專利名稱：有機(jī)el顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)EL(electro-Luminescent)顯示裝置及其制造方法，尤其在提高有機(jī)EL發(fā)光層的發(fā)出光的利用效率的像素構(gòu)造上具有特征。
背景技術(shù)：
作為平板式顯示裝置，液晶顯示裝置(LCD)、等離子顯示裝置(PDP)、場(chǎng)致發(fā)射式顯示裝置(FED)、有機(jī)EL顯示裝置(OLED)等正處于實(shí)用化或?qū)嵱没芯侩A段。其中，作為薄型、輕量的自發(fā)光式顯示裝置的典型，有機(jī)EL顯示裝置是將來極有希望的顯示裝置。有機(jī)EL顯示裝置包括所謂的底部發(fā)光式(bottom emission)和頂部發(fā)光式(top emission)。在此，本發(fā)明是對(duì)有源矩陣方式的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行說明，但其發(fā)光層構(gòu)造也能同樣適用于簡(jiǎn)單矩陣方式等方式的有機(jī)EL顯示裝置。
本發(fā)明尤其優(yōu)選適用于頂部發(fā)光式的有源矩陣方式的有機(jī)EL顯示裝置。作為以往的頂部發(fā)光式的有源矩陣方式的有機(jī)EL顯示裝置具有這樣的構(gòu)造在各像素包括在優(yōu)選采用玻璃的基板上形成的有源元件、形成于該有源元件之上的第一絕緣膜、通過形成于該第一絕緣膜上的接觸孔而與該有源元件連接的第一電極(通常是反射性的金屬電極、不透明電極)、包括形成于第一電極上的有機(jī)發(fā)光層的功能層、覆蓋該功能層的整個(gè)表面的第二電極(通常是由ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的電極)、形成于第一電極的邊緣上和相鄰的第一電極之間上的被稱為堤(bank)的絕緣膜。在專利文獻(xiàn)1中記載有在掃描線的延伸方向的堤的上表面設(shè)置未形成功能層的區(qū)域的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1美國專利US2004-0113550A(對(duì)應(yīng)的日本專利申請(qǐng)JP2004-192977A)發(fā)明內(nèi)容構(gòu)成有機(jī)EL顯示裝置的發(fā)光構(gòu)造的功能層，由于被夾于折射率不同的層之間，所以在發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生的光被關(guān)入功能層內(nèi)而傳播到非發(fā)光區(qū)域。在專利文獻(xiàn)1所公開的內(nèi)容中，由于功能層的非形成區(qū)域(像素分離部)設(shè)置在堤的上表面，所以在傳播光中，在直到在該非形成區(qū)域射出為止的路徑中被轉(zhuǎn)換為熱能、或向基板方向射出等未助于顯示的傳播光較多。若能在像素的中央?yún)^(qū)域?qū)⒃搨鞑ス馊〕鲎鳛轱@示光，則會(huì)提高在發(fā)光層發(fā)出的光量的光利用效率。
本發(fā)明的目的在于提供一種具有用于提高光利用效率的像素構(gòu)造的有機(jī)EL顯示裝置及其制造方法。
本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置，在基板的一面上具有多個(gè)像素，上述多個(gè)像素各自包括在第一電極與第二電極之間具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)EL元件、控制在上述有機(jī)EL元件中流過的電流的有源元件、形成于上述有機(jī)EL元件和上述有源元件之間的第一絕緣層。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明按每一像素分離上述第一電極地形成該上述第一電極，將上述第二電極形成為在多個(gè)像素處共用，由上述第一絕緣層覆蓋上述第一電極的邊緣，在除了上述第一電極的邊緣之外的該第一電極之上形成有與上述第一絕緣層同層的第二絕緣層，上述第二絕緣層相對(duì)于上述基板面具有高度差，通過該高度差在各像素內(nèi)將上述第二電極及上述有機(jī)發(fā)光層分離。
