專利名稱：載置臺和使用該載置臺的等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在對液晶顯示裝置(LCD)那樣的平板顯示器(FPD) 制造用的玻璃基板等基板實施干蝕刻等的等離子體處理的處理腔室 內(nèi)，載置基板的載置臺和使用該載置臺的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
例如在FPD或半導體的制造工藝中，對作為被處理基板的玻璃基 板進行干蝕刻等的等離子體處理。在進行這樣的等離子體處理的等離 子體處理裝置中，在設(shè)置于處理腔室的載置臺上載置有基板的狀態(tài)下 生成等離子體，利用該等離子體對基板進行規(guī)定的等離子體處理。在這樣的等離子體處理裝置中，載置有被處理基板的載置臺具備 作為施加用于生成等離子體的高頻電力的下部電極起作用的基材，和 設(shè)置于基材的周圍的屏蔽環(huán)。該屏蔽環(huán)是為了提高聚焦性和高頻電力 的絕緣而設(shè)置的，由氧化鋁等絕緣性陶瓷形成，螺釘固定在基材上。但是，近年來FPD用玻璃基板越發(fā)大型化，難以一體地形成屏蔽 環(huán)，如專利文獻l中記載的那樣，使用分割型的屏蔽環(huán)。如圖10a所示，專利文獻1所記載的分割型的屏蔽環(huán)107，例如在 組合呈曲柄形狀的4個分割片107a的狀態(tài)下配置于基材105的周圍。 而且，屏蔽環(huán)107的各分割片107a通過固定螺釘109固定于基材105。 在這種情況下，由于基材105的溫度調(diào)節(jié)和等離子體的連續(xù)照射而產(chǎn) 生的熱，使基材105和屏蔽環(huán)107熱膨脹，但基材105為鋁等金屬制 品，與由氧化鋁等絕緣性陶瓷構(gòu)成的屏蔽環(huán)107相比熱膨脹系數(shù)大， 因此由于熱，基材105發(fā)生更大變位。在此，如果固定螺釘109沒有 游隙地進行固定，則由于兩者的熱膨脹差而導致屏蔽環(huán)107破裂，因 此為了防止此種情況發(fā)生，如作為圖10 (a)的AA截面的圖10 (b) 所示，在螺紋孔109a和固定螺釘109之間設(shè)有間隙。因而，當溫度上 升時，屏蔽環(huán)107的各分割片107a由于螺紋孔109a的間隙的存在而以被熱膨脹更大的基材105推壓的方式跟著基材105變位，但當溫度 回到常溫時，如圖ll (a)所示，在基材105和屏蔽環(huán)107之間產(chǎn)生間 隙108。即，但當溫度回到常溫時，隨著基材105的收縮，螺釘109 返回到原來的位置，但由于固定螺釘109為了不損壞屏蔽環(huán)107而擰 的不緊，所以如作為圖11 (a)的BB截面圖的圖11 (b)那樣僅固定 螺釘109在間隙109a移動，屏蔽環(huán)107的分割片107a無法返回到原 來的位置，其結(jié)果是在基材105和屏蔽環(huán)107之間產(chǎn)生間隙108。當像這樣在基材105和屏蔽環(huán)107之間一旦產(chǎn)生間隙時，有可能 當下次的等離子體施加時即使載置臺的溫度上升，該間隙被維持，由 該間隙而引起異常放電的發(fā)生。此外，為了防止這樣的間隙的發(fā)生， 如果加強固定屏蔽環(huán)107的螺釘109的連接力，則有可能導致陶瓷制 的屏蔽環(huán)由于熱應力而破損。專利文獻l日本特開2003-115476號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于這樣的情況而提出的，其目的在于提供一種能夠不 引起屏蔽環(huán)那樣的屏蔽部件的破損的危險性而減少由熱膨脹差所引起 的屏蔽部件和基材之間的間隙的載置臺和使用那樣的載置臺的等離子 體處理裝置。