專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及生成等離子體對基板進行蝕刻等處理的等離子體處理 裝置。
背景技術(shù)：
例如，在半導(dǎo)體裝置等的制造工藝中，使用下述的裝置，即，利 用高頻電壓在處理室內(nèi)生成等離子體，對半導(dǎo)體基板(晶片)實施成 膜蝕刻處理或者成膜處理等。在上述等離子體處理裝置中， 一般使制 冷劑在處理室內(nèi)在載置基板的載置臺的內(nèi)部形成的制冷劑流路中流 動，從而使載置臺成為規(guī)定溫度，對載置于載置臺上的晶片的溫度進 行調(diào)節(jié)。(例如參照專利文獻l)當對晶片實施等離子體處理時，在將晶片載置在載置臺上后，使處理室內(nèi)保持規(guī)定的真空度并且填充處理氣體，例如由C4F8、 02、 Ar 構(gòu)成的處理氣體，并且施加高頻電力在處理室內(nèi)根據(jù)處理氣體生成等 離子體。通過該等離子體對晶片實施例如干式蝕刻(RIE)處理等的等 離子體處理。此時，因?qū)嵤└墒轿g刻處理導(dǎo)致晶片溫度上升，通過冷 卻載置臺使載置臺的熱量傳遞至晶片來對晶片進行冷卻。在進行該冷 卻時，通過使傳熱性優(yōu)良的He氣體等熱傳遞用氣體向晶片的背面流 動，提高載置臺上面和晶片之間的傳熱性，來有效地對晶片進行冷卻。專利文獻l:日本特開2003 — 347283號公報然而，對于上述等離子體處理裝置而言，載置臺的上面的面積形 成為比晶片的面積小。其理由為如果載置臺的上面從處理室內(nèi)露出， 則在進行等離子體處理時，有可能因等離子體而損傷載置臺的上面。 因此，使載置臺的上面的外周緣位于晶片的外周緣的內(nèi)側(cè)來配置，使 晶片的外周緣突出至載置臺的上面的外周緣的外側(cè)，以此來回避因等 離子體造成的損傷。但是，在使晶片的外周緣突出至載置臺的上面的外周緣的外側(cè)的情況下，具有下述問題，即，載置臺的熱量難以充分傳遞至晶片的周 緣部，晶片周緣部的冷卻不充分。其結(jié)果，晶片的周緣部與內(nèi)側(cè)部相 比為高溫，周緣部的蝕刻特性惡化，穿孔性惡化，蝕刻的選擇比降低。 另一方面，近年來隨著晶片的大口徑化，晶片的超細微加工化飛 躍地發(fā)展，形成為利用一個晶片來生產(chǎn)多個設(shè)備。因此，有時也利用 晶片的周緣部來生產(chǎn)設(shè)備。因此，有必要防止晶片的周緣部的溫度上 升來防止周緣部的蝕刻特性發(fā)生惡化。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種能夠很容易地對晶片周緣部的溫度進 行調(diào)節(jié)的等離子體處理裝置。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，在處理 室內(nèi)將基板載置于載置臺上，使供給至所述處理室內(nèi)的處理氣體等離 子體化，對基板實施等離子體處理，其特征在于所述載置臺包括 被溫度調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的載置臺主體；以及配置在所述載置臺主體上 部的、用于吸附基板的靜電卡盤，在所述靜電卡盤的上面形成有配置 在中央的第一傳熱用氣體擴散區(qū)域以及配置在周緣部的第二傳熱用氣 體擴散區(qū)域，具有將傳熱用氣體供給至所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域 的第一傳熱用氣體供給部以及將傳熱用氣體供給至所述第二傳熱用氣 體擴散區(qū)域的第二傳熱用氣體供給部，所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域 相對于所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比為0.1以下。所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域相對于所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比優(yōu)選為0.02 0.07。此外，根優(yōu)選為0.03 0.06。例如，所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域是形成于所述靜電卡盤上面的中央的一個或者兩個以上的凹部，在所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域形成有多個凸部。此外，所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域是形成在所述靜電卡盤上面的周緣部上的環(huán)狀的凹部。例如，所述第二傳熱用氣體供給部相對于所述第一傳熱用氣體供給部的供給壓比為2以上。優(yōu)選為2.5 4.0。例如，利用所述第二傳熱用氣體供給部進行的傳熱用氣體的供給，比利用所述第一傳熱用氣體供給部進行的傳熱用氣體的供給先開始。例如，所述靜電卡盤利用丙烯酸類(acrylic)粘接劑與所述載置臺 主體的上部粘接。此外，例如在所述載置臺主體的上部周緣部，絕緣 材料被噴鍍至所述靜電卡盤的側(cè)面的內(nèi)側(cè)。根據(jù)本發(fā)明，通過分別對基板的周緣部和內(nèi)側(cè)部進行溫度調(diào)節(jié)， 而能夠很容易對晶片的周緣部進行溫度調(diào)節(jié)。特別是，通過使第二傳 熱用氣體擴散區(qū)域相對于所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比為 0.1以下，而能夠局部地并且快速地對基板的周緣部進行冷卻或者升溫。


