專利名稱：保護(hù)帶粘貼方法和保護(hù)帶粘貼裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶圓的表面粘貼保護(hù)帶的保護(hù)帶粘貼方 法和保護(hù)帶粘貼裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶圓(以下簡(jiǎn)稱作“晶圓”)在其表面形成有電路圖案。在利用背磨工序?qū)?該晶圓進(jìn)行背面磨削而使該晶圓變薄之后，利用切割工序?qū)⒕A切割為一個(gè)一個(gè)的芯片。 近年來，隨著高密度安裝的要求，傾向于將晶圓厚度從100 μ m減薄至50 μ m、甚至50 μ m以 下。在利用背磨工序?qū)A進(jìn)行薄化加工時(shí)，在晶圓的表面粘貼保護(hù)帶。即，其目的是 為了保護(hù)形成有電路圖案的晶圓表面，并保護(hù)晶圓不受背磨工序中的磨削應(yīng)力的破壞。作為在晶圓表面粘貼保護(hù)帶的方法，例如如下這樣進(jìn)行。在向表面朝上地吸附保 持于吸盤臺(tái)的半導(dǎo)體晶圓的上方供給使粘著面朝下的帶狀的保護(hù)帶之后，使粘貼輥在保護(hù) 帶的表面滾動(dòng)而將保護(hù)帶粘貼在晶圓表面上。接著，通過使帶切斷裝置的切刀刺入保護(hù)帶 而沿著晶圓外周移動(dòng)，沿著晶圓外形切斷所粘貼的保護(hù)帶。將沿著晶圓外形切下的不要的 帶部分卷取并回收(參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2005-116711號(hào)公報(bào)在表面粘貼保護(hù)帶而被背磨加工至目標(biāo)薄度的晶圓傾向于以其表面?zhèn)劝既氲姆?式翹曲。例如，由于在粘貼輥按壓滾動(dòng)時(shí)使保護(hù)帶彈性變形并延伸會(huì)引起積蓄應(yīng)力，因此， 晶圓會(huì)受到由該積蓄應(yīng)力造成的翹曲的影響。另外，在晶圓表面存在聚酰亞胺等樹脂膜的 情況下，在背磨時(shí)產(chǎn)生的熱量的影響下，導(dǎo)致樹脂膜熱收縮而產(chǎn)生晶圓表面?zhèn)劝既氲穆N曲寸。背磨處理后的帶有保護(hù)帶的晶圓在被輸送到之后的各種處理工序的過程及各工 序的處理過程中，自晶圓的表背面中的任一側(cè)被吸附保持。因而，在如上所述那樣晶圓表面 側(cè)凹入而較大地翹曲的情況下，存在由于晶圓的吸附不良而導(dǎo)致處理錯(cuò)誤這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于該情況而做成的，其主要目的在于提供一種能夠抑制在經(jīng)過了背磨 工序的半導(dǎo)體晶圓中產(chǎn)生的翹曲的保護(hù)帶粘貼方法和保護(hù)帶粘貼裝置。本發(fā)明為了達(dá)到該目的而采取如下的構(gòu)造。S卩，一種保護(hù)帶粘貼方法，其用于在形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶圓的表面粘貼保 護(hù)帶，其特征在于，在比常溫低的溫度下將上述保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體晶圓的表面。作用、效果采用該方法，保護(hù)帶在被冷卻到以比常溫低的溫度而預(yù)先熱收縮的狀態(tài)下粘貼在 晶圓表面。之后，利用由背磨加工時(shí)的摩擦產(chǎn)生的熱量的影響或者將晶圓置于常溫，對(duì)預(yù)先 熱收縮的保護(hù)帶施加利用由加熱產(chǎn)生的熱膨脹或者由于常溫欲恢復(fù)為原本形狀的恢復(fù)力。
