專利名稱：表面發(fā)射半導(dǎo)體激光器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面發(fā)射型半導(dǎo)體激光器，其包括具有pn過渡段(pn結(jié))的有源區(qū)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體激光器在原理上表述為一種沿流動方向工作的半導(dǎo)體二極管，它通過受激發(fā)射產(chǎn)生窄光譜帶的相干光并以定向的方式輻射它。通過將電流注入pn過渡段(pn transition)來實現(xiàn)激光過程所需的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。作為支持措施，開始的材料可被重?fù)诫s。在pn過渡段的區(qū)域中，電子和空穴彼此空間上相鄰，于是發(fā)生誘發(fā)輻射復(fù)合。
在最簡單的情況下，光學(xué)諧振器由垂直于pn過渡段的兩相對光鏡面構(gòu)成。在這種結(jié)構(gòu)形式中，在垂直于電流注入的平面中發(fā)生發(fā)射(emission)。
或者，在已經(jīng)公知的表面發(fā)射半導(dǎo)體激光二極管中，垂直于有源區(qū)的平面產(chǎn)生發(fā)射。(英文vertical-cavity surface-emitting laser diode，VCSEL)在US 5 936 266中，已知公知一種表面發(fā)射型半導(dǎo)體激光器，其中采用整個表面上的隧道觸點(tunnel contact)來產(chǎn)生有源區(qū)p側(cè)與n型摻雜半導(dǎo)體層之間的傳導(dǎo)過渡段(conductive transition)。這意味著也可在有源區(qū)的p側(cè)采用n型摻雜半導(dǎo)體層，由于n型摻雜半導(dǎo)體改進(jìn)的導(dǎo)電性，使得串聯(lián)電阻減小10-30倍。但是，整個表面上的隧道觸點的一個缺點在于，為了控制電流的傳導(dǎo)不得不提供附加的氧化層，這使得半導(dǎo)體激光器的整體結(jié)構(gòu)復(fù)雜且不利于熱特性。
US 6 052 398描述了一種表面發(fā)射型半導(dǎo)體激光器，它具有一結(jié)構(gòu)隧道觸點，諧振器由兩個半導(dǎo)體鏡面構(gòu)成。其中存在的問題是，熱量必需通過一個鏡面排出，鏡面通常由具有相應(yīng)不良導(dǎo)熱性的三元或四元混和晶體構(gòu)成?；蛘撸琔S 6 052 398也指出在有源區(qū)p側(cè)上采用介質(zhì)鏡面，而沒有指出這種選擇方案的具體優(yōu)點。在實踐中不使用這種方案，因為反射性接觸層(通常為金或銀)可能擴(kuò)散進(jìn)鄰接的半導(dǎo)體層中，使得不能保證長期穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體激光器，它能夠在正常環(huán)境溫度下工作并具有穩(wěn)定的長期特性。
這個問題是通過具有權(quán)利要求1特征的半導(dǎo)體激光器而解決的。具體地說，按照本發(fā)明的特征包括一表面發(fā)射型的半導(dǎo)體層，其具有一包括pn過渡段的有源區(qū)，具有一在有源區(qū)n側(cè)上的第一n型摻雜半導(dǎo)體層，具有一在有源區(qū)p側(cè)上的結(jié)構(gòu)隧道觸點(隧道結(jié))，其形成至有源區(qū)p側(cè)上的第二n型摻雜半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)性過渡段或傳導(dǎo)結(jié)，具有一結(jié)構(gòu)介質(zhì)鏡面(structured dielectric mirror)，其被涂敷到第二n型摻雜半導(dǎo)體層上，具有一接觸層，其在沒有涂敷介質(zhì)鏡面的點處與第二n型摻雜半導(dǎo)體層形成接觸，并具有一位于接觸層與第二n型摻雜半導(dǎo)體層之間的擴(kuò)散勢壘(diffusionbarrier)。
