晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及從在背面形成有圓形凹部和圍繞圓形凹部的環(huán)狀凸部的晶片上去除環(huán)狀凸部的晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件制造工藝中，在呈大致圓板形狀的半導(dǎo)體晶片(以下，也簡(jiǎn)稱為晶片)的正面被呈格子狀排列的被稱作切割線的分割預(yù)定線劃分出多個(gè)區(qū)域，并在該被劃分出的區(qū)域上形成IC、LSI等的器件。而且，通過切削裝置沿著切割線切削半導(dǎo)體晶片，從而半導(dǎo)體晶片被分割為各個(gè)半導(dǎo)體芯片(器件)。
[0003]在沿著切割線切削待分割的晶片之前，先磨削其背面使之形成為規(guī)定的厚度。近些年來，為了達(dá)成電氣設(shè)備的輕量化、小型化，要求進(jìn)一步降低晶片的厚度，例如為50 μπι左右。
[0004]如上較薄形成的晶片如紙般不存在腰部而難以處理，在搬運(yùn)等時(shí)可能發(fā)生破損。于是，例如在日本特開2007-19461號(hào)公報(bào)中提出了如下的磨削方法，僅磨削對(duì)應(yīng)于晶片的器件區(qū)域的背面，并且在與圍繞器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的晶片的背面上形成加強(qiáng)用的環(huán)狀凸部。
[0005]作為如上沿著切割線(分割預(yù)定線)分割在背面的外周上形成有環(huán)狀凸部的晶片的方法，已提出了在去除了環(huán)狀凸部后，通過切削刀從晶片的正面?zhèn)惹邢鞯姆椒?參照日本特開2007-19379號(hào)公報(bào))。
[0006]在日本特開2007-17379號(hào)公報(bào)中，作為去除環(huán)狀凸部的方法，公開了通過磨削去除環(huán)狀凸部的方法、以及在通過切削刀將圓形凹部與環(huán)狀凸部的界面切削為圓形后，去除環(huán)狀凸部的方法。
[0007]專利文獻(xiàn)I日本特開2007-19461號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2日本特開2007-19379號(hào)公報(bào)
[0009]然而，在從器件區(qū)域上去除環(huán)狀凸部時(shí)，會(huì)存在環(huán)狀凸部易于破損、環(huán)狀凸部破損而損傷器件區(qū)域、需要用于去除環(huán)狀凸部的特殊裝置等問題，去除環(huán)狀凸部時(shí)存在難度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明就是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供一種在不破損環(huán)狀凸部的情況下能夠容易去除的晶片的加工方法。
[0011]本發(fā)明提供一種晶片的加工方法，該晶片在正面具有形成了多個(gè)器件的器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，且形成有與該器件區(qū)域?qū)?yīng)的背面被磨削為規(guī)定的厚度的圓形凹部和圍繞該圓形凹部的與該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的環(huán)狀凸部，該晶片的加工方法的特征在于，具有:第一帶貼附步驟，在晶片的正面貼附第一帶，并且隔著該第一帶將晶片安裝于第一環(huán)狀框架上；分離步驟，在實(shí)施了該第一帶貼附步驟后，隔著該第一帶通過卡盤臺(tái)保持晶片，對(duì)該環(huán)狀凸部與該器件區(qū)域之間的邊界照射激光束，將晶片與該第一帶一起截?cái)啵蛛x為該器件區(qū)域和該環(huán)狀凸部；以及去除步驟，在實(shí)施了該分離步驟后，將隔著該第一帶安裝于該第一環(huán)狀框架上的該環(huán)狀凸部與該第一環(huán)狀框架一起從晶片的該器件區(qū)域去除。
[0012]本發(fā)明的晶片的加工方法還具有:第二帶貼附步驟，在實(shí)施了該去除步驟后，在僅由該器件區(qū)域構(gòu)成的晶片的背面貼附第二帶，并隔著該第二帶將晶片安裝于第二環(huán)狀框架上；第一帶去除步驟，在實(shí)施該第二帶貼附步驟之前或之后，從晶片的正面去除該第一帶；以及分割步驟，在實(shí)施了該第二帶貼附步驟和該第一帶去除步驟后，將晶片分割為各個(gè)器件。
