一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體激光器具有體積小、重量輕、可靠性高、使用壽命長、成本低的優(yōu)點，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域，比如激光栗浦，醫(yī)療以及工業(yè)加工領(lǐng)域。
[0003]圖1為一種現(xiàn)有的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)，包括制冷器3，絕緣層2，負(fù)極片I以及激光芯片4;這種封裝結(jié)構(gòu)的絕緣層參數(shù)要求較高，厚度要求控制在一百微米以內(nèi)，且必須適合高溫下使用，絕緣層和負(fù)極片之間的裝配采用無縫粘接，絕緣層粘接固化后須達(dá)到很高的硬度，這些要求對絕緣層和負(fù)極片的粘接工藝提出了很高的要求。目前絕緣層和負(fù)極片的粘接采用單獨作業(yè)的方式(即絕緣層和銅連接片分開獨立加工，成型后粘接在一起)，這種方式容易造成鍵合面出現(xiàn)缺陷，且此缺陷不可返修，這種缺陷會導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性降低，并且這種封裝方式的生產(chǎn)組裝效率低。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提出了一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)，有效提高的產(chǎn)品的可靠性和組裝效率。具體的技術(shù)方案為:
[0005]—種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)包括制冷器，激光芯片以及一體式負(fù)極連接片。所述的一體式負(fù)極連接片為鍍有銅箔的絕緣層，且銅箔和絕緣層為一體化結(jié)構(gòu)，比如鍍有銅箔的PCB板(印制電路板)，F(xiàn)PC板(柔性印刷電路板，通常以聚酰亞胺或聚酯薄膜為基材)等。所述的制冷器為片狀金屬結(jié)構(gòu)，激光芯片的正極鍵合于制冷器的一端，一體式負(fù)極連接片的絕緣層鍵合于制冷器的另一端且與激光芯片的正極絕緣。激光芯片的負(fù)極通過金線與一體式負(fù)極連接片連接。
[0006]所述的一體式負(fù)極連接片靠近激光芯片一端的銅箔呈臺階狀，激光芯片的負(fù)極通過金線鍵合于一體式負(fù)極連接片的臺階狀銅箔處。
[0007]所述一體式負(fù)極連接片的絕緣層具有高導(dǎo)熱率且為耐高溫材料。
[0008]本實用新型具有以下優(yōu)點:本方案半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)的一體式負(fù)極連接片采用印制電路板結(jié)構(gòu)，可一次性成型，避免了絕緣層和銅連接片分開作業(yè)導(dǎo)致的鍵合面缺陷；鍵合表面的性能指標(biāo)進(jìn)一步得到提高，提高了產(chǎn)品的可靠性。此外，采用一體式負(fù)極連接片結(jié)構(gòu)，簡化了生產(chǎn)操作工序，提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)組裝效率。
【附圖說明】
[0009]圖1為傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)圖。
[0010]圖2為本實用新型的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)。
[0011]圖3為本實用新型的激光芯片與一體式負(fù)極連接片的金線連接方式。
[0012]圖4為一體式負(fù)極連接片的臺階狀銅箔結(jié)構(gòu)。
[0013]附圖標(biāo)號說明:1-傳統(tǒng)工藝中的負(fù)極片，2-傳統(tǒng)工藝中的絕緣層，3-制冷器，4-激光芯片，5為一體式負(fù)極連接片，6為金線，7為一體式負(fù)極連接片的絕緣層，8為一體式負(fù)極連接片的銅箔。
【具體實施方式】
[0014]圖2為本實用新型的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)，包括制冷器3，激光芯片4以及一體式負(fù)極連接片5。如圖4所示，一體式負(fù)極連接片5為鍍有銅箔8的絕緣層7，且銅箔8和絕緣層7為一體化結(jié)構(gòu)。
[0015]上述一體式負(fù)極連接片5可以為PCB板(印制電路板)，F(xiàn)PC板(柔性印刷電路板，通常以聚酰亞胺或聚酯薄膜為基材)等。
[0016]如圖3所示，所述的制冷器3為片狀金屬結(jié)構(gòu)，激光芯片4的正極鍵合于制冷器3的一端，一體式負(fù)極連接片5的絕緣層7鍵合于制冷器的另一端且與激光芯片4絕緣。激光芯片4的負(fù)極通過金線6與一體式負(fù)極連接片5連接。
[0017]如圖4所示，所述的一體式負(fù)極連接片5靠近激光芯片一端的銅箔8呈臺階狀，激光芯片4的負(fù)極通過金線6鍵合于一體式負(fù)極連接片5的臺階狀銅箔處。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括制冷器，激光芯片以及一體式負(fù)極連接片;所述的一體式負(fù)極連接片為鍍有銅箔的絕緣層且銅箔和絕緣層為一體化結(jié)構(gòu);所述的制冷器為片狀金屬結(jié)構(gòu)，激光芯片的正極鍵合于制冷器的一端，一體式負(fù)極連接片的絕緣層鍵合于制冷器的另一端且與激光芯片絕緣;激光芯片的負(fù)極通過金線與一體式負(fù)極連接片連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的一體式負(fù)極連接片為PCB印制電路板，或者FPC柔性印刷電路板。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的一體式負(fù)極連接片靠近激光芯片一端的銅箔呈臺階狀，激光芯片的負(fù)極通過金線鍵合于一體式負(fù)極連接片的臺階狀銅箔處。
【專利摘要】本實用新型提出了一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)，包括制冷器，激光芯片以及一體式負(fù)極連接片，一體式負(fù)極連接片為鍍有銅箔的絕緣層，且銅箔和絕緣層為一體化結(jié)構(gòu)。所述的一體式負(fù)極連接片可采用印制電路板并一次成型，避免了絕緣層和銅連接片分開作業(yè)導(dǎo)致的鍵合面缺陷；鍵合表面的性能指標(biāo)進(jìn)一步得到提高，提高了產(chǎn)品的可靠性。
【IPC分類】H01S5/02, H01S5/024
【公開號】CN205212174
【申請?zhí)枴緾N201520996174
【發(fā)明人】舒東平, 董小濤, 劉興勝
【申請人】西安炬光科技股份有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年12月7日