)選為120至1300 μ m,更優(yōu)選為330至1000 μ m。
本發(fā)明還提供了光半導(dǎo)體封裝用套件，其包括包含第一樹(shù)脂層(也稱作第一片材)的片狀成形體和包含第二樹(shù)脂層(也稱為第二片材)的片狀成形體，并且其中第一樹(shù) 脂層和第二樹(shù)脂層尚未被疊置。
第一片材不受特別限制，只要其是本發(fā)明的片材中包括的包含第一樹(shù)脂層的片狀 成形體即可。能夠以與本發(fā)明的片材中包括的各樹(shù)脂層相同的方式來(lái)制造第一片材。同樣 也適用于包括第二樹(shù)脂層的片狀成形體。
除了第一片材和第二片材之外，本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件還可以包括另一個(gè) 包含任何需要的樹(shù)脂層的片狀成形體。能夠以與第一片材和第二片材相同的方式來(lái)制造這 個(gè)任選的片狀成形體。
此外，本發(fā)明還提供了通過(guò)用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料或用本發(fā)明的光半 導(dǎo)體封裝用套件封裝得到的光半導(dǎo)體裝置。其例子包括通過(guò)包含如下步驟的方法制造的光 半導(dǎo)體裝置將本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上 面或上方，使得第一樹(shù)脂層面向所述光半導(dǎo)體元件，和將所述封裝材料壓制成形，從而封裝 所述光半導(dǎo)體元件；以及通過(guò)包括如下步驟的方法用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝制 造的光半導(dǎo)體裝置將包含第一樹(shù)脂層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基 材上面或上方，將包含第二樹(shù)脂層的片狀成形體疊置于包含第一樹(shù)脂層的片狀成形體上面 或上方；和將所述片狀成形體壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置不受特別限制，只要已經(jīng)使用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝 材料或使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件來(lái)制造該裝置即可。所述光半導(dǎo)體裝置能夠通過(guò) 本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來(lái)制造。
例如，在使用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料的情況下，將該封裝材料放置在其 上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上，使得第一樹(shù)脂層面向所述光半導(dǎo)體元件。然后將所述封 裝材料壓制成形，從而獲得光半導(dǎo)體裝置。
另外，例如，在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件的情況中，通過(guò)將包含第一樹(shù)脂 層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上，再疊置包含第二樹(shù)脂層的片狀 成形體，然后將所述片狀成形體整體進(jìn)行壓制成形來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
從與基材粘著的觀點(diǎn)來(lái)看，可以在將本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料或本發(fā)明套 件的第一片材疊置于其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上之前，涂布包含半透明樹(shù)脂的液態(tài) 封裝材料(也稱作第三封裝材料)用于罐封，從提高亮度的觀點(diǎn)來(lái)看，只要將第二樹(shù)脂層放 置得比第一樹(shù)脂層更遠(yuǎn)離LED芯片即可。雖然構(gòu)成第三封裝材料的樹(shù)脂不受特別限制，但 是優(yōu)選該樹(shù)脂應(yīng)該與第一樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂相同。
可通過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來(lái)進(jìn)行壓制成形。例如，通過(guò)將模具放在封裝 材料上，然后優(yōu)選在100至160°C下對(duì)封裝材料加熱1至10分鐘，同時(shí)向其施加優(yōu)選0. 1至 0. 5MPa、更優(yōu)選0. 1至0. 的壓力，能夠完成壓制成形。在壓制成形之后，使所得結(jié)構(gòu)靜 置，直至即使在室溫下形狀也變得不變化。然后除去模具，并可對(duì)封裝材料進(jìn)行后固化。可 通過(guò)例如使用優(yōu)選具有100至150°C溫度的干燥器，靜置優(yōu)選15分鐘至6小時(shí)來(lái)進(jìn)行所述 后固化。
本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置包含本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料或本發(fā)明的光半導(dǎo) 體封裝用套件。因此，即使在裝備有高強(qiáng)度LED元件例如藍(lán)色元件、綠色LED元件等的光 半導(dǎo)體裝置中，也抑制了封裝材料的溫度上升，從而抑制其劣化，同時(shí)取得高發(fā)光亮度的狀態(tài)。因此能夠合適地進(jìn)行使用。
實(shí)施例