按照本發(fā)明的解決方案基于研究結(jié)果，即在有源區(qū)p側(cè)上，位于其上的n型摻雜半導(dǎo)體層通過一介質(zhì)鏡面并且也通過一擴(kuò)散勢壘從接觸層封閉。接觸層構(gòu)成一散熱片并由此能夠有效地散熱。尤其是金或銀適用于制造良好的散熱片。但是已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這些層的成分可能擴(kuò)散進(jìn)入第二n型摻雜半導(dǎo)體層并損壞它。因此擴(kuò)散勢壘與介質(zhì)鏡面防止來自接觸層的成分?jǐn)U散進(jìn)入第二n型摻雜半導(dǎo)體層，并在最壞的情況下進(jìn)入有源區(qū)并抑制其中的輻射復(fù)合。因此存在散熱片材料的自由選擇，以實現(xiàn)半導(dǎo)體激光器的最佳熱特性結(jié)構(gòu)。
按照本發(fā)明的用于涂敷擴(kuò)散勢壘的工藝包括權(quán)利要求16的特征，其中，在第一區(qū)中，擴(kuò)散勢壘被涂敷到第二n型摻雜半導(dǎo)體層，在第二區(qū)中，介質(zhì)鏡面被涂敷到第二n型摻雜半導(dǎo)體層，且至少在擴(kuò)散勢壘上涂敷接觸層。
總之，按照本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器具有下列優(yōu)點-作為在有源區(qū)p側(cè)上的結(jié)構(gòu)隧道觸點(隧道結(jié))的結(jié)果，在有源區(qū)p側(cè)上的剩余半導(dǎo)體層可以是n型摻雜。由于n型摻雜半導(dǎo)體的實質(zhì)改進(jìn)的導(dǎo)電性，這使得串聯(lián)電阻降低約10-30倍。
-在有源區(qū)n側(cè)上的第一n型摻雜半導(dǎo)體層用來作為帶電載流子包絡(luò)層。
-在p側(cè)上采用高反射性介質(zhì)鏡面?？商峁┙饘俑采w層以提高反射率。
-通過p側(cè)排出熱量，即，主要通過隧道觸點即隧道結(jié)和可具有較小熱阻的介質(zhì)鏡面。
-在有源區(qū)與介質(zhì)鏡面之間，一導(dǎo)熱層(例如二元InP層)可用于擴(kuò)散和排出熱量。
-提供在p側(cè)上的較大面積上方的集成例如電鍍加工的金屬散熱片可提供有效的散熱。金屬層可同時提供機(jī)械穩(wěn)定性，這在當(dāng)n側(cè)的襯底完全去除的時候特別有利，例如，為了在外延鏡面(epitactic mirror)與空氣間獲得折射率的猛增。
-優(yōu)選通過n側(cè)(基于有源層)進(jìn)行光去耦(light decoupling)，使得局部吸收隧道觸點位于光去耦的相反側(cè)上，由此可以達(dá)到更高的照明功率。
用于尋求獨創(chuàng)保護(hù)的本發(fā)明的另一解決方案是介質(zhì)鏡面的結(jié)構(gòu)。現(xiàn)有介質(zhì)鏡面由具有相應(yīng)不良導(dǎo)熱特性的三元或四元混和晶體構(gòu)成。為了改進(jìn)導(dǎo)熱性，US 6,052,398中建議采用外延GaAs/AlAs的變形鏡面。這種三元材料的確具有更好的導(dǎo)熱性，但卻具有對于鄰接層的不良晶格匹配，這意味著晶格位錯的結(jié)果是只有有限的長期穩(wěn)定性是可實現(xiàn)的。
因此作為獨創(chuàng)的發(fā)明方案，建議為介質(zhì)鏡面提供二元層的交替序列，使二元層平均具有對于鄰接層的良好晶格匹配性。例如二元層可以交替地由層厚各為3nm的InAs和GaAs構(gòu)成，使得二元層的平均晶格間距與鄰接半導(dǎo)體層對應(yīng)。
這個方案可以單獨實施或與上述的按照權(quán)利要求1和16的方案結(jié)合起來實現(xiàn)。
從所附的權(quán)利要求，其它優(yōu)選實施例將變得明顯。當(dāng)然，其中敘述過的特征和下面將要描述的特征不僅可應(yīng)用于所給出的組合，而且也可應(yīng)用于其它的組合或單獨使用。
