芯片間隔維持裝置以及芯片間隔維持方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將隔著擴張膜支撐于環(huán)狀框架上的被加工物的分割后的各個芯片維持為擴張芯片間隔的狀態(tài)的芯片間隔維持裝置以及芯片間隔維持方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，已知在貼附于擴張膜上的被加工物上，沿著分割預(yù)定線形成改質(zhì)層、激光加工槽、切削槽等的分割起點，然后將被加工物分割為各個芯片的方法(例如，參照專利文獻I)。在專利文獻I所述的分割方法中，粘貼于環(huán)狀框架上的擴張膜擴張，從而對沿著分割預(yù)定線形成的分割起點施加外力，沿著該強度降低的分割起點將被加工物分割為各個芯片。然而，一旦解除了擴張膜的擴張，則會在擴張膜上產(chǎn)生較大的松弛，相鄰芯片彼此接觸而存在產(chǎn)生缺損和破損的可能性。
[0003]因此，還提出了在維持(固定)芯片間的間隔的狀態(tài)下，對擴張膜的松弛程度較大的被加工物的周圍賦予熱等的外部刺激，使擴張膜的松弛收縮的方法。對于該方法，擔(dān)心由于擴張膜的材質(zhì)和厚度而使得基于外部刺激的松弛收縮不充分，或者松弛不發(fā)生收縮。于是，提出了一種把持?jǐn)U張膜的松弛并進行熱壓接，從而在擴張膜上形成張力的方法(例如，參照專利文獻2)。在該專利文獻2所述的方法中，使在被加工物的周圍產(chǎn)生的擴張膜的松弛向上方隆起，在全周范圍把持該隆起部并進行熱壓接，以去除擴張膜的松弛。
[0004]專利文獻I日本特開2007-189057號公報
[0005]專利文獻2日本特開2013-239557號公報
[0006]然而，在擴張膜貼附于環(huán)狀框架上時，會在擴張膜的一個方向上施加張力，因而會在被施加張力的一個方向和與其正交的另一個方向上產(chǎn)生張力偏差。因此，在專利文獻2所述的方法中，受到擴張膜內(nèi)在的張力影響，會在被加工物的周圍的徑向不同距離處產(chǎn)生隆起部。因此，在從上表面觀察時，被加工物的周圍會被隆起部呈橢圓狀包圍，存在難以在全周范圍內(nèi)對隆起部熱壓接以去除擴張膜的松弛的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明就是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠在短時間內(nèi)準(zhǔn)確地去除由于擴張膜的擴張而產(chǎn)生的松弛的芯片間隔維持裝置以及芯片間隔維持方法。
[0008]本發(fā)明的芯片間隔維持裝置，其將構(gòu)成貼附于擴張膜上而安裝于環(huán)狀框架上的被加工物的多個芯片的間隔維持為擴張狀態(tài)，其具有:工作臺，其具有支撐被加工物的支撐面，并且隔著擴張膜以能夠吸附保持的方式支撐被加工物；框架保持單元，其具有在該工作臺的周圍保持環(huán)狀框架的保持面；擴張單元，其通過擴張該擴張膜而在多個該芯片間形成間隔；加熱單元，其從上方側(cè)對隆起部照射熱而使其收縮，其中，該隆起部是在隔著該擴張膜通過該工作臺吸附保持被該擴張單元擴張了該擴張膜而在該芯片間形成有間隔的多個該芯片的同時，通過解除該擴張單元的擴張而在被加工物的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間由該擴張膜的多余部分隆起而成的；以及按壓單元，其配設(shè)于與該加熱單元的熱照射口相對的隔著該擴張膜的正下方，且從該擴張膜的下方向該加熱單元的該熱照射口的方向按壓該擴張膜，使該隆起部向該加熱單元的該熱照射口的附近移動。
[0009]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，被加工物保持于工作臺上，而環(huán)狀框架保持于框架保持單元上，通過擴張膜擴張而在芯片間形成間隔。然后，在憑借工作臺的吸附在被加工物的芯片間維持間隔的狀態(tài)下解除擴張膜的擴張，從而在被加工物的外周與環(huán)狀框架的內(nèi)周之間，通過擴張膜的松弛產(chǎn)生的多余部分隆起而形成隆起部。此時，憑借擴張膜內(nèi)在的張力的偏差，在產(chǎn)生于被加工物的周圍的隆起部從熱照射口的正下方偏離時，憑借按壓單元按壓擴張膜而使得隆起部移動至熱照射口的正下方。隆起部向熱照射口的附近移動，因此從熱照射口起向隆起部照射熱，能夠使隆起部高效地?zé)崾湛s。