圖1表示的是本發(fā)明實施方式所涉及的等離子體處理裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2表示的是載置臺的上面圖(俯視圖)。圖3是放大表示載置臺的上部周緣部的部分截面圖。圖4是放大表示載置臺主體的上部周緣部的部分截面圖。圖5表示的是本發(fā)明實施方式所涉及的等離子體處理裝置的處理工序的說明圖。圖6是處理工序的變形例的說明圖。圖7是第一、第二傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比的試算的說明圖。 圖8是用于確認各種粘接劑的耐等離子體性的排名評價結(jié)果圖。 標號說明W:晶片；1:等離子體處理裝置；10:處理室；11:載置臺； 12:載置臺本體；13:靜電卡盤；18:排氣裝置；21:高頻電源；24: 噴淋頭；30:處理氣體供給部；35:制冷劑室；36:冷卻單元；40: 電極板；47:第一傳熱用氣體擴散區(qū)域；48:第二傳熱用氣體擴散區(qū) 域；50:支撐部；51:第一傳熱用氣體供給部；52:第二傳熱用氣體 供給部；55:粘接劑；56:絕緣材料；70:控制部具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進行說明。其中，在說 明書以及附圖中，對實質(zhì)上具有相同結(jié)構(gòu)構(gòu)成的構(gòu)成要素標注相同的6標號并省略其重復(fù)說明。圖1表示的是本發(fā)明實施方式所涉及的等離子體處理裝置1的簡 要結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2表示的是該等離子體處理裝置1所具有的載置臺11的上面圖(俯視圖)。圖3是放大表示載置臺11的上部周緣部的 部分截面圖。圖4是放大表示載置臺主體12的上部周緣部的部分截面圖。等離子體處理裝置1具有由金屬制成的例如由鋁或者不銹鋼制成 的電氣接地的形成為密閉結(jié)構(gòu)的圓筒型的處理室10。在該處理室10 內(nèi)配置有載置作為被處理基板的晶片W的圓柱形狀的載置臺(下部電極)11。該載置臺ll包括例如由鋁等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的載置臺主體 12;以及配置在載置臺主體12的上部，用于吸附晶片W的例如由A1203 等絕緣材料構(gòu)成的靜電卡盤13。載置臺主體12經(jīng)由絕緣件被支撐在從 處理室10的底部垂直向上延伸的筒狀支撐部15上。在處理室10的側(cè)壁與筒狀支撐部15之間形成有排氣路16，與該 排氣路16的底部連通的排氣管17連接在排氣裝置18上。排氣裝置18 具有真空泵，能夠?qū)⑻幚硎?0內(nèi)減壓至規(guī)定真空度。此外，排氣管17 具有作為可變式蝶形閥的自動壓力控制閥(automatic pressure control valve) 19，利用該自動壓力控制閥19對處理室10內(nèi)的壓力進行控制。載置臺主體12經(jīng)由匹配器22以及供電棒23與施加等離子體生成 以及離子引入用的高頻電壓的高頻電源21電氣連接。該高頻電源21 向載置臺11施加規(guī)定頻率例如60MHz的高頻電力。在處理室10的頂部配置有作為接地電極的噴淋頭24。利用上述高 頻電源21向載置臺11與噴淋頭24之間施加高頻電壓。噴淋頭24包 括具有多個氣體通氣孔25的下面的電極板26;以及可裝卸地支撐電 極板26的電極支撐體27。此外，在電極支撐體27的內(nèi)部設(shè)置有緩沖 室28，該緩沖室28的氣體導(dǎo)入口 29與來自于處理氣體供給部30的氣 體供給配管31連接。在載置臺主體12的內(nèi)部設(shè)置有例如沿著圓周方向配置的環(huán)狀的制 冷劑室35。從制冷單元36通過配管37、 38向該制冷劑室35循環(huán)供給 規(guī)定溫度的制冷劑，例如冷卻水。由此，將載置臺主體12冷卻至規(guī)定 的溫度。配置在載置臺主體12上部的靜電卡盤13形成為具有適宜厚度的圓板形狀，在靜電卡盤13的內(nèi)部埋入設(shè)置有由鎢(tungsten)等導(dǎo)電 材料構(gòu)成的電極板40。電極板40與直流電源41電氣連接。靜電卡盤 13通過從直流電源41向電極板40施加直流電壓而利用庫倫力對晶片 W進行吸附保持。如上所述，被冷卻至規(guī)定溫度的載置臺主體12的熱量經(jīng)由靜電卡 盤13傳遞至吸附在靜電卡盤13上面的晶片W。此時，為了對處理室 10進行減壓以使熱量有效地傳遞至晶片W，通過第一氣體供給管線45、 第二氣體供給管線46向吸附在靜電卡盤13上面的晶片W的背面供給 He等熱傳遞用氣體。如圖2、 3所示，在靜電卡盤13的上面形成有配置在中央的第一 熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47以及配置在周緣部的第二熱傳遞用氣體擴散 區(qū)域48。