專利名稱：成膜裝置和成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在真空容器內(nèi)使用至少2種反應(yīng)氣體而在半導(dǎo)體晶圓等被處理體上 形成薄膜的半導(dǎo)體處理用的成膜裝置。在此，所謂半導(dǎo)體處理，是指為了通過在半導(dǎo)體晶 圓、LCD(Liquid Crystal Display)那樣的 FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板等被 處理體上以規(guī)定的圖案形成半導(dǎo)體層、絕緣層、導(dǎo)電層等而在該被處理體上制造包括半導(dǎo) 體器件、與半導(dǎo)體器件連接的布線、電極等的構(gòu)造物所實(shí)施的各種處理。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件的圖案的微細(xì)化的發(fā)展，在圖案的凹部內(nèi)形成品質(zhì)優(yōu)良的填埋 (日文埋力込 )構(gòu)造更為重要。例如，為了在半導(dǎo)體晶圓上配設(shè)元件分離區(qū)域，提出了與 在晶圓上形成溝槽(trench)、用絕緣膜填埋溝槽而成的STI (淺溝槽隔離shallow trench isolation)構(gòu)造的各種技術(shù)。在這種技術(shù)中，隨著圖案的微細(xì)化，在填埋能力和膜質(zhì)這些方 面，難以確保高質(zhì)量?，F(xiàn)狀來看，作為這種填埋膜，多數(shù)情況下采用組合PSZ (聚硅氮烷)涂 敷法和HDP (高密度等離子體)法的氧化膜。可是，在利用HDP法等的CVD (chemical vapor Deposition)法中，在從溝槽側(cè)部開始堆積的膜與溝槽側(cè)部的接合部位容易產(chǎn)生空隙。在該 情況下，產(chǎn)生蝕刻率高等膜質(zhì)不良情況、難以向深的溝槽堆積等問題。此外，在圖案微細(xì)化 時(shí)，抗蝕掩模的形狀偏差受凹部的形狀較大地影響，因此，有時(shí)凹部成為越朝向底部去越擴(kuò) 大的倒錐形形狀。在凹部的深寬比大且凹部是倒錐形形狀的情況下，膜的填埋特別困難。在US 7，153，542中公開有如下裝置在載置臺(tái)上載置晶圓，使該晶圓相對(duì)于氣體 供給部相對(duì)旋轉(zhuǎn)，依次供給不同的反應(yīng)氣體，進(jìn)行包括等離子處理、熱處理的成膜循環(huán)。在 日本特開平8-162449號(hào)中公開了如下成膜法使用改善膜的填埋特性的液相外延，并且為 了改善膜質(zhì)，反復(fù)照射等離子體，反復(fù)進(jìn)行熱退火。此外，在日本特開2004-47644號(hào)中公開 了如下技術(shù)使TEOS氣體在基板上液化，接著在加熱條件下供給氧氣而形成氧化膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠相對(duì)于被處理體的凹部進(jìn)行良好的膜的填埋的 半導(dǎo)體處理用的成膜裝置。本發(fā)明的第1技術(shù)方案的半導(dǎo)體處理用的成膜裝置，其使用第1和第2反應(yīng)氣體 在被處理體上形成薄膜，其包括真空容器；排氣系統(tǒng)，其用于對(duì)上述真空容器進(jìn)行排氣； 旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用于載置上述被處理體；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其用于使上述旋 轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)；溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，其用于將上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體的溫度設(shè)定成使上述第 1反應(yīng)氣體凝結(jié)的溫度；第1反應(yīng)氣體供給部，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用于向上述旋 轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給上述第1反應(yīng)氣體，使上述第1反應(yīng)氣體的凝結(jié)物吸附于上述 被處理體上；氣化部，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用于加熱上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體 而使上述凝結(jié)物的一部分氣化；以及第2反應(yīng)氣體供給部，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用 于將上述第2反應(yīng)氣體以活化的狀態(tài)向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給，使上述第2反應(yīng)氣體與上述凝結(jié)物反應(yīng)而生成反應(yīng)生成物，上述第1反應(yīng)氣體供給部、上述氣化部和上 述第2反應(yīng)氣體供給部沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向依次配置。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的成膜裝置的縱剖側(cè)視圖。圖2是上述成膜裝置的橫剖俯視圖。圖3A、B是表示上述成膜裝置的處理區(qū)域和分離區(qū)域的縱剖側(cè)視圖。圖4是上述成膜裝置的橫截面的放大圖。圖5是表示上述成膜裝置的等離子體噴射器的一個(gè)例子的立體圖。圖6是表示上述等離子體噴射器的縱剖側(cè)視圖。圖7是上述成膜裝置的橫截面的放大圖。圖8是上述成膜裝置的橫截面的放大圖。圖9是表示上述成膜裝置中的吹掃氣體的流動(dòng)的示意圖。圖10是上述成膜裝置的局部剖立體圖。圖11是在上述成膜裝置中進(jìn)行成膜處理的基板的縱截面的示意圖。圖12是表示在上述成膜裝置中對(duì)基板進(jìn)行成膜處理的狀態(tài)的示意圖。圖13A、B，C是表示在上述成膜裝置中對(duì)基板進(jìn)行成膜處理的狀態(tài)的示意圖。圖14是表示在上述成膜裝置中對(duì)基板進(jìn)行成膜處理的狀態(tài)的示意圖。圖15是表示上述成膜裝置中的氣體的流動(dòng)的示意圖。圖16是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的成膜裝置的橫剖俯視圖。圖17A、B是表示上述第2實(shí)施方式的臭氧活化噴射器的一個(gè)例子的縱剖側(cè)視圖和 縱剖主視圖。圖18是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的成膜裝置的橫剖俯視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在以下的說明中，對(duì)具有大致相同 功能和構(gòu)成的構(gòu)成要素標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，只在必要的情況下進(jìn)行重復(fù)說明。第1實(shí)施方式如圖1和圖2所示，本發(fā)明的第1實(shí)施方式的成膜裝置包括平面(俯視)形狀是 大致圓形的扁平的真空容器1 ；配設(shè)在該真空容器1內(nèi)且在該真空容器1的中心具有旋轉(zhuǎn) 中心的水平旋轉(zhuǎn)臺(tái)2。真空容器1包括收納該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的杯型的容器主體12 ；形成為圓板 狀且氣密地堵住該容器主體12的上側(cè)開口部的頂板11。在容器主體12的上側(cè)開口部的周 緣部配設(shè)有環(huán)狀密封構(gòu)件例如0型密封圈13，頂板11與容器主體12側(cè)氣密地連接。頂板 11利用驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)而進(jìn)行升降，由此，真空容器1被打開或關(guān)閉。旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部被固定在圓筒形狀的芯部21。該芯部21被固定在沿鉛垂方向 延伸的旋轉(zhuǎn)軸22的上端。該旋轉(zhuǎn)軸22貫穿真空容器1的底板14，該旋轉(zhuǎn)軸22的下端安裝 在使該旋轉(zhuǎn)軸22繞鉛垂軸線在該例子中順時(shí)針旋轉(zhuǎn)的作為旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)部23。旋轉(zhuǎn)軸 22和驅(qū)動(dòng)部23被收納于上表面開口的筒狀殼體20內(nèi)。配設(shè)在該殼體20的上表面的凸緣 部分氣密地安裝在真空容器1的底板14的下表面，從而維持殼體20的內(nèi)部氣氛和外部氣氛的氣密狀態(tài)。如圖2所示，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2具有以沿著旋轉(zhuǎn)方向(周向)排列的方式形成在上表面的 多個(gè)例如5個(gè)圓形狀的凹部24，各凹部24構(gòu)成為載置1張作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下也 簡稱為“晶圓”)W。因而，凹部24由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)而以該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心為中心 繞鉛垂軸線公轉(zhuǎn)。