3即，相對(duì)于在背磨加工后向作用于晶圓的表面?zhèn)劝既肽菢拥穆N曲，利用保護(hù)帶的熱膨脹或 者恢復(fù)力對(duì)晶圓施加與該翹曲反向的翹曲。因而，在背磨之后產(chǎn)生翹曲的應(yīng)力被由保護(hù)帶 新產(chǎn)生的應(yīng)力抵消。結(jié)果，能夠抑制晶圓翹曲。在上述發(fā)明中，對(duì)用于保持上述半導(dǎo)體晶圓的吸盤臺(tái)進(jìn)行冷卻，借助被冷卻的半 導(dǎo)體晶圓冷卻保護(hù)帶。作用、效果采用該方法，半導(dǎo)體晶圓起到冷熱擴(kuò)散板的作用，保護(hù)帶在均勻地冷卻的同時(shí)、被 粘貼于半導(dǎo)體晶圓的表面。在上述發(fā)明中，一邊向上述保護(hù)帶噴被冷卻的氣體、一邊將保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體 晶圓上。在上述發(fā)明中，一邊從收納于保冷容器的材料卷抽出帶狀的上述保護(hù)帶、一邊將 上述保護(hù)帶粘貼于半導(dǎo)體晶圓。作用、效果采用這些上述方法，在粘貼于半導(dǎo)體晶圓之前積極地冷卻保護(hù)帶，能夠?qū)㈩A(yù)先收 縮的保護(hù)帶粘貼于半導(dǎo)體晶圓。另外，本發(fā)明為了達(dá)到該目的也采取如下構(gòu)造。S卩，一種保護(hù)帶粘貼裝置，其用于在形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶圓的表面粘貼保 護(hù)帶，其特征在于，包括保持臺(tái)，其用于載置保持上述半導(dǎo)體晶圓；帶供給部件，其用于向 保持于上述保持臺(tái)的半導(dǎo)體晶圓的表面上供給保護(hù)帶；帶粘貼部件，其用于一邊使粘貼輥 在供給來的上述保護(hù)帶上按壓滾動(dòng)，一邊將該保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體晶圓的表面上；帶切斷 部件，其用于沿著半導(dǎo)體晶圓的外周切下所粘貼的上述保護(hù)帶；帶回收部件，其用于回收切 斷后的不需要的帶；帶冷卻部件，其用于對(duì)粘貼在上述半導(dǎo)體晶圓表面的保護(hù)帶進(jìn)行冷卻。作用、效果采用該構(gòu)造，保護(hù)帶被積極地冷卻，能夠以預(yù)先收縮的狀態(tài)粘貼在半導(dǎo)體晶圓的 表面上。即，能夠適當(dāng)?shù)貙?shí)施上述發(fā)明而將保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體晶圓的表面上。在上述構(gòu)造中，上述帶冷卻部件是例如用于冷卻上述吸盤臺(tái)的部件。作用、效果采用該構(gòu)造，隨著借助粘貼輥等將保護(hù)帶粘貼于被冷卻的半導(dǎo)體晶圓，自該粘貼 構(gòu)件按順序間接地冷卻保護(hù)帶。因而，保護(hù)帶整體能夠以均勻地冷卻的狀態(tài)粘貼。在上述構(gòu)造中，上述帶冷卻部件例如是使制冷劑在設(shè)置于保持臺(tái)內(nèi)的循環(huán)管中循 環(huán)的構(gòu)造。作用、效果采用該構(gòu)造，通過控制制冷劑的溫度或者流量，能夠?qū)⑽P臺(tái)冷卻到任意的溫度。 因而，也能夠容易地與半導(dǎo)體晶圓、保護(hù)帶的種類變更相對(duì)應(yīng)地適當(dāng)?shù)乩鋮s。在上述構(gòu)造中，上述帶冷卻部件例如是內(nèi)置在上述保持臺(tái)內(nèi)部的珀耳帖元件。作用、效果采用該構(gòu)造，通過控制珀耳帖元件的通電，能夠?qū)⑽P臺(tái)冷卻到任意的溫度。另 外，也能夠容易地與半導(dǎo)體晶圓、保護(hù)帶的種類變更相對(duì)應(yīng)地適當(dāng)?shù)乩鋮s。并且，與使用制 冷劑的情況相比，不必?fù)?dān)心泄漏的問題。因而，利用該裝置進(jìn)行的運(yùn)轉(zhuǎn)管理也變?nèi)菀住?br> 4
在上述構(gòu)造中，上述帶冷卻部件例如是噴出被冷卻的氣體的噴嘴。作用、效果采用該構(gòu)造，能夠在冷卻吸盤臺(tái)的同時(shí)、向供給到該臺(tái)上的保護(hù)帶直接供給被冷 卻的氣體而迅速地進(jìn)行冷卻。如上所述，采用本發(fā)明的保護(hù)帶粘貼方法和保護(hù)帶粘貼裝置，通過在將保護(hù)帶冷 卻而在預(yù)先收縮的狀態(tài)下將保護(hù)帶粘貼于半導(dǎo)體晶圓，能夠?qū)⒈衬ゼ庸ず蟮膸в斜Ｗo(hù)帶的 晶圓的翹曲抑制成輕微。結(jié)果，能夠消除在背磨工序之后的各種處理工序中輸送晶圓等時(shí) 發(fā)生處理錯(cuò)誤。