在該實施方式中，第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47是形成在靜 電卡盤13的上面中央的圓形的單一凹部，如后所述，在第一熱傳遞用 氣體擴散區(qū)域47形成有多個用于噴出來自于第一氣體供給管線45的 傳熱用氣體的第一氣體孔102。此外，在該第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域 47形成有多個凸部(突起部)50。該凸部50呈直徑為lmm左右的圓 柱形狀，其數(shù)量形成為比第一氣體孔102的數(shù)量多。另一方面，第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48是形成在靜電卡盤13 的上面的周緣部上的環(huán)狀的凹部，如后所述，在第二熱傳遞用氣體擴 散區(qū)域48形成有多個用于噴出來自于第二氣體供給管線46的傳熱用 氣體的第二氣體孔104。由此，第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48被配置 成在靜電卡盤13的上面的周緣部包圍第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47 的外側(cè)。若晶片W吸附在靜電卡盤13的上面，則在與晶片W的背面之間， 利用第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47和第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48 形成傳熱用氣體的供給空間。此時，第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48相 對于第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47的容積比優(yōu)選為0.1以下。其中， 第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47以及第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48為 距離靜電卡盤13上面大致相同深度的凹部。因此，當從靜電卡盤13 的上面觀察時，第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48相對于第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47的面積比也優(yōu)選為0.1以下。此外，第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48相對于第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47的容積比(面積比) 更優(yōu)選為0.02 0.07，進一步優(yōu)選為0.03 0.06。其中，第一熱傳遞用 氣體擴散區(qū)域47的容積是除去凸部50的總體積的容積。從第一熱傳遞用氣體供給部51經(jīng)由第一氣體供給管線45通過第 一氣體孔102向第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47供給He等的傳熱用氣 體。另一方面，從第二熱傳遞用氣體供給部52經(jīng)由第二氣體供給管線 46通過第二氣體孔104向第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48供給He等的 傳熱用氣體。由此，通過分別具有第一熱傳遞用氣體供給部51和第二 熱傳遞用氣體供給部52，能夠任意地設(shè)定相對于第一熱傳遞用氣體擴 散區(qū)域47的傳熱用氣體的供給壓力以及相對于第二熱傳遞用氣體擴散 區(qū)域48的傳熱用氣體的供給壓力。此時，優(yōu)選第二熱傳遞用氣體供給 部52相對于第一熱傳遞用氣體供給部51的供給壓比為2以上，更優(yōu) 選供給壓比為2.5 4.0。靜電卡盤13利用粘接劑55與載置臺主體12的上部粘接。粘接劑 55優(yōu)選不釆用硅類粘接劑而是丙烯酸類(acrylic)粘接劑。丙烯酸類 粘接劑與硅類粘接劑相比，相對于等離子體中的自由基的消耗少，能 夠長時間固定在靜電卡盤13上。此外，如上所述，載置臺主體12的熱量經(jīng)由靜電卡盤13傳遞至 晶片W，此時，因為溫度變化，有時靜電卡盤13產(chǎn)生變形，靜電卡盤 13上面的平面度產(chǎn)生惡化。若靜電卡盤13上面的平面度產(chǎn)生惡化，則 不能夠可靠地吸附晶片W。因此，通過調(diào)整粘接劑55的厚度，利用粘 接劑55吸收因溫度變化產(chǎn)生的靜電卡盤13的變形，由此能夠防止靜 電卡盤13上面的平面度。因此，例如當晶片W的直徑為200mm時， 粘接劑55的厚度為60(am以上，當晶片W的直徑為300mm時，優(yōu)選 粘接劑55的厚度為90 150mm。此外，如圖3所示，對于等離子體處理裝置1而言，由載置臺主 體12和靜電卡盤13構(gòu)成的載置臺11的上面的面積形成為比晶片W的 面積小。