專利名稱：多芯片模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多芯片模塊，尤指一種可應(yīng)用在S0D6封裝以及內(nèi)建有功率金氧半晶體管(POWER M0SFET)的多芯片模塊，該多芯片模塊作為單節(jié)鋰電池的保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
參考圖1。圖1為傳統(tǒng)單節(jié)鋰電池裝置示意圖。單節(jié)鋰電池裝置1有各種保護(hù)機(jī)構(gòu)存在。若一個單節(jié)鋰電池裝置1充電過度，其中便可能會有強(qiáng)烈的放熱反應(yīng)，以及造成火災(zāi)的潛在性將會增加。目前市面上的單節(jié)鋰電池裝置1主要是由單節(jié)鋰電池芯10加上單節(jié)鋰電池保護(hù)板12所組成。前述單節(jié)鋰電池裝置1中，單節(jié)鋰電池保護(hù)板12上的電路用來防止單節(jié)鋰電池芯10充電過度。單節(jié)鋰電池保護(hù)板12主要是由幾顆電阻R1、R2、電容C以及一顆單節(jié)鋰電池保護(hù) IC 120搭配一顆功率金氧半晶體管IC 122焊接在一電路板(未標(biāo)示)所組成，其中功率金氧半晶體管IC 122包含有兩個功率金氧半晶體管(POWER M0SFET)M1、M2。在單節(jié)鋰電池裝置1中，借助單節(jié)鋰電池保護(hù)IC 120的致能，功率金氧半晶體管IC 122中的一個功率金氧半晶體管Ml可防止電流自單節(jié)鋰電池芯10流出，另一個功率金氧半晶體管M2則可防止電流流進(jìn)單節(jié)鋰電池芯10內(nèi)。單節(jié)鋰電池裝置1中的單節(jié)鋰電池保護(hù)IC 120通常采用小外型晶體管(S0T26)封裝而成，功率金氧半晶體管IC 122通常采用TSS0P8封裝而成。另外，市面上也有內(nèi)建功率金氧半晶體管的單節(jié)鋰電池保護(hù)IC，而這種二合一的單節(jié)鋰電池保護(hù)IC采用TSS0P8與MS0P8而成。然而，采用TSS0P8封裝的單節(jié)鋰電池保護(hù) IC,其體積相當(dāng)龐大(長X寬X高約為435mmX3. 15mmX0. 92mm)，如此龐大的封裝體積不能符合輕薄短小的產(chǎn)品設(shè)計(jì)目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種利用小外型晶體管(Small Outline Transistor 26 ；SOT 26)封裝而成的多芯片模塊，多芯片模塊為一種內(nèi)建有功率金氧半晶體管的單節(jié)鋰電池保護(hù)集成電路(IC)。依據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明的多芯片模塊包括一接腳框架、一電力開關(guān)芯片及一電池保護(hù)芯片。接腳框架具有一芯片置放區(qū)、一第一接腳、一第二接腳、一第三接腳、一第四接腳、 一第五接腳及一第六接腳，其中，第二接腳與第五接腳電連接于芯片置放區(qū)，其余接腳各自電性隔離設(shè)置。電力開關(guān)芯片具有一第一頂面與一第一底面，其中，該第一底面電性連接地設(shè)置于芯片置放區(qū)上，以及，電力開關(guān)芯片的一第一頂面電性連接第一接腳與第三接腳。電池保護(hù)芯片具有一第二頂面與一第二底面，該第二底面電性隔離地設(shè)置在電力開關(guān)芯片的第一頂面的局部區(qū)域，以及，電池保護(hù)芯片的一第二頂面電性連接電力開關(guān)芯片的第一頂面、第一接腳、第四接腳以及第六接腳。依據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明的多芯片模塊中，包括一接腳框架，一電力開關(guān)芯片及一電池保護(hù)芯片。