圖1是表示整個(gè)保護(hù)帶粘貼裝置的立體圖。圖2是吸盤臺(tái)的俯視圖。圖3是包括吸盤臺(tái)在內(nèi)的主要部分的主視圖。圖4是表示保護(hù)帶粘貼工序的主視圖。圖5是表示保護(hù)帶粘貼工序的主視圖。圖6是表示保護(hù)帶粘貼工序的主視圖。圖7是表示保護(hù)帶粘貼工序的主視圖。圖8是另一實(shí)施例的吸盤臺(tái)的俯視圖。圖9是另一實(shí)施例的包括吸盤臺(tái)在內(nèi)的主要部分的主視圖。圖10是另一實(shí)施例的吸盤臺(tái)的俯視圖。圖11是另一實(shí)施例的吸盤臺(tái)的主視圖。附圖標(biāo)記說明5、吸盤臺(tái)；22、冷卻板；23、冷卻管；24、冷卻裝置；25、循環(huán)泵；26、珀耳帖元件； 27、空氣源；28、噴嘴；T、保護(hù)帶；W、半導(dǎo)體晶圓。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施例。圖1是表示保護(hù)帶粘貼裝置的整體構(gòu)造的立體圖。該保護(hù)帶粘貼裝置包括裝填有收納半導(dǎo)體晶圓(以下簡(jiǎn)稱作“晶圓”)W的晶圓盒 C的晶圓供給/回收部1、具有機(jī)器人手臂2的晶圓輸送機(jī)構(gòu)3、對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4、用于載置晶圓W 并將其吸附保持的吸盤臺(tái)5、朝向晶圓W的上方供給保護(hù)帶T的帶供給部6、自從帶供給部 6供給來的帶有分離件s的保護(hù)帶T剝離回收分離件s的分離件回收部7、在載置于吸盤臺(tái) 5上并被吸附保持的晶圓W上粘貼保護(hù)帶T的粘貼單元8、用于沿著晶圓W的外形切開并切 斷粘貼于晶圓W的保護(hù)帶T的帶切斷裝置9、用于將粘貼于晶圓W并被切斷處理后的不要的 帶T’剝離的剝離單元10以及用于將由剝離單元10剝離的不要的帶T’卷取并進(jìn)行回收的 帶回收部11等。下面，說明上述各構(gòu)造部和機(jī)構(gòu)的具體構(gòu)造。在晶圓供給/回收部1上能夠并列地載置兩個(gè)晶圓盒C。許多張晶圓W以布線圖 案面(表面)朝上的水平姿態(tài)分多層插入并收納在各晶圓盒C中。設(shè)置于晶圓輸送機(jī)構(gòu)3的機(jī)器人手臂2能夠水平地進(jìn)退移動(dòng)，并且，其整體能夠驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)和升降。而且，在機(jī)器人手臂2的頂端設(shè)置有呈馬蹄鐵形的真空吸附式的晶圓保持 部2a。S卩，晶圓輸送機(jī)構(gòu)3向分多層收納于晶圓盒C的晶圓W彼此的間隙中插入晶圓保持 部2a而從背面吸附保持晶圓W。另外，機(jī)器人手臂2從晶圓盒C抽出該吸附保持的晶圓W， 將晶圓W按順序輸送到對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4、吸盤臺(tái)5及晶圓供給/回收部1。對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4根據(jù)形成在晶圓W的外周的切口、定位平面對(duì)由晶圓輸送機(jī)構(gòu)3搬入載 置的晶圓W進(jìn)行對(duì)位。如圖2和圖3所示，在吸盤臺(tái)5的表面以環(huán)狀形成有刀具移動(dòng)槽13，并且，在臺(tái)中 心部配置有多根(該例子中為4根)進(jìn)出自由的晶圓支承銷21。另外，在臺(tái)背面還層疊設(shè) 置有冷卻板22。在該冷卻板22中呈蜿蜒狀內(nèi)置有冷卻管23，利用循環(huán)泵25使被冷卻裝置 24冷卻后的制冷劑(冷卻液或者冷卻氣體)循環(huán)，從而將吸盤臺(tái)5冷卻。