由此，通過使晶片W的外周緣比載置臺11的上面的外周緣 進一步向外側(cè)突出，而能夠避免因等離子體損傷載置臺11的表面(靜 電卡盤13的表面)。另一方面，在晶片W和聚焦環(huán)60以及靜電卡盤13和聚焦環(huán)60之間的間隙1有時會進入等離子體。此時，當在上述載 置臺主體12的上部使用丙烯酸類的粘接劑55與靜電卡盤13相接合時， 因為丙烯酸類的粘接劑55與硅類的粘接劑相比其電阻值低，所以易于 產(chǎn)生Vdc，利用該Vdc，靜電卡盤13能夠承受損傷。因此，當使用丙烯酸類的粘接劑55將靜電卡盤13粘接在載置臺 主體12的上部時，如圖4所示，在載置臺主體12的上部周緣部，至 靜電卡盤13的側(cè)面的更內(nèi)側(cè)噴鍍形成有Al203等的絕緣材料56，使載 置臺主體12的上部周緣部的電阻變高。此時，絕緣材料56的噴鍍范 圍優(yōu)選為從靜電卡盤13的側(cè)面至內(nèi)側(cè)例如5mm左右。如圖1所示，在載置臺11的上部，配置有環(huán)狀地包圍靜電卡盤13 的外側(cè)的聚焦環(huán)60。此外，在載置臺11的周圍設(shè)置有環(huán)狀的緩沖板 61。此外，在處理室10的側(cè)壁安裝有用于開閉晶片W的搬入搬出口 62的門閥63。此外，在處理室10的周圍配置有環(huán)狀或者同心圓狀延 伸的磁鐵64。在該等離子體處理裝置的處理室10內(nèi)，利用磁鐵64形成向著一 定方向的水平磁場，并且通過向載置臺11和噴淋頭24之間施加高頻 電壓形成鉛直方向的RF電場，由此，在處理室10內(nèi)進行通過處理氣 體的磁控管(magnetron)放電，在載置臺11的表面附近基于處理氣體 生成高密度的等離子體。等離子體處理裝置1的各構(gòu)成要素例如排氣裝置18、高頻電源21、 處理氣體供給部30、靜電卡盤13用的直流電源41、第一熱傳遞用氣 體供給部51以及第二熱傳遞用氣體供給部52等，均通過控制部70控 制動作。當在以上構(gòu)成的等離子體處理裝置1中例如進行干式蝕刻處理時， 首先，在門閥63處于打開的狀態(tài)下，將作為加工對象的晶片W搬入 至處理室10內(nèi)，并載置在靜電卡盤13之上。接著，首先如圖5所示， 直流電源41施加直流電壓，利用庫倫力將晶片W吸附保持在靜電卡 盤13上。接著，利用排氣裝置18將處理室10內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度，之 后，從處理氣體供給部30以規(guī)定的流量和流量比向處理室10內(nèi)供給 例如QFs氣體、02氣體以及Ar氣體構(gòu)成的混合氣體等處理氣體，利用排氣裝置18將處理室10內(nèi)的壓力維持在規(guī)定值。借著，通過第一熱傳遞用氣體供給部51向形成于晶片W的背面中央的第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47供給He等的傳熱用氣體，同樣， 通過第二熱傳遞用氣體供給部52向形成于晶片W的背面周邊部的第 二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48供給He等的傳熱用氣體。由此，通過有 效地將載置臺主體12的熱量傳遞至晶片W，對晶片W的溫度進行調(diào) ，。之后，從高頻電源21向載置臺主體12供給高頻電力，使從噴淋 頭24噴出的處理氣體等離子體化。然后，利用由該等離子體生成的自 由基或者離子對晶片W的表面進行蝕刻。當蝕刻處理結(jié)束時，首先，停止從高頻電源21供給高頻電力，接 著，停止靜電卡盤13的吸附保持，并停止向晶片W的背面供給熱傳 遞用氣體。其中，當停止靜電卡盤13的吸附保持時，也可以施加負電 壓來進行除電。之后，分別停止利用排氣裝置18進行的減壓以及利用 處理氣體供給部30進行的處理氣體的供給。在該等離子體處理裝置1中，通過分別具有第一熱傳遞用氣體供 給部51和第二熱傳遞用氣體供給部52，而能夠任意地設(shè)定相對于第一 熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47的傳熱用氣體的供給壓力以及相對于第二熱 傳遞用氣體擴散區(qū)域48的傳熱用氣體的供給壓力。因此，能夠任意地 變更晶片W中央部和周緣部的冷卻能力。例如，因為晶片W的外周 緣比載置臺11的上面外周緣更向外側(cè)突出，因此，在現(xiàn)有技術(shù)中存在 不能充分地冷卻晶片W的外周緣的問題。與其相對，根據(jù)等離子體處 理裝置1，提高相對于第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48的傳熱用氣體的 供給壓力，與晶片W中央部的冷卻能力相比，晶片W周緣部的冷卻 能力得到提高，由此，能夠?qū)琖的周緣部進行與晶片W中央部 同等程度的溫度的冷卻。其中，通過使第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48 相對于第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47的容積比為0.1以下，而能夠局 部并且高速地冷卻晶片W的周緣部。以上，對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但是本發(fā)明并不局 限于上述例子。