按照優(yōu)選實施例，在擴(kuò)散勢壘與第二半導(dǎo)體層之間提供一助黏劑(adhesion promoter)。優(yōu)選地，助黏劑由鈦層構(gòu)成而擴(kuò)散勢壘由鉑層構(gòu)成。此外，為了提高介質(zhì)鏡面與接觸層之間的反射率，可提供一金屬覆蓋層。為了簡化生產(chǎn)工藝，金屬覆蓋層可提供為正好穿過擴(kuò)散勢壘與接觸層之間。適用于金屬覆蓋層的材料是金而適用于接觸層的材料是金或銀。
介質(zhì)鏡面例如由層的多個介質(zhì)λ/4對構(gòu)成，優(yōu)選由具有較大折射率差異的材料構(gòu)成，例如MgF2和Si。
如果介質(zhì)鏡面具有比半導(dǎo)體材料更小的熱阻是特別有利的，因為由此確保定向的熱傳導(dǎo)。為了這個目的，第二n型摻雜半導(dǎo)體層例如可以由InP半導(dǎo)體構(gòu)成。
按照另一優(yōu)選實施例，接觸層被涂敷得足夠厚以起到散熱片的作用。優(yōu)選地，接觸層涂敷在整個表面上并且也覆蓋介質(zhì)鏡面。接觸層的厚度例如可以為10μm。
按照另一優(yōu)選實施例，在有源區(qū)的n側(cè)上產(chǎn)生光去耦。優(yōu)選地，為了這個原因，襯底從有源區(qū)n側(cè)去除。


現(xiàn)在將結(jié)合不同的實施例參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。附圖中圖1顯示本發(fā)明的第一實施例，圖2顯示本發(fā)明的第二實施例，圖3顯示本發(fā)明的第三實施例，圖4顯示本發(fā)明的第四實施例，圖5顯示本發(fā)明的第五實施例，圖6顯示用于制備按照第一實施例的擴(kuò)散勢壘的三個工藝步驟，圖7顯示用于制備按照第二實施例的擴(kuò)散勢壘的三個工藝步驟。
首先參考圖1～5描述本發(fā)明的五個實施例。所有實施例的相同之處是在接觸層與有源區(qū)p側(cè)上的n型摻雜半導(dǎo)體層之間的一擴(kuò)散勢壘。參考圖6和7描述用于形成擴(kuò)散勢壘的工藝步驟。
具體實施例方式
圖1示出本發(fā)明的第一實施例。電流通過下p觸點(25)提供，該下p觸點同時起到集成散熱片的作用，而n-觸點(10)可以選擇涂敷到一重?fù)诫s接觸層(11)上。光向上(50)輸出，而熱量通過集成散熱片(25)向下排出到例如銅殼體上。有源激光區(qū)(26)位于有源層(22)內(nèi)，其優(yōu)選由一聯(lián)結(jié)多層結(jié)構(gòu)(英文為Multiquantum wellMQW結(jié)構(gòu))構(gòu)成。有源激光區(qū)的側(cè)向尺寸由流過由一重p型摻雜層(40)和一重n型摻雜層(41)組成的、結(jié)構(gòu)上是側(cè)向圓形例如(直徑W)的結(jié)構(gòu)隧道觸點或隧道結(jié)的電流來決定、并由層(23)中電流的側(cè)向擴(kuò)展和有源層(22)中的帶電載流子擴(kuò)散來決定。注入到有源區(qū)中的電子和空穴的垂直限制分別由n型和p型摻雜邊界層(21)和(23)提供。
按照現(xiàn)有技術(shù)外延加工的鏡面(20)位于在n側(cè)上，并由例如具有不同折射率的兩種半導(dǎo)體材料(20a)和(20b)的層的多個(例如36)λ/4對組成。下鏡面(30)由層(30a)和(30b)的幾對(例如1.5或2.5)介質(zhì)λ/4對所組成，例如MgF2(30a)和Si(30b)。其反射率通過在集成散熱片(25)中的下界面上的反射被附加地提高，尤其是如果后者由高反射性金屬如金或銀構(gòu)成。
在垂直方向，隧道觸點設(shè)置為電磁場的最小值，使得在重?fù)诫s和吸收層(41)和(42)中不產(chǎn)生或僅產(chǎn)生可忽略不計的光損失。出于同樣原因，隧道觸點應(yīng)該盡可能地??；優(yōu)選地，對于1.3～1.55μmVCSEL，總厚度D的值為20～60nm。p側(cè)的第二半導(dǎo)體層(24)由于隧道觸點可以是(重)n型摻雜的，或者可具有n型摻雜的梯度，靠近層(23)摻雜較輕而在朝向鏡面(30)和集成散熱片(25)的底面上摻雜較重。在各種情況下，存在靠近隧道觸點的一阻擋npn結(jié)構(gòu)，其阻擋該處的的電流流動，使得全部電流通過隧道觸點流入有源層中。層(24)應(yīng)該優(yōu)選具有良好的導(dǎo)熱性，以便改善和擴(kuò)大來自有源區(qū)的熱量流(例如擴(kuò)大到直徑S的倍數(shù))，由此實現(xiàn)減少總熱量的優(yōu)點。