接腳框架具有一芯片置放區(qū)、一第一接腳、一第二接腳、一第三接腳、一第四接腳、 一第五接腳及一第六接腳，其中，該第二接腳與該第五接腳電連接于該芯片置放區(qū)，其余接腳各自電性隔離設(shè)置；一電力開關(guān)芯片，具有一第一頂面與一第一底面，其中，該第一底面電性連接地設(shè)置于該芯片置放區(qū)上，該第一頂面電性連接該第一接腳與該第三接腳；及一電池保護(hù)芯片，具有一第二頂面與一第二底面，電池保護(hù)芯片的設(shè)置位置可以從前述實(shí)施例的電力開關(guān)芯片的第一頂面的局部區(qū)域上，改為電性隔離地設(shè)置在芯片置放區(qū)上，該第二頂面電性連接該第一頂面、該第一接腳、該第四接腳以及該第六接腳。綜上所述，本發(fā)明的實(shí)施例的多芯片模塊為一種內(nèi)建功率金氧半晶體管的單節(jié)鋰電池保護(hù)IC，其采用SOT 26封裝而成(體積的長X寬X高約為2. 95mmXl. 56mmXl. 11mm)。 因此，本發(fā)明的實(shí)施例的多芯片模塊借助小外型晶體管SOT沈封裝來達(dá)到降低成本的需求，并使得此二合一的多芯片模塊能夠輕薄短小，在市場上更具優(yōu)勢。


圖1為傳統(tǒng)單節(jié)鋰電池裝置示意圖；圖2A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的腳位配置示意圖；圖2B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的多芯片模塊的腳位配置示意圖；圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的應(yīng)用電路示意圖；圖4A為本發(fā)明的一實(shí)施例的電池保護(hù)芯片的腳位配置示意圖；圖4B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的電池保護(hù)芯片的腳位配置示意圖；圖5A為本發(fā)明的一實(shí)施例的電力開關(guān)芯片的腳位配置示意圖；圖5B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的電力開關(guān)芯片的腳位配置示意圖；圖6A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖；圖6B為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖；圖7A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖；圖7B為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖；圖8A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖；圖8B為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖；圖9A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖；圖9B為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖。主要元件附圖標(biāo)記說明公知單節(jié)鋰電池裝置1單節(jié)鋰電池芯10單節(jié)鋰電池保護(hù)板12電阻 R1、R2電容 C單節(jié)鋰電池保護(hù)IC 120功率金氧半晶體管IC 122
功率金氧半晶體管(POWER M0SFET)M1、M2本發(fā)明多芯片模塊2、2，、3、3，第一接腳Pim第二接腳PIN2第三接腳PIN3第四接腳PIN4第五接腳PIN5第六接腳PIN6單節(jié)鋰電池芯3電阻 R1、R2電容 C電池保護(hù)芯片20、30頂面 202、302底面 204、304過充電控制輸出墊片OC過放充電控制輸出墊片OD工作電壓輸入墊片VCC接地墊片GND電流檢測墊片CS電力開關(guān)芯片22、32頂面 222、322/S 224>324第一源極區(qū)域221、321第一柵極區(qū)域225、325第二源極區(qū)域223、323第二柵極區(qū)域227、327接腳框架21、31芯片置放區(qū)211、31具體實(shí)施例方式參照圖2A，圖2A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的腳位配置示意圖。