專利名稱：電路板裝置以及電路板裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電^各板裝置，該電路板裝置包括具有多個(gè)晶粒(die)元件的電路板，以及一種電路板裝置的制造方法。
技術(shù)背景為了滿足對(duì)功能日益強(qiáng)大的電子裝置的不斷增加的需求，微電 子領(lǐng)域中的顯著的主要趨勢(shì)是提供更小且更輕的電子組件。目前， 一方面是通過(guò)降低晶粒元件的尺寸來(lái)嘗試實(shí)現(xiàn)，另一方面是通過(guò)提 高封裝內(nèi)的晶粒元件的封裝密度來(lái)實(shí)現(xiàn)。提高晶?；蛐酒拿芏鹊?典型的方法基本上是設(shè)置一些對(duì)稱地堆疊在4皮此的上方的晶粒，在 大多數(shù)情況下，在單個(gè)的平面之間使用相同的連接技術(shù)。對(duì)于存儲(chǔ)模塊來(lái)說(shuō)，例如晶粒密度的提高通常通過(guò)以下方式來(lái) 實(shí)現(xiàn)在封裝內(nèi)4皮此相鄰地堆疊晶粒(MCP)、在4皮此的上方堆疊 晶粒(堆疊CSP)、以及對(duì)封裝進(jìn)行堆疊(POP)，其中晶粒需要組 裝在模塊或者組裝在用于每個(gè)所述晶粒封裝的支撐襯底上。這一方 面導(dǎo)致晶粒封裝變得更寬更高，另一方面導(dǎo)致與晶粒的連接變得更 長(zhǎng)，這能夠?qū)е录纳娙莸脑黾?，最終導(dǎo)致信號(hào)傳送^"誤。此外， 所述一支術(shù)增加了復(fù)雜性以及晶粒裝置的成本。由于上述以及其他原因，存在著對(duì)本發(fā)明的需求，并且將在下 文中通過(guò)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)4亍解釋。 發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種電路板裝置，其具有電路 板和多個(gè)晶粒元件的。晶粒元件通過(guò)接觸件電傳導(dǎo)地耦合至電路 板，晶粒元件在電路板上彼此橫向地部分重疊，并且對(duì)應(yīng)的晶粒元件的4妄觸件;波此相鄰地設(shè)置。才艮據(jù)另一實(shí)施例，提供一種電路板裝置的制造方法，該制造方 法包括在電路板上設(shè)置多個(gè)彼此橫向地部分地重疊的晶粒元件； 以及使晶粒元件通過(guò)接觸件電傳導(dǎo)地耦合至電i 各板，其中各個(gè)晶粒 元件的接觸件彼此相鄰地設(shè)置。通過(guò)參照附圖，本發(fā)明的這些和其它特征將從以下描述中變得 更加明顯。


為了更全面地了解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn) 一步i^明，圖中示出圖1示出在其上i殳置有多個(gè)晶粒元件的傳統(tǒng)電鴻4反裝置；圖2示出根據(jù)圖1的傳統(tǒng)電路板裝置的放大部分；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的成品電路板裝置的圖示；圖4A至圖4C分別示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電路板裝置的 一部分；圖5A和圖5B在橫截面視圖和俯視圖中示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例的電路一反裝置的一部分；
圖6A和圖6B在橫截面視圖和俯視圖中示出根據(jù)本發(fā)明另一 實(shí)施例的電路板裝置的一部分；以及圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的成品電路板裝置的圖示。
具體實(shí)施方式