由于n型摻雜層(24)的低阻抗特性，可能發(fā)生靠近絕緣介質(zhì)鏡面(30)的側(cè)向電流供應(yīng)，而沒有任何實質(zhì)性電損失和不產(chǎn)生熱量。介質(zhì)鏡面的側(cè)向尺寸S優(yōu)選選擇為至少與隧道觸點的側(cè)向尺寸W一樣大。特別有利的是，如果尺寸S大于W約3-8μm(對于1.3μm和1.55μmVCSELs，典型為2-20μm)，由于有源激光區(qū)(26)的熱透鏡作用(thermal lensing)和放大作用的波導(dǎo)，光場(optical rield)的側(cè)向擴(kuò)大被限定在大致有源激光區(qū)的尺寸。
圖2示出本發(fā)明的第二實施例。與圖1相比較，制造工藝使得隧道觸點結(jié)構(gòu)在外延附晶生長(epitactic overgrowing)中成像(imaged)在層(24)的表面中。這將增加側(cè)向波導(dǎo)，其以自調(diào)整方式與隧道觸點和有源區(qū)(26)精密對準(zhǔn)。依賴于工藝過程，隧道觸點的成像可以加寬或減小，由此使得可以在寬范圍內(nèi)影響光場的側(cè)向限制。這種方法可與下面要描述的結(jié)構(gòu)變化相結(jié)合，以使激光特性最佳。
圖3示出本發(fā)明的第三實施例。在這里明確地強調(diào)，將附加高反射性金屬層(30c)整體涂敷到介質(zhì)鏡面(30)上可以產(chǎn)生高反射率，在本實施例中反射率不取決于集成散熱片和接觸層(25)的特性。
圖4示出本發(fā)明的第四實施例。在本實施例中，通過側(cè)向加入一重n型摻雜中間接觸層(70)，可減小對于p側(cè)接觸層(25)的接觸電阻。例如，層(24)可以由高導(dǎo)熱性的n型摻雜InP構(gòu)成而中間接觸層(70)可以由產(chǎn)生非常低的接觸電阻的重n型摻雜InGaAs構(gòu)成。
因為按照圖4的n型摻雜中間接觸層可能是熱的不良導(dǎo)體，例如InGaAs的情況，所以圖5示出本發(fā)明的第五實施例，其中通過在介質(zhì)鏡面(30)與中間接觸層(70)之間提供一中間空間，通過該中間空間可以排出熱量的事實，不僅可以通過中間接觸層(70)實現(xiàn)低阻抗接觸，也可通過窗口(71)實現(xiàn)良好的散熱。因此該區(qū)(71)的側(cè)向?qū)挾葍?yōu)選大于層(24)的厚度。
圖6示出用于制造按照第一實施例的擴(kuò)散勢壘的三個工藝步驟。
在第一步驟(a)，在第一區(qū)涂敷擴(kuò)散勢壘601，而第二區(qū)602被掩模屏蔽。擴(kuò)散勢壘例如可以由鉑(Pt)構(gòu)成。為了能夠更好地與下面的n型摻雜半導(dǎo)體層粘附，可在鉑層下面涂敷鈦層。最后可以在鉑層上涂敷金層。在這種形式中，因此擴(kuò)散勢壘由Ti/Pt/Au層構(gòu)成。
在第二步驟(b)中，在第二區(qū)602中涂敷介質(zhì)鏡面603。在點605、606處可以允許與擴(kuò)散勢壘601的一定搭接。這種搭接的優(yōu)點是可以在介質(zhì)鏡面與擴(kuò)散勢壘之間保證一緊密密封，以便可靠地排除從接觸層到n型摻雜半導(dǎo)體層的擴(kuò)散的任何可能性。
最后在第三步驟(c)中，將金層604涂敷到介質(zhì)鏡面603上。
圖7示出用于制備按照第二實施例的擴(kuò)散勢壘的三個工藝步驟。與圖6所示工藝步驟的主要不同在于，在第一工藝步驟(a)中，首先涂敷介質(zhì)鏡面，而在第二工藝步驟(b)中，然后涂敷擴(kuò)散勢壘702，其可以由上面提及的Ti/Pt/Au層的序列依次構(gòu)成。然后，在第三工藝步驟(c)中，將金層703涂敷到介質(zhì)鏡面上。在按照圖7的工藝順序中，必需精確調(diào)整掩模，以便防止介質(zhì)鏡面和位于其下面的n型摻雜半導(dǎo)體層之間的擴(kuò)散，與前述相同。
