專利名稱：消除芯片表面水汽的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種消除芯片表面水汽的方法，特別涉及一種改變芯片表面狀態(tài)的化學(xué)方法。
背景技術(shù)：
在空氣濕度大的環(huán)境下，MOS器件容易出現(xiàn)IDSS (源漏極泄露電流)測試值偏大的 情況，而形成IDSS失效。通常處理這種失效是采用烘烤的方法，即利用高溫使芯片表面 的水汽蒸發(fā)掉，消除由于水汽附著導(dǎo)致的IDSS漏電失效及軟擊穿現(xiàn)象。烘烤的主要條件 為密閉烘箱，250°C。經(jīng)過高溫烘烤后，芯片的IDSS失效可以恢復(fù)正常。
然而，由于DMOS產(chǎn)品背面的Drain端要蒸鍍一層金屬，作為引出電極，而高溫烘烤 會(huì)使其背面的金屬容易出現(xiàn)脫落的現(xiàn)象，從而使芯片完全失去功能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，需要提供一種可以消除芯片表面水汽，又不對(duì)芯片功能產(chǎn)生不利影響的方法。
一種消除芯片表面水汽的方法，包括
將芯片放入密閉容器中；
將密閉容器抽真空；
在密閉容器中通入六甲基二硅胺垸(HMDS)氣體； 保持一段時(shí)間。
上述消除芯片表面水汽的方法在常溫條件下使用HMDS (六甲基二硅胺垸)與芯片表 面的羥基反應(yīng)，使芯片表面由親水性變?yōu)槭杷?，從而避免了高溫烘烤芯片帶來的金屬?落風(fēng)險(xiǎn)。


圖1為本發(fā)明消除芯片表面水汽的方法的最佳實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，本發(fā)明消除芯片表面水汽的方法的最佳實(shí)施方式包括
步驟102,將帶有水汽的芯片放入一個(gè)密閉容器中。其中，該密閉容器與一個(gè)真空泵 相連，該真空泵可用于將該密閉容器抽真空。
步驟104，開啟真空泵，對(duì)該密閉容器進(jìn)行抽真空到第一預(yù)定的氣壓。在該實(shí)施方式 中，該第一預(yù)定的氣壓小于100torr。
步驟106，在密閉容器中充入氮?dú)?，至該密閉容器內(nèi)壓力恢復(fù)為常壓(一個(gè)大氣壓)， 隨后重復(fù)步驟104至步驟106的過程若干次。在該實(shí)施方式中，可以重復(fù)步驟104至步驟 106的過程四次，以排除雜質(zhì)氣體。
步驟108，對(duì)密閉容器抽真空至第二預(yù)定的氣壓。在該實(shí)施方式中，該第二預(yù)定的氣 壓小于ltorr。
步驟110，在密閉容器中通入六甲基二硅胺烷(HMDS)氣體，至該密閉容器內(nèi)HMDS 氣體達(dá)到預(yù)定的濃度。60秒(可根據(jù)情況調(diào)整)后，停止充入HMDS氣體。
步驟112,保持HMDS氣體在該密閉容器中一段預(yù)定時(shí)間。在該實(shí)施方式中，該預(yù)定 時(shí)間為8分鐘。
步驟114，將密閉容器內(nèi)氣體排空。
步驟116，在該密閉容器中充入氮?dú)?，隨后重復(fù)步驟114至步驟116的過程若干次。在 該實(shí)施方式中，可以重復(fù)步驟114到步驟116的過程四次，以排凈其中的HMDS氣體。 步驟118，將芯片從密閉容器中取出。
在上述實(shí)施方式中，步驟104至步驟106的過程可消除密閉容器中原存的氧氣等雜質(zhì) 氣體，在其他實(shí)施方式中，也可以不經(jīng)過步驟104至步驟106的過程而直接將HMDS氣體 通入密閉容器中。
在上述實(shí)施方式中，步驟114至步驟116的過程可充分將密閉容器中的HMDS氣體與 芯片表面殘存的水汽排出。在其他實(shí)施方式中，也可以不經(jīng)過步驟114到步驟116的過程 而直接將芯片從密閉容器中取出。
由于HMDS可以與芯片表面的羥基反應(yīng)，使芯片表面由親水性變?yōu)槭杷?。從而可?杜絕水汽在芯片表面的滯留，避免了漏電失效及軟擊穿的產(chǎn)生。由于以上步驟均在常溫下 進(jìn)行，可以避免高溫烘烤造成金屬脫落。
權(quán)利要求
1. 一種消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述消除芯片表面水汽的方法包括將芯片放入一個(gè)密閉容器中；對(duì)所述密閉容器抽真空至第一預(yù)定氣壓；向所述密閉容器中通入六甲基二硅胺烷氣體；保持一段預(yù)定時(shí)間。
2. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，在向所述密閉容器內(nèi)通 入六甲基二硅胺垸氣體之前進(jìn)一步包括向所述密閉容器中通入氮?dú)庵恋诙A(yù)定氣壓； 將所述密閉容器中的氮?dú)馀趴铡?br> 3. 如權(quán)利要求2所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述向所述密閉容器內(nèi) 通入氮?dú)獾牟襟E及所述排空氮?dú)獾牟襟E可重復(fù)預(yù)定次數(shù)。
4. 如權(quán)利要求3所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述預(yù)定次數(shù)為四次。
5. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述第一預(yù)定氣壓小于 100torr。
6. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述第二預(yù)定氣壓為一 個(gè)大氣壓。
7. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述預(yù)定時(shí)間為8分鐘。
8. 如權(quán)利要求1所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，在保持一段預(yù)定時(shí)間之 后進(jìn)一步包括將所述密閉容器內(nèi)的氣體排空； 向所述密閉容器內(nèi)通入氮?dú)狻?br> 9. 如權(quán)利要求8所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述將密閉容器氣體排 空及通入氮?dú)獾牟襟E可重復(fù)預(yù)定次數(shù)。
10. 如權(quán)利要求9所述的消除芯片表面水汽的方法，其特征是，所述預(yù)定次數(shù)為四次。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種消除芯片表面水汽的方法，目的是提供可以消除芯片表面水汽，又不對(duì)芯片功能產(chǎn)生不利影響的方法。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是一種消除芯片表面水汽的方法，包括將芯片放入密閉容器中；將密閉容器抽真空；在密閉容器中通入六甲基二硅胺烷(HMDS)氣體；保持一段時(shí)間。本發(fā)明采用在常溫條件下使用HMDS(六甲基二硅胺烷)與芯片表面的羥基反應(yīng)，使芯片表面由親水性變?yōu)槭杷裕瑥亩苊饬烁邷睾婵拘酒瑤淼慕饘倜撀滹L(fēng)險(xiǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101388329SQ200810154950
公開日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月30日
發(fā)明者房世林, 巍 蘇, 鄧小社, 邢清樂 申請(qǐng)人:無錫華潤上華科技有限公司