[0013]本發(fā)明的晶片的加工方法還具有:保護(hù)膜覆蓋步驟，在實(shí)施該分離步驟之前，在晶片的背面覆蓋水溶性保護(hù)膜；以及保護(hù)膜去除步驟，至少在實(shí)施了該保護(hù)膜覆蓋步驟和該分離步驟后，對(duì)晶片的背面供給清洗水并去除該保護(hù)膜。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的加工方法，在實(shí)施了基于激光束照射的分離步驟后，將貼附于第一帶上的環(huán)狀凸部與第一環(huán)狀框架一起從晶片的器件區(qū)域上去除，因此能夠在不破損環(huán)狀凸部的情況下容易地將其從器件區(qū)域上去除。
[0015]由于通過激光束的照射來實(shí)施分離步驟，因此即使在作為圓形凹部的底部的晶片的背面上覆蓋有金屬膜也不會(huì)產(chǎn)生腐蝕。此外，使用激光束進(jìn)行分離步驟，因此能夠使切口小于通過切削刀切割時(shí)的大小，因此能夠最大限度保證有效器件的區(qū)域。
【附圖說明】
[0016]圖1是半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)攘Ⅲw圖。
[0017]圖2是在正面上貼附有保護(hù)帶的狀態(tài)的晶片的背面?zhèn)攘Ⅲw圖。
[0018]圖3是表示磨削步驟的立體圖。
[0019]圖4是磨削步驟結(jié)束后的晶片的剖面圖。
[0020]圖5是表示第一帶貼附步驟的立體圖。
[0021]圖6是激光加工裝置的立體圖。
[0022]圖7是表示保護(hù)膜覆蓋步驟的剖面圖。
[0023]圖8是表示分離步驟的立體圖。
[0024]圖9是表示分離步驟的放大剖面圖。
[0025]圖10是表不去除步驟的立體圖。
[0026]圖11是表示清洗步驟的剖面圖。
[0027]圖12是表示第二帶貼附步驟的立體圖。
[0028]圖13是表不第一帶去除步驟的立體圖。
[0029]圖14是表示分割步驟的立體圖。
[0030]標(biāo)號(hào)說明
[0031]10:磨削輪，11:半導(dǎo)體晶片，14:磨削磨石，17:器件區(qū)域，18:圓形凹部，19:外周剩余區(qū)域，20:環(huán)狀凸部，23:保護(hù)帶，44:激光束照射組件，48:聚光器，50:保護(hù)膜覆蓋裝置，54:旋轉(zhuǎn)臺(tái)，62:水溶性樹脂供給噴嘴，66:清洗水供給噴嘴，74:切削組件，78:切削刀，Tl:第一切割帶，T2:第二切割帶，F(xiàn)l:第一環(huán)狀框架，F(xiàn)2:第二環(huán)狀框架。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。參照?qǐng)D1，示出半導(dǎo)體晶片(以下，也簡(jiǎn)稱為晶片)11的正面?zhèn)攘Ⅲw圖。半導(dǎo)體晶片11由例如厚度為700 μπι的硅晶片構(gòu)成，且在正面Ila上呈格子狀形成有多條切割線(分割預(yù)定線)13，并且在被多條切割線13劃分出的各區(qū)域上形成有IC、LSI等的器件15。
[0033]如上構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片11在正面Ila上具有形成有器件15的器件區(qū)域17、以及圍繞器件區(qū)域17的外周剩余區(qū)域19。此外，在半導(dǎo)體晶片11的外周形成有作為表示硅晶片的結(jié)晶方位的標(biāo)記的凹口 21。
[0034]在磨削晶片11的背面Ilb時(shí)，在晶片11的正面Ila上貼附有保護(hù)帶23。因此，晶片11的正面Ila被保護(hù)帶23保護(hù)，如圖2所示，成為背面Ilb露出的形式。
[0035]在作為本發(fā)明的加工方法的加工對(duì)象的晶片11上，與器件區(qū)域17對(duì)應(yīng)的晶片11的背面Ilb被磨削為規(guī)定的厚度且形成有圓形凹部，并且該晶片還形成有圍繞圓形凹部的與外周剩余區(qū)域19對(duì)應(yīng)的環(huán)狀凸部，參照?qǐng)D3和圖4說明晶片的磨削方法。
[0036]在圖3中，符號(hào)2是磨削裝置的磨削組件，其具有以能夠旋轉(zhuǎn)的方式收容于主軸殼體4中的主軸6、固定于主軸6的前端上的輪安裝器8、以自由拆裝的方式安裝于輪安裝器8上的磨削輪10。磨削輪10由環(huán)狀的輪基座12和呈環(huán)狀貼附于輪基座12的下端外周部上的多個(gè)磨削磨石14構(gòu)成。
