專利名稱：參考緩沖器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種參考緩沖器，特別有關(guān)于一種閉環(huán)參考緩沖器。
背景技術(shù)：
運算放大器(operational amplifier, OP-AMP)可以說是模擬電路中用途最廣、 功能最多的一種集成電路(Integrated Circuit, IC )。 OP-AMP主要用于線性電路 中，亦即模擬信號(如聲音信號、溫度信號、壓力信號、速度信號或是正弦波信 號等)的》文大。圖IA為OP-AMP的示意圖。如圖所示，OP-AMP 10包括二個電 源端、 一個輸出端， 一個正相輸入端(+)，以及一個反相輸入端(-)。為了簡化圖 示， 一般電^各中常省略兩個電源端，如圖1B所示。
大部分的OP-AMP應(yīng)用均有負(fù)反饋。所謂負(fù)反饋是指OP-AMP的反相輸入 端(-)與輸出端之間耦合有電阻或電容。包括沒有反饋的OP-AMP的電路稱為開 環(huán)(open loop)電路。包括應(yīng)用了反饋的OP-AMP的電路稱為閉環(huán)(close loop) 電路。圖3是參考緩沖器的示意圖。如圖所示，通過負(fù)反饋的應(yīng)用，可以降低 參考緩沖器的輸出阻抗，使得參考緩沖器可以快速驅(qū)動負(fù)載。
然而，在高頻時，為了保持低輸出阻抗，參考緩沖器需要增加高頻開環(huán)增 益，從而增加了參考緩沖器的功率消耗。另外，參考緩沖器的增益愈大，噪聲 也就愈大。因此，利用負(fù)反饋的現(xiàn)有參考緩沖器無法同時具有低噪聲、高增益 及低功率消耗的性能。

發(fā)明內(nèi)容
為了為解決參考緩沖器無法同時具有低噪聲、高增益及低功率消耗的性能 的技術(shù)問題，本發(fā)明特提出以下技術(shù)方案
本發(fā)明提供一種參考緩沖器，包括主源極跟隨器級以及復(fù)制源極跟隨器級。 主源極跟隨器級具有第一晶體管，用來才艮據(jù)第一驅(qū)動電壓提供第一主電壓。復(fù) 制源極跟隨器級具有第二晶體管，用來復(fù)制第 一主電壓以產(chǎn)生第 一參考電壓。第一晶體管及第二晶體管均為原生晶體管。
本發(fā)明另提供一種參考緩沖器，包括主源極跟隨器級、復(fù)制源極跟隨器級 以及低通濾波器。主源極跟隨器級根據(jù)第一驅(qū)動電壓提供第一主電壓。復(fù)制源 極跟隨器級復(fù)制該第一主電壓以產(chǎn)生第一參考電壓。低通濾波器耦接于主源極 跟隨器級與復(fù)制源極跟隨器級之間。
本發(fā)明另提供一種參考緩沖器，包括第一運算;^丈大器、第二運算放大器、 第一晶體管、第二晶體管、第一低通濾波電路、第三晶體管、第四晶體管以及
第二低通濾波電路。第一運算放大器具有正相輸入端，用來接收第一驅(qū)動電壓。 第二運算放大器具有正相輸入端，用來接收第二驅(qū)動電壓。第一晶體管的柵極 耦接于第一運算放大器的輸出端，其源極輸出第一主電壓。第二晶體管的柵極 接收第一主電壓，其源極輸出第一參考電壓。第一低通濾波電路耦接于第一晶 體管的柵極與第二晶體管的柵極之間。第三晶體管的柵極耦接于第二運算放大 器的輸出端，其源極輸出第二主電壓。第四晶體管的柵極接收第二主電壓，其 源極輸出第二參考電壓。第二低通濾波電路耦接于第三晶體管的柵極與第四晶 體管的4冊極之間。
上述參考緩沖器能夠運作于低電壓系統(tǒng)，在高頻下具有低輸出阻抗并能避 免噪聲的影響，其利用的開環(huán)電路模式也使其具有低功率消耗的特點。


圖1A、 1B是運算放大器的示意圖。
圖2是參考緩沖器的示意圖。
圖3是本發(fā)明參考緩沖器的實施例的示意圖。
圖4是本發(fā)明參考緩沖器的另一實施例的示意圖。
圖5是本發(fā)明參考緩沖器的另一實施例的示意圖。
圖6是本發(fā)明參考緩沖器的另一實施例的示意圖。
具體實施例方式
