專(zhuān)利名稱(chēng)：四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種四方扁平封裝(Quad Flat Package, QFP)的制造方法，且特 別是有關(guān)于一種四方扁平無(wú)引腳封裝(Quad Flat Non-leaded package,QFNpackage)的制 造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是近年來(lái)發(fā)展速度最快的高科技工業(yè)之一，隨著電子技術(shù)的日新月 異，高科技電子產(chǎn)業(yè)的相繼問(wèn)世，使得更人性化、功能更佳的電子產(chǎn)品不斷地推陳出新，并 朝向輕、薄、短、小的趨勢(shì)設(shè)計(jì)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路(integrated circuits, IC)的 生產(chǎn)主要可分為三個(gè)階段集成電路的設(shè)計(jì)(ICdesign)、集成電路的制作(IC process)及 集成電路的封裝(IC package)。其中，封裝的目的在于，防止芯片受到外界溫度、濕氣的影 響以及雜塵污染，并提供芯片與外部電路之間電性連接的媒介。 在半導(dǎo)體封裝制程當(dāng)中，包含有許多種封裝形態(tài)，其中四方扁平無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu) 具有較短的信號(hào)傳遞路徑(trace)及較快的信號(hào)傳遞速度，因此一直是低腳位(low pin count)構(gòu)裝型態(tài)的主流之一，且適用于高頻傳輸?shù)男酒庋b結(jié)構(gòu)。 —般而言，在制造四方扁平無(wú)引腳封裝的過(guò)程中，先將多個(gè)芯片排列在導(dǎo)線架上， 其中導(dǎo)線架包括相互連接的多組引腳且各芯片分別被其中一組引腳圍繞，然后以打線接合 (wire bonding)的方式使各芯片分別電性連接于相對(duì)應(yīng)的其中一組引腳，接著形成一封裝 膠體以完全覆蓋導(dǎo)線架及這些芯片，最后以切割的方式對(duì)其進(jìn)行單體化而得到多個(gè)四方扁 平無(wú)引腳封裝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其可使經(jīng)由切割以及犧牲層的 移除而得到多個(gè)單體化的四方扁平無(wú)引腳封裝。 本發(fā)明提供一種四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其可節(jié)省封裝材料的使用量， 并可減少切割過(guò)程中刀具的磨耗。 本發(fā)明提出一種四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法。首先，于一犧牲層上形成一圖 案化導(dǎo)電層，其中圖案化導(dǎo)電層包括多組引腳。將多個(gè)芯片貼附于犧牲層上，其中各芯片分 別被其中一組引腳所環(huán)繞。令各芯片分別與其中一組引腳電性連接，并于犧牲層上形成一 封裝膠體，以覆蓋圖案化導(dǎo)電層以及這些芯片。接著，切割封裝膠體以及圖案化導(dǎo)電層，并 預(yù)切割(pre-cut)犧牲層以于犧牲層上形成多個(gè)切割溝槽。在切割封裝膠體以及圖案化導(dǎo) 電層并預(yù)切割犧牲層之后移除犧牲層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，在切割封裝膠 體以及圖案化導(dǎo)電層后以及移除犧牲層之前，更包括提供一轉(zhuǎn)移基板，并使被切割后的封 裝膠體貼附于轉(zhuǎn)移基板上。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，在移除犧牲層之后，更包括移除轉(zhuǎn)移基板。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的封裝材料是全面性形成于犧牲層。 本發(fā)明更提出一種四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法。首先，于一犧牲層上形成一
圖案化導(dǎo)電層，其中圖案化導(dǎo)電層包括多組引腳。將多個(gè)芯片貼附于犧牲層上，其中各芯片 分別被其中一組引腳所環(huán)繞。令各芯片分別與其中一組引腳電性連接，并于犧牲層上形成 多個(gè)封裝膠體，以分別覆蓋圖案化導(dǎo)電層以及這些芯片。接著，切割圖案化導(dǎo)電層，并預(yù)切 割犧牲層以于犧牲層上形成多個(gè)切割溝槽。在切割圖案化導(dǎo)電層并預(yù)切割犧牲層之后移除 犧牲層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化導(dǎo)電層的形成方法包括于犧牲層上形成一 導(dǎo)電層，以及移除部分導(dǎo)電層以形成圖案化導(dǎo)電層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的移除部分導(dǎo)電層的方法包括光刻/蝕刻制程。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的圖案化導(dǎo)電層的形成方法包括于犧牲層上形成一 圖案化光阻層，以圖案化光阻層為罩幕，于未被圖案化光阻層覆蓋的犧牲層上形成圖案化 導(dǎo)電層，以及移除圖案化光阻層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的犧牲層為一金屬層或一絕緣層。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的于未被圖案化光阻層覆蓋的犧牲層上形成圖案化