作為本領(lǐng)域技術(shù)人員，在權(quán)利要求記載的技術(shù)思想的 范圍內(nèi)，能夠想到各種變形例以及修正例，這些當然也屬于本發(fā)明權(quán)利要求范圍之內(nèi)。例如，當向晶片W的背面中央的第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47 和背面周緣部的第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48供給熱傳遞用氣體時， 如圖6所示，也可以首先通過第二熱傳遞用氣體供給部52開始向第二 熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48供給熱傳遞用氣體，然后，通過第一熱傳遞 用氣體供給部51向第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47供給熱傳遞用氣體。 這樣，通過先冷卻晶片W的背面周緣部，能夠提高晶片W周緣部的 冷凍能力。此外，第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47也可以是在單一的凹部上設(shè) 置多個凸部50的結(jié)構(gòu)。例如，第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47也可以 作為設(shè)置在靜電卡盤13上面的槽。此時，第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域 48相對于第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47的容積比為與上述相同的0.1 以下，優(yōu)選為0.02 0.07，更優(yōu)選為0.03 0.06。其中，在上述實施方式中，對冷卻晶片W的情況進行了說明，但是本發(fā)明也同樣適用于使晶片w升溫的情況。此外，在以上說明的本實施方式中，對下部電極施加單頻的高頻類型的裝置進行了說明，但 是也可以是施加雙頻的高頻類型的裝置。此外，在以上說明的實施方 式中，以使用高頻電壓的等離子體處理裝置為例進行了說明，但是并 不局限于此，使用微波的等離子體處理裝置也適用于本發(fā)明。此外， 在以上實施方式中，本發(fā)明適用于進行蝕刻處理的等離子體處理裝置 1，但是本發(fā)明也能夠適用于除蝕刻處理之外的等離子體處理裝置。本發(fā)明的等離子體處理裝置所處理的基板可以是半導(dǎo)體晶片、有機E1基 板、FPD (平板顯示器)用的基板等任意一種。(第一、第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域的容積比的試算) 對在靜電卡盤13的上面形成的中央的第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域 47的容積(3與周緣部的第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48的容積ct進行試 算。如圖7所示，設(shè)靜電卡盤13的半徑A為150mm，第二熱傳遞用 氣體擴散區(qū)域48 (環(huán)狀)的外半徑B為148mm、內(nèi)半徑C為145mm， 第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47 (圓形狀)的半徑D為140mm，支撐部 50 (圓柱形狀)的半徑E為0.5mm，第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域47和 第二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域48的深度F為50pm (0.05mm)，支撐部50的個數(shù)G為250個，貝廿a=7ixB2xF_7ixC2xF= 138.003(3=7cxD2xFixE2xFxG=3067.3875a/(3=0.045以該尺寸在靜電卡盤的上面形成第一熱傳遞用氣體擴散區(qū)域和第 二熱傳遞用氣體擴散區(qū)域并進行蝕刻處理。其結(jié)果，能夠使晶片整體 的溫度均勻，均勻至晶片的周緣部進行蝕刻。其中，根據(jù)上述公式， 作為上限，當A=150mm， B二148mm。 C=144mm， D=140mm， E =0.5mm， F = 50fim (0.05mm)， G=250時，a/(3=0.060。另一方面， 作為下限，當A=150mm， B=147mm。 C=145mm， D=140mm， E =0.5mm， F = 50|am (0.05mm)， G=250時，a/(3=0.030。 (粘接靜電卡盤的粘接劑的研究)圖8示出確認各種粘接劑的耐等離子體性的排名評價結(jié)果圖。與 硅類的粘接劑相比，丙烯酸類粘接劑的壽命有飛越性的提高。此外， 對于粘接劑的厚度而言，當進行高溫槽級別評價時得知，優(yōu)選當晶片 的直徑為200mm時，粘接劑的厚度為60pm以上，當晶片的直徑為 300mm時，粘接劑的厚度為90 150pm。當晶片的直徑為200mm時， 使粘接劑的厚度為60pm，平面度變化量最??