多芯片模塊2采用小外型晶體管(Small Outline Transistor 26 ；SOT 26)封裝而成，其具有6根接腳，本實(shí)施例中，該6根接腳的功能定義分別為第一接腳Pim為一共同接地接腳(GND)， 第二接腳PIN2與第五接腳PIN5為一共同漏極接腳(DU)，第三接腳PIN3為一負(fù)載接腳 (BATN)，第四接腳PIN4為一過電流偵測接腳(CS)，第六接腳PIN6為一電池電壓偵測接腳 (VCC)。另外，參照圖2B。圖2B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的多芯片模塊的腳位配置示意圖。 本發(fā)明另一實(shí)施例的多芯片模塊2的腳位配置，其6根接腳的功能可以定義為第一接腳Pim為一負(fù)載接腳(BATN)，第二接腳PIN2與第五接腳PIN5為一共同漏極接腳(D12)，第三接腳PIN3為一共同接地接腳(GND)，第四接腳PIN4為一電池電壓偵測接腳(VCC)，第六接腳PIN6為一過電流偵測接腳(CS)。配合圖2A，參考圖3。圖3為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的應(yīng)用電路示意圖。 在應(yīng)用上，多芯片模塊2可以連同一單節(jié)鋰電池芯3、幾顆電阻R1、R2及電容C可以被焊接在一電路板(未標(biāo)示)上，以組成一單節(jié)鋰電池裝置(未標(biāo)示)。如圖3所示，多芯片模塊 2的第三接腳PIN3與第四接腳PIN4之間可以連接電阻R2，作為電流偵測的用途。另外，第一接腳Pim與第六接腳PIN6之間連接電阻Rl、電容C與單節(jié)鋰電池芯3，以從單節(jié)鋰電池芯3取得工作電壓。前述中，本實(shí)施例采用小外型晶體管(Small Outline Transistor 26 ；SOT 26)封裝而成的多芯片模塊2提供了輕薄短小的封裝體積，進(jìn)而提升電路板與單節(jié)鋰電池裝置整體的使用空間。參考圖4A。圖4A為本發(fā)明的一實(shí)施例的電池保護(hù)芯片的腳位配置示意圖。電池保護(hù)芯片20具有一頂面202與一底面204，其中電池保護(hù)芯片20的頂面202具有一過充電控制輸出墊片0C、一過放充電控制輸出墊片0D、一工作電壓輸入墊片VCC、一接地墊片GND 及一電流檢測墊片CS。另外，圖4B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的電池保護(hù)芯片的腳位配置示意圖。電池保護(hù)芯片30具有一頂面302與一底面304，其中電池保護(hù)芯片30的頂面302具有一過充電控制輸出墊片0C、一過放充電控制輸出墊片0D、一工作電壓輸入墊片VCC、一接地墊片GND及一電流檢測墊片CS。參考圖5A。圖5A為本發(fā)明的一實(shí)施例的電力開關(guān)芯片的腳位配置示意圖。電力開關(guān)芯片22具有一頂面222與一底面224，其中電力開關(guān)芯片22具有兩個功率金氧半晶體管(POWER M0SFET)。電力開關(guān)芯片22的底面2 為該兩個功率金氧半晶體管的漏極共同接點(diǎn)(common drain)，同時，電力開關(guān)芯片22的頂面222具有一第一源極區(qū)域221、一第一柵極區(qū)域225、一第二源極區(qū)域223及一第二柵極區(qū)域227。圖5B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的電力開關(guān)芯片的腳位配置示意圖。電力開關(guān)芯片32具有一頂面322與一底面324，其中電力開關(guān)芯片32具有兩個功率金氧半晶體管(POWER M0SFET)。電力開關(guān)芯片32的底面3 為該兩個功率金氧半晶體管的漏極共同接點(diǎn)(common drain)，同時，電力開關(guān)芯片32的頂面322具有一第一源極區(qū)域321、一第一柵極區(qū)域325、一第二源極區(qū)域323及一第二柵極區(qū)域327。配合圖2A、圖4A及圖5A，參考圖6A。