專(zhuān)利名稱(chēng)：晶片的檢查裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片的沖企查裝置(Wafer inspecting equipment),尤其是可用 一個(gè)裝置同時(shí)進(jìn)行晶片的稀釋劑附著物檢查、涂布在晶片 表面上的光敏電阻的厚度測(cè)定、以及包括邊緣曝光在內(nèi)的晶片的側(cè) 面檢查的晶片的檢查裝置。
背景技術(shù)：
通常，光敏電阻的涂布方法是將晶片固定并安裝在工作臺(tái)上 后，如圖1所示，向所述晶片W的上表面中心噴射光壽丈電阻PR, 使所述晶片W以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)，從而集中在中心部的光敏電阻PR 涂布在晶片的整個(gè)面上，這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)在晶片的整個(gè)區(qū)域上均勻 地涂布光每文電阻，在曝光時(shí)，即l吏在晶片的中央部和周邊部l吏用同 樣的曝光能量，圖案差別也呈一定基準(zhǔn)。并且，如圖2的剖面部分所示，晶片上的光敏電阻PR必須僅 涂布在晶片W的上面，但是由于晶片旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心力，光每文電 阻PR如虛線所示，覆蓋晶片W的邊緣(edge)、即晶片的側(cè)面和下 面的 一 部分，成為4吏層疊有多個(gè)晶片的殼體內(nèi)部的側(cè)面及下面污染 的主要原因。為此，沿著圖2的垂直方向所表示的線除去光敏電阻， <旦是， 此時(shí)使用的是對(duì)光敏電阻的溶解能力良好的稀釋劑(thinner),如圖 3a所示，通過(guò)配置于晶片W上、下部的稀釋劑噴嘴100強(qiáng)勁噴射稀
釋劑，如圖3b所示，從而利用稀釋劑除去旋轉(zhuǎn)晶片W上的無(wú)用光 每丈電阻PR。與此同時(shí)，如圖4a所示，從稀釋劑噴嘴100噴射的稀釋劑依 次撞到涂布于晶片表面上的光敏電阻和腔室120的內(nèi)壁，然后，再 噴向稀釋劑噴嘴100的入口側(cè)，但是，此時(shí)所述稀釋劑溶解具有粘 度性的光敏電阻，如圖4b所示，稀釋劑粘附在稀釋劑噴嘴100的 入口側(cè)而凝固，從稀釋劑噴嘴100噴射的稀釋劑不具備直線前進(jìn)性， 其一部分撞到附著在入口側(cè)的稀釋劑直線前進(jìn)性，無(wú)規(guī)則地噴散到 晶片的表面，如圖4c所示，在所述晶片W的表面產(chǎn)生稀釋劑的污 跡，產(chǎn)生稀釋劑附著物(thinner attachment) 130，這種《希釋劑附著 物130在需要高精密度的晶片的造中會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的不良情況，所 以需要對(duì)稀釋劑附著物進(jìn)行檢查，但是存在肉眼可以確認(rèn)和因?yàn)檫^(guò) 于小而不能以肉眼確認(rèn)的情況。并且，有時(shí)不但需要對(duì)所述的稀釋劑附著物進(jìn)行檢查，還需要 對(duì)涂布在晶片的表面上的光敏電阻的厚度的均一性進(jìn)行檢查，在制 造晶片時(shí)，還要求對(duì)由于晶片的側(cè)面脫落而產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行檢查的 碎屑(chipping) 4企查、即側(cè)面4全查。另外，所述側(cè)面4企查還包括對(duì)由于邊纟彖曝光(edge expose )導(dǎo) 致的不良情況進(jìn)行檢查，關(guān)于所述邊緣曝光，參照附圖具體說(shuō)明如 下。