在說明書及權(quán)利要求書當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬技術(shù) 領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同 一個元件。 本說明書及權(quán)利要求書并不以名稱的差異作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在 功能上的差異作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說明書及權(quán)利要求項中所提及的「包括J為一開放式的用語，故應(yīng)解釋成「包括但不限定于」。此外，「耦接」 一詞在 此包括任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述第一裝置耦接于第 二裝置，則代表第一裝置可直接電氣連接于第二裝置，或透過其它裝置或連接 手段間接地電氣連接至第二裝置。
圖3是本發(fā)明參考緩沖器的實施例的示意圖。如圖所示，參考緩沖器30包 括主源極跟隨器級(main source follower stage)310、復(fù)制源極跟隨器級(replica source follower stage)320以及^氐通濾》皮器(low-pass filter),例4口j氐通濾J皮電^各 330。
主源極跟隨器級310根據(jù)驅(qū)動電壓Vr提供主電壓VI 。復(fù)制源極跟隨器級 320復(fù)制主電壓V1以產(chǎn)生參考電壓Vref。低通濾波電路330耦接于主源極跟隨 器級310與復(fù)制源極跟隨器級320之間。
主源極跟隨器級310包括運算放大器311以及晶體管312。運算放大器311 的正相輸入端(+)接收驅(qū)動電壓Vr。晶體管312耦接于運算放大器311以提供主 電壓V1。驅(qū)動電壓Vr與主電壓VI近似相等。
在本實施例中，主源極跟隨器級310更包括電阻器313。電阻器313耦接于 晶體管312的源極與電壓Vss之間。晶體管312的柵極耦接于運算放大器311 的輸出端及低通濾波電路330，其漏極接收電壓Vcc，其源極耦接于運算放大器 311的反相輸入端(-),用來輸出主電壓V1。
復(fù)制源極跟隨器級320包括晶體管321,其柵極耦接于低通濾波電路330, 其漏極接收電壓Vcc，其源極輸出參考電壓Vref。在本實施例中，復(fù)制源極跟 隨器級320更包括電阻器322。電阻器322耦接于晶體管321與電壓Vss之間。
低通濾波電路330耦接于主源極跟隨器級310與復(fù)制源極跟隨器級320，用 來穩(wěn)定晶體管321的柵極電壓。由于低通濾波電路330已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所 熟知，故不再贅述。任何合適的低通濾波器均可應(yīng)用于此。在本實施例中，低 通濾波電路330包括電阻器331以及電容器332。電阻器331耦接于晶體管312 與晶體管321之間。電容器332耦接于晶體管321與電壓Vss之間，其中電壓 Vss小于電壓Vcc。
晶體管312及晶體管321均為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(Negative Channel Metal Oxide Semiconductor, NMOS)晶體管。在本實施例中，晶體管312及晶體 管321為特殊元件，如原生晶體管(native transistor),因此，晶體管312及晶體 管321可具有較低的閾值電壓(threshold voltage)、零值的閾值電壓、或者原生(native)閾值電壓。舉例而言，當(dāng)參考緩沖器30運作于低電壓系統(tǒng)時，電壓 Vcc約為1.8伏特。晶體管312及晶體管321的閾值電壓不會超過0.4V，其可能 介于0.4伏特至-0.1伏特之間。在某些實施例中，晶體管312及晶體管321是由 0.18微米柵極寬度(gate-width)技術(shù)所制造。
圖4本發(fā)明參考緩沖器的另一實施例的示意圖。參考緩沖器40包括主源極 跟隨器級410、復(fù)制源極跟隨器級420以及低通濾波器。低通濾波器包括低通濾 波電^各430及低通濾波電路440。
主源極跟隨器級410根據(jù)驅(qū)動電壓Vrl及驅(qū)動電壓Vr2分別提供主電壓VI 及主電壓V2。復(fù)制源極跟隨器級420復(fù)制主電壓VI及主電壓V2，分別產(chǎn)生參 考電壓VreQ)及參考電壓Vrefh。低通濾波電路430及低通濾波電路440耦接于 主源極跟隨器級410與復(fù)制源極跟隨器級420之間。