圖1示出了傳統(tǒng)的電^各板裝置300，其具有帶有4妻觸片6的電 ^各4反301，多個(gè)晶并立元件310i殳置在電鴻4反301上，并且多個(gè)無(wú)源 電子元件8通常設(shè)置在電鴻4反301上，這些無(wú)源電子元件例如可以 是歐姆電阻、電容器、感應(yīng)器等。i殳置在電路板301的兩側(cè)上的晶粒元件310分別沿電路^反301 的兩個(gè)元件側(cè);波此相鄰地i殳置。*接觸件303形成在晶粒元件310的 面對(duì)電路板301的一側(cè)上。接觸件303可以是電傳導(dǎo)地耦合到電路 板301的焊球或焊塊。才艮據(jù)圖1的傳統(tǒng)電路板裝置300圖示出典型 的存儲(chǔ)器模塊的構(gòu)造。示出根據(jù)圖1的傳統(tǒng)電路板裝置300的放大部分的圖2以示例 的方式示出三個(gè)晶粒元件310以較小的間距彼此相鄰地設(shè)置在一個(gè) 平面內(nèi)。示出的晶粒元件310例如可以朝下定向并且以晶圓級(jí)封裝 (WLP )制造的晶粒元件，并且通過(guò)它們的接觸件303電耦合到電 路板301。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的成品電聘4反裝置100的圖示。從圖3可以看出，電路板裝置100示出基本上是傳統(tǒng)的電路板 1,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，至少部分地才黃向重疊的多個(gè)晶粒元件10和20 設(shè)置在電路板1上，其中晶粒元件10和20的接觸件3彼此相鄰設(shè) 置，晶粒元件10和20分別通過(guò)這些接觸件3電傳導(dǎo)地耦合到電路 板1。根據(jù)該實(shí)施例的晶粒元件10和20例如是以晶圓級(jí)制造的棵晶 圓級(jí)封裝(WLP)，即棵晶粒元件。這些WLP例如是晶粒元件10 和20,晶粒元件側(cè)朝下定向，并且晶粒元件的4妻合焊盤(pán)與相應(yīng)的再 分布層(RDL)在晶圓夾層中被處理，并接著在新形成的接合焊盤(pán) 處配備有焊球或焊塊。以這種方式，例如接觸件(即焊球或焊塊) 能夠設(shè)置在晶粒元件的預(yù)先確定的區(qū)域上?？陀^地，這意味著，接 觸件可以例如通過(guò)保持圓周邊緣空閑來(lái)設(shè)置在晶粒元件的相應(yīng)表 面的中央，或者接觸件可以例如通過(guò)使略寬的邊緣區(qū)域空閑來(lái)均勻 地設(shè)置在晶粒元件10和20的剩余的表面上。照這樣制造并i殳置在 電路板1上的晶粒元件10和20具有例如小于或等于大約100 pm。從圖3示出的截面圖可以看出，多個(gè)晶粒元件10和20例如分 別i殳置在電鴻4反1的兩個(gè)元件側(cè)上。根據(jù)該實(shí)施例，第一晶粒元件IO分別以預(yù)定的間距(間距B1 ) 設(shè)置在第一平面內(nèi)，并且通過(guò)接觸件3 (根據(jù)具體情況，這里有時(shí) 也可以纟皮認(rèn)為是焊塊3或焊J求)電傳導(dǎo)地耦合至電路板l。在第一 平面內(nèi)的第一晶粒元件10的上方，第二晶粒元件20在第二平面內(nèi) 分別彼此相鄰地設(shè)置。從圖3可以看出，第二晶粒元件20能夠分 別以這樣的方式設(shè)置，即第二晶粒元件20橋接兩個(gè)第一晶粒元件 10之間的間距B1,并且分別與以相應(yīng)的間距B1為界的兩個(gè)晶粒元 件10中的一個(gè)重疊一個(gè)4黃截面Al (比較圖5A)。只有在第二平面 內(nèi)分別終止于在圖中右側(cè)的晶粒元件行中，第二晶粒元件20中的 一個(gè)才能夠作為結(jié)尾設(shè)置成僅與第一晶粒元件10中的一個(gè)重疊一 個(gè)才黃截面Al。參照其它附圖，將更加詳細(xì)地i兌明分別與第一晶粒 元件10的接觸件3相鄰設(shè)置的、設(shè)置在第二平面內(nèi)的晶粒元件20 的4妄觸〗牛3。從圖3還可以看出，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路板裝置100能夠 例如^皮在電路板1的整個(gè)區(qū)域上方(至少在晶粒元件10和20的區(qū)