通常，如圖3a所示，即使利用稀釋劑噴嘴100除去覆蓋晶片 的側(cè)面和下面的無(wú)用光每文電阻PR,如圖5a所示，通過(guò)曝光(Expose ) 后實(shí)際使用的部分也只是所表示的邊界內(nèi)的光敏電阻PR，邊界外 側(cè)的光每文電阻PR用于確保誤差容許范圍，在曝光后還是無(wú)用的光 每文電阻，必須除去。 該除去方法是，在晶片曝光時(shí)，邊界內(nèi)的光敏電阻PR接收光， 形成為凝固的狀態(tài)，而邊界外側(cè)的光每丈電阻PR還處于未凝固的狀 態(tài)，所以通過(guò)另外曝光而凝固后，在顯影時(shí)，4吏邊界內(nèi)側(cè)和外側(cè)光 每丈電阻一起除去。另一方面，上述一系列4企查、即對(duì)由于稀釋劑附著物產(chǎn)生的晶 片的污點(diǎn)#r查和對(duì)涂布在晶片表面上的光壽丈電阻的厚度的#r查不 能同步進(jìn)行，需要利用各自不同的檢查裝置檢查和確認(rèn)所述缺陷， ;險(xiǎn)查作業(yè)繁瑣和不^f更利不用說(shuō)，還存在作業(yè)速度和效率降低的問(wèn) 題。另夕卜，由所述稀釋劑附著物導(dǎo)致的晶片的污點(diǎn)檢查僅僅是對(duì)可 用肉眼確認(rèn)的進(jìn)行檢查，對(duì)肉眼不可確認(rèn)的稀釋劑附著物不進(jìn)行沖企 查，在4企查所述側(cè)面時(shí)，也<又<又是在晶片的上、下部i殳置相才幾，對(duì) 晶片的上面、下面的粒子等進(jìn)行^r查，實(shí)質(zhì)上不能對(duì)晶片的邊緣部 分進(jìn);f于;f屑;險(xiǎn)查、即側(cè)面4企查。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種晶片的檢查裝 置其可用 一個(gè)裝置同時(shí)檢查晶片的稀釋劑附著物和涂布在晶片表 面上光敏電阻的厚度測(cè)定、以及包括邊緣曝光的晶片的側(cè)面檢查。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供一種晶片的檢查裝置，其 特征在于，在具有上面、下面和側(cè)面的裝置本體的內(nèi)部包括固定 并使晶片旋轉(zhuǎn)的吸盤(pán)；第一裝置，設(shè)置在所述吸盤(pán)的上部側(cè)，對(duì)安 裝在吸盤(pán)上的晶片表面的稀釋劑附著物進(jìn)行檢測(cè)；第二裝置，對(duì)安 裝在所述吸盤(pán)上的晶片的上部側(cè)面和下部側(cè)面同時(shí)才全查，通過(guò)組合 這些一企查而進(jìn)行晶片的側(cè)面4企查；以及第三裝置，對(duì)安裝在所述吸 盤(pán)上的晶片的光壽文電阻的厚度進(jìn)行測(cè)定。
另外，所述裝置本體設(shè)置成可沿著基座上的側(cè)向軌移動(dòng)，所述基座的兩側(cè)具有側(cè)面導(dǎo)向fK另外，所述第一裝置包括稀釋劑附著物檢測(cè)用相機(jī)，所述稀釋 劑附著物;險(xiǎn)測(cè)用相才幾沿垂直方向設(shè)置在所述第一裝置的下部，所述稀釋劑附著物^r測(cè)用相機(jī)通過(guò)具有側(cè)向軌的支架可沿著裝置本體 的側(cè)面部移動(dòng)。另外，所述稀釋劑附著物4企測(cè)用相機(jī)在支撐體的下面一體形成 有包括多個(gè)燈的照明部，相機(jī)的鏡筒部在所述支撐體的中央貫穿。