[0010]另外，本發(fā)明的芯片間隔維持方法，使用如上所述的芯片間隔維持裝置，將構(gòu)成貼附于擴張膜上而安裝于環(huán)狀框架上的被加工物的多個芯片的間隔維持為擴張狀態(tài)，具有:保持步驟，在該工作臺上隔著該擴張膜載置被加工物，并且通過該框架保持單元保持該環(huán)狀框架；芯片間隔擴張步驟，在實施了該保持步驟后，使該工作臺和該框架保持單元在鉛直方向上相對移動規(guī)定的距離，使該工作臺相對于該框架保持單元頂起而延展該擴張膜，從而在該多個芯片間形成間隔；吸附保持步驟，在實施了該芯片間隔擴張步驟后，通過該工作臺隔著該擴張膜吸附保持被加工物，從而維持相鄰的該芯片間的間隔；隆起部形成步驟，在開始了該吸附保持步驟后，使該工作臺和該框架保持單元在鉛直方向上相對移動，解除該工作臺相對于該框架保持單元的頂起，形成該擴張膜擴張而形成的該擴張膜的多余部位在被加工物的外周側(cè)向該擴張膜的正面?zhèn)嚷∑鸲傻穆∑鸩?；以及加熱收縮步驟，在實施了該隆起部形成步驟后，通過該按壓單元按壓擴張膜，使該隆起部移動至該加熱單元的該熱照射口的正下方，并且通過該加熱單元使該隆起部加熱收縮。
[0011 ]另外，在上述芯片間隔維持方法中，在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的被加工物上，沿著該分割預(yù)定線形成有分割起點，在該芯片間隔擴張步驟中，被加工物被分割為多個芯片，并且在芯片間形成有間隔。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，通過使在解除了擴張膜的擴張狀態(tài)后產(chǎn)生的隆起部向熱照射口的正下方移動，從而能夠在短時間內(nèi)準(zhǔn)確地去除由于擴張膜的擴張而產(chǎn)生的松弛。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實施方式的芯片間隔維持裝置的立體圖。
[0014]圖2A?2C是本實施方式的工作臺的上表面示意圖和剖面示意圖。
[0015]圖3A?3C是本實施方式的按壓單元的動作說明圖。
[0016]圖4是表示本實施方式的保持步驟的一例的圖。
[0017]圖5是表示本實施方式的芯片間隔擴張步驟的一例的圖。
[0018]圖6是表示本實施方式的吸附保持步驟的一例的圖。
[0019]圖7是表示本實施方式的隆起部形成步驟的一例的圖。
[0020]圖8A?8B是表示本實施方式的加熱收縮步驟的一例的圖。
[0021]標(biāo)號說明
[0022]1:芯片間隔維持裝置；11:工作臺；12:框架保持單元；21:支撐面；23:按壓單元；32:保持面；37:升降氣缸(擴張單元);41:加熱單元；45:熱照射口 ；52:分割預(yù)定線；54:改質(zhì)層(分割起點)；c:芯片；F:環(huán)狀框架；R:隆起部；S:擴張膜;W:被加工物。
【具體實施方式】
[0023]以下，說明本實施方式的芯片間隔維持裝置。圖1是本實施方式的芯片間隔維持裝置的立體圖。圖2是本實施方式的工作臺的上表面示意圖和剖面示意圖。另外，圖2A是表示工作臺的上表面示意圖，圖2B是表示沿著圖2A的A-A線的剖面示意圖，圖2C是表示沿著圖2A的B-B線的剖面示意圖。此外，本實施方式的芯片間隔維持裝置不限于圖1所示的結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)變更。
[0024]如圖1所示，芯片間隔維持裝置I構(gòu)成為，通過擴張膜S的膜擴張，將隔著擴張膜S而支撐于環(huán)狀框架F上的圓板狀的被加工物W分割為各個芯片。此外，芯片間隔維持裝置I構(gòu)成為，在維持芯片間隔的狀態(tài)下解除擴張膜S的擴張，通過加熱收縮(熱縮)去除在膜擴張的解除后產(chǎn)生的松弛。如此，擴張膜S伸展而僅使大幅松弛的部位熱收縮，固定為維持被加工物W的分割后的芯片間隔的狀態(tài)。
[0025]在被加工物W的正面51上設(shè)有格子狀的分割預(yù)定線52，在被分割預(yù)定線52劃分出的各區(qū)域上形成有各種器件(未圖示)。在被加工物W的外緣上設(shè)有表示結(jié)晶方位的凹口 53。另外，被加工物W既可以是在硅、砷化鎵等的半導(dǎo)體基板上形成有IC、LSI等器件的半導(dǎo)體晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、藍寶石類的無機材料基板上形成有LED等光器件的光器件晶片。被加工物W在隔著擴張膜S而支撐于環(huán)狀框架F上的狀態(tài)下被搬入芯片間隔維持裝置I。
[0026]此外，在被加工物W的內(nèi)部沿著分割預(yù)定線52形成有作為分割起點的改質(zhì)層54 (參照圖4)。另外，改質(zhì)層54指的是憑借激光的照射而成為使得被加工物W的內(nèi)部的密度、折射率、機械強度及其他物理特性與周圍不同的狀態(tài)，且強度低于周圍的區(qū)域。改質(zhì)層54例如為熔融處理區(qū)域、裂紋區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域，也可以是上述區(qū)域混合存在的區(qū)域。此外，在以下說明中，作為分割起點舉例示出了改質(zhì)層54，而分割起點只要是降低被加工物W的強度而可成為分割時的起點即可，例如可以是激光加工槽、切削槽、切割道。