導(dǎo)電層的方法包括電鍍。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，在形成這些組 引腳時(shí)，更包括形成一芯片座，且這些引腳環(huán)繞芯片座。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各芯片與對(duì)應(yīng)的一組引腳是透過(guò)多條導(dǎo)線電性連 接。 本發(fā)明的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，借由將預(yù)切割后的封裝結(jié)構(gòu)貼附于轉(zhuǎn) 移基板并依序?qū)奚鼘蛹稗D(zhuǎn)移基板移除，以得到規(guī)則排列的多個(gè)四方扁平無(wú)引腳封裝。
本發(fā)明的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，借由形成多個(gè)分別覆蓋圖案化導(dǎo)電層 及這些芯片的封裝膠體，以節(jié)省封裝材料并減少切割時(shí)刀具的磨耗。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具 體實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明，其中 圖1A至圖1F為本發(fā)明一實(shí)施例的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法的剖面示意 圖。 圖2A至圖2E為本發(fā)明另一實(shí)施例的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法的剖面示意 圖。 圖3A及圖3B為圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層的一種形成方法的剖面示意圖。 圖4A及圖4B為圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層的另一種形成方法的剖面示意圖。 主要元件符號(hào)說(shuō)明 100 :四方扁平無(wú)引腳封裝 110:犧牲層 112:切割溝槽
120:圖案化導(dǎo)電層120，:導(dǎo)電層122:弓I展P130:心片140、140':封裝膠體150:轉(zhuǎn)移基板160、160':圖案化光阻層170:芯片座180:導(dǎo)線
具體實(shí)施例方式
圖1A至圖IF為本發(fā)明一實(shí)施例的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1A，首先，于一犧牲層IIO上形成一圖案化導(dǎo)電層120，其中圖案化導(dǎo)電層包括多組引腳122，引腳122的材質(zhì)例如是銅。 接著，請(qǐng)參考圖1B及圖1C，將多個(gè)芯片130貼附于犧牲層IIO上，其中各芯片130分別被其中一組引腳122所環(huán)繞，令各芯片130分別與其中一組引腳122電性連接，并于犧牲層110上形成一封裝膠體140，以覆蓋圖案化導(dǎo)電層120以及芯片130，其中封裝膠體140的材質(zhì)例如是環(huán)氧樹(shù)脂(印oxy resin)。 接著，請(qǐng)參考圖1D及圖1F，將封裝膠體140切割成多個(gè)封裝膠體140'并切割圖案化導(dǎo)電層120，在切割封裝膠體140以及圖案化導(dǎo)電層120之后移除犧牲層110以得到多個(gè)四方扁平無(wú)引腳封裝100。 請(qǐng)參考圖1C，在本實(shí)施例中，封裝材料系全面性形成于犧牲層。請(qǐng)參考圖1D，在切割封裝膠體140以及圖案化導(dǎo)電層120時(shí)，更包括預(yù)切割犧牲層110以于犧牲層IIO上形成多個(gè)切割溝槽112，其中切割方式例如是刀具切割(blade saw)、激光切割(laser saw)或者一般的沖切制程(P皿ch)。接著，請(qǐng)參考圖1E，提供一轉(zhuǎn)移基板150以使各封裝膠體140'貼附于轉(zhuǎn)移基板150上，最后依序移除犧牲層110及轉(zhuǎn)移基板150而得到圖IF的多個(gè)四方扁平無(wú)引腳封裝100。其中犧牲層110例如是可或不可紫外線照射的薄膜膠帶、一般晶圓研磨的貼布、金屬層或其他絕緣材料。而轉(zhuǎn)移基板150例如是真空吸盤(pán)、真空吸嘴或其他具有可吸附或貼附功能的轉(zhuǎn)移載板。在本實(shí)施例中，犧牲層IIO可以是可紫外線照射的薄膜膠帶，在犧牲層IIO上形成多個(gè)切割溝槽112之后，利用紫外線照射降低薄膜與封裝體的接合性，接著利用真空吸附功能的轉(zhuǎn)移基板150使封裝膠體140'與犧牲層110分離，最后再移除轉(zhuǎn)移基板150。 