為了解決上述課題，在本發(fā)明的第一觀點中，提供一種載置臺， 其在對基板實施等離子體處理的處理腔室內(nèi)載置基板，其特征在于， 包括金屬制的基材；設(shè)置于其上的載置基板的載置部；和以圍繞上 述載置部和上述基材的上部的周圍的方式而設(shè)置的由絕緣性陶瓷構(gòu)成 的屏蔽部件，上述屏蔽部件被分割成多個分割片，并且具有以使上述 分割片相互接近的方式施力的施力機構(gòu)。在上述第一觀點中，上述施力機構(gòu)也可以構(gòu)成為具有連接鄰接的 分割片，沿相互牽引它們的方向施力的施力部件。此外，也能夠構(gòu)成 為上述基板為矩形基板，上述屏蔽部件呈框架狀，上述各分割片包括 各角部形成4個曲柄狀。而且，也可以構(gòu)成為上述基材具有設(shè)置上述 載置部的凸部，上述屏蔽環(huán)以圍繞上述凸部和上述載置部的方式設(shè)置。 此外，能夠構(gòu)成為上述施力機構(gòu)具有覆蓋上述施力部件的蓋部件。也能夠構(gòu)成為，上述基材具有設(shè)置上述載置部的凸部，上述屏蔽 環(huán)以圍繞上述載置部和上述凸部的方式設(shè)置，上述施力機構(gòu)具有設(shè)置 于上述分割片的凹部，和插入上述凹部，連接上述分割片和上述基材 的螺釘部件，和設(shè)置于上述螺釘部件和上述分割片的上述凹部內(nèi)的壁 部之間，向上述基材的凸部側(cè)對上述分割片施力的施力部件。此外， 也可以構(gòu)成為，上述基材具有設(shè)置上述載置部的凸部，上述屏蔽環(huán)以 圍繞上述凸部的方式設(shè)置，上述施力機構(gòu)具有設(shè)置于上述分割片的研 缽狀的凹部，和插入上述凹部的錐形墊圈，和插入上述錐形墊圈從而 連接上述分割片和上述基材的螺釘部件，和介于上述螺釘部件和上述 錐形墊圈之間的施力部件，當在冷卻過程中上述基材和上述分割片之 間產(chǎn)生熱膨脹差時，上述施力部件通過上述錐形墊圈向上述基材的凸 部側(cè)對上述分割片施力。在這種情況下，具有介于上述螺釘部件的頭 部和上述基材之間，固定上述螺釘部件的固定部件。而且，還可以構(gòu) 成為，在這些的結(jié)構(gòu)中，上述基板為矩形基板，上述屏蔽部件呈框架 狀，上述各分割片包括各角部形成4個曲柄狀，上述施力機構(gòu)設(shè)置于 各分割片的角部，在各分割片的鄰接部，當隨著由上述施力機構(gòu)的彈 力使上述分割片變位時，形成使鄰接的分割片向內(nèi)側(cè)變位那樣的臺階。 此外，上述施力機構(gòu)具有覆蓋上述凹部的蓋部件。而且，即使在上述的任一個中，也優(yōu)選上述施力部件為彈簧部件。即使在上述的任一結(jié)構(gòu)中，上述載置部能夠具有靜電吸附基板的 靜電卡盤。此外，還能夠具有向上述基材供給等離子體生成用的高頻 電力的高頻電力供給電源。在本發(fā)明的第二觀點中，提供一種等離子體處理裝置，其特征在 于，包括收容基板的處理腔室；在上述處理腔室內(nèi)載置基板的，具 有上述第一觀點的結(jié)構(gòu)的載置臺；向上述處理容器內(nèi)供給處理氣體的 處理氣體供給機構(gòu)；在上述處理腔室內(nèi)生成處理氣體的等離子體的等 離子體生成機構(gòu)；和對上述處理腔室內(nèi)進行排氣的排氣機構(gòu)。在上述第二觀點中，作為上述等離子體生成機構(gòu)，能夠使用具有 向上述基材供給等離子體生成用的高頻電力的高頻電力供給電源的機 構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，因為將屏蔽部件分割成多個分割片，并且具有以相互接近的方式對上述分割片施力的施力機構(gòu)，所以在載置臺暫時被加 熱后的冷卻過程中，能夠難以由于屏蔽部件的分割片和基材的熱膨脹 差而引起在它們之間形成間隙。


