專利名稱：：雙芯聲表面波濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種表面波濾波器，尤其涉及一種雙芯聲表面波濾波器。技術(shù)背景現(xiàn)有技術(shù)中的聲表面波濾波器單個(gè)殼體內(nèi)只有單個(gè)的芯片，實(shí)現(xiàn)單個(gè)聲表面波濾波器的功能。制作聲表面波器產(chǎn)品采用半導(dǎo)體平面工藝，即類似于集成電路芯片的生產(chǎn)工藝，但聲表設(shè)計(jì)只是在一個(gè)器件內(nèi)的微電路集成，沒有應(yīng)用到兩個(gè)器件之間的集成。上述現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點(diǎn)當(dāng)設(shè)備需要處理多種信號(hào)或一種信號(hào)中的多個(gè)信號(hào)時(shí)，需要應(yīng)用到二個(gè)以上聲表面波濾波器，其所占用的空間必然為多個(gè)聲表面波濾波器的殼體體積之和。這顯然不適應(yīng)設(shè)備越來越小型化的發(fā)展需求。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種能使聲表器件應(yīng)用小型化的雙芯聲表面波濾波器。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的雙芯聲表面波濾波器，包括基片，所述基片上集成有兩個(gè)聲表面濾波器的芯片，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片分別設(shè)有單獨(dú)的輸入、輸出端。由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明所述的雙芯聲表面波濾波器，由于基片上集成有兩個(gè)聲表面濾波器的芯片，兩個(gè)聲表面濾波器的芯片分別設(shè)有單獨(dú)的輸入、輸出端。可以同時(shí)處理多個(gè)信號(hào)，能使聲表器件應(yīng)用小型化。圖l為本發(fā)明雙芯聲表面波濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明中色散DMS結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明的雙芯聲表面波濾波器，其較佳的具體實(shí)施方式如圖l所示，包括基片，基片上集成有兩個(gè)聲表面濾波器的芯片，兩個(gè)聲表面濾波器的芯片分別設(shè)有單獨(dú)的輸入、輸出端，兩個(gè)聲表面濾波器的芯片設(shè)有共同的接地端。具體可以將兩個(gè)聲表面濾波器的芯片分別布置在基片的左部和右部，共同的接地端布置在基片的中部。根據(jù)需要，也可以采用其它的布置方式。兩個(gè)聲表面濾波器的芯片可以分別為匿Sl-2模式和DMSl-3模式，DMSl-2模式的相對(duì)帶寬可以小于或等于DMSl-3模式的相對(duì)帶寬。即DMSl-2模式實(shí)現(xiàn)較窄的相對(duì)帶寬，DMSl-3模式實(shí)現(xiàn)較寬的相對(duì)帶寬。相對(duì)帶寬可以為3dB帶寬與中心頻率的比值。相對(duì)帶寬的數(shù)值范圍與基片的材料有關(guān)，如表1所示，為選用不同的基片材料時(shí)，DMSl-2模式和匿Sl-3模式芯片的相對(duì)帶寬的范圍。表l選用不同的基片材料時(shí)，DMSl-2和DMSl-3的相對(duì)帶寬的范圍<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>表l中的基片材料和相對(duì)帶寬的范圍只是具體的實(shí)施例，根據(jù)需要也可以選用其它的材料和相對(duì)帶寬的范圍。兩個(gè)聲表面濾波器的芯片的膜可以分別采用重金屬膜。兩個(gè)聲表面濾波器的芯片的膜可以分別包括色散DMS結(jié)構(gòu)，并可以通過調(diào)整色散DMS結(jié)構(gòu)對(duì)兩個(gè)芯片的膜的厚度進(jìn)行優(yōu)化，使兩個(gè)芯片的膜的厚度趨向一致。如圖2所示，具體色散DMS結(jié)構(gòu)可以包括插指換能器，插指換能器的外圍設(shè)有金屬條柵陣，可以通過調(diào)整金屬柵陣對(duì)兩個(gè)芯片的膜的厚度進(jìn)行優(yōu)化，使兩個(gè)芯片的膜的厚度趨向一致。兩個(gè)聲表面濾波器的芯片可以共用一個(gè)封裝殼體。對(duì)兩個(gè)不同中心頻率的器件，其制作工藝條件不同。頻率高的器件，相對(duì)帶寬一般較窄，其設(shè)計(jì)時(shí)候需要薄的膜厚，而頻率低的器件則需要較厚的膜厚才能實(shí)現(xiàn)，兩者膜厚可相差2倍以上。這種不同膜厚的工藝要求給兩器件在同一芯片上面實(shí)現(xiàn)帶來了巨大困難。即使能夠在同一個(gè)芯片上面實(shí)現(xiàn)不同膜厚，其可靠性和穩(wěn)定性很難得到保證。本發(fā)明中對(duì)于高頻率芯片，采用DMSl-2模式實(shí)現(xiàn)窄的相對(duì)帶寬；對(duì)于低頻率芯片采用DMSl-3模式，實(shí)現(xiàn)寬的相對(duì)帶寬，這樣兩個(gè)芯片對(duì)絕對(duì)膜厚的要求相對(duì)較近，并采用色散DMS結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，通過調(diào)整插指換能器外圍的金屬條柵陣來調(diào)節(jié)兩芯片的膜厚趨于一致。