下面將參考實(shí)施例、比較例和參考例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明。然而，不將本發(fā)明解釋為限于 這些例子。
[無(wú)機(jī)粒子的平均粒度]
在本說(shuō)明書(shū)中，無(wú)機(jī)粒子的平均粒度是指初始粒子的平均粒度且是指通過(guò)動(dòng)態(tài)光 散射法對(duì)無(wú)機(jī)粒子的粒子分散溶液進(jìn)行測(cè)定并計(jì)算得到的50%體積累積粒徑(D5tl)。
實(shí)施例1
<第一樹(shù)脂層>
向9. 95g硅彈性體(ELASTOSIL LR-7665，由瓦克旭化成有機(jī)硅株式會(huì)社制造)中， 加入0. 05g的二氧化硅(FB-7SDC，由電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制造，平均粒度5. 8 μ m，球狀) (無(wú)機(jī)粒子含量0. 5重量％ )。通過(guò)手動(dòng)攪拌來(lái)使二氧化硅均勻分散，從而獲得液態(tài)的含 二氧化硅樹(shù)脂。
<第二樹(shù)脂層>
向8. 4g硅彈性體(LR-7665)中，加入1. 6g的YAG (磷光體含量16重量％ )，并通 過(guò)手動(dòng)攪拌來(lái)使YAG均勻分散，從而獲得液態(tài)的含磷光體樹(shù)脂。
〈光半導(dǎo)體封裝用片〉
用涂布器將含磷光體樹(shù)脂以100 μ m的厚度涂布到聚碳酸酯膜上，并在90°C下干 燥4分30秒以獲得含磷光體的樹(shù)脂片。同樣以500 μ m的厚度將含二氧化硅的樹(shù)脂涂布到 所得含磷光體的樹(shù)脂片上，并在125°C下干燥9分鐘，從而獲得光半導(dǎo)體封裝用片。
<光半導(dǎo)體封裝>
將適中量的硅彈性體(LR-7665)放置在安裝了光半導(dǎo)體元件(波長(zhǎng)區(qū)域450nm) 的平面基材上，并將光半導(dǎo)體封裝用片放在其上，使得第一樹(shù)脂層面向基材。將直徑為8mm 且高度為500 μ m的模具放置在其上，并在0. IMPa和160°C的條件下使用真空壓制裝置 (V-130，由日合摩頓株式會(huì)社(Nichigo-Morton Co.，Ltd.)制造)壓制5分鐘，從而獲得了 光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例2
除了將第一樹(shù)脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?9. 5g和0. 5g(無(wú)機(jī)粒子含量，5重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例3
除了將第一樹(shù)脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?7. Og和3. Og(無(wú)機(jī)粒子含量，30重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例4
除了將第一樹(shù)脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?5. Og和5. Og(無(wú)機(jī)粒子含量，50重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例5
除了將第一樹(shù)脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?3. Og和7. Og(無(wú)機(jī)粒子含量，70重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例6
除了將第一樹(shù)脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?FB-40S，由電氣化學(xué)工業(yè)株 式會(huì)社制造，平均粒度39.8μπι;球狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例7
除了將第一樹(shù)脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?SFP-20M，由電氣化學(xué)工業(yè)株 式會(huì)社制造，平均粒度0. 3 μ m ；球狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例8
除了將第一樹(shù)脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?CryStalite5X，由龍森株式 會(huì)社制造，平均粒度1. 5μ m ；破碎狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例9
除了將第一樹(shù)脂層中無(wú)機(jī)粒子的種類變?yōu)榱蛩徜^(W-6，由竹原化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社 制造；平均粒度5. Oym ；破碎狀)之外，以與實(shí)施例2中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例10
除了將第一樹(shù)脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?FB-40Q之外，以與實(shí)施例4 中相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
比較例1
除了不向第一樹(shù)脂層中加入無(wú)機(jī)粒子之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來(lái)得到光 半導(dǎo)體裝置。
參考例1
除了將第一樹(shù)脂層中無(wú)機(jī)粒子的種類變?yōu)檠趸X(AS-50)之外，以與實(shí)施例2中 相同的方式來(lái)得到光半導(dǎo)體裝置。