在本實(shí)施例中，借由將預(yù)切割后連接于犧牲層110的各封裝膠體140'貼附于轉(zhuǎn)移基板150，以在移除犧牲層110時(shí)能保持各封裝膠體140'的相對(duì)位置，而得到規(guī)則排列的多個(gè)四方扁平無(wú)引腳封裝100。 圖2A至圖2E為本發(fā)明另一實(shí)施例的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖2A，首先，于一犧牲層IIO上形成一圖案化導(dǎo)電層120，其中圖案化導(dǎo)電層包括多組引腳122，引腳122的材質(zhì)例如是銅。 接著，請(qǐng)參考圖2B及圖2C，將多個(gè)芯片130貼附于犧牲層IIO上，其中各芯片130分別被其中一組引腳122所環(huán)繞，令各芯片130分別與其中一組引腳122電性連接，并于犧牲層110上形成多個(gè)封裝膠體140'，以分別覆蓋圖案化導(dǎo)電層120以及芯片130，其中封裝膠體140的材質(zhì)例如是環(huán)氧樹(shù)脂(印oxyresin)。 接著，請(qǐng)參考圖2D及圖2E，切割圖案化導(dǎo)電層120并在切割圖案化導(dǎo)電層120之后移除犧牲層110以得到多個(gè)四方扁平無(wú)引腳封裝100。 在本實(shí)施例中，借由形成多個(gè)分別覆蓋圖案化導(dǎo)電層120及芯片130的封裝膠體140'以節(jié)省封裝材料。此外，因?yàn)閮H須切割圖案化導(dǎo)電層120，故可減少切割時(shí)刀具的磨耗。
圖3A及圖3B為圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層的一種形成方法的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖3A，圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層120的形成方法為在犧牲層110上形成一導(dǎo)電層120'，接著，請(qǐng)參考圖3B，在導(dǎo)電層120'上形成一圖案化光阻層160，以圖案化光阻層160為罩幕，透過(guò)光刻/蝕刻制程移除導(dǎo)電層120'未被圖案化光阻層160覆蓋的部分，并移除圖案化光阻層160，以形成圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層120。 圖4A及圖4B為圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層的另一種形成方法的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖4A，圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層120的形成方法亦可為在犧牲層110上形成一圖案化光阻層160'，接著，請(qǐng)參考圖4B，以圖案化光阻層160'為罩幕，于未被圖案化光阻層160'覆蓋的犧牲層110上形成圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層120，并移除圖案化光阻層160'。犧牲層110為一金屬層、一絕緣層或者是一玻璃層，且于未被圖案化光阻層160'覆蓋的犧牲層110上形成圖1A及圖2A的圖案化導(dǎo)電層120的方法包括電鍍。
請(qǐng)參考圖1B及圖2B，在上述的各實(shí)施例中，形成各組引腳時(shí)，更包括形成一芯片座170，且引腳122環(huán)繞芯片座170。各芯片130與對(duì)應(yīng)的一組引腳122是透過(guò)多條導(dǎo)線180電性連接。然本發(fā)明不以此為限，四方扁平無(wú)引腳封裝100也可不包含芯片座170。
綜上所述，本發(fā)明借由將預(yù)切割后連接于犧牲層的各封裝膠體貼附于轉(zhuǎn)移基板，以在移除犧牲層時(shí)能保持各封裝膠體的相對(duì)位置而得到規(guī)則排列的多個(gè)四方扁平無(wú)引腳封裝，使后續(xù)的制造流程能夠順利進(jìn)行。此外，本發(fā)明借由形成多個(gè)分別覆蓋圖案化導(dǎo)電層及芯片的封裝膠體以節(jié)省封裝材料，且因?yàn)閮H須切割圖案化導(dǎo)電層，故可減少切割時(shí)刀具的磨耗以降低生產(chǎn)成本。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，包括于一犧牲層上形成一圖案化導(dǎo)電層，其中該圖案化導(dǎo)電層包括多組引腳；將多個(gè)芯片貼附于該犧牲層上，其中各該芯片分別被其中一組引腳所環(huán)繞；令各該芯片分別與其中一組引腳電性連接；于該犧牲層上形成一封裝膠體，以覆蓋該圖案化導(dǎo)電層以及該些芯片；切割該封裝膠體以及該圖案化導(dǎo)電層，并預(yù)切割該犧牲層以于該犧牲層上形成多個(gè)切割溝槽；以及在切割該封裝膠體以及該圖案化導(dǎo)電層并預(yù)切割該犧牲層后，移除該犧牲層。