圖6A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖。多芯片模塊2包括一接腳框架21、一電力開關(guān)芯片22及一電池保護(hù)芯片20。其中，接腳框架21具有一芯片置放區(qū)211、一第一接腳Pim、一第二接腳PIN2、一第三接腳PIN3、一第四接腳PIN4、一第五接腳PIN5及一第六接腳PIN6。其中，第二接腳PIN2 與第五接腳PIN5電連接于芯片置放區(qū)211，其余接腳？1附1訊3、？1附、？訊6各自電性隔離設(shè)置。電力開關(guān)芯片22的底面224電性連接地設(shè)置于芯片置放區(qū)211上，且電力開關(guān)芯片22的頂面222電性連接第一接腳Pim與第三接腳PIN3。其中，電力開關(guān)芯片22的底面 2M通過導(dǎo)電膠與芯片置放區(qū)211電性連接。另外，電力開關(guān)芯片22的頂面222上的第一源極區(qū)域221通過導(dǎo)線與第三接腳PIN3電性連接，第二源極區(qū)域223則通過導(dǎo)線與第一接腳Pim電性連接。電池保護(hù)芯片20的底面204電性隔離地設(shè)置在電力開關(guān)芯片22的頂面222的局部區(qū)域上，同時，電池保護(hù)芯片20的頂面202則是電性連接于電力開關(guān)芯片22的頂面222、 第一接腳PIN1、第四接腳PIN4以及第六接腳PIN6。其中，電池保護(hù)芯片20通過隔離膠設(shè)置在電力開關(guān)芯片22的頂面222局部區(qū)域上。同時，電池保護(hù)芯片20的頂面202上的過充電控制輸出墊片OC通過導(dǎo)線電連接于電力開關(guān)芯片22的頂面222上的第一柵極區(qū)域225。而，過放充電控制輸出墊片OD則是通過導(dǎo)線電連接于電力開關(guān)芯片22的頂面222上的第二柵極區(qū)域227。而，工作電壓輸入墊片VCC則是通過導(dǎo)線電連接于接腳框架21的第六接腳PIN6。而，電流檢測墊片CS則是通過導(dǎo)線電連接于接腳框架21的第四接腳PIN4。另外，接地墊片GND可以通過導(dǎo)線電連接于接腳框架21的第一接腳Pim，或者，可以經(jīng)由電力開關(guān)芯片22的頂面222上的第二源極區(qū)域223電連接于接腳框架21的第一接腳Pim (如圖6B所示)。配合圖6A，請參考圖7A。圖7A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖。圖7A所示的實(shí)施例的多芯片模塊3與前述圖6A所示的實(shí)施例的多芯片模塊2差異處在于多芯片模塊3的一電池保護(hù)芯片30與一電力開關(guān)芯片32皆設(shè)置在接腳框架31的芯片置放區(qū)311上。配合圖2A、圖4B及圖5B，參考圖7A。其中，電力開關(guān)芯片32的底面324電性連接地設(shè)置于芯片置放區(qū)311上，而電力開關(guān)芯片32的頂面322的第一源極區(qū)域321與第二源極區(qū)域323則分別電性連接于接腳框架31的第三接腳PIN3與第一接腳Pim。另外，電池保護(hù)芯片30的底面304則是電性隔離地設(shè)置芯片置放區(qū)311上，而電池保護(hù)芯片30的頂面302的過充電控制輸出墊片OC與過放充電控制輸出墊片OD則分別電連接于電力開關(guān)芯片32的頂面322的第一柵極區(qū)域325與第二柵極區(qū)域327。以及，電池保護(hù)芯片30的頂面302的電流檢測墊片CS與工作電壓輸入墊片VCC則分別電連接于接腳框架31的第四接腳PIN4與第六接腳PIN6。另外，電池保護(hù)芯片30的頂面302的接地墊片GND則電連接于接腳框架31的第一接腳Pim，或者，經(jīng)由電力開關(guān)芯片32的頂面322 上的第二源極區(qū)域323電連接于接腳框架31的第一接腳Pim (如圖7B所示)。配合圖6A，參考圖8A。圖8A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖。圖8A所示的實(shí)施例的多芯片模塊2’與前述圖6A所示的實(shí)施例的多芯片模塊2差異處在于圖8A所示的電池保護(hù)芯片20上各墊片的設(shè)置位置與圖6A所示的各墊片的設(shè)置位置為一種鏡射(mirror)配置的關(guān)系。