根據(jù)以下試驗(yàn)例1和2對(duì)得到的光半導(dǎo)體裝置的性能進(jìn)行評(píng)價(jià)。將其結(jié)果示于表 1中。
試驗(yàn)例1 (第二樹(shù)脂層的溫度)
將適中量的熱輻射有機(jī)硅(SCH-30，由寸> “Y卜株式會(huì)社(Sunhayato Corp.) 制造，熱導(dǎo)率0.96W/mK)滴在散熱片(材料銅)上，并將光半導(dǎo)體裝置固定于其上。將電 流值以IOOmA/秒的速度增加直至從開(kāi)始發(fā)光起達(dá)10秒，并且在達(dá)到500mA之后的3分鐘 后，對(duì)第二樹(shù)脂層的最高溫度進(jìn)行測(cè)定。順便提及，通過(guò)使用溫度記錄儀(CPA1000，由Chino Corp.制造)并從光半導(dǎo)體裝置的上方關(guān)注發(fā)光來(lái)進(jìn)行溫度測(cè)定。另外，優(yōu)選較低的樹(shù)脂溫 度。
試驗(yàn)例2 (亮度)
使每個(gè)光半導(dǎo)體裝置在50mA下發(fā)光，并根據(jù)半球面亮度測(cè)定來(lái)對(duì)那時(shí)的發(fā)光亮 度進(jìn)行測(cè)定。順便提及，將積分球用于亮度測(cè)定，并通過(guò)使用多個(gè)測(cè)光系統(tǒng)(MCPD-3000，由
權(quán)利要求
1.一種片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包含 含有無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層；和含有磷光體并直接或間接疊置于第一樹(shù)脂層上的第二樹(shù)脂層。
2.權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第一樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
3.權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇的 至少一種。
4.權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第二樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
5.—種光半導(dǎo)體封裝用套件，其包含包括含無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層的片狀成形體；和 包括含磷光體的第二樹(shù)脂層的片狀成形體。
6.權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
7.權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無(wú)機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇的至 少一種。
8.權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二樹(shù)脂層的構(gòu)成樹(shù)脂包含硅樹(shù)脂。
9.一種光半導(dǎo)體裝置，其通過(guò)包含如下的方法制造將權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上面 或上方，使得第一樹(shù)脂層面向所述光半導(dǎo)體元件；和將所述片狀光半導(dǎo)體封裝材料壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
10.一種通過(guò)用權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝得到的光半導(dǎo)體裝置，其中所 述光半導(dǎo)體裝置通過(guò)包含如下的方法制造將包含第一樹(shù)脂層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上面或上方；將包含第二樹(shù)脂層的片狀成形體疊置于包含第一樹(shù)脂層的片狀成形體上面或上方；和 將所述片狀成形體壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
11.一種光半導(dǎo)體裝置，其包含 其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材； 含有無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層；和 含有磷光體的第二樹(shù)脂層，其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一樹(shù)脂層和第二樹(shù)脂層按此順序封裝。
全文摘要
本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體封裝材料。具體地，本發(fā)明涉及片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包括含有無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層，和含有磷光體并直接或間接疊置于第一樹(shù)脂層上的第二樹(shù)脂層；并涉及光半導(dǎo)體封裝用套件，其包含包括含無(wú)機(jī)粒子的第一樹(shù)脂層的片狀成形體，和包括含磷光體的第二樹(shù)脂層的片狀成形體。
文檔編號(hào)H01L33/52GK102034917SQ201010508368
公開(kāi)日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月7日
發(fā)明者松田廣和, 藤岡和也, 赤澤光治 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社