在該吸盤臺(tái)5中， 晶圓支承銷21以能夠避開冷卻管23的位置、而且以均等的重量分配來支承晶圓W。另外，冷卻板22、冷卻裝置24及循環(huán)泵25構(gòu)成本發(fā)明的帶冷卻部件。返回到圖1，帶供給部6將從供給卷繞筒14抽出的帶有分離件的保護(hù)帶T卷繞引 導(dǎo)到引導(dǎo)輥15組，將剝離了分離件s后的保護(hù)帶T引導(dǎo)到粘貼單元8。另外，對(duì)供給卷繞筒 14付與適度的旋轉(zhuǎn)阻力而無法過剩地抽出帶。分離件回收部7能對(duì)用于卷取從保護(hù)帶T剝離了的分離件s的卷繞筒16向卷取 方向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。如圖4所示，在粘貼單元8中設(shè)置有粘貼輥17，粘貼單元8由滑動(dòng)引導(dǎo)機(jī)構(gòu)18和 未圖示的絲杠進(jìn)給式的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)左右水平地往返驅(qū)動(dòng)。在剝離單元10中水平地設(shè)置有剝離輥19，該剝離輥19由滑動(dòng)引導(dǎo)機(jī)構(gòu)18和未圖 示的絲杠進(jìn)給式的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)左右水平地往返驅(qū)動(dòng)。帶回收部11能對(duì)用于卷取不要的帶T’的回收卷繞筒20向卷取方向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。帶切斷裝置9裝備有升降自如且能夠繞通過吸盤臺(tái)5的中心線的縱軸心X旋轉(zhuǎn)移 動(dòng)的切刀12，該切刀12的刀尖朝下。接著，根據(jù)圖4 圖7說明使用上述實(shí)施例裝置而將保護(hù)帶T粘貼于晶圓W的表 面上并將保護(hù)帶T切斷的一連串動(dòng)作。在發(fā)出粘貼指令時(shí)，首先，機(jī)器人手臂2朝向載置裝填于晶圓盒臺(tái)12的晶圓盒C 移動(dòng)。晶圓保持部2a插入到收容于晶圓盒C的晶圓彼此的間隙中，從背面(下表面)吸附 保持晶圓W并將晶圓W搬出。機(jī)器人手臂2將取出的晶圓W移載到對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4上。載置于對(duì)準(zhǔn)臺(tái)4的晶圓W利用形成在晶圓W外周的切口進(jìn)行對(duì)位。對(duì)位完畢的晶 圓W再次被機(jī)器人手臂2搬出而載置于吸盤臺(tái)5。載置于吸盤臺(tái)5的晶圓W以其中心對(duì)位于吸盤臺(tái)5的中心的狀態(tài)被吸附保持。此 時(shí)，如圖4所示，粘貼單元8與剝離單元10待機(jī)在左側(cè)的初始位置，而且，帶切斷裝置9的 切刀12待機(jī)在上方的初始位置。接著，如圖4中假想線所示，粘貼單元8的粘貼輥17下降，并且，在利用該粘貼輥 17向下方按壓保護(hù)帶T的同時(shí)、使該粘貼輥17在晶圓W上向前方(圖4中的左方向)滾 動(dòng)。由此，保護(hù)帶T不僅粘貼在晶圓W的整個(gè)表面上，還粘貼在吸盤臺(tái)5的晶圓外側(cè)部。此時(shí)，通過被冷卻的制冷劑在冷卻管23中循環(huán)，載置于預(yù)先冷卻的吸盤臺(tái)5上的晶圓W被率先冷卻。之后，在保護(hù)帶T開始粘貼于晶圓W的同時(shí)，借助晶圓W冷卻保護(hù)帶。 即，保護(hù)帶T被預(yù)先冷卻到比常溫低的溫度，以收縮的狀態(tài)粘貼于晶圓W上。如圖5所示，在粘貼單元8到達(dá)終端位置時(shí)，待機(jī)在上方的切刀12下降。此時(shí)，如 圖6所示，切刀12刺入吸盤臺(tái)5的刀具移動(dòng)槽13上的保護(hù)帶T中。接著，切刀12 —邊與晶圓外周緣滑動(dòng)接觸、一邊旋轉(zhuǎn)移動(dòng)而將保護(hù)帶T切斷為晶 圓形狀。