另外，所述第二裝置包括分別設(shè)置在晶片的一側(cè)的上部和另一 側(cè)的下部、沿著側(cè)向4九移動(dòng)第一^卒屑4企查部和第二^爭(zhēng)屑4企查部；所 述第一石爭(zhēng)屑^r查部和所述第二石卒屑4企查部包括分別設(shè)置在晶片的 一側(cè)的上部和另一側(cè)的下部、具有45度反射角的第一反射棱4竟和 第二反射棱鏡；以及第一碎屑檢查用相機(jī)和第二碎屑檢查用相機(jī)， 通過(guò)照明燈對(duì)從所述第 一反射棱4免和第二反射棱4免入射的晶片的 圖像進(jìn)行拍攝。另外，所述第二裝置包括上部反射棱鏡，設(shè)置在晶片的一側(cè) 上部，具有45度反射角；下部反射棱鏡，與所述上部反射棱鏡對(duì) 置地i殳置在晶片的下部，包括延伸部，所述延伸部用于入射被上部 反射棱鏡反射的圖像；碎屑檢查用相機(jī)，用于拍攝從所述下部反射 棱鏡入射的圖像；所述上部反射棱鏡、下部反射棱鏡和碎屑檢查用 相才幾構(gòu)成為沿著側(cè)向4九同時(shí)移動(dòng)。另外，所述第三裝置通過(guò)可沿著移送軌在晶片的半徑方向上移 動(dòng)的頭部件向晶片的表面照射發(fā)光部的光，被反射的光通過(guò)頭部件 由受光部接收，所述被接收的光通過(guò)分光傳感器分離成各個(gè)波段，
利用所述被分離的各個(gè)波段的信號(hào)強(qiáng)度對(duì)涂布在晶片表面上的光 敏電阻的厚度進(jìn)行測(cè)定。本發(fā)明通過(guò)用 一個(gè)裝置同時(shí)進(jìn)行晶片的稀釋劑附著物檢查、側(cè) 面檢查以及光敏電阻的厚度測(cè)定，從而不會(huì)象現(xiàn)有技術(shù)那樣，在用 其他裝置完成各檢查后，必須組合檢查結(jié)果判斷晶片有無(wú)不良，使 得作業(yè)煩瑣、不便，而是可以在一個(gè)組件內(nèi)即時(shí)判斷晶片是否不良， 不但可以確保晶片才企查的迅速性和簡(jiǎn)便性，而且還可以同時(shí)進(jìn)行現(xiàn) 有技術(shù)中不能檢查的包括邊緣曝光的側(cè)面檢查，所以具有可以實(shí)現(xiàn) 晶片檢查的正確性和快速的效果。


圖1是用于說(shuō)明通常晶片的稀釋劑附著物的示例圖，是表示在晶片上涂布光^t電阻的過(guò)程的平面圖；圖2是用于說(shuō)明通常晶片的稀釋劑附著物的示例圖，是表示晶 片上的光敏電阻的涂布狀態(tài)的剖視圖；圖3是用于說(shuō)明通常晶片的稀釋劑附著物的示例圖，圖3a、圖 3b是表示除去無(wú)用的晶片上的光敏電阻的過(guò)程的主視圖和俯視圖；圖4是用于說(shuō)明通常晶片的稀釋劑附著物的示例圖，圖4a至 圖4c是表示產(chǎn)生稀釋劑附著物的過(guò)程的示例圖；圖5a、圖5b是表示邊》彖曝光(edge expose)過(guò)程的剖一見(jiàn)圖；圖6是表示本發(fā)明的整體構(gòu)成的剖視圖；圖7是表示圖5的第二裝置的局部放大立體圖8a是表示本發(fā)明的第二裝置的第一實(shí)施例的示意構(gòu)成圖， 圖8b是表示本發(fā)明的第二裝置的第二實(shí)施例的示意構(gòu)成圖；圖9是表示本發(fā)明的第二裝置的檢查過(guò)程的俯視圖；以及圖IO是表示本發(fā)明的第三裝置的構(gòu)成的示意構(gòu)成圖。
具體實(shí)施方式
以下參照附圖，通過(guò)實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成。圖6是表示本發(fā)明的整體構(gòu)成的剖視圖。在此，如圖所示，本發(fā)明包4舌具有上面、下面和側(cè)面的裝置本 體l,在所述裝置本體1的內(nèi)部包括利用真空吸附來(lái)固定且使晶 片W旋轉(zhuǎn)的吸盤(pán)2;第一裝置3，用于^r測(cè)安裝在所述吸盤(pán)2上的 晶片W表面的稀釋劑附著物；進(jìn)行所述晶片W的側(cè)面檢查的第二裝 置4;以及第三裝置5,用于測(cè)定所述晶片W的光壽丈電阻的厚度； 其特征為，可以在一個(gè)組件內(nèi)同時(shí)進(jìn)行晶片的稀釋劑附著物和側(cè)面 才全查、以及光壽文電阻的厚度測(cè)定。