另外，本發(fā)明中，能夠使形成上述高度差的上述第二絕緣層的遠(yuǎn)離上述基板一側(cè)的角為銳角，使上述高度差由相對(duì)于上述基板的面為正錐形的面、和為倒錐形的面形成。
另外，本發(fā)明中，能夠使上述第二絕緣層在被上述第一絕緣層夾著的區(qū)域形成相對(duì)于上述基板面為正錐形的面，將上述第二電極和上述有機(jī)發(fā)光層的邊緣配置在上述正錐形的面之上。
另外，本發(fā)明中，能夠在上述正錐形的面的下層設(shè)有倒錐形的面，在除了上述第一電極的邊緣之外的區(qū)域上形成相對(duì)于該第一電極的面為倒錐形的面的第二絕緣層，在上述倒錐形的面上設(shè)有上述第二電極和上述有機(jī)發(fā)光層的邊緣。
另外，本發(fā)明中，能夠使上述第二絕緣層在被上述第一絕緣層夾著的區(qū)域具有倒錐形的面，將上述第二絕緣層和上述有機(jī)發(fā)光層的邊緣配置在上述倒錐形的面之上。
本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，包括形成對(duì)每一像素進(jìn)行分離的第一電極的步驟；在形成上述第一電極后，在相鄰的第一電極之間、上述第一電極的邊緣上及其中央的一部分上形成絕緣層的步驟；在形成上述絕緣層后，在該絕緣層上依次形成有機(jī)發(fā)光材料和第二電極的步驟。
通過在像素內(nèi)分離發(fā)光區(qū)域，能夠利用在基板面內(nèi)沿平行方向傳播到非發(fā)光部的光作為顯示光，能夠提高光的利用效率，得到高亮度的顯示。


圖1是說明有機(jī)EL顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)一例的圖。
圖2是說明頂部發(fā)光式有機(jī)EL顯示裝置的1像素附近的截面結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的實(shí)施例1的、1像素附近的截面示意圖。
圖4是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的實(shí)施例2的、圖3的A部分的截面示意圖。
圖5A是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的圖。
圖5B是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5A的圖。
圖5C是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5B的圖。
圖5D是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5C的圖。
圖5E是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5D的圖。
圖5F是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5E的圖。
圖5G是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5F的圖。
圖5H是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5G的圖。
圖5I是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5H的圖。
圖5J是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的、接著圖5I的圖。
圖6是說明本發(fā)明的光取出用堤的第一形狀的1像素的平面示意圖。
圖7是說明本發(fā)明的光取出用堤的第二形狀的1像素的平面示意圖。
圖8A～圖8H是說明本發(fā)明的光取出用堤的其他形狀的1像素的平面示意圖。
圖9是示出圖6或圖7的沿Z1-Z2線剖切的堤(bank)的各種截面形狀的示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下，基于本發(fā)明的實(shí)施方式，參照實(shí)施例的附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，開始對(duì)有機(jī)EL顯示裝置的電路構(gòu)成例和頂部發(fā)光式的有機(jī)EL顯示裝置的構(gòu)造進(jìn)行說明。