各凹部24具有如后述那樣用于支承晶圓W的背面而使該晶圓W升降的 多根例如3根升降銷16 (參照?qǐng)D10)，因而，在該旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的底面形成有供升降銷16貫穿的 通孔(未圖示)。在此，圖3A、B是沿著相對(duì)于旋轉(zhuǎn)中心同心的同心圓剖切真空容器1的頂 板11和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2并展開的縱剖側(cè)視圖。如圖2 圖4所示，在真空容器1內(nèi)，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的分別與凹部24的通過區(qū)域相 對(duì)的上方的位置沿周向(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向)互相隔開間隔地配置例如由石英構(gòu)成的反 應(yīng)氣體噴嘴31、2個(gè)分離氣體噴嘴41、42和輔助氣體噴嘴200。在該例子中，從后述的輸送 口 15看來，第1分離氣體噴嘴41、反應(yīng)氣體噴嘴31、第2分離氣體噴嘴42和輔助氣體噴嘴 200沿順時(shí)針(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向)依次排列。這些噴嘴41、31、42、200沿上述旋轉(zhuǎn)方向 從真空容器1的側(cè)壁上的與該輸送口 15大致相對(duì)的位置到靠近該輸送口 15的上游側(cè)的位 置依次安裝在真空容器1的側(cè)壁上。這些反應(yīng)氣體噴嘴31、輔助氣體噴嘴200和分離氣體 噴嘴41、42例如從真空容器1的側(cè)壁朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心與晶圓W相對(duì)而呈線狀水平 地延伸。這些氣體噴嘴的作為基端部的氣體導(dǎo)入部分31a、200a、41a、42a配置在真空容器 1的側(cè)壁的外側(cè)。這些反應(yīng)氣體噴嘴31和輔助氣體噴嘴200分別構(gòu)成第1反應(yīng)氣體供給部件和輔 助氣體供給部件的一部分，分離氣體噴嘴41、42構(gòu)成分離氣體供給部件的一部分。這些噴 嘴31、200、41、42安裝在形成于真空容器1的側(cè)壁的多個(gè)部位的通孔100中。另外，未安裝 有噴嘴31、200、41、42的通孔100由罩構(gòu)件(未圖示)氣密地堵住。利用設(shè)有閥31c、流量調(diào)整部31d的氣體供給管31b，從氣體源31e向反應(yīng)氣體噴 嘴31供給第1反應(yīng)氣體例如BTBAS (雙叔丁基氨基硅烷)氣體。利用設(shè)有閥200c、流量調(diào) 整部200d的氣體供給管200b，從輔助氣體源200e向輔助氣體噴嘴200供給輔助氣體。如 后所述，所謂該輔助氣體是指用于使吸附于晶圓W上的反應(yīng)氣體(BTBAS氣體)的凝結(jié)物形 成比該凝結(jié)物難以氣化的中間產(chǎn)物而供給的氣體。上述難以氣化的中間產(chǎn)物是含有羥基 (0H基)和/或水分的生成物。作為輔助氣體，使用例如具有羥基(0H基)的氣體例如酒 精(R-0H、R:烷基)或純水(H2O)或雙氧水(H2O2)。在該例子中，供給乙醇(C2H5OH)氣體作 為輔助氣體。此外，第1分離氣體噴嘴41利用設(shè)有閥41c、流量調(diào)整部41d的氣體供給管41b從 氣體源41e供給分離氣體例如N2氣體(氮?dú)?。第2分離氣體噴嘴42利用具有閥42c、流 量調(diào)整部42d的氣體供給管42b從氣體源42e供給分離氣體例如N2氣體(氮?dú)?。此外， 氣體供給管42b具有加熱部42f，N2氣體被該加熱部42f加熱到規(guī)定溫度，向第2分離氣體 噴嘴42供給。因而，如后所述，第2分離氣體噴嘴42(第2分離氣體供給部件)為了使吸 附于晶圓W上的反應(yīng)氣體(BTBAS氣體)的凝結(jié)物的一部分氣化，構(gòu)成加熱晶圓W的加熱部 件。在此，為了使吸附于晶圓W的凝結(jié)物的一部分氣化，優(yōu)選將晶圓W加熱到例如85°C 150°C的溫度。因此，在真空容器1內(nèi)，從第2分離氣體噴嘴42供給被加熱部42f加熱到 100°C 200°C的溫度的N2氣體。
此外，在該例子中，在反應(yīng)氣體噴嘴31的氣體供給管31b上也配設(shè)有加熱部31f。 作為第1反應(yīng)氣體的BTBAS氣體由上述加熱部加熱，在溫度高于載置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的晶圓W 的溫度時(shí)以氣體狀態(tài)向真空容器1內(nèi)供給。如圖3A、B和圖4所示，在反應(yīng)氣體噴嘴31上朝向正下方地形成有用于向下方側(cè) 噴出反應(yīng)氣體的多個(gè)氣體噴出孔33。氣體噴出孔33例如口徑是0. 5mm，在噴嘴的整個(gè)長度 方向(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向)例如隔開IOmm的間隔等間隔地排列。此外，在輔助氣體噴嘴200 上朝向正下方地形成有向下方側(cè)噴出輔助氣體的多個(gè)氣體噴出孔201。氣體噴出孔201例 如口徑是0.5mm，在噴嘴的整個(gè)長度方向(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向)例如隔開IOmm的間隔等間隔 地排列。在分離氣體噴嘴41、42上朝向正下方地形成有向下方側(cè)噴出分離氣體的多個(gè)氣體 噴出孔40。氣體噴出孔40例如口徑是0.5mm，在噴嘴的長度方向(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向)上例 如隔開IOmm左右的間隔等間隔地貫穿設(shè)置。在反應(yīng)氣體噴嘴31的氣體噴出孔33和晶圓W之間的鉛垂方向的距離是例如1 4mm，優(yōu)選是2mm。輔助氣體噴嘴200的氣體噴出孔201和晶圓W之間的鉛垂方向的距離是 例如1 4mm，優(yōu)選是2mm。此外，分離氣體噴嘴41、42的氣體噴出孔40和晶圓W之間的鉛 垂方向的距離是例如1 4mm，優(yōu)選是3mm。反應(yīng)氣體噴嘴31的下方區(qū)域?yàn)橛糜谑笲TBAS 氣體吸附于晶圓W上的第1處理區(qū)域91 (第1反應(yīng)氣體供給部)。輔助氣體噴嘴200的下 方區(qū)域?yàn)橛糜谑挂掖細(xì)怏w與凝結(jié)在晶圓W上的BTBAS反應(yīng)而生成上述中間產(chǎn)物的輔助區(qū)域 90 (輔助氣體供給部)。此外，第2分離氣體噴嘴42的下方區(qū)域?yàn)榧訜釁^(qū)域。此外，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上，在輔助氣體噴嘴200和第1分離氣體噴嘴41之 間朝向旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)依次配設(shè)有等離子體噴射器250和加熱燈210。等離子體噴射器250構(gòu)成用于使第2反應(yīng)氣體活化并向晶圓W供給的第2反應(yīng)氣 體供給部件的一部分。該等離子體噴射器250的下方區(qū)域?yàn)橛糜谙蚓AW供給作為第2反 應(yīng)氣體的氧(O2)氣體的第2處理區(qū)域92 (第2反應(yīng)氣體供給部)。該等離子體噴射器250 具有由沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向延伸的框體構(gòu)成的噴射器主體251。如圖5和圖6所示，在該噴 射器主體251內(nèi)形成有被沿該噴射器主體251的長度方向延伸的隔壁252劃分成的寬度不 同的2個(gè)空間。一側(cè)是用于使上述第2反應(yīng)氣體等離子化(活化)的作為氣體活化用流路 的氣體活化室253。另一側(cè)是用于向該氣體活化室253供給等離子體產(chǎn)生用氣體的作為氣 體導(dǎo)入用流路的氣體導(dǎo)入室254。在圖2、圖5和圖6中，附圖標(biāo)記255是氣體供給噴嘴、附圖標(biāo)記256是氣孔、附圖 標(biāo)記257是氣體導(dǎo)入部分、附圖標(biāo)記258是連接管、附圖標(biāo)記259是連接器。而且，等離子 體產(chǎn)生用氣體從氣體供給噴嘴255的氣孔256向氣體導(dǎo)入室254內(nèi)供給，氣體經(jīng)由形成在 隔壁252上的狹縫271向氣體活化室253流動(dòng)。在氣體活化室253內(nèi)，2根由電介質(zhì)構(gòu)成 的例如陶瓷制的鞘管272從該氣體活化室253的基端側(cè)朝向頂端側(cè)沿著隔壁252延伸。在 這些鞘管272的管內(nèi)穿過有棒狀的電極273。這些電極273的基端側(cè)被拉出到噴射器主體 251的外部，在真空容器1的外部經(jīng)由匹配器274與高頻電源275連接。在噴射器主體251 的底面，沿噴射器主體251的長度方向排列有氣體噴出孔291，該氣體噴出孔291用于向下 方側(cè)噴出在作為該電極273之間的區(qū)域的等離子體產(chǎn)生部290所生成的等離子體。該噴射 器主體251的頂端側(cè)接近旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部地沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向延伸。圖2中附圖標(biāo)記 261是用于向氣體供給噴嘴255導(dǎo)入第2反應(yīng)氣體例如氧(O2)氣體的氣體供給管，經(jīng)由閥262、流量調(diào)整部263與儲(chǔ)存有上述O2氣體的氣體源264連接。