并且，所述裝置本體1構(gòu)成為可沿著基座6上的側(cè)向4九R1移 動(dòng)，為了可引導(dǎo)裝置本體1移動(dòng)，在基座6的兩側(cè)一體形成有側(cè)面 導(dǎo)向件6a。所述第一裝置3為在安裝于吸盤(pán)2上的晶片W的上部，朝向 所述晶片在其下部的垂直方向上設(shè)置有稀釋劑附著物4會(huì)測(cè)用相枳^ (camera) 31,通過(guò)被拍攝的晶片的表面圖像對(duì)晶片的稀釋劑附著 物進(jìn)行檢測(cè)，利用具有側(cè)向軌R1的支架32在裝置本體1的側(cè)面部 可移動(dòng)。 另外，所述稀釋劑附著物4企測(cè)用相才幾31的照明部33 —體形成， 所述照明部33由支撐體33a形成，相才幾的鏡筒部貫穿支撐體33a 的中央部，在所述支撐體33a的下面包4舌多個(gè)燈33。如圖7所示，本發(fā)明的第二裝置4構(gòu)成為可以沿著側(cè)向軌Rl 移動(dòng)，位于安裝在吸盤(pán)2上的晶片W的側(cè)面部。圖8a是本發(fā)明的第二裝置的第一實(shí)施例，在此，如圖所示， 本發(fā)明由設(shè)置在晶片W的一側(cè)的上部和另一側(cè)的下部的第一、第二 石爭(zhēng)屑4全查部41 、 42構(gòu)成，該第 一 、第二石f屑 一企查部41 、 42可沿著 側(cè)向4九R1和裝置本體1的側(cè)面移動(dòng)。所述第一、第二碎屑檢查部41、 42包括分別設(shè)置在晶片的 一側(cè)上部和另一側(cè)下部、具有45度反射角的第一、第二反射棱鏡 41a、 42a;以及第一、第二碎屑沖全查用相機(jī)41b, 42b,通過(guò)照明燈 46對(duì)從所述第一、第二反射棱鏡41a、 42a入射的晶片的圖像進(jìn)行拍攝。如此構(gòu)成的本發(fā)明，通過(guò)組合與利用第一石爭(zhēng)屑4企查部41拍掘^ 的晶片的上部側(cè)面對(duì)應(yīng)的圖^f象、以及與利用第二^f爭(zhēng)屑才全查部42拍 攝的晶片的下部側(cè)面對(duì)應(yīng)的圖像，由此進(jìn)行晶片W的側(cè)面才全查，但 是，此時(shí)如圖IO所示，通過(guò)吸盤(pán)2使所述晶片旋轉(zhuǎn)180度，所述 第一石卒屑;險(xiǎn)查部41和第二碎屑4企查部42沿著側(cè)向4九Rl作直線往 復(fù)運(yùn)動(dòng)，同時(shí)對(duì)晶片進(jìn)4亍側(cè)面才企查。圖8b是本發(fā)明的第二裝置的第二實(shí)施例，在此如圖所示，本 發(fā)明在晶片W的一側(cè)上部包括具有45度反射角的上部反射棱鏡43， 在晶片W的另一側(cè)下部具有下部反射棱鏡44,該下部反射棱鏡44 與所述上部反射棱鏡43對(duì)置，具有使通過(guò)^皮上部反射棱鏡43反射 的圖像入射的延伸部44a，在所述下部反射棱鏡44的側(cè)面部具有碎