域上)模制在電路板1上的模制層(mold layer ) 7覆蓋。該模制層 7 (也可以在電路板1上被設(shè)置成鑄造外殼)為晶粒元件10和20 以及對(duì)應(yīng)的接觸件3提供機(jī)械保護(hù)，并且還防止例如來(lái)自電路板裝 置100的隨后的環(huán)境的灰塵或污染物損害設(shè)置在電路板1上的凈果晶 粒元件10和20以及其它電子元件8。在本發(fā)明的實(shí)施例中，提供一種電路板裝置100，在該裝置的 每個(gè)元件側(cè)上配備有在兩個(gè)平面內(nèi);f皮此相鄰i殳置的晶粒元件10和 20，其中通過(guò)使用支撐襯底，在兩個(gè)晶粒平面內(nèi)設(shè)置在彼此上方的 晶粒元件10和20沒(méi)有分別設(shè)置在共同的封裝內(nèi)，而是作為分開(kāi)的 棵晶粒元件10和20分別單獨(dú)地耦合至電路板1，這些棵晶粒元件 沿電路板的縱向方向彼此相對(duì)錯(cuò)置，具有例如小于或等于大約100 jam的厚度，其中第一平面的第一晶粒元件IO與第二平面的第二晶 粒元件20的4妄觸件3分別4皮此相鄰i殳置。以這種方式，能夠提供一種具有兩行分開(kāi)的棵晶粒元件的電路 板裝置，該電路板裝置與使用了雙晶粒封裝的傳統(tǒng)電路板裝置的區(qū) 別在于復(fù)雜程度低并且價(jià)格便宜。此外，雖然晶粒元件10和20在 每個(gè)元件側(cè)布置在兩個(gè)平面內(nèi)，但是由于使用了例如薄的棵晶粒元 件10和20,電路板裝置100具有的厚度滿足愈來(lái)愈小的模塊的需 求。根據(jù)通過(guò)圖3解釋的說(shuō)明性實(shí)施例的電路板裝置100可以例如 是存儲(chǔ)器模塊l。圖4A至圖4C分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電路板裝置 100的一部分。在根據(jù)圖4A的實(shí)施例中，同樣，在電路板1的元件側(cè)上(僅 示出一個(gè)元件側(cè))，第一晶粒元件l(H殳置在第一平面內(nèi)，并且第二 晶粒元件20 i殳置在第二平面內(nèi)。
第一晶粒元件10和第二晶粒元件20均具有接觸件(例如在所 有晶粒元件10和20中能夠以基本上相同尺寸以及相同的網(wǎng)格圖形 形成的焊球3 ),使得例如相同結(jié)構(gòu)的晶粒元件能夠全部用于電路板 裝置。第一晶粒平面中的第一晶粒元件10的接觸件3能夠通過(guò)相 應(yīng)的4妾線(未示出)直4妄電連4^于電蹈一反1。為了能夠使晶粒元件20的接觸件3與電路板1電傳導(dǎo)地接觸， 互連PCB部4被插入到第二晶粒平面的第二晶粒元件20與根據(jù)一 個(gè)實(shí)施例的電路板l的表面之間，通過(guò)該方法，能夠橋接晶粒元件 20與電路板1之間的間距，其中該間距由晶粒元件10 (晶粒元件 20凈皮支撐于其上)的厚度決定?；ミBPCB部4在與接觸件3相對(duì) 應(yīng)的位置處具有適合的穿接裝置41， 4吏得能夠在晶粒元件20與電 路板1之間實(shí)現(xiàn)電傳導(dǎo)連接。適合的穿接裝置41能夠例如通過(guò)容 納在通孔內(nèi)的導(dǎo)電膏或者容納在通孔內(nèi)的導(dǎo)線部而形成。作為互連PCB部4的可替換的布置，電路板1在位置和尺寸 與互連PCB部對(duì)應(yīng)的表面上可以具有例如浮雕樣式的凸出部(未示 出)。以浮雕才羊式凸起的部分在其頂部具有相應(yīng)的4妄線，通過(guò)該方 法，第二晶粒元件20的4妄觸件3能夠:故電傳導(dǎo)連接。同樣在該實(shí) 施例中，第二晶粒元件20具有的接觸件3與晶粒元件10的接觸件 3相似。圖4B示出具有電路外反1和i殳置在兩個(gè)平面內(nèi)的晶粒元件10和 20的本發(fā)明的又一實(shí)施例，其中晶粒元件10和20至少部分地橫向 重疊。從圖4B可以看出，第二晶粒元件20具有例如焊球形式的接 觸件32，焊球32的尺寸與第一晶粒元件10的焊球31的尺寸不同。 通過(guò)使用相應(yīng)尺寸的接觸件32 (焊球)，第二晶粒元件20與電路板如果例如將超薄的晶粒元件10和20用于電鴻41裝置100，這種布