圖1是說明有機(jī)EL顯示裝置的電路構(gòu)成的一例的圖。在基板上以矩陣狀配置多個(gè)像素電路PXC，構(gòu)成顯示區(qū)域AR。像素電路PXC由有機(jī)EL元件ELE、開關(guān)用薄膜晶體管TFT1(例如p-MOS)、數(shù)據(jù)保存電容Cadd、驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件ELE的驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管TFT2(例如n-MOS)構(gòu)成。
薄膜晶體管TFT1的柵極利用掃描線GL與掃描線驅(qū)動(dòng)電路(柵極·驅(qū)動(dòng)器)連接，在進(jìn)行水平掃描的時(shí)刻被選擇，將來自信號(hào)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)保存電容Cadd。薄膜晶體管TFT2在顯示時(shí)刻導(dǎo)通，使與存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)保存電容Cadd的數(shù)據(jù)信號(hào)的大小相應(yīng)的電流從電源線PL通過有機(jī)EL元件ELE的陰極流到陽極。從電源PS向電源線PL供給所需的電流。信號(hào)線DL通過模擬加法電路AAC而連接在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路(數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器)DD上。有機(jī)EL元件ELE的陽極連接在陽極總線線路ABL上。
圖2是說明頂部發(fā)光式有機(jī)EL顯示裝置的1像素附近的截面結(jié)構(gòu)的圖?；錝UB適合使用石英玻璃或無堿玻璃。在該基板SUB的一表面(主面)上具有基底膜UC?；啄C是用等離子CVD法形成的SiN/SiO的層疊膜。通過受激準(zhǔn)分子激光器將用等離子CVD法形成的非晶硅a-Si膜在基底膜UC之上結(jié)晶而形成多晶硅p-Si膜，通過濕法處理形成加工成島狀的LLD構(gòu)造的多晶硅p-Si膜p-Si。用該多晶硅p-Si膜p-Si構(gòu)成的薄膜晶體管與圖1的驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管TFT2對(duì)應(yīng)。
形成覆蓋多晶硅p-Si膜p-Si的柵極絕緣膜INS1。柵極絕緣膜INS1為TEOS制，通過等離子CVD處理而形成膜。在多晶硅p-Si膜p-Si的上層，在柵極絕緣膜INS1上形成有柵電極GT。柵電極GT為金屬電極(MoW制)，通過等離子CVD法形成TEOS后，用濺鍍法形成MoW，通過濕法處理進(jìn)行加工。在其上形成有層間絕緣膜INS2。層間絕緣膜INS2為SiO制，通過等離子CVD法而形成膜。
穿過柵極絕緣膜INS1和層間絕緣膜INS2而開設(shè)接觸孔，在層間絕緣膜INS2之上形成源·漏電極SD。源·漏電極SD穿過接觸孔而與多晶硅p-Si膜p-Si連接。源·漏電極SD為MoW/Al-Si/MoW的層疊構(gòu)造，通過等離子CVD法形成層間絕緣膜后，通過濺鍍法形成MoW/Al-Si/MoW，通過濕法處理進(jìn)行加工。
形成覆蓋源·漏電極SD的保護(hù)膜(鈍化膜)PAS。在該保護(hù)膜PAS之上形成由像素電極(下部電極，在此為陰極)PXE，穿過設(shè)于保護(hù)膜PAS上的接觸孔而與源極·漏極電極SD連接。像素電極PXE由金屬電極構(gòu)成，在此為鋁Al制。該像素電極PXE也是通過等離子CVD法形成保護(hù)膜PAS后，用濺鍍法形成鋁，通過濕法處理進(jìn)行加工。
在薄膜晶體管的上方形成有由SiN構(gòu)成的堤部(堤)BNKA。該堤BNKA是如劃分相鄰的像素那樣而形成的像素劃分用堤。在形成于相互相鄰的像素劃分用堤BNKA之間的凹部，通過蒸鍍等在像素電極PXE上形成構(gòu)成有機(jī)EL元件的功能層OLE。該功能層OLE從像素電極PXE側(cè)起依次層疊有空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、五氧化釩層。
然后，形成覆蓋功能層OLE、并覆蓋像素劃分用堤BNKA的對(duì)置電極(上部電極)COUNT。該對(duì)置電極COUNT是透明電極，在此使用IZO，但也可以是ITO或其他透明電極膜。對(duì)置電極COUNT是通過濺鍍法而形成共同覆蓋多個(gè)像素的膜，在此起到陽極的作用。