在該例子中，第2反應(yīng)氣體 兼用作等離子體產(chǎn)生用氣體。此外，加熱燈210為退火用加熱器，被配置成沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向延伸。該加熱燈 210例如由棒狀的紅外線燈構(gòu)成，如圖7所示，配設(shè)在以沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向延伸的方式形 成在真空容器1的頂板11上的燈室211內(nèi)。該燈室211在上部側(cè)配設(shè)有反射板215，在下 表面?zhèn)扰湓O(shè)有用于氣密地劃分該燈室211內(nèi)的氣氛和真空容器1內(nèi)的氣氛的透光窗212。 在該加熱燈210的兩端配設(shè)有兼用作電極部的密封構(gòu)件213，在該密封構(gòu)件213上例如分別 連接有從真空容器1的頂板11的上方側(cè)延伸的供電線214。該圖7中，附圖標(biāo)記217是用 于經(jīng)由供電線214和密封構(gòu)件213向該加熱燈210供電的電源，附圖標(biāo)記216是從兩側(cè)支 承該加熱燈210的支承部件。此外，該加熱燈210被控制成能夠基于熱電偶(未圖示)等 溫度檢測(cè)部的測(cè)量結(jié)果而將晶圓W加熱到進(jìn)行后述的加熱處理(致密化處理)最佳的溫度 例如 100°C 450°C、優(yōu)選 3500C ο返回第1和第2分離氣體噴嘴41、42的說明，如圖2所示，第1分離氣體噴嘴41 在第1處理區(qū)域91的旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)形成用于分離該第1處理區(qū)域91、第2處理區(qū)域 92和輔助區(qū)域90的第1分離區(qū)域D1。此外，第2分離氣體噴嘴42在第1處理區(qū)域91的 旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)形成用于分離該第1處理區(qū)域91、輔助區(qū)域90和第2處理區(qū)域92的第 2分離區(qū)域D2。如圖2、圖3A、B所示，這些分離區(qū)域D1、D2分別具有從真空容器1的頂板11向下 方突出的突出部分4，該突出部分4具有由從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心延伸的2條徑向線分割 由真空容器1的側(cè)壁所描繪(圍成)的圓而形成的扇型的平面形狀。分離氣體噴嘴41、42 被收納于在該突出部分4的周向中央沿徑向延伸地形成的槽部43內(nèi)。即，從分離氣體噴嘴 41(42) O中心軸線到作為突出部分4的扇型的兩緣(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向上流側(cè)的緣和下 流側(cè)的緣)的距離被設(shè)定為相同的長度。換句話說，槽部43在本實(shí)施方式中以二等分突出 部分4的方式形成。在其他實(shí)施方式中，也能以例如從槽部43看來突出部分4的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2 的旋轉(zhuǎn)方向上游側(cè)的面積大于下游側(cè)的面積的方式形成槽部43。因此，在分離氣體噴嘴41、42的上述旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)，存在作為突出部分4的下表面 部分的平坦的低的頂面44(第1頂面)。在該頂面44的上述旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)，存在比該頂面 44高的頂面45 (第2頂面)。該突出部分4的作用在于，阻止反應(yīng)氣體和輔助氣體進(jìn)入該 突出部分4與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間而阻止這些氣體混合的，因此，形成厚度小的分離間隙(gap)，由 此實(shí)現(xiàn)氣體氣氛的分離。以第1分離氣體噴嘴41為例，分離間隙阻止乙醇?xì)怏w和O2氣體從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋 轉(zhuǎn)方向上游側(cè)進(jìn)入，還阻止BTBAS氣體從旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)進(jìn)入。在該例子中，從分離氣體 噴嘴41噴出的作為分離氣體的N2氣體向第1頂面44和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2表面之間的間隙擴(kuò)散，吹 到與該第1頂面44相鄰的第2頂面45的下方的相鄰空間，由此，來自該相鄰空間氣體無法 進(jìn)入，從而得到阻止氣體進(jìn)入的效果。但是，所謂“氣體氣氛的分離”不僅是指各氣體無法 完全從兩側(cè)的相鄰空間進(jìn)入分離間隙的情況，也是指雖然這些氣體多少進(jìn)入一些，但是各 氣體無法完全流入另一方的相鄰空間中的情況。例如就第1處理區(qū)域91而言，在該區(qū)域內(nèi) BTBAS氣體不與乙醇?xì)怏w和O2氣體互相混合是重要的。只要得到這樣的作用，則分離區(qū)域 D1、D2就能夠發(fā)揮作為這些的作用的使第1處理區(qū)域91的氣氛和第2處理區(qū)域92的氣氛(輔助區(qū)域90的氣氛)互相分離的分離作用。在該例子中，以分離區(qū)域D1、D2和兩側(cè)的相 鄰空間的壓力差提供阻止氣體進(jìn)入的效果的方式設(shè)定厚度小的分離間隙的尺寸(厚度、面 積等)。另外，在得到充分的分離作用的基礎(chǔ)上，分離間隙的厚度(突出部分4的下表面的 位置)需要根據(jù)突出部分4的面積等而進(jìn)行變更。另外，氣體氣氛的分離當(dāng)然意味著氣體 氣氛中的物質(zhì)的分離，這是因?yàn)樾枰箯臍怏w派生而吸附或凝結(jié)于晶圓W的物質(zhì)通過分離 區(qū)域D1、D2。另外，作為分離氣體、吹掃氣體，不限于作為非活性氣體的氮(N2)氣體，也能夠使 用氬(Ar)氣體、氦(He)氣體等惰性氣體等。也可以不限于這樣氣體，也可以是氫(H2)氣 體，只要是不對(duì)成膜處理造成影響的氣體，關(guān)于氣體的種類沒有特別限定。例如，也可以從 第2分離氣體噴嘴42供給加熱了的Ar氣體等惰性氣體、H2氣體，使吸附于晶圓W的BTBAS 氣體的凝結(jié)物的一部分氣化。在頂板11的下表面的、旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的芯部21的外側(cè)，沿著該芯部21的外周還配設(shè) 有環(huán)狀突部5。該環(huán)狀突部5與突出部分4的旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心側(cè)的部位連續(xù)地形成。 環(huán)狀突部5的下表面與突出部分4的下表面形成為相同高度。圖2是在比頂面45低且比 分離氣體噴嘴41、42高的位置水平地剖切頂板11而表示裝置的橫剖俯視圖。另外，環(huán)狀突 部5和突出部分4不限于是一體的，也可以是獨(dú)立的個(gè)體。如上所述，從真空容器1的頂板11的下表面即旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的晶圓載置區(qū)域(凹部 24)看到的頂面在周向上存在第1頂面44和比該頂面44高的第2頂面45。在圖1中，表 示配設(shè)有高的頂面45的區(qū)域的縱截面。在圖8中，表示配設(shè)有低的頂面44的區(qū)域的縱截 面。如圖2和圖8所示，扇型的突出部分4的周緣部(真空容器1的外緣側(cè)的部位)與旋轉(zhuǎn) 臺(tái)2的外端面相對(duì)地呈L字型彎曲，形成彎曲部46。扇型的突出部分4配設(shè)在頂板11側(cè)， 由于能從容器主體12卸下，在彎曲部46的外周面和容器主體12之間具有微小的間隙。該 彎曲部46與突出部分4相同，也是出于防止BTBAS氣體、乙醇?xì)怏w和O2氣體從兩側(cè)進(jìn)入、 防止這些氣體混合的目的而配設(shè)的。彎曲部46的內(nèi)周面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端面之間的間隙 以及彎曲部46的外周面和容器主體12之間的間隙被設(shè)定為與頂面44距旋轉(zhuǎn)臺(tái)2表面的 高度h相同的尺寸。在該例子中，能夠從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2表面?zhèn)瓤吹綇澢?6的內(nèi)周面構(gòu)成真空 容器1的內(nèi)周壁。如圖8所示，容器主體12的內(nèi)周壁在分離區(qū)域Dl、D2中與彎曲部46的外周面接 近而形成為鉛垂面。如圖1所示，容器主體12的內(nèi)周壁在分離區(qū)域Dl、D2以外的部位，例 如成為從與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外端面相對(duì)的部位遍及底板14地、縱截面形狀被切掉長方形而成的 向外方側(cè)凹陷的構(gòu)造。能將與第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92連通的、包括該凹陷的 部位的區(qū)域分別稱為第1排氣區(qū)域El和第2排氣區(qū)域E2。如圖1和圖2所示，在這些第1 排氣區(qū)域El和第2排氣區(qū)域E2的底部分別形成有第1排氣口 61和第2排氣口 62。如圖 1所示，第1排氣口 61和第2排氣口 62經(jīng)由設(shè)有閥65的排氣通路63與作為真空排氣部件 的例如真空泵64連接。這些排氣口 61、62在上述旋轉(zhuǎn)方向上分別配置在分離區(qū)域D2、Dl的附近，以便可 靠地發(fā)揮分離區(qū)域Dl、D2的分離作用。