置具有優(yōu)勢(shì)。如上所述，這可以例如是厚度小于或等于大約100 |am 的WLP。根據(jù)圖4C，示出了根據(jù)另一實(shí)施例的電路板裝置100的一部 分，其中第一晶粒元件10在其與第二晶粒元件20相重疊的邊緣區(qū) 域分別具有分別在整個(gè)長(zhǎng)度或?qū)挾确较蛏涎由斓陌伎?5。以這種方 式，能夠分別插入第二晶粒元件20中的一個(gè)，通過(guò)第二晶粒元件 20的邊纟彖插入對(duì)應(yīng)的兩個(gè)第一晶4立元件10的凹口 5,橋4妾兩個(gè)第 一晶粒元件IO之間的間距，乂人而當(dāng)與第二晶粒元件20凈皮支撐在第 一晶粒元件10的頂部上的情況相比4交時(shí)(如圖4A所示)，能夠大 幅地減小朝下對(duì)齊的第二晶粒元件20的活動(dòng)側(cè)與電路纟反1的頂部 之間的間3巨。在本實(shí)施例中，晶并立元件20與電路才反1的頂部之間的間3巨由 于凹口 5而小于根據(jù)圖4A中的實(shí)施例的間距，并且大約相當(dāng)于根 據(jù)圖4B中的實(shí)施例的第二晶粒元件20與電路板1的頂部之間的間 距。根據(jù)圖4B中的實(shí)施例，晶粒元件被構(gòu)造成相當(dāng)薄，例如電路 豐反1上的凸出部的形成或者互連PCB部4 (圖4)的布置在該電^各 板裝置中可以省略，使得例如略大于第一晶粒元件10的焊球的焊 球32能夠用作接觸件。由于為了安全原因相應(yīng)的邊緣區(qū)域沒(méi)有電 3各(未示出)，因此該凹口 5能夠沒(méi)有問(wèn)題地形成在晶粒元件IO上， 此外在各種情況下電贈(zèng)"又構(gòu)造在不纟皮凹口 5影響的面向電鴻4反1的 專交薄襯底層中。晶粒元件10上的凹口 5可以例如在切割過(guò)程中通過(guò)在切割槽 的兩側(cè)鋸入到晶粒中而產(chǎn)生，使得在晶粒元件的生產(chǎn)中可以避免用 于形成凹口 5的分離過(guò)禾呈。例如，如果不同于WLP的元件;故用作晶粒元件20，例如與晶 粒元件10中的凹口互補(bǔ)的凹口 5也能夠設(shè)置在除晶粒元件10以外
的第二平面內(nèi)的其它晶粒元件20上， -使得例如第二平面的晶粒元 件能夠-故布置成它們的側(cè)部通過(guò)晶粒元件10的側(cè)部51區(qū)i或中的凹 口 (通過(guò)凹口 5形成)形成為朝向頂部4普置。圖5A和圖5B在橫截面視圖和俯視圖中示出了根據(jù)本發(fā)明的 實(shí)施例的電路板裝置的 一部分。在圖5A中，再一次示出電5各々反裝置100的實(shí)施例，該實(shí)施例 基本上相應(yīng)于參照?qǐng)D4A說(shuō)明的電路板裝置100的實(shí)施例?？梢钥闯觯琲殳置在第一平面內(nèi)的第一晶粒元件10d又示出一個(gè) 晶粒元件)分別在兩側(cè)上與設(shè)置在第二平面內(nèi)的第二晶粒元件20 重疊了部分Al,其中在該部分Al的區(qū)域內(nèi)沒(méi)有設(shè)置接觸件。在該 電路板裝置100中，第一晶粒元件10例如僅在區(qū)域Al之外具有接 觸件3。但是，還有可能不同于晶粒元件10的其它晶粒元件能夠用 于電踏^反裝置，其中，其它晶粒元件例如在重疊部分Al下面也具 有4妻觸4牛3。