主源極跟隨器級410包括運算放大器411、運算放大器414、晶體管412、 晶體管415以及電阻器413。運算放大器411的正相輸入端(+)接收驅(qū)動電壓Vrl。 晶體管412的柵極耦接于運算放大器411的輸出端及低通濾波電路430,其漏極 接收電壓Vcc，其源極耦接于運算放大器411的反相輸入端(-)，用來輸出主電壓 VI。主電壓VI與驅(qū)動電壓Vrl近似相等。
運算放大器414的正相輸入端(+)接收驅(qū)動電壓Vr2。晶體管415的柵極耦 接于運算放大器414的輸出端以及低通濾波電路440,其漏極接收電壓Vss，其 源極耦接于運算放大器414的反相輸入端(-)，用來^是供主電壓V2。因此，主電 壓V2近似等于驅(qū)動電壓Vr2。在本實施例中，電阻器413耦接于晶體管412的 源極與晶體管415的源極之間。
復(fù)制源極跟隨器級420具有晶體管421及晶體管423。晶體管421復(fù)制主電 壓VI以產(chǎn)生參考電壓Vre&。晶體管421的柵才及耦接于低通濾波電路430,其 漏極接收電壓Vcc，其源極輸出參考電壓VreQ)。晶體管423復(fù)制主電壓V2以 產(chǎn)生參考電壓Vrefii。晶體管423的柵極耦接于j氐通濾波電路440，其漏極接收 電壓Vss,其源極輸出參考電壓Vrefo。在本實施例中，復(fù)制源極跟隨器級420 更包括電阻器422。電阻器422耦接于晶體管421的源極與晶體管423的源極之 間。
低通濾波電路430耦接于晶體管412的柵極與晶體管421的柵極之間，用 來穩(wěn)定晶體管421的柵極電壓。低通濾波電路440耦接于晶體管415的柵極與 晶體管423的柵極之間，用來穩(wěn)定晶體管423的柵極電壓。由于低通濾波電路已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故不再贅述。在本實施例中，低通濾波電路430 包括電阻器431以及電容器432。電阻器431耦接于晶體管412與晶體管421之 間。電容器432耦接于晶體管421的榭極與電壓Vss之間，其中電壓Vss小于 電壓Vcc。低通濾波電路440包括電阻器441以及電容器442。電阻器441耦接 于晶體管415與晶體管423之間。電容器442耦接于晶體管423的柵極與電壓 Vss之間。
晶體管412與晶體管421為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，并且晶體管 415與晶體管423均為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(Positive Channel Metal Oxide Semiconductor, PMOS)晶體管。在本實施例中，晶體管412、晶體管421、晶體 管415及晶體管423均為特殊元件，如原生晶體管，故晶體管412、晶體管421、 晶體管415及晶體管423可具有較低的閾值電壓、零值的閎值電壓、或者原生 閾值電壓。舉例而言，當(dāng)參考緩沖器40運作于低電壓系統(tǒng)時，電壓Vcc約為1.8 伏特。晶體管412、晶體管421、晶體管415及晶體管423的闞值電壓不超過0.4 伏特，其可能介于0.4伏特至-0.1伏特之間。在某些實施例中，晶體管412、晶 體管421、晶體管415及晶體管423是由0.18微米柵極寬度技術(shù)所制造。
圖5是本發(fā)明參考緩沖器的另一實施例的示意圖。如圖所示，參考緩沖器 50包括主源極跟隨器級510及復(fù)制源極跟隨器級520。主源極跟隨器級510包 括晶體管512，用來^f艮據(jù)驅(qū)動電壓Vr提供主電壓VI。復(fù)制源極跟隨器級520包 括晶體管521,用來復(fù)制主電壓V1，以產(chǎn)生參考電壓Vref。
晶體管512及晶體管521均為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。在本實施 例中，晶體管512及晶體管521為特殊元件，如原生晶體管，故晶體管512及 晶體管521可具有較低的閾值電壓、零值的闞值電壓、或者原生的閾值電壓。 晶體管512及晶體管521的閾值電壓介于0.4伏特至-0.1伏特之間。因此，參考 緩沖器50可運作于低電壓系統(tǒng)。在某些實施例中，晶體管512及晶體管521是 由0.18微米柵極寬度技術(shù)所制造。