具體而言，第1排氣口 61在第1處理區(qū)域91和第 2分離區(qū)域D2之間形成在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)的位置。第2排氣口 62在第2處理區(qū)域92和第 1分離區(qū)域Dl之間形成在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)的位置。第1排氣口 61專門對(duì)作為第1反應(yīng)氣體的BTBAS氣體進(jìn)行排氣，第2排氣口 62專門對(duì)作為第2反應(yīng)氣體的O2氣體和乙醇?xì)怏w 進(jìn)行排氣。在該例子中，第1排氣口 61配設(shè)在反應(yīng)氣體噴嘴31以及與該反應(yīng)氣體噴嘴31相 鄰的第2分離區(qū)域D2的側(cè)部的延伸線之間。此外，第2排氣口 62被配設(shè)在等離子體噴射 器250以及與該等離子體噴射器250相鄰的第1分離區(qū)域Dl的側(cè)部的延伸線之間。即，第 1排氣口 61位于通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心和第1處理區(qū)域91的直線Ll (在圖2中以點(diǎn)劃線表 示)與通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心和第2分離區(qū)域D2的上游側(cè)的緣的直線L2之間。第2排氣口 62位于通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心和第2處理區(qū)域92的直線L3(在圖2中以雙點(diǎn)劃線表示)與 通過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心和第1分離區(qū)域Dl的上游側(cè)的緣的直線L4之間。在該例子中，由于在輔助區(qū)域90和第2處理區(qū)域92之間未配設(shè)分離區(qū)域D，所以 乙醇?xì)怏w和O2氣體相互混合直到排氣口 62。但是，這些氣體混合不會(huì)對(duì)成膜特性造成不良 影響。另外，排氣口的設(shè)置數(shù)不限定于2個(gè)。例如也可以在第2分離區(qū)域D2和輔助氣體 噴嘴200之間再設(shè)置排氣口，而形成為3個(gè)排氣口。也可以在輔助氣體噴嘴200和等離子 體噴射器250之間的區(qū)域設(shè)置排氣口。而且，也可以將分離區(qū)域D形成為輔助氣體噴嘴200 和等離子體噴射器250之間的區(qū)域。此外，排氣口的設(shè)置數(shù)也可以是4個(gè)以上。在該例子 中，排氣口 61、62設(shè)于比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2低的位置，由此能夠從真空容器1的內(nèi)周壁和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的 周緣之間的間隙進(jìn)行排氣。但是，排氣口 61、62也可以設(shè)于真空容器1的側(cè)壁上，而替代設(shè) 于真空容器1的底面部。此外，在排氣口 61、62設(shè)于真空容器1的側(cè)壁上的情況下，也可以 設(shè)于比旋轉(zhuǎn)臺(tái)2高的位置。在該例子中，像圖示那樣，通過設(shè)有排氣口 61、62，旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的 氣體朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)流動(dòng)，所以和從與旋轉(zhuǎn)臺(tái)2相對(duì)的頂面進(jìn)行排氣的情況相比，能夠 抑制微粒的卷起。如圖9所示，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2和真空容器1的底板14之間的空間中配設(shè)有加熱單元7， 將旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W加熱到由工藝制程程序決定的溫度。該加熱單元7構(gòu)成用于將晶圓 W的溫度調(diào)整為第1反應(yīng)氣體(BTBAS氣體)被吸附而凝結(jié)的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。在旋轉(zhuǎn) 臺(tái)2的周緣附近的下方側(cè)，為了劃分從旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的上方空間到排氣區(qū)域E的氣氛和放置有 加熱單元7的氣氛，以沿著整周圍繞加熱單元7的方式配設(shè)有罩構(gòu)件71。該罩構(gòu)件71的上 緣向外側(cè)彎曲而形成為凸緣，通過減小該彎曲面和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下表面之間的間隙，能夠抑 制氣體從外方進(jìn)入罩構(gòu)件71內(nèi)。在比配置有加熱單元7的空間靠近旋轉(zhuǎn)中心的部位，底板14具有相對(duì)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2 的下表面和芯部21形成狹窄的間隙的形狀。貫穿底板14的旋轉(zhuǎn)軸22的通孔的內(nèi)周面和 旋轉(zhuǎn)軸22的間隙也狹窄。這些狹窄的間隙與殼體20內(nèi)的空間連通。在殼體20上連接有用 于向上述狹窄的間隙內(nèi)供給作為吹掃氣體的N2氣體而進(jìn)行吹掃的吹掃氣體供給管72。此 外，在真空容器1的底板14上的、加熱單元7下方側(cè)位置的周向多個(gè)部位連接有用于吹掃 加熱單元7的配置空間的吹掃氣體供給管73。通過這樣設(shè)置吹掃氣體供給管72、73，如在圖9中用箭頭標(biāo)記表示吹掃氣體的流 動(dòng)那樣，從殼體20內(nèi)到加熱單元7的配置空間的空間被N2氣體吹掃。該吹掃氣體從旋轉(zhuǎn)臺(tái) 2和罩構(gòu)件71之間的間隙經(jīng)由排氣區(qū)域E向排氣口 61、62排出。由此，防止BTBAS氣體、O2 氣體、乙醇?xì)怏w從第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92中的一個(gè)區(qū)域經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方蔓延到另一個(gè)區(qū)域。因此，該吹掃氣體也發(fā)揮分離氣體的作用。此外，在真空容器1的頂板11的中心部連接有分離氣體供給管51，向頂板11和芯 部21之間的空間52供給作為分離氣體的N2氣體。供給到該空間52的分離氣體經(jīng)由環(huán)狀 突部5和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間的狹窄的間隙50沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的晶圓載置表面朝向周緣噴出。因 為在被該環(huán)狀突部5圍繞的空間中充滿分離氣體，所以防止BTBAS氣體、O2氣體和乙醇?xì)怏w 在第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92之間經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的中心部混合。即，該成膜裝置 具有中心部區(qū)域C，該中心部區(qū)域C用于分離第1處理區(qū)域91的氣氛與第2處理區(qū)域92的 氣氛、輔助區(qū)域90的氣氛，該中心部區(qū)域C是由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心部和真空容器1劃分 而成的。在中心部區(qū)域C中，沿著上述旋轉(zhuǎn)方向形成有被分離氣體吹掃并且向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的 表面噴出分離氣體的噴出口。另外，在這里所說的噴出口相當(dāng)于環(huán)狀突部5和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之 間的狹窄的間隙50。如圖2和圖10所示，在真空容器1的側(cè)壁上還形成有用于在外部的輸送臂10和 旋轉(zhuǎn)臺(tái)2之間進(jìn)行晶圓W的交接的輸送口 15，輸送口 15由閘閥15G打開或關(guān)閉。此外，在 旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的晶圓載置區(qū)域即凹部24的面對(duì)該輸送口 15的位置，與輸送臂10之間進(jìn)行晶圓 W的交接。在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下側(cè)且與輸送口 15相面對(duì)的位置，配設(shè)有用于貫穿凹部24并從下 方支承晶圓W的升降銷16的升降機(jī)構(gòu)(未圖示)。此外，如圖1所示，該成膜裝置包括用于進(jìn)行裝置整體的動(dòng)作的控制的由計(jì)算機(jī) 構(gòu)成的控制部80和存儲(chǔ)處理程序等的存儲(chǔ)部85。在控制部80的存儲(chǔ)器中，針 對(duì)每個(gè)制程 程序均形成有用于寫入處理?xiàng)l件的區(qū)域，該處理?xiàng)l件為從噴嘴31、200、41、42供給的BTBAS 氣體、乙醇?xì)怏w和N2氣體的流量、真空容器1內(nèi)的處理壓力、向加熱部42f、加熱單元7和 等離子體噴射器250、加熱燈210供給的電流值(晶圓W的加熱溫度、N2氣體的供給溫度) 等。