/人才艮據(jù)圖5B的電路板裝置100的一部分的俯—見(jiàn)圖可以看出， 第一晶粒元件10和第二晶粒元件20具有例如焊球3形式的對(duì)稱"i殳 置的接觸件。此外，根據(jù)圖5B的電路板裝置100與根據(jù)圖1的傳統(tǒng)電路板 裝置300的比較示出，對(duì)于例如才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的WLP 形式的三個(gè)晶粒元件的布置來(lái)說(shuō)，僅用完電路板1的大約84%的面 積，而該整個(gè)面積是傳統(tǒng)電路板裝置300中WLP形式的三個(gè)晶粒 元件的傳統(tǒng)布置所需要的。圖6A和圖6B在橫截面視圖和俯視圖中示出了根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的電路板裝置的一部分，以及圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 例的成品電鴻^反裝置的圖示。
特別是從圖6A以及圖7中的下部圖示可以看出，在其之間分 別具有間距B2的第 一晶粒元件10在才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電路板裝置 200中的電路板1上的第一平面內(nèi)彼此相鄰設(shè)置。第二晶粒元件20 在第一晶粒元件10的上方設(shè)置在第二平面內(nèi)，在各種情況下分別 僅在它們之間以很小的間距Cl和C2彼此非常接近。示出的第一和 第二晶粒元件10和20可以是例如WLP,其中晶粒元件的接觸件3 (例如是焊球)在分別對(duì)稱地設(shè)置?？陀^地，這意味著接觸件3分 別例如僅設(shè)置在晶粒元件10和20的大約一半面積上。這種布置例 如在RDL處理期間能夠作為標(biāo)準(zhǔn)形成。才艮據(jù)示出的該實(shí)施例，兩個(gè)第二晶粒元件20和一個(gè)第一晶粒 元件10分別形成一組晶粒元件。 一些這樣的晶粒元件組沿著電路 板1彼此相鄰地設(shè)置在兩個(gè)元件側(cè)上(雖然在圖7中僅示出一個(gè)元 件側(cè))。從圖6A、圖6B以及圖7可以看出，每個(gè)晶粒元件組中的第一 晶泮立元4牛10在分別在兩側(cè)與一個(gè)第二晶并立元件20重疊了第一部分 A2,其中第一部分A2不具有任何接觸件3，晶粒元件組的其它部 分(遠(yuǎn)離i殳置在電贈(zèng)4反l的邊多彖區(qū)域中的晶粒元件組)部分地伸過(guò) 兩個(gè)第一晶粒元件10之間的中間間距B2，使得設(shè)置在第二晶粒元 件20的第二部分上的接觸件3能夠電連接于位于下面的部分電路 板。在圖6A中，雖然在各種情況下一個(gè)互連PCB部4分別設(shè)置在 兩個(gè)第二晶粒元件20與用于橋接其間的間距的電路板1之間，但 是當(dāng)晶粒元件10和20被構(gòu)造得相對(duì)較薄時(shí)，較大的焊球(例如圖 4B所示)也能夠用作第二晶粒元件20的4妄觸件，并且例如相對(duì)4交 小的焊球被設(shè)置用于連接晶粒元件10。在具有晶粒元件20的電路板200的實(shí)施例中，接觸件3對(duì)稱 的設(shè)置，晶粒元件20在上面(即第二晶粒平面)可以基本上緊密 地4皮此相鄰i殳置，此外第一晶粒元件10可以i殳置在第一平面內(nèi)，
其結(jié)果是與具有WLP的傳統(tǒng)電路板裝置300相比(比較圖1 )，能 夠?qū)崿F(xiàn)具有相當(dāng)高的封裝密度的WLP。由于使用的WLP例如是棵 晶粒元件，因此可以實(shí)現(xiàn)功效更大的電路板裝置200,而不會(huì)過(guò)度 地增加電路板裝置200的厚度(與成品相比)。從圖7 (底部)還可 以看出，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，電路板裝置200也可以被例如 才莫制層7覆蓋，其中例如至少部分凈果晶粒元件10和20、接觸件3 以及其它電子元件8被模制覆蓋，從而通過(guò)模制層為晶粒元件10 和20提供良好的機(jī)械保護(hù)。