如此構(gòu)成的基板SUB的主面由密封基板CAP密封。在該構(gòu)成例中，密封基板CAP由與基板SUB同樣的材料構(gòu)成，其邊緣為凸形，中央部為凹形。并在邊緣的凸形部分涂敷密封劑，在惰性氣氛中照射紫外線使其固化，從而將其密封固定。能夠在該密封空間內(nèi)收容防濕劑或吸濕劑。
實(shí)施例1圖3是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的實(shí)施例1的、1像素附近的截面示意圖。圖3示出形成于比在圖2的基板SUB的主面上形成的保護(hù)膜PAS更上層的構(gòu)造，省略了薄膜晶體管等的電路構(gòu)造。在圖3中，在保護(hù)膜PAS之上形成有像素電極PXE，在第一絕緣層處第一堤BNKA形成為凸?fàn)?。形成于一?duì)第一堤BNKA之間的凹部劃分1像素區(qū)域。在實(shí)施例1中，將該像素區(qū)域分成C1區(qū)域、B1區(qū)域、C2區(qū)域、B2區(qū)域、C3區(qū)域來予以表示。一對(duì)第一堤BNKA的區(qū)域分別表示為A1區(qū)域、A2區(qū)域。
在B1區(qū)域和B2區(qū)域處的像素電極PXE上，在第二絕緣層處形成有一些隆起的第二-1堤BNKB-1，并在該第二-1堤BNKB-1之上，在第二絕緣層處形成有第二-2堤BNKB-2。在第二絕緣層處，第二-2堤BNKB-2的上表面與第一堤BNKA的上表面大致高度相同。第二-2堤BNKB-2的截面形成為倒梯形，其與第一堤BNKA相對(duì)一側(cè)的面向基板側(cè)具有倒錐形。
在一對(duì)第一堤BNKA之間，在C1區(qū)域、B1區(qū)域、C2區(qū)域、B2區(qū)域、C3區(qū)域處，在C1區(qū)域、C2區(qū)域、C3區(qū)域的像素電極PXE之上形成有構(gòu)成有機(jī)EL發(fā)光元件的功能層OLE1、OLE3、OLE5，在B1區(qū)域、B2區(qū)域處，在第二-2堤BNKB-2之上形成有OLE2、OLE4。在A1區(qū)域、B1區(qū)域、B2區(qū)域、A2區(qū)域處，跨越邊界地形成有一些相鄰的區(qū)域的功能層。并且，形成有覆蓋全部這些功能層、并相對(duì)于多個(gè)像素共用的對(duì)置電極COUNT。在圖3中，對(duì)置電極COUNT被分離成如下方式來予以表示，即在A1區(qū)域和C1區(qū)域?yàn)镃OUNT1、在B1區(qū)域?yàn)镃OUNT2、在C2區(qū)域?yàn)镃OUNT3、在B2區(qū)域?yàn)镃OUNT4、在C3區(qū)域和A2區(qū)域?yàn)镃OUNT5，當(dāng)然，這些對(duì)置電極在未圖示的部分電連接在一起。
在像素內(nèi)分離了發(fā)光區(qū)域的像素構(gòu)造中，例如功能層OLE1的一部分發(fā)光大致沿基板面?zhèn)鞑r(shí)，如圖3的粗箭頭所示，該光在對(duì)置電極與第二-1堤BNKB-1、第二-2堤BNKB-2與功能層等的界面或斜面反射，最終作為顯示光而射出。
如此，根據(jù)實(shí)施例1，通過在像素內(nèi)分離發(fā)光區(qū)域，能夠利用在基板面的方向傳播到堤等非發(fā)光部的光作為顯示光，能夠提高光的利用效率，并得到高亮度的顯示。
實(shí)施例2圖4是說明本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的實(shí)施例2的、圖3的A部分的截面示意圖。在實(shí)施例2中，將位于圖3的C1區(qū)域與C2區(qū)域之間的B1區(qū)域劃分為B1-1區(qū)域、C1-2區(qū)域、B1-2區(qū)域，在B1-1區(qū)域和B1-2區(qū)域形成如圖4所示那樣的截面為翼形配置、且各自為大致梯形的第二-2堤BNKB-2。在這些第二-2堤BNKB-2和C1-2區(qū)域的范圍內(nèi)形成有功能層OLE2和對(duì)置電極COUNT2。
根據(jù)實(shí)施例2，通過在像素內(nèi)分離發(fā)光區(qū)域，也能夠利用在基板面的方向傳播到堤等非發(fā)光部的光作為顯示光，能夠提高光的利用效率，并得到高亮度的顯示。
