技術(shù)編號：6900365
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，特別涉及一種改變芯片表面狀態(tài)的化學(xué)方法。背景技術(shù)在空氣濕度大的環(huán)境下，MOS器件容易出現(xiàn)IDSS (源漏極泄露電流)測試值偏大的 情況，而形成IDSS失效。通常處理這種失效是采用烘烤的方法，即利用高溫使芯片表面 的水汽蒸發(fā)掉，消除由于水汽附著導(dǎo)致的IDSS漏電失效及軟擊穿現(xiàn)象。烘烤的主要條件 為密閉烘箱，250°C。經(jīng)過高溫烘烤后，芯片的IDSS失效可以恢復(fù)正常。然而，由于DMOS產(chǎn)品背面的Drain端要蒸鍍一層金屬，作為引出電極，而高溫烘...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。