屑檢查用相機(jī)4，用于拍攝從下部反射棱鏡44入射的圖像5，與所 述第一實(shí)施例同樣，使晶片旋轉(zhuǎn)，所述上、下部反射棱4免43、 44 和碎屑沖企查用相才幾45沿著側(cè)向?qū)＞臨l同時(shí)作直線往復(fù)運(yùn)動(dòng)。圖9是表示本發(fā)明的第三裝置的構(gòu)成圖。如圖所示，本發(fā)明的第三裝置構(gòu)成為，利用分光傳感器54的 波長(zhǎng)測(cè)定涂布在晶片W的表面上的光敏電阻PR的厚度，為此，設(shè) 置有可以沿著移送軌R2在晶片的半徑方向上移動(dòng)的頭部件51,所 述頭部件51與發(fā)光部52及受光部53連接，所述受光部53包括與 分光傳感器54連4妾的電路，分光傳感器54與該控制部55連4妄。如此構(gòu)成的本發(fā)明中，首先，發(fā)光部52的光通過(guò)頭部件51向 晶片W的表面照射，從晶片反射的光再通過(guò)頭部件51被受光部53 吸收。并且該"及收的光利用分光傳感器54分離成各個(gè)波,殳，利用 該分離的各個(gè)波段的信號(hào)強(qiáng)度，由控制部55測(cè)定涂布于晶片的表 面上的光敏電阻的厚度，此時(shí)各個(gè)波段信號(hào)的強(qiáng)度與透射率呈正 比，與厚度呈反比。即，厚度大時(shí)透射率低，厚度薄時(shí)透射率高， 從而可以對(duì)涂布于晶片的表面上的光敏電阻的厚度進(jìn)行測(cè)定。另一方面，隔著所述側(cè)向軌R1和移送軌R2的裝置本體1和稀 釋劑附著物檢測(cè)用相機(jī)31以及PR厚度檢測(cè)用頭部件51利用通常 的裝置進(jìn)行移動(dòng)，代表裝置可采用LM導(dǎo)向件。
符號(hào)說(shuō)明1:裝置本體 3:第一裝置 5:第三裝置 6a:側(cè)面導(dǎo)向4牛 32:支架 33a:支撐體2:吸盤(pán)(chuck) 4:第二裝置 6:基座31:稀釋劑附著物檢測(cè)用相機(jī) 33:照明部 33b:燈41、 42:第一、第二》卒屑才企查部41a、 42a:第一、第二反射棱鏡41b、 42b:第一、第二碎屑沖企查用相機(jī)43、 44:上、下部反射對(duì)菱4竟44a:延伸部 51:頭部件 53:受光部 55:控制部45: A卒屑4企查用相才幾 52:發(fā)光部 54:分光傳感器 W:晶片
權(quán)利要求
1.一種晶片的檢查裝置，其特征在于，在具有上面、下面和側(cè)面的裝置本體(1)的內(nèi)部包括固定并使晶片(W)旋轉(zhuǎn)的吸盤(pán)(2)；第一裝置(3)，設(shè)置在所述吸盤(pán)(2)的上部側(cè)，對(duì)安裝在吸盤(pán)(2)上的晶片(W)的表面稀釋劑附著物進(jìn)行檢測(cè)；第二裝置(4)，對(duì)安裝在所述吸盤(pán)(2)上的晶片(W)的上部側(cè)面和下部側(cè)面同時(shí)檢查，通過(guò)這些檢查的組合而進(jìn)行晶片(W)的側(cè)面檢查；以及第三裝置(5)，對(duì)安裝在所述吸盤(pán)(2)上的晶片(W)的光敏電阻的厚度進(jìn)行測(cè)定。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，所述裝 置本體(1 ) i殳置成可沿著基座(6)上的側(cè)向4九(Rl )移動(dòng)， 所述基座(6)的兩側(cè)具有側(cè)面導(dǎo)向件(6a)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，所述第 一裝置(3)包括設(shè)置在下部垂直方向上的稀釋劑附著物檢測(cè) 用相機(jī)(31 ),所述稀釋劑附著物檢測(cè)用相機(jī)(31 )可利用具 有側(cè)向軌(Rl )的支架(32)沿著裝置本體(1 )的側(cè)面部移 動(dòng)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，所述稀 釋劑附著物;險(xiǎn)測(cè)用相才幾(31)在支撐體(33a)的下面一體形 成有包^fe多個(gè)燈(33b)的照明部(33),相才幾的4竟筒部貫穿所 述支撐體(33a)的中央。