各處理程序編入有命令，以便從存儲(chǔ)器檢索規(guī)定的制程程序，與制程程序相對(duì)應(yīng)地向成 膜裝置的各部發(fā)送控制信號(hào)，通過進(jìn)行后述的各步驟，從而對(duì)晶圓W進(jìn)行處理。該程序例如 從作為硬盤、光盤、光磁盤、存儲(chǔ)卡、軟盤等存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)部85讀取到控制部80內(nèi)。接著，參照?qǐng)D11 圖14，說明上述第1實(shí)施方式的作用。首先，對(duì)使用該成膜裝置 形成薄膜的晶圓W進(jìn)行說明。在該晶圓W表面例如平行地形成多個(gè)槽狀的凹部230。在圖 11中，以截面表示形成有凹部230的晶圓W的表面的一部分。該凹部230的深寬比例如是 3 50左右。該凹部(圖案)230例如用于形成STI (Shallow Trench Isolation)構(gòu)造，實(shí) 際上，例如在Si基板上，由硅氮化物等構(gòu)成的絕緣膜形成在凹部230內(nèi)部。例如該圖案是 使用層疊在晶圓W上的掩模層并由光刻法形成的。由于光刻法中的處理的誤差等，凹部230 可能包括上側(cè)開口寬度比下側(cè)寬度大的錐形部233、上側(cè)開口寬度比下側(cè)寬度小的倒錐形 部234。圖11夸大表示這樣的凹部230的形狀的偏差。接著，以下說明對(duì)該晶圓W的成膜處理。首先，打開閘閥15G，利用輸送臂10從成 膜裝置的外部經(jīng)由輸送口 15將晶圓W交接到旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的凹部24內(nèi)。此時(shí)，在凹部24停止 在面對(duì)輸送口 15的位置時(shí)，利用輸送臂10將晶圓W搬入至升降銷16的上方的位置，接著升 降銷16上升而接受該晶圓W。然后，輸送臂10退避到真空容器1的外部，并且使升降銷16 下降，將晶圓W收納在凹部24內(nèi)。一邊使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2間歇性地旋轉(zhuǎn)一邊反復(fù)進(jìn)行這樣的晶圓 W的交接，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的5個(gè)凹部24內(nèi)分別載置晶圓W。接著，關(guān)閉閘閥15G使真空容器1 內(nèi)成為氣密狀態(tài)。接著，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2以規(guī)定的轉(zhuǎn)速例如Irpm 240rpm順時(shí)針旋轉(zhuǎn)。此外，將閥65完全打開而對(duì)真空容器1內(nèi)進(jìn)行抽真空，并且利用加熱單元7將晶圓W調(diào)整為設(shè)定 溫度。該設(shè)定溫度是第1反應(yīng)氣體(BTBAS氣體)的凝結(jié)溫度以下的溫度。在此，在被抽真 空成ITorr 8Torr左右的壓力的真空容器1內(nèi)，BTBAS氣體在50°C 100°C左右的溫度 時(shí)凝結(jié)、液化。因此，在該例子中，晶圓W的溫度被調(diào)整成該BTBAS氣體的凝結(jié)溫度以下的 溫度例如50°C 100°C左右。另一方面，對(duì)等離子體噴射器250例如以3000sCCm的流量供給O2氣體，并且從高 頻電源275向等離子體產(chǎn)生部290 (電極273)供給高頻電力。由此，流入氣體活化室253的 上方部的O2氣體由于上述高頻電力成為被等離子化(活化)的狀態(tài)，經(jīng)由氣體噴出孔291， 朝向置于真空容器1內(nèi)的真空氣氛的晶圓W供給。此外，此時(shí)，對(duì)加熱燈210供電，在晶圓 W通過加熱燈210的下方時(shí)，僅晶圓W的最外表面例如被加熱到350°C以上。接著，調(diào)整閥65的開度，使得真空容器1內(nèi)成為規(guī)定的真空度，從反應(yīng)氣體噴嘴31 向真空容器1內(nèi)以規(guī)定的流量例如200SCCm供給例如被加熱到100°C 150°C的BTBAS氣 體。而且，從輔助噴嘴200向真空容器1內(nèi)以規(guī)定的流量例如lOOsccm供給乙醇?xì)怏w。此 外，從分離氣體噴嘴41、42分別以規(guī)定的流量例如lOslm、IOslm向真空容器1內(nèi)供給N2氣 體。而且，還從分離氣體供給管51和吹掃氣體供給管72以規(guī)定的流量向中心部區(qū)域C和 上述狹窄的間隙內(nèi)供給N2氣體。此時(shí)，從第2分離氣體噴嘴42供給由加熱部42f加熱到使 BTBAS氣體的凝結(jié)物的一部分氣化的溫度例如100°C 200°C左右的N2氣體。另外，從第1 分離氣體噴嘴41供給例如常溫的N2氣體。這樣，在通過第1處理區(qū)域91時(shí)，晶圓W被保持在上述的設(shè)定溫度50°C 100°C。 在該狀態(tài)下，從反應(yīng)氣體噴嘴31供給被加熱到比晶圓溫度高的100°C 150°C的BTBAS氣 體。晶圓表面的溫度是BTBAS氣體的凝結(jié)溫度以下，所以與晶圓表面接觸的BTBAS氣體被 該晶圓表面冷卻而凝結(jié)(凝結(jié)步驟，參照?qǐng)D12)。此時(shí)，如圖13A所示，BTBAS氣體也吸附在 凹部230的入口表面、側(cè)壁而凝結(jié)，但是液化的BTBAS235由于重力而容易從入口表面、側(cè)壁 向下方側(cè)移動(dòng)。由此，在凹部230中，成為液化的BTBAS235在底部比在入口表面、側(cè)壁更多 地凝結(jié)的狀態(tài)。接著，晶圓W通過第2分離氣體噴嘴42的下方側(cè)，此時(shí)，對(duì)晶圓W表面供給被加熱 到100°C 200°C的N2氣體(熱的N2氣體)。向在晶圓W表面凝結(jié)了的BTBAS235供給被 加熱了的N2氣體時(shí)，液狀的BTBAS即BTBAS的凝結(jié)物的一部分被加熱而氣化(氣化步驟)。在此，在凹部230中，如上所述，因?yàn)橐夯说腂TBAS235的凝結(jié)物與在其他的部位 相比，在底部較多，所以通過由N2氣體進(jìn)行加熱，凝結(jié)在入口表面、側(cè)壁的BTBAS235氣化而 被去除。但是，如圖13B所示，在上述底部未充分地氣化而殘留有凝結(jié)了的BTBAS235。成為 所謂的使凝結(jié)了的BTBAS235有選擇性地堆積在凹部230的底部。在該氣化步驟中，如上述那樣，BTBAS附著物(凝結(jié)物)在凹部230以外的表面和 凹部230側(cè)壁上的部分全部飛散，只殘留凹部230底部上的部分。但是，由于加熱溫度、加 熱時(shí)間的不同，也有時(shí)在底部以外的區(qū)域，BTBAS附著物未能全部飛散而殘留一部分。無論 是哪種情況，最好BTBAS附著物在凹部230的底部盡可能多地殘留，而在底部以外盡可能使 BTBAS附著物氣化。此外，在第1反應(yīng)氣體化學(xué)吸附于晶圓W表面的情況下，在氣化步驟中， 反應(yīng)氣體無法全部飛散而成為在凹部的側(cè)壁、凹部以外的晶圓W的表面至少吸附有反應(yīng)氣 體的1層分子層的狀態(tài)。
接著，晶圓W通過輔助區(qū)域90，此時(shí)，對(duì)晶圓W表面供給例如被溫度調(diào)整到50°C 100°C的乙醇?xì)怏w。像上述那樣，該乙醇?xì)怏w是用于使吸附于晶圓W的BTBAS氣體的凝結(jié)物 (液化了的氣體)成為比該凝結(jié)物難以氣化的中間產(chǎn)物的輔助氣體。具體而言，通過供給乙醇?xì)怏w，凹部230內(nèi)的BTBAS按照以下的反應(yīng)式(1)反 應(yīng)(被硅烷醇化(silanol))，生成t-丁胺(CH3C-NH2)和作為中間產(chǎn)物的硅氧烷聚合物 (-(Si-O)n-) 236。BTBAS+C2H50H — (-(Si-O) η-) +CH3C-NH2 ... (1)該硅氧烷聚合物236是含有羥基的簇狀的生成物，比BTBAS氣體的凝結(jié)物難以氣 化。這樣，吸附在凹部230內(nèi)的BTBAS被固定而未被氣化(硅烷醇化步驟)。另外，與該硅 氧烷聚合物236 —起生成的有機(jī)物例如氣化而朝向晶圓W的上方被排除。接著，晶圓W通過作為等離子體噴射器250的下方區(qū)域的第2處理區(qū)域92，此時(shí)， 對(duì)晶圓W表面照射02氣體的等離子體(被活化了的O2氣體)。利用該氧等離子體，上述 硅氧烷聚合物236在晶圓W表面被氧化，形成作為含有硅和氧的反應(yīng)生成物的例如膜厚為 0. Inm左右的氧化硅膜(SiO2膜)237 (氧化步驟)。在此，由于晶圓W的溫度被調(diào)整為BTBAS氣體的凝結(jié)溫度以下的溫度，所以即使以 通常的方法供給O2氣體、臭氧(O3)氣體，也無法使硅氧烷聚合物的氧化反應(yīng)進(jìn)行。在該例 子中，由于利用等離子體噴射器250使O2氣體活化而向晶圓W表面供給，所以與BTBAS的 凝結(jié)物反應(yīng)，即使晶圓W的溫度低，也能夠充分地進(jìn)行BTBAS的凝結(jié)物的氧化反應(yīng)。此外， 與氧化硅膜237 —起生成的有機(jī)物等雜質(zhì)例如氣化而向晶圓W的上方排出。此外，通過向 氧化硅膜237照射O2等離子體，也能謀求氧化硅膜237中的雜質(zhì)的去除，氧化硅膜237的 致密化。之后，晶圓W通過加熱燈210的下方區(qū)域，此時(shí)，從加熱燈210向晶圓W供給輻射 熱，進(jìn)行用于對(duì)作為上述反應(yīng)生成物的氧化硅膜237進(jìn)行改性的退火處理。此時(shí)，晶圓W的 表層部分一下子上升到例如350°C，殘留在該循環(huán)中形成的氧化硅膜237內(nèi)的水分、碳成分 氣化而被排出。這樣，氧化硅膜237被所謂的燒固而膜237的結(jié)合變得牢固而致密化。