在才艮據(jù)圖6B的電路板裝置200與才艮據(jù)圖1的傳統(tǒng)電路板裝置 300的比較中，可以看出對(duì)于布置例如根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的 WLP形式的三個(gè)晶粒元件來(lái)說(shuō)(其中晶粒元件10和20設(shè)置有對(duì)稱 設(shè)置的接觸件3)，僅用完電路板1上的大約68%的面積，該整個(gè)面 積是傳統(tǒng)電游4反裝置300中WLP形式的三個(gè)晶粒元件的傳統(tǒng)布置 所需要的。電路板裝置100和200可以被構(gòu)造為例如存儲(chǔ)模塊。因此，在電路板裝置的每個(gè)所述實(shí)施例中，單獨(dú)的晶粒元件沒(méi) 有以其側(cè)邊;f皮此齊平的方式i殳置在4皮此上，而是在分別以這樣的方 式{殳置在例3口兩4亍或兩個(gè)平面內(nèi)，即上晶辟立平面內(nèi)的晶4立元4牛分別 與下晶粒平面內(nèi)的相應(yīng)的晶粒元件;鏡向4晉置，兩種可行的堆疊方法 已通過(guò)才艮據(jù)圖5和圖6的實(shí)施例以實(shí)例示出。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種電路板裝置，該電路板裝 置具有電^各板以及通過(guò)4妄觸件電傳導(dǎo)地耦合至該電鴻^板的多個(gè)晶 粒元件，其中晶粒元件被設(shè)置成在電路板上彼此橫向地部分重疊， 并且各個(gè)晶粒元件的接觸件彼此相鄰地設(shè)置。設(shè)置于晶粒元件處的接觸件可以具有焊塊或焊球。
，第 一 晶粒元件可以沿著電路板分別以它們之間具有間距的方 式彼此相鄰地設(shè)置在第一平面內(nèi)，并且在第一晶粒元件上方，第二 晶粒元件可以彼此相鄰地設(shè)置在第二平面內(nèi)，其中每個(gè)第二晶粒元 件均部分地與至少一個(gè)第一晶粒元件重疊至少一部分，并且至少部分地伸過(guò)鄰接第一晶粒元件與另 一部分的相應(yīng)的間距。根據(jù)電路板裝置的 一個(gè)實(shí)施例，第二晶粒元件中的 一個(gè)分別被 設(shè)置成橋接分別在兩個(gè)第 一 晶粒元件之間的間距。在每個(gè)第一晶粒元件的上方，兩個(gè)第二晶粒元件能夠以這樣的 方式4皮此相鄰地/沒(méi)置，即兩個(gè)第二晶粒元件中的每一個(gè)分別部分地 與第一晶粒元件重疊一個(gè)第一部分，并且分別部分地伸過(guò)鄰近第一 晶粒元件形成的各自的空間第二部分。兩個(gè)橫向部分重疊的晶粒元件的至少 一個(gè)晶粒元件在其重疊 部分可具有凹口 ，該凹口通過(guò)重疊部分與兩個(gè)晶粒元件的另一個(gè)4妻 合。才艮據(jù)一個(gè)實(shí)施例，晶粒元件可分別在其各自的橫向重疊部分具 有凹口，該凹口形成為4皮此互補(bǔ)，〗吏得一個(gè)晶粒元件的通過(guò)凹口形 成的橫截面與各自的其它晶粒元件的凹口接合。第二晶粒元件的接觸件分別設(shè)置于第二晶粒元件的 一部分處， 該部分不重疊。接觸件可包括焊塊、焊球、銅柱塊或類似的電傳導(dǎo)凸塊，其中 設(shè)置在第二平面內(nèi)的第二晶粒元件的接觸件可以纟皮構(gòu)造得比設(shè)置 在第一平面內(nèi)的第一 晶粒元件的^妄觸件大。電路板裝置的電路板可以;故構(gòu)造成至少在第二晶粒元件的部 分區(qū)i或中凸起，其中該部分不重疊。 4皮此相鄰i殳置在電路才反上的第一和第二晶粒元件的4矣觸件可 具有基本上被構(gòu)造成相同尺寸的焊塊或焊球。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，互連PCB部可設(shè)置在電路板與第二晶粒元 4牛的至少一部分之間，其中該部分不重疊。