如圖7所示，在保護(hù)帶T切斷結(jié)束時(shí)，切刀12上升至原來的待機(jī)位置。接著，剝離 單元10在向前方移動(dòng)的同時(shí)、將被切下了晶圓W的形狀的部分并粘貼于吸盤臺(tái)5的晶圓外 側(cè)部的不要的帶T’卷起并剝離下來。在剝離單元10到達(dá)剝離完成位置時(shí)，剝離單元10和粘貼單元8后退移動(dòng)而返回 到初始位置。此時(shí)，在回收卷繞筒20上卷取有不要的帶T’，并且，從帶供給部6抽出恒定量 的保護(hù)帶T。在上述保護(hù)帶T粘貼結(jié)束時(shí)，在解除吸盤臺(tái)5的吸附的同時(shí)、粘貼處理完畢的晶圓 W移載到機(jī)器人手臂2的晶圓保持部2a而被插入到晶圓供給/回收部1的晶圓盒C中來進(jìn) 行回收。以上，完成一次帶粘貼處理，之后，與搬入新的晶圓W相對(duì)應(yīng)地依次重復(fù)上述粘貼處理。本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施例，也能夠如下那樣實(shí)施變形。(1)也可以在吸盤臺(tái)5的背面粘貼散熱用的吸熱裝置，從噴嘴向該吸熱裝置噴出 被冷卻的空氣等各種氣體而將吸盤臺(tái)5冷卻。在此，吸熱裝置由鋁、銅等構(gòu)成，其形狀可根 據(jù)散熱效率適當(dāng)?shù)刈兏?。另外，吸熱裝置相當(dāng)于本發(fā)明的帶冷卻部件。(2)如圖8及圖9所示，也可以在冷卻板22中內(nèi)置有多個(gè)珀耳帖元件26而將吸盤 臺(tái)5冷卻。另外，在該構(gòu)造中，也可以從噴嘴向珀耳帖元件26噴出被冷卻的空氣來提高冷 卻效果。另外，珀耳帖元件26相當(dāng)于本發(fā)明帶冷卻部件。(3)如圖10和圖11所示，也可以在吸盤臺(tái)5的與帶粘貼方向F正交的兩肋配置與 空氣源27連通連接的噴嘴28，從噴嘴28朝向吸盤臺(tái)5和所供給的保護(hù)帶T噴出被冷卻的 氣體來進(jìn)行冷卻。因而，由于能夠向粘貼前的保護(hù)帶T直接噴出氣體來進(jìn)行冷卻，因此，能 夠根據(jù)保護(hù)帶T的種類、粘貼環(huán)境而任意地調(diào)整保護(hù)帶T的溫度。另外，空氣源27和噴嘴 28相當(dāng)于本發(fā)明的帶冷卻部件。(4)雖未圖示，但也可以將帶供給部6收容在相當(dāng)于本發(fā)明的保冷容器的冷卻室 中而對(duì)供給到吸盤臺(tái)5的保護(hù)帶T進(jìn)行預(yù)先冷卻、或者也可以在保護(hù)帶供給路徑中設(shè)置使 保護(hù)帶T通過的冷卻室。即，也可以預(yù)先冷卻保護(hù)帶T而將其供給到粘貼位置。在利用上 述各實(shí)施例裝置的情況下，能夠通過將整個(gè)帶供給部6收容在冷卻室中，并且在冷卻室上 形成用于抽出保護(hù)帶T的狹縫來實(shí)現(xiàn)。接著，使用上述實(shí)施例裝置、利用了變形例(1)的吸熱裝置和冷卻用噴嘴的裝置 以及利用了變形例(2)的珀耳帖元件和冷卻用噴嘴的裝置進(jìn)行了多種保護(hù)帶的粘貼實(shí)驗(yàn)。 另外，各實(shí)驗(yàn)所采用的保護(hù)帶粘貼裝置是以日東精機(jī)株式會(huì)社制DR3000II為基礎(chǔ)而在吸 盤臺(tái)上設(shè)置上述各實(shí)施例裝置的帶冷卻部件的裝置。在使各裝置的帶冷卻部件工作而預(yù)先測(cè)定吸盤臺(tái)的溫度時(shí)，能得到如下結(jié)果。實(shí)