實(shí)施例3接著，使用圖5A至圖5J將本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法作為實(shí)施例3來進(jìn)行說明。在此，以在圖4所說明的有機(jī)EL顯示裝置為例進(jìn)行說明。首先，在形成了薄膜晶體管TFT、源極·漏極SD、保護(hù)膜PAS及像素電極PXE的基板SUB的該像素電極PXE上形成第二-1堤BNKB-1(圖5A)。該第二-1堤BNKB-1是在通過PCVD法形成了SiN膜后通過濕法處理而形成圖案的。
形成覆蓋第二-1堤BNKB-1的氮化硅SiN膜，形成作為第二-2堤的堤層BNK(圖5B)。該堤層BNK通過PCVD(等離子CVD)而形成。此時(shí)，下層的氧濃度變高，成為Si/N比恒定的氮化硅SiN。
在堤層BNK上涂敷感光性抗蝕劑R，通過光刻處理在第二-1堤BNKB-1之間形成開口AP(圖5C)。通過該開口AP對(duì)堤層BNK實(shí)施干蝕刻(圖5D)。此時(shí)，通過最終蝕刻形成將開口AP作為中心的大致為倒梯形的除去部分。之后，剝離除去感光性抗蝕劑R(圖5E)。
接著，涂敷感光性抗蝕劑R，通過光刻處理在大致為倒梯形的除去部分和第二-2堤的形成區(qū)域上殘留感光性抗蝕劑R(圖5F)。通過該感光性抗蝕劑R進(jìn)行濕法蝕刻。此時(shí)，對(duì)感光性抗蝕劑R一例部分進(jìn)行最終蝕刻(圖5G)。其后，剝離除去感光性抗蝕劑R而得到翼狀配置的大致梯形的(圖5G)第二-2堤BNKB-2(圖5H)。
在像素電極PXE、第二-1堤BNKB-1、第二-2堤BNKB-2上蒸鍍構(gòu)成有機(jī)EL發(fā)光層的功能膜OLE(圖5I)。然后形成對(duì)置電極COUNT膜(圖5J)。在被翼狀的懸起了的第二-2堤BNKB-2擋住的部分也形成有功能膜OLE與對(duì)置電極COUNT的一部分。由此，得到如圖4所示的像素構(gòu)造。
圖6是說明本發(fā)明的光取出用堤的第一形狀的1像素的平面示意圖。圖6中的外框表示第一堤BNKA(圖3中的A區(qū)域(A-1區(qū)域、A-2區(qū)域))，豎的細(xì)線表示第二堤BNKB(第二-1堤BNKB-1、第二-2堤BNKB-2)，畫斜線的部分表示發(fā)光區(qū)(發(fā)光區(qū)域、C區(qū)域)。在該例子中，第二堤BNKB為4個(gè)，其端部與第一堤BNKA分開。
圖7是說明本發(fā)明的光取出用堤的第二形狀的1像素的平面示意圖。圖7中的第一堤BNKA、第二堤BNKB、發(fā)光區(qū)域的數(shù)目與圖6相同，與圖6的不同點(diǎn)在于第二堤BNKB的端部與第一堤BNKA接觸。
圖8A～圖8H是說明本發(fā)明的光取出用堤的其他形狀的1像素的平面示意圖。圖8A～圖8H中的外框、細(xì)線表示與圖6、圖7相同的功能部分。外框內(nèi)的白底部分是發(fā)光區(qū)域(發(fā)光區(qū))。圖8A～圖8H所示的像素構(gòu)造中，圖8H所示的第二堤BNKB連成圓形，電導(dǎo)通被截?cái)?，所以在圓形內(nèi)不發(fā)光，是用矩形的發(fā)光圖案包圍圓形的非發(fā)光圖案而成的像素圖案。
圖9是示出圖6或圖7的沿Z1-Z2線剖切的堤的各種截面形狀的示意圖。A1、A2是劃分1像素的第一堤，B1～B4是第二堤(光取出用堤)，C1～C5表示發(fā)光區(qū)域。在此做成4個(gè)第二堤，但并不限于此。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL顯示裝置，其在基板的一面上具有多個(gè)像素，上述多個(gè)像素各自包括在第一電極與第二電極之間具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)EL元件、控制在上述有機(jī)EL元件中流過的電流的有源元件、以及形成于上述有機(jī)EL元件和上述有源元件之間的第一絕緣層，其特征在于上述第一電極被形成為使其按每一像素而分離，上述第二電極被形成為在多個(gè)像素中共用，由上述第一絕緣層覆蓋上述第一電極的邊緣，在除了上述第一電極的邊緣之外的該第一電極之上形成有與上述第一絕緣層同層的第二絕緣層，上述第二絕緣層相對(duì)于上述基板面具有高度差，通過該高度差在各像素內(nèi)使上述第二電極和上述有機(jī)發(fā)光層分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于形成上述高度差的上述第二絕緣層的遠(yuǎn)離上述基板一側(cè)的角為銳角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于上述高度差由相對(duì)于上述基板的一面為正錐形的面和為倒錐形的面形成。