主源極跟隨器級510更包括運算放大器511，其具有正相輸入端(+)、反相 輸入端(-)及輸出端。其中運算放大器511的正相輸入端(+)用來接收驅(qū)動電壓Vr， 其輸出端耦接于晶體管512。主電壓VI近似等于驅(qū)動電壓Vr。在本實施例中， 主源極跟隨器級510更包括電阻器513，耦接于晶體管512及電壓Vss之間。晶 體管512的柵極耦接于運算放大器511的輸出端，其漏極接收電壓Vcc,其源極 耦接于運算放大器511的反相輸入端(-)與電阻器513。復(fù)制源極跟隨器級520更包括電阻器522。電阻器522耦接于晶體管521與 電壓Vss之間，其中電壓Vss小于電壓Vcc。在本實施例中，晶體管521的柵極 耦接于運算放大器5U的輸出端，其漏才及接收電壓Vcc,其源極用來輸出參考電 壓Vref。
圖6是本發(fā)明參考緩沖器的另一實施例的示意圖。如圖所示，參考緩沖器 60包括主源極跟隨器級610及復(fù)制源極跟隨器級620。主源極跟隨器級610具 有晶體管612及晶體管615。晶體管612根據(jù)驅(qū)動電壓Vrl提供主電壓VI。晶 體管615根據(jù)驅(qū)動電壓Vr2提供主電壓V2。復(fù)制源極跟隨器級620具有晶體管 621及晶體管623。晶體管621復(fù)制主電壓VI以產(chǎn)生參考電壓Vre&。晶體管 623復(fù)制主電壓V2以產(chǎn)生參考電壓Vrefh。
晶體管612及晶體管621均為N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，并且晶體 管615及晶體管623均為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。在本實施例中，晶 體管612、晶體管621、晶體管615及晶體管623為特殊元件，如原生晶體管， 故晶體管612、晶體管621、晶體管615及晶體管623可具有較低的閾值電壓、 零值的闊值電壓、或者原生的閾值電壓。晶體管612、晶體管621、晶體管615 及晶體管623的閾值電壓介于0.4伏特至-0.1伏特之間。因此，參考緩沖器60 可運作于低電壓系統(tǒng)。在某些實施例中，晶體管612、晶體管621、晶體管615 及晶體管623是由0.18微米柵極寬度技術(shù)所制造。
主源極跟隨器級610更包括運算放大器611及運算放大器614。運算放大器 611具有正相輸入端(+)、反相輸入端(-)及輸出端，其正相輸入端(+)接收驅(qū)動電 壓Vrl,其輸出端耦接于晶體管612。運算放大器614具有正相輸入端(+)、反相 輸入端(-)及輸出端，其正相輸入端(+)接收驅(qū)動電壓Vr2，其輸出端耦接于晶體 管615。主電壓VI近似等于驅(qū)動電壓Vrl。主電壓V2近似等于驅(qū)動電壓Vr2。
在本實施例中，主源極跟隨器級610更包括電阻器613。電阻器613耦接于 晶體管612及晶體管615之間。晶體管612的柵;f及耦接于運算放大器611的輸 出端，其漏極接收電壓Vcc,其源極耦接于運算放大器611的反相輸入端(-)及電 阻器613。晶體管615的柵極耦接于運算放大器614的輸出端，其漏極接收電壓 Vss,其源極耦接于運算放大器614的反相輸入端(-)及電阻器613。
復(fù)制源極跟隨器級620更包括電阻器622及晶體管623。電阻器622耦接于 晶體管621與晶體管623之間。在本實施例中，晶體管621的柵極耦接于運算 放大器611的輸出端，其漏極接收電壓Vcc，其源極用來輸出參考電壓Vrefp。晶體管623的柵極耦4姿于運算》文大器614的輸出端，其漏極接收電壓Vss,其源 極用來輸出參考電壓Vrefh。
由于使用了特珠元件(如原生晶體管)，故參考緩沖器可運作于低電壓系統(tǒng)。 另外，低通濾波器可抑制晶體管及運算放大器(如主源極跟隨器級的晶體管及運 算放大器)的頻寬，以濾除噪聲，并且在高頻下，使得晶體管(如復(fù)制源極跟隨器 級內(nèi)的晶體管)具有低接地阻抗，以避免參考電壓與來自柵極的噪聲耦合。另夕卜， 由于參考緩沖器均為開環(huán)電路，故其功率消耗較《氐。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化 與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種參考緩沖器，包括主源極跟隨器級，具有第一晶體管，用來根據(jù)第一驅(qū)動電壓提供第一主電壓；以及復(fù)制源極跟隨器級，具有第二晶體管，用來復(fù)制該第一主電壓以產(chǎn)生第一參考電壓，其中該第一晶體管及第二晶體管均為原生晶體管。