圖1是表示設(shè)置有本發(fā)明一實施方式涉及的載置臺的等離子體處 理裝置的截面圖。圖2是表示圖1的等離子體處理裝置所使用的本發(fā)明一實施方式 涉及的載置臺的俯視圖。圖3是表示圖2的載置臺的屏蔽環(huán)所使用的施力機構(gòu)的俯視圖和 截面圖。圖4是表示在現(xiàn)有的載置臺中，在加熱后的冷卻過程中在基材和 屏蔽環(huán)之間產(chǎn)生間隙的狀態(tài)的圖。圖5是表示利用圖3的施力機構(gòu)在基材和屏蔽環(huán)之間不產(chǎn)生間隙 的狀態(tài)的圖。圖6是表示本發(fā)明的其它的實施方式涉及的載置臺的俯視圖。 圖7是表示圖6的載置臺的屏蔽環(huán)所使用的施力機構(gòu)的截面圖和 俯視圖。圖8是表示本發(fā)明的另一其它實施方式涉及的載置臺的俯視圖。 圖9是表示圖8的載置臺的屏蔽環(huán)所使用的施力機構(gòu)的截面圖。 圖IO是表示現(xiàn)有的載置臺的俯視圖和其AA截面圖。 圖11是表示在加熱后的過程中在基材和屏蔽環(huán)之間產(chǎn)生間隙的狀 態(tài)的俯視圖和其BB截面圖。 符號說明1等離子體處理裝置 2處理腔室 3載置臺 5基材6載置部(靜電卡盤) 7、 7'屏蔽環(huán) 7a、 7b分割片14高頻電源20噴淋頭28處理氣體供給源34直流電源50、60、 70 施力機構(gòu)51、64、 77彈簧部件53、65、 78 蓋部件61、62 凹部63螺釘部件71、72 凹部72a壁部73錐形墊圈74螺釘部件75套環(huán)G玻璃基板具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1是表示設(shè)置 有本發(fā)明一實施方式涉及的載置臺的等離子體處理裝置的截面圖。該等離子體處理裝置1 ，為進行FPD用玻璃基板G等的規(guī)定處理的裝置 的截面圖，作為容量結(jié)合型平行平板等離子體蝕刻裝置而構(gòu)成。在此， 作為FPD例示有液晶顯示器(LCD)、場致發(fā)光(Electro Luminescence; EL)顯示器、等離子體顯示面板(PDP)等。該等離子體處理裝置1，具有例如由表面經(jīng)過氧化鋁膜處理(陽極 氧化處理)的鋁構(gòu)成的成形為角筒形狀的腔室2。在該處理腔室2內(nèi)的 底部設(shè)有用于載置作為被處理基板的玻璃基板G的載置臺3。載置臺3通過絕緣部件4支撐在處理腔室2的底部，具有鋁等金 屬制的凸型的基材5，設(shè)置在基材5的凸部5a上的載置玻璃基板G的 載置部6，和設(shè)置在載置部6和基材5的凸部5a的周圍的由絕緣性陶 瓷例如氧化鋁構(gòu)成的框架狀的屏蔽環(huán)7。載置部6構(gòu)成用于靜電吸附玻 璃基板G的靜電卡盤。此外，在基材5的內(nèi)部設(shè)置有用于對玻璃基板G溫度調(diào)節(jié)的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)(未圖示)。而且，在基材5的周圍設(shè)置有由絕緣性陶瓷、例如氧化鋁構(gòu)成的環(huán)狀的絕緣環(huán)8，用于支撐屏蔽環(huán)7。 構(gòu)成靜電卡盤的載置部6具有以氧化鋁等絕緣陶瓷構(gòu)成的陶瓷溶射薄 膜41，和埋設(shè)于其內(nèi)部的電極42。直流電源34通過供電線33與電極 42連接，利用來自該直流電源34的直流電壓靜電吸附玻璃基板G。以貫通腔室2的底壁、絕緣部件4和載置臺3的方式，可以升降 地插通用于對其上的玻璃基板G進行裝載和卸載的升降銷10。當該升 降銷10搬送玻璃基板G時，上升至載置臺3的上方的搬送位置，在除 此之外的時候處于沒入載置臺3內(nèi)的狀態(tài)。在載置臺3的基材5上連接有用于供給高頻電力的供電線12，在 該供電線12上連接有匹配器13和高頻電源14。從高頻電源14向載置 臺3的基材5供給例如13.56MHz的高頻電力。因而，載置臺3作為下 部電極發(fā)揮作用。在載置臺3的上方設(shè)置有與該載置臺3平行相對且作為上部電極 起作用的噴淋頭20。噴淋頭20被支撐在處理腔室2的上部，在內(nèi)部具 有內(nèi)部空間21，并且在與載置臺3的相對面形成有噴出處理氣體的多 個噴出孔22。該噴淋頭20接地，與作為下部電極起作用的載置臺3 一起構(gòu)成一對平行平板電極。