[0037]在背面磨削步驟中，通過磨削裝置的卡盤臺(tái)16吸附保持貼附于晶片11的正面Ila上的保護(hù)帶23，使晶片11的背面Ilb露出。然后，使卡盤臺(tái)16在箭頭A所示的方向上例如以300rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且使磨削輪10在箭頭B所示的方向上例如以6000rpm進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且驅(qū)動(dòng)未圖示的磨削組件進(jìn)給機(jī)構(gòu)，使磨削磨石14接觸晶片11的背面lib。然后，使磨削輪10以規(guī)定的磨削進(jìn)給速度向下方規(guī)定的量進(jìn)行磨削進(jìn)給。
[0038]其結(jié)果，在半導(dǎo)體晶片11的背面Ilb上，如圖4所示，與器件區(qū)域17對(duì)應(yīng)的區(qū)域被磨削去除而形成圓形凹部18，并且殘留外周剩余區(qū)域19而形成環(huán)狀凸部20。
[0039]在晶片11的背面磨削結(jié)束后，本發(fā)明的晶片的加工方法，如圖5所示，實(shí)施第一帶貼附步驟，剝離貼附于晶片11的正面Ila上的保護(hù)帶23，在晶片正面Ila上貼附作為粘結(jié)帶的第一切割帶Tl，隔著第一切割帶Tl將晶片11安裝于第一環(huán)狀框架Fl上。S卩，將晶片11的正面Ila貼附于第一切割帶Tl上，該第一切割帶Tl的外周部貼附于第一環(huán)狀框架Fl上。
[0040]也可以不剝離貼附于晶片11的正面Ila上的保護(hù)帶23，而是隔著保護(hù)帶23將第一切割帶Tl貼附于晶片正面Ila上。
[0041]參照?qǐng)D6，示出在分離器件區(qū)域17與環(huán)狀凸部20時(shí)使用的激光加工裝置22的立體圖。在激光加工裝置22的前表面?zhèn)仍O(shè)有用于由操作者輸入加工條件等的對(duì)于裝置的指示的操作面板24。裝置上部設(shè)有顯示對(duì)于操作者的引導(dǎo)畫面和由后述的攝像組件攝像的圖像的CRT等的監(jiān)視器26。
[0042]如圖5所示，晶片11處于隔著第I切割帶Tl支撐于第I環(huán)狀框架Fl上的狀態(tài)，在圖6所示的晶片盒28中收容有多塊(例如25塊)晶片。晶片盒28放置于能夠上下移動(dòng)的盒升降器29上。
[0043]在晶片盒28的后方配設(shè)有搬入搬出單元30，該搬入搬出單元30用于從晶片盒28中搬出激光加工前的晶片11，并將加工后的晶片搬入晶片盒28。
[0044]在晶片盒28與搬入搬出單元30之間設(shè)有作為暫時(shí)放置搬入搬出對(duì)象的晶片的區(qū)域的暫放區(qū)域32，在暫放區(qū)域32配設(shè)有用于使晶片11對(duì)準(zhǔn)一定的位置的對(duì)位單元34。
[0045]50是保護(hù)膜覆蓋裝置，該保護(hù)膜覆蓋裝置50兼作為對(duì)加工后的晶片進(jìn)行清洗的清洗裝置。在暫放區(qū)域32的附近配設(shè)有搬運(yùn)單元36，該搬運(yùn)單元36具有吸附并搬運(yùn)與晶片11形成為一體的第I框架Fl。
[0046]被搬出到暫放區(qū)域32上的晶片11被搬運(yùn)單元36吸附而搬運(yùn)至保護(hù)膜覆蓋裝置50。保護(hù)膜覆蓋裝置50，如后詳細(xì)所述，在晶片11的背面涂布水溶性樹脂以覆蓋保護(hù)膜。
[0047]背面覆蓋有保護(hù)膜的晶片11被搬運(yùn)單元36吸附并搬運(yùn)至卡盤臺(tái)38上，其吸附于卡盤臺(tái)38上，通過被多個(gè)固定單元(夾鉗)39固定住第I框架F，從而該晶片11保持于卡盤臺(tái)38上。
[0048]卡盤臺(tái)38構(gòu)成為能夠進(jìn)行旋轉(zhuǎn)且能夠在X軸方向上進(jìn)行往返移動(dòng)，在卡盤臺(tái)38的X軸方向的移動(dòng)路徑的上方配設(shè)有檢測(cè)晶片11的待激光加工區(qū)域的校準(zhǔn)組件40。
[0049]校準(zhǔn)組件40具有對(duì)晶片11攝像的攝像組件42，其根據(jù)通過攝像而取得的圖像，能夠通過圖案匹配等的圖像處理檢測(cè)待激光加工的區(qū)域。由攝像組件42取得的圖像顯示于顯示組件26上。
[0050]在校準(zhǔn)組件40的