此 外，即使在氧化硅膜237內(nèi)殘留有有機(jī)物等雜質(zhì)，利用該退火處理，上述雜質(zhì)氣化而從該氧 化硅膜237脫離而被排出。之后，在晶圓W從加熱燈210的下方區(qū)域向下游側(cè)移動(dòng)時(shí)，此時(shí)，從第1分離氣體 噴嘴41對(duì)晶圓W表面噴射例如常溫的N2氣體，對(duì)晶圓W的表層部進(jìn)行降溫。此時(shí)，如上述 那樣，由于在凹部230的底部，在凝結(jié)步驟和氣化步驟中有選擇性地凝結(jié)有BTBAS，所以與 基板表面和凹部側(cè)部相比，底部側(cè)的氧化硅膜厚度大。這樣，通過使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)，反復(fù)進(jìn)行BTBAS的凝結(jié)(凝結(jié)步驟)、BTBAS的氣化 (氣化步驟)、硅氧烷聚合物的生成(硅烷醇化步驟)、反應(yīng)生成物(氧化硅膜237)的形成 (氧化步驟)、氧化硅膜237的改性(退火步驟)，從凹部230的底部側(cè)依次成膜。然后，通 過多次例如20次進(jìn)行旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)(循環(huán))，凹部230底部提高地成膜。由此，如圖14 所示，在凹部230內(nèi)填埋有氧化硅膜237。在反復(fù)該循環(huán)時(shí)，在晶圓W通過加熱燈210下方側(cè)時(shí)，晶圓W表面溫度暫時(shí)上升。 但是，在通過第1分離區(qū)域Dl時(shí)，對(duì)晶圓W表面供給常溫的N2氣體，晶圓W的表面被該N2 氣體冷卻。這樣，在晶圓W到達(dá)第1處理區(qū)域91時(shí)，成為晶圓W的溫度被調(diào)整到BTBAS氣體的凝結(jié)溫度以下例如50°C 100°C的狀態(tài)。如上述那樣，由于在凹部230底部上的有選擇性的BTBAS235的凝結(jié)，作為反應(yīng)生 成物的氧化硅膜237在每個(gè)循環(huán)中從凹部230的底部階段性地成膜，所以凹部230以沒有 空隙的狀態(tài)被膜填埋。此時(shí)，凹部230即使在包括上側(cè)開口寬度比下側(cè)寬度大的錐形部 233、上側(cè)開口寬度比下側(cè)寬度小的倒錐形部234的情況下也不會(huì)產(chǎn)生問題。即，液化了的 BTBAS235因重力沿著上述錐形向下方側(cè)移動(dòng)，所以在凹部230中從底部階段性地成膜，以 沒有空隙的狀態(tài)結(jié)束膜的填埋。此外，關(guān)于氧化硅膜237中的雜質(zhì)，有可能含有在各循環(huán)中 形成的雜質(zhì)的氧化硅膜237非常薄，所以通過照射氧等離子體和退火處理，上述雜質(zhì)被迅 速地排出。S卩，與凹部的形狀無關(guān)，從其底部逐漸堆積氧化硅膜，因此，能夠進(jìn)行使在以往的 CVD法中成為問題的空隙消失而形成的膜的填埋。另外，因?yàn)榻档兔?個(gè)循環(huán)的膜中雜質(zhì)， 所以能形成高品質(zhì)的氧化硅膜。此外，在上述一連串的工序中，向第1處理區(qū)域91、輔助區(qū)域90、第2處理區(qū)域92 之間的區(qū)域供給N2氣體。此外，向中心部區(qū)域C也供給作為分離氣體的N2氣體。因此，如 圖15所示，以BTBAS氣體、乙醇?xì)怏w和O2氣體互不混合的方式排出各氣體。此外，在分離區(qū) 域Dl、D2中，因?yàn)閺澢?6和旋轉(zhuǎn)臺(tái)2外端面之間的間隙像上述那樣狹窄，所以BTBAS氣 體、乙醇?xì)怏w和O2氣體即使經(jīng)由旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的外側(cè)也不會(huì)混合。因此，第1處理區(qū)域91的氣 氛、輔助區(qū)域90和第2處理區(qū)域92的氣氛被完全地分離，BTBAS氣體在排氣口 61被排出， 并且乙醇?xì)怏w和O2氣體在排氣口 62被排出。其結(jié)果，BTBAS氣體、乙醇?xì)怏w和O2氣體即使 在上述氣氛中也不會(huì)混合。此外，在該例子中，如上所述，在第1和第2處理區(qū)域91、92的附近，在第2頂面45 的下側(cè)，容器主體12的內(nèi)周壁向外方側(cè)凹陷，追加地形成有第1和第2排氣區(qū)域E1、E2。因 為排氣口 61、62位于該追加的區(qū)域中，所以第2頂面45的下方側(cè)的空間的壓力低于第1頂 面44的下方側(cè)的狹窄的空間和中心部區(qū)域C的各壓力。另外，由于利用N2氣體吹掃旋轉(zhuǎn) 臺(tái)2的下方側(cè)，所以完全不必?fù)?dān)心流入排氣區(qū)域E的氣體穿過旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方側(cè)而流入其 他的區(qū)域，例如完全不必?fù)?dān)心BTBAS氣體流入O2氣體供給部的情況。即，由于在真空容器1內(nèi)不產(chǎn)生BTBAS氣體、乙醇和O2氣體的氣相反應(yīng)，所以反應(yīng) 副產(chǎn)物的產(chǎn)生非常少，由此能極力減少顆粒產(chǎn)生的問題。另外，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)方向分別在5個(gè)部位配置用于配置晶圓W 的凹部24，使晶圓W依次通過上述區(qū)域91、90、92。因此，也有在晶圓W吸附有BTBAS氣體 前供給乙醇?xì)怏w、被活化了的O2氣體或被加熱燈210加熱的情況，但是對(duì)成膜沒有特別的 不良影響。這樣，在成膜處理結(jié)束時(shí)，停止氣體的供給而對(duì)真空容器1內(nèi)進(jìn)行真空排氣。之 后，停止旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)，利用與在搬入各晶圓W時(shí)相反的動(dòng)作而利用輸送臂10依次從真 空容器1搬出各晶圓W。第2實(shí)施方式接著，參照?qǐng)D16和圖17A、B說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，作為 第2反應(yīng)氣體供給部件，用臭氧活化噴射器370代替等離子體噴射器250。該臭氧活化噴 射器370被配置成沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑向延伸。如圖17A、B所示，臭氧活化噴射器370包括用于供給臭氧氣體的氣體噴嘴371 ；配設(shè)在該氣體噴嘴的內(nèi)部的陶瓷加熱器372。氣體噴嘴 371與反應(yīng)氣體噴嘴31等相同，例如從真空容器1的側(cè)壁朝向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)中心并與晶 圓W相對(duì)而呈線狀水平地延伸。該氣體噴嘴的作為基端部的氣體導(dǎo)入部分373配置在真空 容器1的側(cè)壁的外側(cè)。在該氣體噴嘴371上，利用設(shè)有閥374、流量調(diào)整部375的氣體供給 管376連接有作為第2反應(yīng)氣體的臭氧(O3)氣體的供給源377。此外，在該氣體噴嘴371上朝向正下方地形成有向其下方側(cè)噴出反應(yīng)氣體的氣體 噴出孔378。氣體噴出孔378例如口徑是0.5mm，在噴嘴的整個(gè)長度方向(旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的徑 向)上例如隔開IOmm的間隔等間隔排列。棒狀的例如陶瓷制的加熱器372從該氣體噴嘴371的基端側(cè)朝向頂端側(cè)與該氣體 噴嘴71同心圓狀地穿過氣體噴嘴371的內(nèi)部。在這些加熱器372和氣體噴嘴371的內(nèi)壁 面之間例如形成有Imm左右的間隙，向該間隙導(dǎo)入O3氣體。此外，在加熱器372的基端側(cè) 經(jīng)由供電線379連接有電源部380。該加熱器372將供給到氣體噴嘴371的O3氣體加熱到生成O3的自由基的溫度以 上的溫度例如250°C左右。這樣，供給到氣體噴嘴371的O3氣體在氣體噴嘴371內(nèi)的間隙 中流動(dòng)時(shí)，由加熱器372加熱到250°C左右的溫度，生成O3自由基。生成的O3自由基經(jīng)由 噴出孔378向旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上的晶圓W供給。這樣，在該實(shí)施方式中，O3氣體預(yù)先被預(yù)熱到250°C左右的溫度，在生成有O3的自 由基的狀態(tài)下向晶圓W供給。因此，即使晶圓W的溫度是50°C 100°C左右和低于O3的活 性點(diǎn)的溫度，也能使硅氧烷聚合物的氧化反應(yīng)高效率地進(jìn)行。第3實(shí)施方式接著，參照?qǐng)D18說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，也可以與分離氣 體噴嘴41、42獨(dú)立地設(shè)置朝向晶圓W表面供給作為加熱氣體的加熱后的N2氣體的加熱氣體 噴嘴480。在該例子中，加熱氣體噴嘴480配設(shè)在第2分離區(qū)域D2和輔助氣體噴嘴200之 間，與上述第2分離氣體噴嘴42相同地構(gòu)成。圖中附圖標(biāo)記480a是連接器，附圖標(biāo)記480b 是氣體供給管，附圖標(biāo)記480c是閥，附圖標(biāo)記480d是流量調(diào)整部，附圖標(biāo)記480e是N2氣體 的供給源，附圖標(biāo)記480f是加熱部。這樣設(shè)有加熱氣體噴嘴480的情況下，無需從第2分 離氣體噴嘴42的氣體供給管42b供給加熱后的分離氣體。因此，在該例子中，從該分離氣 體噴嘴42供給例如常溫的分離氣體。此外，該加熱氣體噴嘴480的配置位置不限于上述例 子，只要是在反應(yīng)氣體噴嘴31和輔助氣體噴嘴200之間，就可以設(shè)于第2分離氣體噴嘴42 的下游側(cè)、上游側(cè)的任意位置。變更例在上述各例子中，作為從輔助氣體噴嘴200供給的輔助氣體用了乙醇?xì)怏w。但是， 輔助氣體也可以是其他酒精例如甲醇(CH3OH)等或純水(H20)、雙氧水(H2O2)等。S卩，輔助 氣體只要是帶有羥基(0H基)的化合物的氣體即可。在例如使用純水作為輔助氣體的情況 下，該純水的氣體和凝結(jié)于晶圓W表面的BTBAS氣體例如按照以下的(2)反應(yīng)式反應(yīng)而硅