在噴淋頭20的上面設(shè)置有氣體導入口 24，在該氣體導入口 24上 連接有處理氣體供給管25，該處理氣體供給管25與氣體供給源28連 接。此外，在處理氣體供給管25上插入有開閉閥26和質(zhì)量流量控制 器27。從處理氣體供給源28供給用于等離子體處理、例如等離子體蝕 刻的處理氣體。作為處理氣體，能夠使用鹵類氣體、02氣體、Ar氣體 等通常該領(lǐng)域所使用的氣體。在處理腔室2的底部形成有排氣管29，該排氣管29與排氣裝置 30連接。排氣裝置30具備渦輪分子泵等真空泵，由此能夠?qū)⑻幚砬皇?2內(nèi)抽真空至規(guī)定的減壓環(huán)境。此外，在處理腔室2的側(cè)壁設(shè)置有基板 搬入搬出口31，該搬入搬出口 31能夠通過閘閥32進行開閉。而且， 在打開該閘閥32的狀態(tài)下通過搬送裝置(未圖示)搬入搬出玻璃基板 G。接著，對載置臺3進行詳細說明。200810125636.3說明書第7/10頁圖2是表示載置臺3的俯視圖。如該圖所示，作為載置臺3的構(gòu) 成要素的屏蔽環(huán)7為分割型，在該例子中被分割成4個呈曲柄形狀的 分割片7a。而且，在鄰接的分割片7a之間設(shè)置有在分割片7a相互接 近的方向分割片7a施力的施力機構(gòu)50。如圖3 (a)的俯視圖和(b)的截面圖所示，施力機構(gòu)50具有彈 簧部件51，該彈簧部件51連接屏蔽環(huán)7的鄰接的分割片7a彼此之間， 以使這些鄰接的分割片彼此之間相互接近的方式，具體而言在拉近它 們的方向上施力。在這些分割片7a中埋設(shè)有固定彈簧部件51的端部 的固定部件52。此外，分割片7a的與施力機構(gòu)50對應的部分，上面 被切口，在該切口部分設(shè)置有用于在從等離子體保護彈簧部件51的同 時阻止彈簧部件51向上方飛出的蓋部件53。該蓋部件53由與屏蔽環(huán) 7相同的陶瓷部件構(gòu)成，在角部的四個部位形成有長孔狀的螺紋孔54a， 通過該螺紋孔54a被螺釘54固定在分割片7a上。接著，對這樣構(gòu)成的等離子體蝕刻裝置1的處理動作進行說明。首先，打開閘閥32，利用搬送臂(未圖示)將玻璃基板G通過基 板搬入搬出口 31搬入到腔室2內(nèi)，并載置到載置臺3的靜電卡盤6上。 在這種情況下，使升降銷10向上方突出并位于支撐位置，將搬送臂上 的玻璃基板G轉(zhuǎn)移到升降銷10上。其后，使升降銷10下降從而將玻 璃基板G載置到構(gòu)成載置臺3的靜電卡盤的載置部6上。其后，關(guān)閉閘閥32，利用排氣裝置30將腔室2內(nèi)抽真空至規(guī)定的 真空度。然后，通過從直流電源34向載置部6的電極42施加電壓， 靜電吸附玻璃基板G。然后，開放閥門26，從處理氣體供給源28利用 質(zhì)量流量控制器27調(diào)整處理氣體的流量，并通過處理氣體供給管25、 氣體導入口 24導入到噴淋頭20的內(nèi)部空間21，并且通過噴出孔22 相對基板G均勻地噴出，調(diào)節(jié)排氣量并將腔室2內(nèi)控制在規(guī)定壓力。在該狀態(tài)下從高頻電源14通過匹配器13向載置臺3的基材5供 給等離子體生成用的高頻電力，在作為下部電極的載置臺3和作為上 部電極的噴淋頭20之間產(chǎn)生高頻電場，從而生成處理氣體的等離子體， 利用該等離子體對玻璃基板G實施等離子體處理。當進行該等離子體處理時，在利用基材5的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)進行溫 度調(diào)節(jié)至比室溫高的溫度的情況下，或者是在從高頻電源14連續(xù)施加高頻電力從而連續(xù)照射等離子體的情況下，由此對載置臺3進行加熱， 使基材5和屏蔽環(huán)7 —起熱膨脹。