7施例裝置能夠被設(shè)定得比常溫(室溫17°C )低30°C。另外，變形例裝置(1)能夠被設(shè)定得 比常溫低10°C。并且，變形例裝置(2)能夠被設(shè)定得比常溫低50°C。在該實(shí)驗(yàn)中，在直徑200 μ m的晶圓上粘貼以下4種保護(hù)帶。作為保護(hù)帶A，應(yīng)用在PET基材(poly-ethylene terephthalate)上涂敷丙烯酸類 粘接劑而制成的帶總厚度為IOOym的日東電工株式會(huì)社制UB 3102D。作為保護(hù)帶B，先利用聚酯類粘接劑將P ET基材與PET-PBT共聚物基材 (poly-ethylene terephthalate-polybutylene terephthalate)辛占合成接合體，并在i亥接 合體的PET基材側(cè)進(jìn)一步涂敷丙烯酸類粘接劑制造得到。應(yīng)用其帶總厚度為140 μ m的日 東電工株式會(huì)社制UB 3102D-XX。作為保護(hù)帶C，通過在乙烯-醋酸乙烯共聚物基材涂敷丙烯酸類粘接劑來制造。應(yīng) 用其帶總厚度為130 μ m的日東電工株式會(huì)社制UB2130E。作為保護(hù)帶D，通過在聚丙烯-乙烯共聚物基材涂敷丙烯酸類粘接劑來制造。應(yīng)用 其帶總厚度為180μπι的日東電工株式會(huì)社制UB9180D-G15-X1。在各裝置中，在8英寸反射鏡硅晶圓(mirror silicon wafer)的表面粘貼保護(hù) 帶A-D時(shí)，除了進(jìn)行冷卻吸盤臺(tái)的實(shí)驗(yàn)之外，也進(jìn)行不冷卻吸盤臺(tái)的比較實(shí)驗(yàn)。并且，在粘 貼各保護(hù)帶之后，利用株式會(huì)社DISCO制的晶圓磨削裝置DTO8560而從晶圓磨削前的厚度 725 μ m 磨削 了 25 μ m 或者 50 μ m。在磨削處理后取出晶圓，將晶圓以保護(hù)帶粘貼面朝上的方式設(shè)置在平臺(tái)上，測(cè)定 晶圓的翹曲最大的部位距平臺(tái)表面的高度。將該測(cè)定結(jié)果作為翹曲量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下表所不。表 1
磨削厚想曲量(mm)度(μιη )無冷卻實(shí)施例 裝置變形例 裝置(1)變形例 裝置(2)保護(hù)帶A2550.50.50.5保護(hù)帶B2515.53.33.43.5保護(hù)帶C508.25.45.55.6保護(hù)帶D253216.51716與不冷卻保護(hù)帶的情況相比可知，在借助吸盤臺(tái)間接地冷卻保護(hù)帶的情況下，在 保護(hù)帶A中晶圓的翹曲量改良了約90 %，在保護(hù)帶B中改良了約78 %，在保護(hù)帶C中改良 了約32%，在保護(hù)帶D中改良了約48%。因而，由于在背磨處理之后能夠以大致沒有翹曲的狀態(tài)從晶圓表里面中的任一個(gè) 吸附并進(jìn)行輸送，因此，不會(huì)發(fā)生處理錯(cuò)誤等。工業(yè)實(shí)用件如上所述，本發(fā)明適合在半導(dǎo)體晶圓的表面粘貼保護(hù)帶。
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權(quán)利要求
一種保護(hù)帶粘貼方法，其用于在形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶圓的表面粘貼保護(hù)帶，其特征在于，在比常溫低的溫度下將上述保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體晶圓的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶粘貼方法，其特征在于，對(duì)用于保持上述半導(dǎo)體晶圓的吸盤臺(tái)進(jìn)行冷卻，借助被冷卻的半導(dǎo)體晶圓冷卻保護(hù)帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)帶粘貼方法，其特征在于，一邊向上述保護(hù)帶噴被冷卻的氣體、一邊將保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體晶圓上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶粘貼方法，其特征在于，一邊從收納于保冷容器的材料卷抽出帶狀的上述保護(hù)帶、一邊將保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體 晶圓上。