2. 如權(quán)利要求1所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管及該第二 晶體管的閾值電壓均不超過0.4伏特。
3. 如權(quán)利要求1所述的參考緩沖器，其特征在于該主源極跟隨器級包括 第一運算放大器，具有正相輸入端、反相輸入端以及輸出端，該正相輸入端接收該第一驅(qū)動電壓，該輸出端耦接于該第一晶體管，其中該第一晶體管的 柵極耦接于該第一運算放大器的該輸出端，該第一晶體管的漏極接收第一電壓， 該第一晶體管的源極耦接于該第一運算放大器的該反相輸入端；以及該第二晶體管的柵極耦接于該第一運算放大器的該輸出端，該第二晶體管 的漏極接收該第一電壓，該第二晶體管的源極輸出該第一參考電壓。
4. 如權(quán)利要求3所述的參考緩沖器，其特征在于該主源極跟隨器級更包括第二運算放大器，具有正相輸入端、反相輸入端以及輸出端，該第二運算 放大器的該正相輸入端接收第二驅(qū)動電壓；第三晶體管，耦接于該第二運算放大器的該輸出端，用來根據(jù)該第二驅(qū)動 電壓，提供第二主電壓；以及第一電阻器，耦接于該第一晶體管與第三晶體管之間；以及該復(fù)制源極跟隨器級更包括第四晶體管，用來復(fù)制該第二主電壓，以產(chǎn)生第二參考電壓；以及 第二電阻器，耦接于該第二晶體管與該第四晶體管之間，其中該第三晶體 管及該第四晶體管均為原生晶體管。
5. 如權(quán)利要求4所述的參考緩沖器，其特征在于該第三晶體管的柵極耦 接于該第二運算放大器的該輸出端，該第三晶體管的漏極接收第二電壓，該第 三晶體管的源極耦接于該第二運算放大器的該反相輸入端；該第四晶體管的柵極耦接于該第二運算》文大器的該輸出端，該第四晶體管的漏極接收該第二電壓， 該第四晶體管的源極輸出該第二參考電壓；該第一電阻器耦接于該第一晶體管的源極與該第三晶體管的源極之間；該第二電阻器耦接于該第二晶體管的源極 與該第四晶體管的源極之間。
6. 如權(quán)利要求4所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管、該第二 晶體管、該第三晶體管及該第四晶體管的閾值電壓均不超過0.4伏特。
7. —種參考緩沖器，包括主源極跟隨器級，根據(jù)第一驅(qū)動電壓提供第一主電壓；以及 復(fù)制源極跟隨器級，復(fù)制該第一主電壓以產(chǎn)生第一參考電壓；以及 低通濾波器，耦接于該主源極跟隨器級與該復(fù)制源極跟隨器級之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的參考緩沖器，其特征在于該主源極跟隨器級包括 第一運算放大器，具有正相輸入端、反相輸入端以及輸出端，該正相輸入端接收該第一驅(qū)動電壓；以及第一晶體管，具有柵極、漏極以及源極，該第一晶體管的該柵極耦接于該 第一運算放大器的該輸出端以及該低通濾波器，該第一晶體管的該漏極接收第 一電壓，該第一晶體管的該源極耦接于該第一運算放大器的該反相輸入端，用 來輸出該第一主電壓；該復(fù)制源極跟隨器級包括第二晶體管，具有柵極、漏極以及源才及，該第二晶體管的該柵極耦接于該 低通濾波器，該第二晶體管的該漏極接收該第一電壓，該第二晶體管的該源極 輸出該第一參考電壓；以及該低通濾波器包括第一低通濾波電路，具有電阻器以及電容器，該電阻器耦接于該第一晶體 管的該柵極與該第二晶體管的該柵極之間，該電容器耦接于該第二晶體管的該 柵極與第二電壓之間。
9. 如權(quán)利要求8所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管及該第二 晶 體管均為原生晶體管。
10. 如權(quán)利要求8所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管及該第 二晶體管的閾值電壓均不超過0.4伏特。