這種情況下，如果如現(xiàn)有的那樣只簡單地對屏蔽環(huán)7的分割片7a 進行絡(luò)頂固定，則如圖4所示，屏蔽環(huán)7追隨基材5進行熱膨脹之后， 在冷卻到室溫的過程中，由于陶瓷制的屏蔽環(huán)7于金屬制的基材5的 熱膨脹系數(shù)差，而在基材5與屏蔽環(huán)7之間產(chǎn)生間隙s。但是，在本實施方式中，如圖5所示，利用施力機構(gòu)50，向鄰接 的分割片彼此之間以它們相互接近的方式，具體而言沿相互拉近的方 向提供彈力A，因此在一旦加熱后的冷卻過程中，能夠?qū)⑼鶡o法返回 到原來的位置的分割片7a向原來的位置拉引，從而能夠在基材5和屏 蔽環(huán)7之間不產(chǎn)生間隙。再者，施力機構(gòu)50作為提供彈力的單元使用彈簧部件51，但只要 是能夠在使鄰接的分割片7a接近的方向提供彈力就不限定與此。接著，對載置臺的其它的實施方式進行說明。圖6為表示其它實施方式涉及的載置臺的俯視圖。如該圖所示， 在該實施方式中，具有被分割成4個呈曲柄形狀的分割片7b的屏蔽環(huán) 7 '，在各分割片7b的角部設(shè)有1處兼作螺釘固定部的施力機構(gòu)60。 在本實施方式中，如圖6所示，在分割片7b的鄰接部形成有臺階部7c。 而且，施力機構(gòu)60沿圖6的箭頭B所示的內(nèi)側(cè)方向(中心方向)對分 割片7b施力。g口，施力機構(gòu)60以使分割片7b朝向基材5的凸部5a (參照圖1)相互接近的方式施力。而且，臺階部7c在由于施力機構(gòu) 60的彈力而使分割片變位時，以按壓鄰接的分割片7b從而向箭頭C 所示的內(nèi)側(cè)方向變位的方式形成。如圖7 (a)的截面圖和(b)的俯視圖所示，施力機構(gòu)60具有 設(shè)置于屏蔽環(huán)7 '的分割片7b上的呈圓形的凹部61和設(shè)置于凹部61 的正下方的比凹部61小的呈紡錘形的凹部62;插入到凹部61和62 從而連接分割片7b和基材5的螺釘63;凹部62內(nèi)的設(shè)置于螺釘63 和分割片7b的壁部之間的彈簧部件64。此外，在凹部61的上部，為 為了從等離子體保護彈簧部件64，并且阻止彈簧部件64飛出，螺合有 由與屏蔽環(huán)7 '相同的陶瓷部件構(gòu)成的蓋部件65。螺釘63的頭部位于 凹部61內(nèi)且使凹部61的底面成為連接面，該螺釘部貫通凹部62而與基材5螺合。在該狀態(tài)下，螺釘63為被固定于基材5的狀態(tài)，因此彈 簧部件64以基材5為基準向箭頭B的方向?qū)Ψ指钇?b施力。即，以 相互接近分割片7b的方式施力。因而，與以前的實施方式相同，在載置臺3暫時被加熱后的冷卻 過程中，能夠?qū)⒎指钇?b朝向原來的位置拉引，能夠使基材5和屏蔽 環(huán)7'之間不產(chǎn)生間隙。在這種情況下，如果在各分割片7b上將兼作 螺釘固定部的施力機構(gòu)60在角部設(shè)置一個，則也能夠利用臺階部7c 使鄰接的分割片7b向所希望的方向推壓變位，因此不必如現(xiàn)有的那樣 需要兩個螺釘，能夠消減螺釘?shù)膫€數(shù)。但是，也可以與現(xiàn)有技術(shù)相同 設(shè)置2處的螺釘固定部(施力機構(gòu))。再者，即使在該實施方式中作為施力機構(gòu)60的提供彈力的單元， 也并不限定于彈簧部件64，只要能在使鄰接的分割片7b接近的方向提 供彈力的部件即可。接著，對載置臺的另一其它實施方式進行說明。圖8是表示另一其它實施方式涉及的載置臺的俯視圖。本實施方 式的載置臺，除了施力機構(gòu)的構(gòu)造以外具有與圖6所示的相同的構(gòu)造。 即，代替施力機構(gòu)60而使用與施力機構(gòu)60構(gòu)造不同的施力機構(gòu)70。如圖9的截面圖所示，施力機構(gòu)70具有設(shè)置于屏蔽環(huán)7 '的分割 片7b的呈圓形的凹部71和同心狀連續(xù)地設(shè)置于凹部71的正下方的研 缽狀的凹部72，在凹部72中嵌入有錐形墊圈73。在錐形墊圈73的中 心形成有貫通孔，套環(huán)75被插入該貫通孔。套環(huán)75在其中心形成有 插入螺釘部件74的孔，螺釘部件74被插入該孔。