這樣成功解決了兩個(gè)芯片的集成問題。集成后的芯片各有輸入輸出，且共同接地，互不影響。既可以實(shí)現(xiàn)較寬的相對(duì)帶寬(3dB帶寬和中心頻率的比值)，又可以實(shí)現(xiàn)較低的損耗。本發(fā)明的雙芯聲表面波濾波器，把兩個(gè)芯片做在一個(gè)基片上，兩個(gè)不同電性能要求的芯片集成到一起，并在實(shí)際應(yīng)用時(shí)發(fā)揮兩個(gè)芯片各自的作用，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)不同產(chǎn)品的性能。使聲表器件應(yīng)用小型化。在實(shí)際應(yīng)用中，兩個(gè)芯片集成在一個(gè)基片上后，可以使兩個(gè)器件共用一個(gè)封裝殼體，把兩個(gè)芯片的硬件覆蓋面積縮小成為一個(gè)，且兩個(gè)芯片互不影響使用，使聲表面波器件的應(yīng)用向集成化方向發(fā)展。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種雙芯聲表面波濾波器，包括基片，其特征在于，所述基片上集成有兩個(gè)聲表面濾波器的芯片，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片分別設(shè)有單獨(dú)的輸入、輸出端。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片設(shè)有共同的接地端。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片分別布置在所述基片的左部和右部，所述共同的接地端布置在所述基片的中部。4、根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片分別為DMS1-2模式和DMS1-3模式，所述DMS1-2模式的相對(duì)帶寬小于或等于匿S1-3模式的相對(duì)帶寬。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述相對(duì)帶寬為3dB帶寬與中心頻率的比值。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述基片的材料為鉭酸鋰36LT、鈮酸鋰64LN、鈮酸鋰41LN中的任一種材料，選用不同的基片材料時(shí)，所述DMS1-2模式和DMS1-3模式芯片的相對(duì)帶寬的范圍分別如下表中所示<table>tableseeoriginaldocumentpage2</column></row><table>7、根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片的膜分別采用重金屬膜。8、根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片的膜分別包括色散DMS結(jié)構(gòu)，并通過調(diào)整所述色散DMS結(jié)構(gòu)對(duì)兩個(gè)芯片的膜的厚度進(jìn)行優(yōu)化，使所述兩個(gè)芯片的膜的厚度趨向一致。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述色散DMS結(jié)構(gòu)包括插指換能器，所述插指換能器的外圍設(shè)有金屬柵陣，通過調(diào)整所述金屬柵陣對(duì)兩個(gè)芯片的膜的厚度進(jìn)行優(yōu)化，使所述兩個(gè)芯片的膜的厚度趨向一致。10、根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個(gè)聲表面濾波器的芯片共用一個(gè)封裝殼體。全文摘要本發(fā)明公開了一種雙芯聲表面波濾波器，把兩個(gè)芯片做在一個(gè)基片上，對(duì)于高頻率芯片，采用DMS1-2模式實(shí)現(xiàn)窄的相對(duì)帶寬；對(duì)于低頻率芯片采用DMS1-3模式，實(shí)現(xiàn)寬的相對(duì)帶寬，這樣兩個(gè)芯片對(duì)絕對(duì)膜厚的要求相對(duì)較近，并采用色散DMS結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，通過調(diào)整插指換能器外圍的金屬條柵陣來調(diào)節(jié)兩芯片的膜厚趨于一致。使兩個(gè)不同電性能要求的芯片集成到一起，并在實(shí)際應(yīng)用時(shí)發(fā)揮兩個(gè)芯片各自的作用，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)不同產(chǎn)品的性能，使聲表器件應(yīng)用小型化。文檔編號(hào)H03H9/64GK101282112SQ20081011161公開日2008年10月8日申請(qǐng)日期2008年5月15日優(yōu)先權(quán)日2008年5月15日發(fā)明者張敬鈞申請(qǐng)人:北京中訊四方科技有限公司