5.一種保護(hù)帶粘貼裝置，其用于在形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶圓的表面粘貼保護(hù)帶， 其特征在于，包括保持臺(tái)，其用于載置保持上述半導(dǎo)體晶圓；帶供給部件，其用于向保持于上述保持臺(tái)的半導(dǎo)體晶圓的表面上供給保護(hù)帶； 帶粘貼部件，其用于一邊使粘貼輥在供給來的上述保護(hù)帶上按壓滾動(dòng)，一邊將該保護(hù) 帶粘貼在半導(dǎo)體晶圓的表面上；帶切斷部件，其用于沿著半導(dǎo)體晶圓的外周切下所粘貼的上述保護(hù)帶； 帶回收部件，其用于回收切斷后的不需要的帶；帶冷卻部件，其用于對(duì)粘貼在上述半導(dǎo)體晶圓的表面上的保護(hù)帶進(jìn)行冷卻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)帶粘貼裝置，其特征在于， 上述帶冷卻部件用于冷卻上述吸盤臺(tái)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的保護(hù)帶粘貼裝置，其特征在于，上述帶冷卻部件是使制冷劑在設(shè)于保持臺(tái)內(nèi)的循環(huán)管中循環(huán)的構(gòu)造。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的保護(hù)帶粘貼裝置，其特征在于， 上述帶冷卻部件是內(nèi)置在上述保持臺(tái)內(nèi)部的珀耳帖元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的保護(hù)帶粘貼裝置，其特征在于， 上述帶冷卻部件是能噴出被冷卻的氣體的噴嘴。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)帶粘貼裝置，其特征在于， 上述帶冷卻部件是向保護(hù)帶噴出被冷卻的氣體的噴嘴。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)帶粘貼裝置，其特征在于，上述帶冷卻部件是用于向保護(hù)帶和吸盤臺(tái)噴被冷卻的氣體的噴嘴。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)帶粘貼裝置，其特征在于，上述帶冷卻部件是保冷容器，該保冷容器用于收納在帶供給部件中將帶狀的保護(hù)帶形 成為粘合帶卷而成的材料卷。
全文摘要
本發(fā)明提供一種保護(hù)帶粘貼方法和保護(hù)帶粘貼裝置。該保護(hù)帶粘貼裝置的設(shè)置狀態(tài)為，在用于從背面吸附保持半導(dǎo)體晶圓的吸盤臺(tái)上，從背面?zhèn)葘盈B上內(nèi)置有蜿蜒狀冷卻管的冷卻板。通過使制冷劑在該冷卻管中循環(huán)來冷卻吸盤臺(tái)。在將該吸盤臺(tái)冷卻了的狀態(tài)下吸附保持半導(dǎo)體晶圓。并且，在將吸盤臺(tái)冷卻了的狀態(tài)下，在半導(dǎo)體晶圓上粘貼保護(hù)帶。即，在該保護(hù)帶粘貼過程中，一邊借助與吸盤臺(tái)直接接觸而被冷卻的半導(dǎo)體晶圓間接地冷卻保護(hù)帶，一邊將保護(hù)帶粘貼在半導(dǎo)體晶圓的表面上。
文檔編號(hào)H01L21/683GK101911280SQ20098010147
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2009年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月16日
發(fā)明者山本雅之, 木內(nèi)一之, 石井直樹, 西尾昭德 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社