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，所述第 二裝置(4)包括分別設(shè)置在晶片的一側(cè)的上部和另一側(cè)的下 部、沿著側(cè)向?qū)＞?Rl)移動(dòng)的第一-爭(zhēng)屑4企查部(41)和第二 石爭(zhēng)屑檢查吾P (42);所述第一碎屑檢查部(41)和所述第二碎屑檢查部(42) 包括分別設(shè)置在晶片的一側(cè)的上部和另一側(cè)的下部、具有 45度反射角的第一反射棱鏡(41a)和第二反射棱鏡(42a); 以及第一碎屑檢查用相機(jī)(41b )和第二碎屑檢查用相機(jī)(42b )， 通過(guò)照明燈對(duì)從所述第一反射棱鏡(41a)和第二反射棱鏡 (42a )入射的晶片的圖像進(jìn)行拍攝。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，所述第 二裝置(4)包括上部反射棱鏡(43)，設(shè)置在晶片(W)的一側(cè)上部，具 有45度反射角；下部反射棱鏡(44),與所述上部反射棱4竟(43)對(duì)置地 設(shè)置在晶片(W)的下部，包括延伸部(44a)，所述延伸部(44a) 用于入射被上部反射棱鏡(43)反射的圖像；碎屑#企查用相才幾(45 ),用于拍4聶從所述下部反射棱4竟 (44)入射的圖《象；所述上部反射棱鏡(43)、下部反射棱鏡(44)和碎屑檢 查用相才幾(45)構(gòu)成為沿著側(cè)向4九(Rl)同時(shí)移動(dòng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的檢查裝置，其特征在于，所述第 三裝置(5)通過(guò)可沿著移送軌(R2)在晶片的半徑方向上移 動(dòng)的頭部件(51)向晶片的表面照射發(fā)光部(52)的光， 一皮反 射的光通過(guò)頭部件(51 )由受光部(53 ) *接收，所述被接收的 光通過(guò)分光傳感器(54)分離成各個(gè)波段，利用所述被分離的 各個(gè)波段的信號(hào)強(qiáng)度對(duì)涂布在晶片表面上的光敏電阻的厚度 進(jìn)4亍測(cè)定。
全文摘要
本發(fā)明涉及晶片的檢查裝置，可用一個(gè)裝置同時(shí)檢查晶片的稀釋劑附著物和涂布在晶片表面上的光敏電阻的厚度測(cè)定、以及包括邊緣曝光的晶片的側(cè)面檢查。在具有上、下面和側(cè)面的裝置本體(1)內(nèi)部包括固定并使晶片旋轉(zhuǎn)的吸盤(pán)(2)；第一裝置(3)，設(shè)置在吸盤(pán)(2)上部，檢測(cè)安裝在吸盤(pán)(2)上的晶片表面的稀釋劑附著物；第二裝置(4)，同時(shí)檢查晶片的上部側(cè)面和下部側(cè)面，通過(guò)組合這些檢查而進(jìn)行晶片的側(cè)面檢查；以及第三裝置(5)，對(duì)安裝在吸盤(pán)(2)上的晶片的光敏電阻的厚度進(jìn)行測(cè)定。由此可確保晶片檢查的迅速性和簡(jiǎn)便性，還可同時(shí)進(jìn)行現(xiàn)有技術(shù)中不能檢查的包括邊緣曝光的側(cè)面檢查，所以具有可實(shí)現(xiàn)晶片檢查的正確性和快速的效果。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101162700SQ200710151749
公開(kāi)日2008年4月16日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月12日
發(fā)明者姜緡徹, 樸鐘夏, 裵基先, 金鎬烈 申請(qǐng)人:De&T株式會(huì)社