11. 如權(quán)利要求8所述的參考緩沖器，其特征在于該主源極跟隨器級更包括第二運算放大器，具有正相輸入端、反相輸入端以及輸出端，該第二運算放大器的該正相輸入端接收第二驅(qū)動電壓；第三晶體管，具有柵極、漏極以及源^ L,該第三晶體管的該柵極耦接于該 第二運算放大器的該輸出端以及該低通濾波器，該第三晶體管的該漏極接收該 第二電壓，該第三晶體管的該源極耦接于該第二運算放大器的該反相輸入端， 用來提供第二主電壓；以及第一電阻器，耦接于該第一晶體管的該源極與該第三晶體管的該源極之間；以及該復(fù)制源極跟隨器級更包括第四晶體管，具有柵極、極以及源極，該第四晶體管的該柵極耦接于該第 二運算放大器的該輸出端，該第四晶體管的該漏極接收該第二電壓，該第四晶 體管的該源極輸出該第二參考電壓；以及第二電阻器，耦接于該第二晶體管的該源極與該第四晶體管的該源極之間；以及該低通濾波器更包括第二低通濾波電^^,具有電阻器以及電容器，該電阻器耦接于該第三晶體 管的該柵極與該第四晶體管的該柵極之間，該電容器耦接于該第四晶體管的該 柵沖及與該第二電壓之間。
12. 如權(quán)利要求11所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管、該第 二晶體管、該第三晶體管及該第四晶體管均為原生晶體管。
13. 如權(quán)利要求11所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管、該第 二晶體管、該第三晶體管及該第四晶體管的閾值電壓均不超過0.4伏特。
14. 一種參考緩沖器，包括第一運算放大器，具有正相輸入端，用來接收第一驅(qū)動電壓； 第二運算放大器，具有正相輸入端，用來接收第二驅(qū)動電壓； 第一晶體管，其柵極耦接于該第一運算放大器的輸出端，其源極輸出第一 主電壓；第二晶體管，其柵極接收該第一主電壓，其源極輸出第一參考電壓； 第一低通濾波電路，耦接于該第一晶體管的該柵極與該第二晶體管的該柵 極之間；第三晶體管，其柵極耦接于該第二運算放大器的輸出端，其源極輸出第二主電壓；第四晶體管，其柵極接收該第二主電壓，其源極輸出第二參考電壓；以及 第二低通濾波電路，耦接于該第三晶體管的該柵極與該第四晶體管的該柵 極之間。
15. 如權(quán)利要求14所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管、該第二 晶體管、該第三晶體管及該第四晶體管均為原生晶體管。
16. 如權(quán)利要求14所述的參考緩沖器，其特征在于該第一晶體管、該第 二晶體管、該第三晶體管及該第四晶體管的閾值電壓均不超過0.4伏特。
17. 如權(quán)利要求14所述的參考緩沖器，其特征在于該第一低通濾波電路 具有第一電阻器以及第一電容器，該第一電阻器耦接于該第一晶體管的該柵極 與該第二晶體管的該柵極之間，該第 一電容器耦接于該第二晶體管的該柵極與 第二電壓之間；該第二低通濾波電路具有第二電阻器以及第二電容器，該第二 電阻器耦接于該第三晶體管的該柵極與該第四晶體管的該柵極之間，該第二電 容器耦接于該第四晶體管的該4冊極與該第二電壓之間。
18. 如權(quán)利要求14所述的參考緩沖器，其特征在于更包括 第一電阻器，耦接于該第一晶體管的該柵極與該第三晶體管的該柵極之間；以及第二電阻器，耦接于該第二晶體管的該源極與該第四晶體管的該源極之間。
全文摘要
一種參考緩沖器，包括主源極跟隨器級、復(fù)制源極跟隨器級以及低通濾波器。主源極跟隨器級根據(jù)第一驅(qū)動電壓提供第一主電壓。復(fù)制源極跟隨器級復(fù)制第一主電壓以產(chǎn)生第一參考電壓。低通濾波器耦接于主源極跟隨器級與復(fù)制源極跟隨器級之間。上述參考緩沖器能夠同時具有低噪聲、高增益及低功率消耗的性能。
文檔編號H03F3/45GK101505141SQ20081011073
公開日2009年8月12日 申請日期2008年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月4日
發(fā)明者廖學(xué)坤, 林育信 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司