2. 如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，該圖案化導(dǎo)電 層的形成方法包括于該犧牲層上形成一導(dǎo)電層；以及 移除部分該導(dǎo)電層，以形成該圖案化導(dǎo)電層。
3. 如權(quán)利要求2所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，移除部分該導(dǎo) 電層的方法包括光刻/蝕刻制程。
4. 如權(quán)利要求l所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，該圖案化導(dǎo)電 層的形成方法包括于該犧牲層上形成一圖案化光阻層；以該圖案化光阻層為罩幕，于未被該圖案化光阻層覆蓋的該犧牲層上形成該圖案化導(dǎo) 電層；以及移除該圖案化光阻層。
5. 如權(quán)利要求4所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，該犧牲層為一金屬層或一絕緣層。
6. 如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，在形成該些組 引腳時(shí)，更包括形成一芯片座，且該些引腳環(huán)繞該芯片座。
7. 如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，該封裝膠體是 全面性形成于該犧牲層。
8. 如權(quán)利要求1所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，在切割該封裝 膠體以及該圖案化導(dǎo)電層后以及移除該犧牲層之前，更包括提供一轉(zhuǎn)移基板，并使被切割 后的封裝膠體貼附于該轉(zhuǎn)移基板上。
9. 如權(quán)利要求8所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，在移除該犧牲 層之后，更包括移除該轉(zhuǎn)移基板。
10. —種四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，包括于一犧牲層上形成一圖案化導(dǎo)電層，其中該圖案化導(dǎo)電層包括多組引腳； 將多個(gè)芯片貼附于該犧牲層上，其中各該芯片分別被其中一組引腳所環(huán)繞； 令各該芯片分別與其中一組引腳電性連接；于該犧牲層上形成多個(gè)封裝膠體，以分別覆蓋該圖案化導(dǎo)電層以及該些芯片；切割該圖案化導(dǎo)電層，并預(yù)切割該犧牲層以于該犧牲層上形成多個(gè)切割溝槽；以及在切割該圖案化導(dǎo)電層并預(yù)切割該犧牲層后，移除該犧牲層。
11. 如權(quán)利要求io所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，該圖案化導(dǎo)電層的形成方法包括于該犧牲層上形成一導(dǎo)電層；以及 移除部分該導(dǎo)電層，以形成該圖案化導(dǎo)電層。
12. 如權(quán)利要求11所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，移除部分該 導(dǎo)電層的方法包括光刻/蝕刻制程。
13. 如權(quán)利要求10所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，該圖案化導(dǎo) 電層的形成方法包括于該犧牲層上形成一圖案化光阻層；以該圖案化光阻層為罩幕，于未被該圖案化光阻層覆蓋的該犧牲層上形成該圖案化導(dǎo) 電層；以及移除該圖案化光阻層。
14. 如權(quán)利要求13所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，該犧牲層為 一金屬層、 一絕緣層或一玻璃層。
15. 如權(quán)利要求IO所述的四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法，其特征在于，在形成該些 組引腳時(shí)，更包括形成一芯片座，且該些引腳環(huán)繞該芯片座。
全文摘要
一種四方扁平無(wú)引腳封裝的制造方法。首先，于一犧牲層上形成一圖案化導(dǎo)電層，其中圖案化導(dǎo)電層包括多組引腳。將多個(gè)芯片貼附于犧牲層上，其中各芯片分別被其中一組引腳所環(huán)繞。令各芯片分別與其中一組引腳電性連接，并于犧牲層上形成一封裝膠體，以覆蓋圖案化導(dǎo)電層以及這些芯片。接著，切割封裝膠體以及圖案化導(dǎo)電層，并預(yù)切割犧牲層以于犧牲層上形成多個(gè)切割溝槽。在切割封裝膠體以及圖案化導(dǎo)電層并預(yù)切割犧牲層之后移除犧牲層。因此，借由將預(yù)切割后的封裝結(jié)構(gòu)貼附于轉(zhuǎn)移基板并依序?qū)奚鼘蛹稗D(zhuǎn)移基板移除，可以得到規(guī)則排列的多個(gè)四方扁平無(wú)引腳封裝。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101740406SQ20081017668
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月20日
發(fā)明者侯博凱, 林峻瑩, 沈更新 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司