如圖8A所示，電池保護(hù)芯片20的過充電控制輸出墊片OC通過導(dǎo)線電連接于電力開關(guān)芯片22的第二柵極區(qū)域227。而，過放充電控制輸出墊片OD則是通過導(dǎo)線電連接于電力開關(guān)芯片22的第一柵極區(qū)域225。工作電壓輸入墊片VCC則是通過導(dǎo)線電連接于接腳框架21的第四接腳PIN4。電流檢測墊片CS則是通過導(dǎo)線電連接于接腳框架21的第六接腳PIN6。另外，接地墊片GND可以通過導(dǎo)線電連接于接腳框架21的第三接腳PIN3，或者， 可以經(jīng)由電力開關(guān)芯片22的第一源極區(qū)域221電連接于接腳框架21的第三接腳PIN3 (如圖8B所示)。前述中，圖8A與圖8B所示的多芯片模塊2’，其腳位配置如圖2B所示。配合圖7A，參考圖9A。圖9A為本發(fā)明的一實(shí)施例的多芯片模塊的封裝架構(gòu)示意圖。圖9A所示的實(shí)施例的多芯片模塊3’與前述圖7A所示的實(shí)施例的多芯片模塊3差異處在于圖9A所示的電池保護(hù)芯片30上各墊片的設(shè)置位置與圖7A所示的各墊片的設(shè)置位置為一種鏡射 (mirror)配置的關(guān)系。如圖9A所示，電池保護(hù)芯片30的過充電控制輸出墊片OC電連接于電力開關(guān)芯片32的第二柵極區(qū)域327，過放充電控制輸出墊片OD電連接于電力開關(guān)芯片32的第一柵極區(qū)域325。以及，電池保護(hù)芯片30的電流檢測墊片CS電連接于接腳框架31的第六接腳 PIN6，工作電壓輸入墊片VCC電連接于接腳框架31的第四接腳PIN4。另外，電池保護(hù)芯片 30的接地墊片GND電連接于接腳框架31的第三接腳PIN3，或者，經(jīng)由電力開關(guān)芯片32的第一源極區(qū)域321電連接于接腳框架31的第三接腳PIN3(如圖9B所示)。前述中，圖9A 與圖9B所示的多芯片模塊3，，其腳位配置如圖2B所示。綜上所述，本發(fā)明的實(shí)施例的多芯片模塊為一種內(nèi)建功率金氧半晶體管的單節(jié)鋰電池保護(hù)IC，其采用S0D6封裝而成(體積的長X寬X高約為2. 95mmXl. 56mmXl. 11mm)。因此，本發(fā)明的實(shí)施例的多芯片模塊借助小外型晶體管SOT 26封裝來達(dá)到降低成本的需求， 并使得此二合一的多芯片模塊能夠輕薄短小，在市場上更具優(yōu)勢。但是，以上所述僅為本發(fā)明的最佳具體實(shí)施例之一的詳細(xì)說明與附圖，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修改皆可涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多芯片模塊，其特征在于，包括一接腳框架，具有一芯片置放區(qū)、一第一接腳、一第二接腳、一第三接腳、一第四接腳、 一第五接腳及一第六接腳，其中，該第二接腳與該第五接腳電連接于該芯片置放區(qū)，其余接腳各自電性隔離設(shè)置；一電力開關(guān)芯片，具有一第一頂面與一第一底面，其中，該第一底面電性連接地設(shè)置于該芯片置放區(qū)上，該第一頂面電性連接該第一接腳與該第三接腳；及一電池保護(hù)芯片，具有一第二頂面與一第二底面，該第二底面電性隔離地設(shè)置在該第一頂面的局部區(qū)域，該第二頂面電性連接該第一頂面、該第一接腳、該第四接腳以及該第六接腳。
2.如權(quán)利要求1所述的多芯片模塊，其特征在于，該電力開關(guān)芯片具有兩個功率金氧半晶體管，且該第一底面為該兩個功率金氧半晶體管的漏極共同接點(diǎn)，該電力開關(guān)芯片的第一頂面具有一第一柵極區(qū)域、一第二柵極區(qū)域、一第一源極區(qū)域及一第二源極區(qū)域，該第一源極區(qū)域電連接于第三接腳，該第二源極區(qū)域電連接于該第一接腳。
3.如權(quán)利要求2所述的多芯片模塊，其特征在于，該電池保護(hù)芯片的該第二頂面具有一過充電控制輸出墊片、一過放充電控制輸出墊片、一工作電壓輸入墊片、一接地墊片及一電流檢測墊片。