最后，在表1中列出按照本發(fā)明的半導(dǎo)體二極管的典型數(shù)據(jù)，其中在第一列中的數(shù)字表示附圖中的參考標(biāo)記。
表1按照本發(fā)明的波長為1.55μm的半導(dǎo)體二極管的典型數(shù)據(jù)。λg表示對應(yīng)于帶間距的波長。

權(quán)利要求
1.一種表面發(fā)射型半導(dǎo)體激光器，包括一具有pn過渡段(pn結(jié))的有源區(qū)，具有一在該有源區(qū)n側(cè)上的第一n型摻雜半導(dǎo)體層，具有一在該有源區(qū)p側(cè)上的結(jié)構(gòu)隧道觸點(隧道結(jié))，其形成至該有源區(qū)p側(cè)上的第二n型摻雜半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)過渡段(傳導(dǎo)結(jié))，具有一結(jié)構(gòu)介質(zhì)鏡面，其涂敷在該第二n型摻雜半導(dǎo)體層上，具有一接觸層，在沒有涂敷該介質(zhì)鏡面的點處，其形成與該第二n型摻雜半導(dǎo)體層的接觸，具有一位于該接觸層與該第二n型摻雜半導(dǎo)體層之間的擴(kuò)散勢壘。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于在所述擴(kuò)散勢壘與該第二半導(dǎo)體層之間提供一助黏劑。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述助黏劑由鈦層構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1-3中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述擴(kuò)散勢壘由鉑層構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1-4中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于在所述介質(zhì)鏡面與該接觸層之間提供一用于提高反射率的金屬覆蓋層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述金屬覆蓋層提供為正好穿過該擴(kuò)散勢壘與該接觸層之間。
7.如權(quán)利要求5～6中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述金屬覆蓋層由金構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1-7中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述接觸層由金或銀構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求1-8中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述介質(zhì)鏡面具有一比半導(dǎo)體材料更小的熱阻。
10.如權(quán)利要求1-9中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述第二n型摻雜半導(dǎo)體層由InP半導(dǎo)體構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求1-10中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述接觸層涂敷得足夠厚以起到散熱片的作用。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述接觸層厚度大于10μm。