晶粒元件可以是凈果晶圓級(jí)封裝(W-CSP， WLP )。晶粒元件可以是朝下定向的晶粒。晶粒元件可具有小于或等于大約300 pm的厚度，例如小于或 等于100 iam的厚度。晶粒元件可具有存4諸單元。電路板裝置的電路板可在兩側(cè)配備有晶粒元件。電路板的至少具有晶粒元件的區(qū)域可被模制層覆蓋。才艮據(jù)本發(fā)明的 一 個(gè)實(shí)施例，用于制造電鴻4反裝置的方法包括在電路板上設(shè)置彼此橫向地部分重疊的多個(gè)晶粒元件；使晶粒元件通過(guò)接觸件電傳導(dǎo)地耦合至電路板，其中各個(gè)晶粒 元件的接觸件彼此相鄰地設(shè)置。
權(quán)利要求
1.一種電路板裝置，包括電路板以及通過(guò)接觸件電傳導(dǎo)地耦合至所述電路板的多個(gè)晶粒元件；并且其中所述晶粒元件被設(shè)置成在所述電路板上彼此橫向地部分重疊，并且各個(gè)所述晶粒元件的所述接觸件彼此相鄰地設(shè)置。
2 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，所述晶粒元件的所 述接觸件包括電傳導(dǎo)凸塊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板裝置，其中，所述晶粒元件的所 述接觸件包括焊塊、焊球、或銅柱塊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中第 一多個(gè)晶粒元件沿著所述電路板4皮此相鄰地設(shè)置在第 一平面內(nèi)，相鄰的所述第一多個(gè)晶粒元件之間具有間距；第二多個(gè)晶并立元件在所述第一平面的上方^皮此相鄰;l也i殳置在所述第二平面內(nèi)；以及其中每個(gè)所述第二多個(gè)晶粒元件部分地重疊所述第一多 個(gè)晶粒元件中的至少 一個(gè)，并且相應(yīng)的所述第二多個(gè)晶粒元件 至少部分;也重疊相應(yīng)的所述第 一多個(gè)晶4立元件之間的對(duì)應(yīng)的 空間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板裝置，其中，每個(gè)所述第二多個(gè) 晶粒元件均橋接所述第 一多個(gè)晶粒元件中的相應(yīng)兩個(gè)之間的 空間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板裝置，其中，上述每個(gè)所述第一 多個(gè)晶粒元件、所述第二多個(gè)晶粒元件中的兩個(gè)以這樣的方式 彼此相鄰地設(shè)置，即兩個(gè)所述第二多個(gè)晶粒元件中的每一個(gè)的 對(duì)應(yīng)的第 一部分部分;也重疊所述第 一多個(gè)晶并S元4牛中的7于應(yīng)的 一 個(gè)，并且兩個(gè)所述第二多個(gè)晶粒元件中的每 一 個(gè)的對(duì)應(yīng)部 分部分地延伸穿過(guò)與所述第 一多個(gè)晶粒元件中的對(duì)應(yīng) 一個(gè)相 鄰形成的^j"應(yīng)的間-巨。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，兩個(gè)橫向部分重疊 的晶粒元件中的至少 一個(gè)晶粒元件在其重疊部分具有凹口 ，所 述凹口與所述兩個(gè)晶粒元件的另 一個(gè)以其對(duì)應(yīng)的重疊部分4妾合。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電^各板裝置，其中，每個(gè)晶粒元件在其 對(duì)應(yīng)的4黃向重疊部分均具有凹口 ，所述凹口形成為與另 一晶*i 元件的另 一凹口互補(bǔ)，4吏得一個(gè)晶粒元件的通過(guò)所述凹口形成 的所述4黃向重疊部分與對(duì)應(yīng)的另 一晶粒元件的凹口 4妾合。