4.如權(quán)利要求3所述的多芯片模塊，其特征在于，該過充電控制輸出墊片電連接于該第一柵極區(qū)域；該過放充電控制輸出墊片電連接于該第二柵極區(qū)域；該工作電壓輸入墊片電連接于該第六接腳；該電流檢測墊片電連接于該第四接腳；該接地墊片直接電連接于該第一接腳或經(jīng)由該第二源極區(qū)域電連接于該第一接腳。
5.如權(quán)利要求4所述的多芯片模塊，其特征在于，該第一接腳為一共同接地接腳；該第二接腳為一共同漏極接腳；該第三接腳為一負(fù)載接腳、該第四接腳為一過電流偵測接腳； 該第五接腳為一共同漏極接腳；該第六接腳為一電池電壓偵測接腳。
6.如權(quán)利要求1所述的多芯片模塊，其特征在于，該多芯片模塊利用小外型晶體管封裝而成。
7.—種多芯片模塊，其特征在于，包括一接腳框架，具有一芯片置放區(qū)、一第一接腳、一第二接腳、一第三接腳、一第四接腳、 一第五接腳及一第六接腳，其中，該第二接腳與該第五接腳電連接于該芯片置放區(qū)，其余接腳各自電性隔離設(shè)置；一電力開關(guān)芯片，具有一第一頂面與一第一底面，其中，該第一底面電性連接地設(shè)置于該芯片置放區(qū)上，該第一頂面電性連接該第一接腳與該第三接腳；及一電池保護(hù)芯片，具有一第二頂面與一第二底面，該第二底面電性隔離地設(shè)置該芯片置放區(qū)上，該第二頂面電性連接該第一頂面、該第一接腳、該第四接腳以及該第六接腳。
8.如權(quán)利要求7所述的多芯片模塊，其特征在于，該電力開關(guān)芯片具有兩個功率金氧半晶體管，且該第一底面為該兩個功率金氧半晶體管的漏極共同接點(diǎn)，該電力開關(guān)芯片的第一頂面具有一第一柵極區(qū)域、一第二柵極區(qū)域、一第一源極區(qū)域及一第二源極區(qū)域，該第一源極區(qū)域電連接于第三接腳，該第二源極區(qū)域電連接于該第一接腳。
9.如權(quán)利要求8所述的多芯片模塊，其特征在于，該電池保護(hù)芯片的該第二頂面具有一過充電控制輸出墊片、一過放充電控制輸出墊片、一工作電壓輸入墊片、一接地墊片及一電流檢測墊片。
10.如權(quán)利要求9所述的多芯片模塊，其特征在于，該過充電控制輸出墊片電連接于該第一柵極區(qū)域；該過放充電控制輸出墊片電連接于該第二柵極區(qū)域；該工作電壓輸入墊片電連接于該第六接腳；該電流檢測墊片電連接于該第四接腳；該接地墊片直接電連接于該第一接腳或經(jīng)由該第二柵極區(qū)域電連接于該第一接腳。
11.如權(quán)利要求10所述的多芯片模塊，其特征在于，該第一接腳為一共同接地接腳； 該第二接腳為一共同漏極接腳；該第三接腳為一負(fù)載接腳；該第四接腳為一過電流偵測接腳；該第五接腳為一共同漏極接腳；該第六接腳為一電池電壓偵測接腳。
12.如權(quán)利要求7所述的多芯片模塊，其特征在于，該多芯片模塊利用小外型晶體管封裝而成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種多芯片模塊，其包括一接腳框架、一電力開關(guān)芯片及一電池保護(hù)芯片；接腳框架具有一芯片置放區(qū)與六根接腳，其中，第二接腳與第五接腳電連接于芯片置放區(qū)，其余接腳各自電性隔離設(shè)置；電力開關(guān)芯片的底面電性連接于芯片置放區(qū)上，以及，電力開關(guān)芯片的頂面電性連接第一接腳與第三接腳；電池保護(hù)芯片的底面設(shè)置在電力開關(guān)芯片的頂面上，且與該電力開關(guān)芯片的頂面電性隔離；電池保護(hù)芯片的頂面電性連接電力開關(guān)芯片的頂面、第一接腳、第四接腳以及第六接腳。前述的多芯片模塊利用小外型晶體管SOT 26封裝而成來達(dá)到降低成本的需求，并使得此二合一的多芯片模塊能夠輕薄短小，在市場上更具優(yōu)勢。
文檔編號H01M10/42GK102386447SQ20101027206
公開日2012年3月21日 申請日期2010年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者劉振興, 容紹泉, 陳國強(qiáng), 陳宴毅 申請人:富晶電子股份有限公司