此時，該套環(huán)75插 入到螺釘部件74的頭部的下表面與基材5之間，具有固定螺釘部件74 的功能。而且，螺釘部件74和其周圍的套環(huán)75插入錐形墊圈73的貫 通孔，螺釘部件74的下端部螺合在基材5上。套環(huán)75的上端成為凸 緣部75a，在錐形墊圈73的上部的貫通孔的周圍形成有凹部76，在凸 緣部75a的下表面與凹部76的底面之間設(shè)有線圈狀的彈簧部件77。再 者，在錐形墊圈73的下表面和基材5的上表面之間形成有間隙。此外， 在凹部71的上部，為了從等離子體保護彈簧部件77和螺釘部件74， 并且阻止彈簧部件77和螺釘部件74飛出，螺合有由與屏蔽環(huán)7 '相同 的陶瓷構(gòu)成的蓋部件78。在此，將屏蔽環(huán)7 '固定在基材5的力僅為彈簧部件77的反彈力。 在該狀態(tài)下，當使載置臺從加熱狀態(tài)返回到常溫時，由于錐形墊圈75 已被定位，所以牽引基材5的收縮從而處于與凹部72的內(nèi)側(cè)的壁部72a 抵接的狀態(tài)。而且，彈簧部件77對錐形墊圈73施力(壓縮)，由于該 彈力而在與螺釘部件74的軸方向垂直的箭頭B方向產(chǎn)生推壓屏蔽環(huán)7 '的力。因而，與以前的實施方式相同，在載置臺3暫時被加熱后的冷卻 過程中，能夠?qū)⒎指钇?b朝向原來的位置拉引，能夠在基材5和屏蔽 環(huán)7'之間不產(chǎn)生間隙。在這種情況下，如果在各分割片7b上設(shè)置一 個兼作螺釘固定部的施力機構(gòu)70，則也能夠利用臺階部7c向所希望的 方向推壓鄰接的分割片7b，因此不必如現(xiàn)有的那樣需要兩個螺釘，能 夠消減螺釘?shù)膫€數(shù)。但是，也可以與現(xiàn)有技術(shù)相同設(shè)置2處的螺釘固 定部(施力機構(gòu))。再者，即使在該實施方式中作為施力機構(gòu)70的提供彈力的單元， 也并不限定于彈簧部件77，能夠使用其它的彈簧部件。而且，并不限 定于彈簧部件，只要是在使鄰接的分割片7b接近的方向提供彈力的部 件即可。以上，對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但本發(fā)明并不限定于上 述實施方式，可以進行多種變形。例如，作為施力機構(gòu)，只要是當加 熱后的收縮時，能夠以相互接近的方式對屏蔽環(huán)的分割片施力，就不 限定于上述實施方式。此外，在上述實施方式中，以將屏蔽環(huán)分割成4 份進行了表示，但并不限定與此。而且，在上述實施方式中，對將本 發(fā)明應用于FPD用的玻璃基板的等離子體處理的情況進行了表示，但 并不限定與此，也可以應用于其它的各種基板。
權(quán)利要求
1.一種載置臺，其在對基板實施等離子體處理的處理腔室內(nèi)載置基板，其特征在于，包括金屬制的基材；設(shè)置于基材上的載置基板的載置部；和以圍繞所述載置部和所述基材的上部的周圍的方式而設(shè)置的由絕緣性陶瓷構(gòu)成的屏蔽部件，所述屏蔽部件被分割成多個分割片，并且具有以使所述分割片相互接近的方式施力的施力機構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求2所述的載置臺，其特征在于所述施力機構(gòu)具有連接鄰接的分割片，并沿相互拉近它們的方向 施力的施力部件。
3. 如權(quán)利要求2或3所述的載置臺，其特征在于所述基板為矩形基板，所述屏蔽部件呈框架狀，所述各分割片包括各角部形成4個曲柄狀。
4. 如權(quán)利要求l所述的載置臺，其特征在于所述基材具有設(shè)置有所述載置部的凸部，所述屏蔽環(huán)以圍繞所述 凸部和所述載置部的方式設(shè)置。
5. 如權(quán)利要求2 4的任一項所述的載置臺，其特征在于所述施力機構(gòu)具有覆蓋所述施力部件的蓋部件。