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板裝置，其中，所述第二多個(gè)晶粒 元件的對(duì)應(yīng)沖妾觸件i殳置在所述對(duì)應(yīng)的第二多個(gè)晶粒元件的不 與其它晶粒元件相重疊的部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板裝置，其中，所述接觸件包括焊 塊或焊球，并且所述第二多個(gè)晶粒元件的所述接觸件比所述第 一多個(gè)晶粒元件的所述接觸件大。
11. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板裝置，其中，所述電路板被構(gòu)造 成至少在所述第二多個(gè)晶粒元件的不重疊部分的區(qū)域中凸起。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路板裝置，其中，所述第一和第二 多個(gè)晶粒元件的彼此相鄰設(shè)置的所述接觸件包括電傳導(dǎo)凸塊。
13. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板裝置，其中，所述第一和第二多 個(gè)晶粒元件的彼此相鄰設(shè)置的所述接觸件包括尺寸基本相同 的焊塊、焊J^或者銅柱塊。
14. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路板裝置，還包括設(shè)置在所述電路板 與所述第二多個(gè)晶粒元件的至少不重疊部分之間的互連P C B部。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，所述晶粒元件為棵 晶圓級(jí)封裝。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，所述晶粒元件為面 朝下定向的晶粒。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，所述各個(gè)晶粒元件 具有的厚度小于或等于大約100 nm。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，所述晶粒元件中的 至少一個(gè)包括存儲(chǔ)單元。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，所述電路板在兩側(cè) 配備有所述晶粒元件。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板裝置，其中，所述電路板的至少 具有所述晶粒元件的區(qū)域被模制層覆蓋。
21. —種電路板裝置的制造方法，包括在電路板上設(shè)置彼此橫向地部分重疊的多個(gè)晶粒元件；以及4吏所述晶粒元件通過(guò)4妄觸件電傳導(dǎo)地耦合至所述電路 板，其中所述各個(gè)晶粒元件的所述接觸件彼此相鄰地設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電路板裝置，其具有電路板以及多個(gè)晶粒元件，其中晶粒元件通過(guò)接觸件電傳導(dǎo)地耦合至電路板。其中晶粒元件被設(shè)置成在電路板上彼此橫向地部分地重疊，并且各個(gè)晶粒元件的接觸件彼此相鄰地設(shè)置。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101154655SQ20071015175
公開(kāi)日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
發(fā)明者S·多布里茨, 哈里·黑德勒 申請(qǐng)人:奇夢(mèng)達(dá)股份公司