；當晶片的直徑為300mm 時，使粘接劑的厚度為120pm，平面度變化量最小。此外，對于粘接 劑的直徑而言，當晶片的直徑為200mm時，粘接劑的直徑為195.6mm 最合適，當晶片的直徑為300mm時，粘接劑的直徑為295.2mm最合適。工業(yè)可利用性本發(fā)明例如能夠適用于對基板進行蝕刻處理等的等離子體處理裝置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，在處理室內(nèi)將基板載置于載置臺上，使供給至所述處理室內(nèi)的處理氣體等離子體化，對基板實施等離子體處理，其特征在于所述載置臺包括被溫度調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的載置臺主體；以及配置在所述載置臺主體上部的、用于吸附基板的靜電卡盤，在所述靜電卡盤的上面形成有配置在中央的第一傳熱用氣體擴散區(qū)域以及配置在周緣部的第二傳熱用氣體擴散區(qū)域，具有將傳熱用氣體供給至所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的第一傳熱用氣體供給部以及將傳熱用氣體供給至所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域的第二傳熱用氣體供給部，所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域相對于所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比為0.1以下。
2. 如權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域相對于所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比為0.02 0.07。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域相對于所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比為0.03 0.06。
4. 如權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域是在所述靜電卡盤上面的中央形成 的一個或者兩個以上的凹部，在所述第一傳熱用氣體擴散區(qū)域形成有 多個凸部。
5. 如權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述第二傳熱用氣體擴散區(qū)域是在所述靜電卡盤上面的周緣部上形成的環(huán)狀的凹部。
6. 如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于 利用所述第二傳熱用氣體供給部進行的傳熱用氣體的供給，比利用所述第一傳熱用氣體供給部進行的傳熱用氣體的供給先開始。
7. 如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述靜電卡盤利用丙烯酸類粘接劑與所述載置臺主體的上部粘接。
8. 如權(quán)利要求l所述的等離子體處理裝置，其特征在于 在所述載置臺主體的上部周緣部，絕緣材料被噴鍍至所述靜電卡盤的側(cè)面的內(nèi)側(cè)。
9. 如權(quán)利要求1 8中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述第二傳熱用氣體供給部相對于所述第一傳熱用氣體供給部的 供給壓比為2以上。
10. 如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于 所述第二傳熱用氣體供給部相對于所述第一傳熱用氣體供給部的供給壓比為2.5 4.0。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠容易調(diào)節(jié)晶片周緣部溫度的等離子體處理裝置(1)，在處理室(10)將基板(W)載置于載置臺(11)上，使供給處理室內(nèi)的處理氣體等離子體化對基板實施等離子體處理，載置臺包括溫度調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的載置臺主體(12)和配置在載置臺主體上部的用于吸附基板的靜電卡盤(13)，在靜電卡盤上面形成有配置在中央的第一傳熱用氣體擴散區(qū)域(47)和配置在周緣部的第二傳熱用氣體擴散區(qū)域(48)，具有將傳熱用氣體供給第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的第一傳熱用氣體供給部(51)和將傳熱用氣體供給第二傳熱用氣體擴散區(qū)域的第二傳熱用氣體供給部(52)，第二傳熱用氣體擴散區(qū)域與第一傳熱用氣體擴散區(qū)域的容積比為0.1以下。
文檔編號H01L21/683GK101276734SQ200810086398
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日
發(fā)明者中尾亙孝, 小松賢次, 松丸弘樹, 高橋秀一 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社