6. 如權(quán)利要求l所述的載置臺，其特征在于所述基材具有設(shè)置有所述載置部的凸部，所述屏蔽環(huán)以圍繞所述 載置部和所述凸部的方式設(shè)置，所述施力機構(gòu)具有設(shè)置于所述分割片的凹部；插入所述凹部，連 接所述分割片和所述基材的螺釘部件；和設(shè)置于所述螺釘部件和所述 分割片的所述凹部內(nèi)的壁部之間，向所述基材的凸部側(cè)對所述分割片施力的施力部件。
7. 如權(quán)利要求l所述的載置臺，其特征在于所述基材具有設(shè)置有所述載置部的凸部，所述屏蔽環(huán)以圍繞所述 凸部的方式設(shè)置，所述施力機構(gòu)具有設(shè)置于所述分割片的研缽狀的凹部；插入所述 凹部的錐形墊圈；隔著所述錐形墊圈連接所述分割片和所述基材的螺 釘部件；和介于所述螺釘部件和所述錐形墊圈之間的施力部件，當在 冷卻過程中所述基材和所述分割片之間產(chǎn)生熱膨脹差時，所述施力部 件通過所述錐形墊圈向所述基材的凸部側(cè)對所述分割片施力。
8. 如權(quán)利要求7所述的載置臺，其特征在于-具有介于所述螺釘部件的頭部和所述基材之間，固定所述螺釘部件的固定部件。
9. 如權(quán)利要求6 8的任一項所述的載置臺，其特征在于 所述基板為矩形基板，所述屏蔽部件呈框架狀，所述各分割片包括各角部形成4個曲柄狀，所述施力機構(gòu)設(shè)置于各分割片的角部，在 各分割片的鄰接部，形成有當隨著所述施力機構(gòu)的施加力使所述分割 片變位時，使鄰接的分割片向內(nèi)側(cè)變位那樣的臺階。
10. 如權(quán)利要求6 9的任一項所述的載置臺，其特征在于 所述施力機構(gòu)具有覆蓋所述凹部的蓋部件。
11. 如權(quán)利要求2 10的任一項所述的載置臺，其特征在于 所述施力部件為彈簧部件。
12. 如權(quán)利要求1 11的任一項所述的載置臺，其特征在于所述載置部具有靜電吸附基板的靜電卡盤。
13. 如權(quán)利要求1 12的任一項所述的載置臺，其特征在于還具有向所述基材供給等離子體生成用的高頻電力的高頻電力供給電源。
14. 一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括 收容基板的處理腔室；在所述處理腔室內(nèi)載置基板的、具有所述權(quán)利要求1 13的任一 項的結(jié)構(gòu)的載置臺；向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的處理氣體供給機構(gòu)；在所述處理腔室內(nèi)生成處理氣體的等離子體的等離子體生成機構(gòu)；禾口對所述處理腔室內(nèi)進行排氣的排氣機構(gòu)。
15. 如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述等離子體處理機構(gòu)具有向所述基材供給等離子體生成用的高 頻電力的高頻電力供給電源。
全文摘要
本發(fā)明提供一種載置臺，其能夠不引起屏蔽環(huán)那樣的屏蔽部件的破損的危險性而減少由熱膨脹差所引起的屏蔽部件和基材之間的間隙。在對基板(G)實施等離子體處理的處理腔室內(nèi)載置基板的載置臺(3)，包括金屬制的基材(5)；設(shè)置于其上的用于載置基板的載置部(6)；和以圍繞上述載置部(6)和上述基材(5)的上部的周圍的方式而設(shè)置的由絕緣性陶瓷構(gòu)成的屏蔽部件(7)，上述屏蔽部件(7)被分割成多個分割片(7a)，并且具有以使上述分割片(7a)相互接近的方式施力的施力機構(gòu)(50)。
文檔編號H01L21/00GK101325169SQ20081012563
公開日2008年12月17日 申請日期2008年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月12日
發(fā)明者佐佐木芳彥, 南雅人 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社