烷醇化。BTBAS+H20— (-SiO-)n+CH3C-NH2 ... (2)作為在該反應(yīng)中生成的中間產(chǎn)物的(_SiO_)n是與上述的硅氧烷聚合物同樣地比 BTBAS的凝結(jié)物難以氣化的生成物。
此外，在本發(fā)明中，硅烷醇化步驟不是必須要進(jìn)行的。也可以利用氣化步驟對(duì)有選 擇性地吸附于凹部230的底部的液化BTBAS照射氧等離子體或供給活化的O3氣體，進(jìn)行上 述液化BTBAS的氧化步驟。在該情況下，在分離氣體噴嘴42下游側(cè)，不設(shè)有輔助氣體噴嘴 200而配設(shè)有等離子體噴射器250 (或臭氧氣體活化噴射器370)和加熱燈210。這樣，即使 反復(fù)進(jìn)行BTBAS氣體的凝結(jié)步驟一利用加熱了的N2氣體進(jìn)行氣化的氣化步驟一通過照射 氧等離子體或供給活化的臭氧氣體的氧化步驟，由于有選擇性地增加凹部230的底部側(cè)的 成膜，也能夠改善膜的填埋特性。此外，被供給到第1分離區(qū)域Dl的分離氣體的溫度也可以不是常溫。在加熱燈 210的下方側(cè)區(qū)域被加熱的晶圓W的溫度只要在晶圓W經(jīng)由第1分離區(qū)域Dl到達(dá)第1處理 區(qū)域91之前被調(diào)整為BTBAS氣體的凝結(jié)溫度以下的溫度即可。在該情況下，考慮旋轉(zhuǎn)臺(tái)2 的轉(zhuǎn)速、反應(yīng)噴嘴31的位置、第1分離區(qū)域Dl的大小、第1加熱燈210的位置、加熱燈210 的晶圓加熱溫度等來設(shè)定上述分離氣體的供給溫度。而且，在利用氧等離子體實(shí)行氧化步驟的情況下，作為等離子體產(chǎn)生用氣體，也可 以與氧氣一起使用Ar氣體或Ar氣體和H2氣體的混合氣體。在使用該Ar氣體的情況下， 得到在膜中建立SiO2結(jié)合、消除SiOH結(jié)合的這種效果。在上述例子中，在成膜處理中持續(xù)對(duì)加熱燈210供電，在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的各旋轉(zhuǎn)(各循 環(huán))中由加熱燈210對(duì)反應(yīng)生成物進(jìn)行加熱處理。但是，也可以在反復(fù)進(jìn)行多次例如20次 BTBAS氣體的凝結(jié)步驟、氣化步驟、硅烷醇化步驟(可以省略)、氧化步驟之后，對(duì)加熱燈210 供電而進(jìn)行加熱處理。在該情況下，在使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)多周而多次進(jìn)行反應(yīng)生成物的層疊之后，停止分 離氣體以外的各氣體的供給，并且打開加熱燈210。然后，在該狀態(tài)下，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)2旋轉(zhuǎn)1 周，使各晶圓W依次通過加熱燈210的下方側(cè)。利用這樣的例子也能得到良好的膜質(zhì)。此外，在分離區(qū)域D的頂面44中，優(yōu)選旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的相對(duì)于分離氣體噴嘴41、42位 于旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)的部分越位于外緣的部位上述旋轉(zhuǎn)方向的寬度越大。其理由是因?yàn)椋?由于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的旋轉(zhuǎn)，從上游側(cè)朝向分離區(qū)域D的氣體的流動(dòng)越靠近外緣越快。若從該觀 點(diǎn)出發(fā)，像上述那樣將突出部分4構(gòu)成扇型是上策。優(yōu)選在分離氣體供給部件的旋轉(zhuǎn)方向兩側(cè)配置低的頂面44。但是，也可以不在分 離氣體噴嘴41、42的兩側(cè)設(shè)置突出部分4，而從分離氣體噴嘴41、42朝向下方地噴出N2氣 體，形成氣簾，利用該氣簾分離第1處理區(qū)域91和第2處理區(qū)域92。用于將晶圓W溫度調(diào)整為第1反應(yīng)氣體被吸附并被凝結(jié)的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)也 可以是燈加熱裝置。溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)也可以設(shè)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上方側(cè)而代替設(shè)于旋轉(zhuǎn)臺(tái)2的下方 側(cè)，還可以設(shè)于上下兩方。而且，在需要根據(jù)氣體種類而將晶圓W的溫度設(shè)定為室溫以下的 溫度情況下，能夠在真空容器1中配設(shè)使用冷風(fēng)、液體氮的冷卻機(jī)構(gòu)。能適當(dāng)變更各噴嘴31、200、41、42和等離子體噴射器250 (臭氧活化噴射器370)、 加熱燈210的安裝位置。這些構(gòu)件只要是反復(fù)多次進(jìn)行以下的循環(huán)的結(jié)構(gòu)即可能夠一邊 以各反應(yīng)氣體不混合的方式排出該各反應(yīng)氣體，一邊使BTBAS吸附在晶圓W的表面上并使 BTBAS凝結(jié)，之后利用加熱后的N2氣體而使BTBAS的凝結(jié)物再氣化，由乙醇?xì)怏w生成中間產(chǎn) 物，接著，利用氧等離子體、O3氣體的自由基來氧化中間產(chǎn)物。而且，也可以使用等離子體噴射器250來替代加熱燈210，對(duì)晶圓W上的反應(yīng)生成物進(jìn)行改性。這樣的變更例特別是在使用臭氧活化噴射器作為第2反應(yīng)氣體供給部件的情 況下有效。在利用等離子體的改性中，由于形成有3維鍵的Si-O-Si鍵合，所以能提高抗蝕 刻性等膜質(zhì)。在該情況下，等離子體噴射器250用于對(duì)晶圓W上的反應(yīng)生成物進(jìn)行改性，相 當(dāng)于使含有氧的氣體等離子化而供給的氧等離子體供給部件。 作為第1反應(yīng)氣體，不限于BTBAS，能夠用TEOS (四乙氧基硅烷)、DIPAS ( 二異丙 基氨基硅烷)、3DMAS[三(二甲氨基)硅烷]。另外，本發(fā)明也能應(yīng)用于在旋轉(zhuǎn)臺(tái)2上載置 1個(gè)晶圓W的情況。
權(quán)利要求
1.一種成膜裝置，其是使用第1和第2反應(yīng)氣體在被處理體上形成薄膜的半導(dǎo)體處理 用的成膜裝置，其包括真空容器；排氣系統(tǒng)，其用于對(duì)上述真空容器進(jìn)行排氣；旋轉(zhuǎn)臺(tái)，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用于載置上述被處理體；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其用于使上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)；溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)，其用于將上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體的溫度設(shè)定成使上述第1反應(yīng) 氣體凝結(jié)的溫度；第1反應(yīng)氣體供給部，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用于向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處 理體供給上述第1反應(yīng)氣體并使上述第1反應(yīng)氣體的凝結(jié)物吸附于上述被處理體上；氣化部，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用于對(duì)上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體進(jìn)行加熱 而使上述凝結(jié)物的一部分氣化；以及第2反應(yīng)氣體供給部，其被配設(shè)在上述真空容器內(nèi)，用于將上述第2反應(yīng)氣體以活 化的狀態(tài)向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給，使上述第2反應(yīng)氣體與上述凝結(jié)物反應(yīng)而 生成反應(yīng)生成物，上述第1反應(yīng)氣體供給部、上述氣化部和上述第2反應(yīng)氣體供給部沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的 旋轉(zhuǎn)方向依次配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述第2反應(yīng)氣體供給部包括使上述第2反應(yīng)氣體等離子化或?qū)ι鲜龅?