13.如權(quán)利要求1-12中之一所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述光的去耦發(fā)生在該有源區(qū)的n側(cè)上。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述襯底從該有源區(qū)的n側(cè)上去除。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述接觸層涂敷得足夠厚，使得盡管去除該襯底也確保該半導(dǎo)體激光器的機(jī)械穩(wěn)定性。
16.用于在半導(dǎo)體激光器中制造擴(kuò)散勢壘的工藝，該半導(dǎo)體激光器具有一包括pn過渡段(pn結(jié))的有源區(qū)，具有一在該有源區(qū)n側(cè)上的第一n型摻雜半導(dǎo)體層，具有一在該有源區(qū)p側(cè)上的結(jié)構(gòu)隧道觸點(隧道結(jié))，所述隧道觸點形成至該有源區(qū)p側(cè)上的第二n型摻雜半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)過渡段(傳導(dǎo)結(jié))，其中在第一區(qū)中，在該第二n型摻雜半導(dǎo)體層上涂敷擴(kuò)散勢壘，其中在第二區(qū)中，在該第二n型摻雜半導(dǎo)體層上涂敷介質(zhì)鏡面，以及其中接觸層至少涂敷在該擴(kuò)散勢壘上。
17.如權(quán)利要求16所述的工藝，其特征在于在涂敷該擴(kuò)散勢壘之前涂敷所述介質(zhì)鏡面。
18.如權(quán)利要求16所述的工藝，其特征在于在涂敷該擴(kuò)散勢壘之后涂敷所述介質(zhì)鏡面。
19.如權(quán)利要求18所述的工藝，其特征在于所述介質(zhì)鏡面被涂敷使得該介質(zhì)鏡面與該擴(kuò)散勢壘重疊。
20.如權(quán)利要求16-19中之一所述的工藝，其特征在于在該第一區(qū)中的該擴(kuò)散勢壘之前涂敷助黏劑。
21.如權(quán)利要求16-20中之一所述的工藝，其特征在于采用鈦作為該助黏劑。
22.如權(quán)利要求16-21中之一所述的工藝，其特征在于采用鉑作為該擴(kuò)散勢壘。
23.如權(quán)利要求16-22中之一所述的工藝，其特征在于在所述擴(kuò)散勢壘和該介質(zhì)鏡面的整個表面上涂敷一金屬接觸層。
24.如權(quán)利要求23所述的工藝，其特征在于采用金或銀作為該接觸層。
25.如權(quán)利要求16-24中之一所述的工藝，其特征在于在涂敷該接觸層之前在該介質(zhì)鏡面上涂敷一金屬覆蓋層。
26.如權(quán)利要求16-24中之一所述的工藝，其特征在于在涂敷該接觸層之前在該介質(zhì)鏡面上和該擴(kuò)散勢壘的整個表面上涂敷一金屬覆蓋層。
27.如權(quán)利要求25和26之一所述的工藝，其特征在于所述金屬覆蓋層由金構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種表面發(fā)射型半導(dǎo)體激光器。為了提供一種能在正常環(huán)境溫度下工作并具有穩(wěn)定長期特性的半導(dǎo)體激光器，該半導(dǎo)體激光器包括一具有pn過渡段的有源區(qū)、一在有源區(qū)n側(cè)上的第一n型摻雜半導(dǎo)體層、一在有源區(qū)p側(cè)上并構(gòu)成至有源區(qū)p側(cè)上的第二n型摻雜半導(dǎo)體層的傳導(dǎo)過渡段的結(jié)構(gòu)隧道觸點，一涂敷在第二n型摻雜半導(dǎo)體層上的結(jié)構(gòu)介質(zhì)鏡面，一在沒有涂敷介質(zhì)鏡面的地方形成與第二n型摻雜半導(dǎo)體層的接觸的接觸層，和一位于接觸層與第二n型摻雜半導(dǎo)體層之間的擴(kuò)散勢壘。
文檔編號H01S5/042GK1491468SQ02805019
公開日2004年4月21日 申請日期2002年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月15日
發(fā)明者馬庫斯－克里斯琴·阿曼, 馬庫斯·奧特西弗, 奧特西弗, 馬庫斯-克里斯琴 阿曼 申請人:維特拉斯有限責(zé)任公司