4.一種有機(jī)EL顯示裝置，其在基板的一面上具有多個(gè)像素，上述多個(gè)像素各自包括在第一電極與第二電極之間具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)EL元件、控制在上述有機(jī)EL元件中流過的電流的有源元件、以及形成于上述有機(jī)EL元件和上述有源元件之間的第一絕緣層，其特征在于上述第一電極被形成為使其按像素單位而分離，上述第二電極被形成為在多個(gè)像素中共用，由上述第一絕緣層覆蓋上述第一電極的邊緣，在除了上述第一電極的邊緣之外的該第一電極上具有與上述第一絕緣層同層的第二絕緣層，上述第二絕緣層在被上述第一絕緣層夾著的區(qū)域具有相對(duì)于上述基板的一面為正錐形的面，上述第二電極和上述有機(jī)發(fā)光層的邊緣位于上述正錐形的面之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于在上述正錐形的面的下層有倒錐形的面。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于在除了上述第一電極的邊緣之外的區(qū)域上形成有相對(duì)于該第一電極的面為倒錐形的面的第二絕緣層，在上述倒錐形的面上有上述第二電極和上述有機(jī)發(fā)光層的邊緣。
7.一種有機(jī)EL顯示裝置，其在基板的一面上具有多個(gè)像素，上述多個(gè)像素各自包括在第一電極與第二電極之間具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)EL元件、控制在上述有機(jī)EL元件中流過的電流的有源元件、以及形成于上述有機(jī)EL元件和上述有源元件之間的第一絕緣層，其特征在于上述第一電極被形成為使其按每一像素而分離，上述第二電極被形成為在多個(gè)像素中共用，由上述第一絕緣層覆蓋上述第一電極的邊緣，在除了上述第一電極的邊緣之外的該第一電極上具有與上述第一絕緣層同層的第二絕緣層，上述第二絕緣層在被上述第一絕緣層夾著的區(qū)域具有倒錐形的面，上述第二電極和上述有機(jī)發(fā)光層的邊緣位于上述倒錐形的面之上。
8.一種有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括形成按每一像素而分離的第一電極的步驟；在形成上述第一電極后，在相鄰的第一電極之間、上述第一電極的邊緣及其中央的一部分上形成絕緣層的步驟；以及在形成上述絕緣層后，在該絕緣層上依次形成有機(jī)發(fā)光材料和第二電極的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)EL顯示裝置及其制造方法。在保護(hù)膜之上形成有像素電極，在第一絕緣層中第一堤形成為凸?fàn)?。在一?duì)第一堤((A1)區(qū)域、(A2)區(qū)域)之間的(B1)區(qū)域、(B2)區(qū)域處的像素電極上，在第二絕緣層中形成有一些隆起的第二－1堤，并在該第二－1堤之上，在第二絕緣層處形成有第二－2堤。第二－2堤的截面形成為倒梯形，其與第一堤相對(duì)一側(cè)的面向基板側(cè)具有倒錐形。在一對(duì)第一堤之間，在(C1)區(qū)域、(C2)區(qū)域、(C3)區(qū)域處的像素電極之上形成有構(gòu)成有機(jī)EL發(fā)光元件的功能層(OLE1)、(OLE3)、(OLE5)，在(B1)區(qū)域、(B2)區(qū)域處，在第二－2堤之上形成有(OLE2)、(OLE4)。形成有覆蓋全部這些功能層、并相對(duì)于多個(gè)像素共用的對(duì)置電極。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101055889SQ200710091198
公開日2007年10月17日 申請(qǐng)日期2007年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月12日
發(fā)明者甲斐和彥, 伊藤雅人, 松崎永二 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器