反應(yīng)氣體進(jìn) 行加熱的活化機(jī)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述半導(dǎo)體處理用的成膜裝置沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向在上述氣化部和上述第2 反應(yīng)氣體供給部之間還包括輔助氣體供給部，該輔助氣體供給部用于供給輔助氣體，該輔 助氣體用于將吸附于上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體的上述凝結(jié)物轉(zhuǎn)換為更難以氣化的2 次物質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成膜裝置，上述第1反應(yīng)氣體是硅源氣體，上述輔助氣體是用于將上述凝結(jié)物轉(zhuǎn)換為作為上述2 次物質(zhì)的含有羥基和水分中的一種或兩種的物質(zhì)的氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述半導(dǎo)體處理用的成膜裝置還具有改性用的加熱部，該改性用的加熱部用于加熱上 述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體，對(duì)上述反應(yīng)生成物進(jìn)行改性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述第2反應(yīng)氣體供給部包括使上述第2反應(yīng)氣體等離子化的活化機(jī)構(gòu)，上述活化機(jī) 構(gòu)也作為對(duì)上述反應(yīng)生成物進(jìn)行改性的等離子體供給部發(fā)揮作用。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述半導(dǎo)體處理用的成膜裝置沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向在上述第2反應(yīng)氣體供給 部和上述第1反應(yīng)氣體供給部之間具有向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給用于分離氣 體氣氛的由非活性氣體構(gòu)成的分離氣體的第1分離部、以及在上述第1反應(yīng)氣體供給部和 上述第2反應(yīng)氣體供給部之間具有向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給用于分離氣體氣氛的由非活性氣體構(gòu)成的分離氣體的第2分離部。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成膜裝置，上述半導(dǎo)體處理用的成膜裝置沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向分別在上述第2反應(yīng)氣體 供給部和上述第1反應(yīng)氣體供給部之間具有向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給用于分 離氣體氣氛的由非活性氣體構(gòu)成的分離氣體的第1分離部、以及在上述第1反應(yīng)氣體供給 部和上述輔助氣體供給部之間還具有向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給用于分離氣體 氣氛的由非活性氣體構(gòu)成的分離氣體的第2分離部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，上述氣化部兼用作上述第2分離部，在將上述分離氣體加熱了的狀態(tài)下將該分離氣體 向上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的上述被處理體供給。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體處理用的成膜裝置，上述真空容器具有沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向形成在上述輔助氣體供給部和上述第2 反應(yīng)氣體供給部之間的輸送口，上述被處理體通過上述輸送口而在上述真空容器的外側(cè)的 位置和上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)之間被搬入或被搬出。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)具有用于支承上述被處理體的多個(gè)支承銷，上述支承銷能夠升降，以便對(duì) 相對(duì)于上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)搬入或搬出上述被處理體進(jìn)行輔助。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述排氣系統(tǒng)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的徑向外側(cè)的位置具有向上述真空容器內(nèi)開口的排氣口。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)具有在上述真空容器內(nèi)配設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的下方的加熱器。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜裝置，在上述加熱器的徑向外側(cè)，從上述真空容器的底部到上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的下表面附近的位置 豎立設(shè)有罩構(gòu)件而規(guī)定有加熱器收納空間，在上述加熱器收納空間中連接有向該加熱器收 納空間供給由非活性氣體構(gòu)成的吹掃氣體的吹掃氣體供給系統(tǒng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述第1和第2反應(yīng)氣體供給部分別具有在上述真空容器內(nèi)配設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上方 且分別向下供給上述第1和第2反應(yīng)氣體的第1和第2反應(yīng)氣體噴嘴。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述氣化部具有在上述真空容器內(nèi)配設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上方且向下供給被加熱了的 非活性氣體的氣體噴嘴。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，上述第1和第2分離部分別具有在上述真空容器內(nèi)配設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上方且向下供 給上述分離氣體的分離氣體噴嘴，在上述分離氣體噴嘴的沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向的兩 側(cè)，上述真空容器的頂部變低。
18.根據(jù)權(quán)利要求5所述的成膜裝置，上述改性用的加熱部具有在上述真空容器內(nèi)配設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上方的改性加熱器， 上述改性加熱器沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向配設(shè)在上述第2反應(yīng)氣體供給部和上述第1反 應(yīng)氣體供給部之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述半導(dǎo)體處理用的成膜裝置還具有在上述真空容器內(nèi)配設(shè)在上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的中心的 上方、用于供給分離氣體氣氛的由非活性氣體構(gòu)成的分離氣體的分離氣體供給系統(tǒng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)沿著上述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向排列配置多個(gè)被處理體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使用第1和第2反應(yīng)氣體在被處理體上形成薄膜的成膜裝置和成膜方法，該成膜裝置包括真空容器、排氣系統(tǒng)、用于載置被處理體的旋轉(zhuǎn)臺(tái)、用于使旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)以及將被處理體設(shè)定為使第1反應(yīng)氣體凝結(jié)的溫度的溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)。在真空容器內(nèi)，沿著旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向依次配置有使第1反應(yīng)氣體的凝結(jié)物吸附在被處理體上的第1反應(yīng)氣體供給部；使凝結(jié)物的一部分氣化的氣化部；以及使第2反應(yīng)氣體和凝結(jié)物反應(yīng)的第2反應(yīng)氣體供給部。
文檔編號(hào)H01L21/285GK102002685SQ20101027201
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2010年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月1日
發(fā)明者加藤壽, 織戶康一 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社