專利名稱：多芯片封裝模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝模塊及其制造方法，特別是關(guān)于一種 多芯片封裝模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)階段計(jì)算機(jī)工業(yè)的目標(biāo)包括更高的效能、更低的成本、更小的機(jī)身以及更大的集成電路(Integrated circuits, IC)封裝密度。隨著新 一 代集成電路產(chǎn)品的問(wèn)世，新產(chǎn)品的 功能更為強(qiáng)大而所需的元件數(shù)目卻反而減少。半導(dǎo)體裝置是由硅或是砷化鎵晶圓經(jīng)過(guò)沉積、微影、擴(kuò) 散、蝕刻及植入等 一 連串的程序建構(gòu)而成。通常很多獨(dú)立的 裝置會(huì)從同 一 片晶圓制造出來(lái)。當(dāng)這些裝置被切割成獨(dú)立的 矩型單元，每 一 個(gè)都成為 一 個(gè)集成電路芯片(IC die)。為了 要在芯片和其它電路之間形成接口 ，通常會(huì)將芯片設(shè)置在導(dǎo) 線架上或是周圍有很多引腳的基板上。每 一 個(gè)芯片上都有用 以接合的焊墊，可以在打線接合(wire-bonding)過(guò)程中讓極 細(xì)的金線或鋁線由此連接到導(dǎo)線架的引腳上，或是用于覆晶 接合。覆晶接合(flipped chip attachment)則是將 一 翻覆的芯片 (以下簡(jiǎn)稱覆晶)連接到電路板或是另 一 基板上。覆晶具有由 周圍的線路圖案或陣列的終端組成的接合表面，用以倒置在 基板上。 一 般來(lái)說(shuō)，覆晶的接合表面通常具有下列電性連接 件其中之 一 球閘狀陣歹ij (Ball grid array, BGA)或是略大于芯片的載體(slightly larger that IC carrier, SLICC) 。 3求閘狀 陣列(BGA)是 一 種具有微小焊球陣列的電性連接結(jié)構(gòu)，其設(shè) 置在覆晶的接合表面用以接合至基板。略大于芯片的載體 (SLICC)與球閘狀陣列相似，但其焊球直徑以及間距較小。就球閘狀陣列(BGA)或略大于芯片的載體(SLICC)而言， 焊球或是其它導(dǎo)電球的配置必須是電路板上與之相連的焊 墊的鏡向設(shè)置，如此 一 來(lái)焊球才可以精確地與焊墊相連。透 過(guò)回焊焊球的方式，覆晶與電路板得以連接在 一 起。焊球也可以使用導(dǎo)電聚合物或是金凸塊替代。打線接合以及軟帶接合(TAB attachment)初期通常是將半導(dǎo)體芯片以適當(dāng)?shù)酿ぶ鴦?例如是環(huán)氧樹(shù)脂)黏貼在小電路板的表面。如果是打線接合，便接著將導(dǎo)電 一 次條地分別從半導(dǎo)體芯片上的接合墊延伸到電路板上對(duì)應(yīng)的金屬引腳或?qū)Ь€末端上。如果是軟帶接合，則將絕緣軟帶上承載的金屬引腳兩端分別黏接到半導(dǎo)體芯片上的接合墊以及電路板上對(duì)應(yīng)的金屬引腳或?qū)Ь€末端。最后用封膠包覆導(dǎo)線以及軟帶上的金屬引腳以防止受傷及污染。然而，在有限的引腳數(shù)目、更薄的機(jī)身、更輕的重量以 及更低的成本的要求下，移動(dòng)電話、手提電腦或其它消費(fèi)類 產(chǎn)品等可攜式電子產(chǎn)品需要更多元的半導(dǎo)體功能以及更好 的性能。這樣的需求迫使業(yè)界必須積極地整合個(gè)別功能的半 導(dǎo)體芯片，才有辦法達(dá)成上述的要求。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種多芯片封裝模塊及其制造方 法，可以將多個(gè)芯片設(shè)置在其中，讓模塊的功能強(qiáng)大完整， 創(chuàng)造 一 個(gè)最佳化的系統(tǒng)在模塊中。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種多芯片封裝模塊包括第 一基板、第 一 芯片、第 一 半導(dǎo)體元件、第 一 封膠以及第二半 導(dǎo)體元件。第 一 芯片設(shè)置在第 一 基板上。倒置的第 一 半導(dǎo)體 元件設(shè)置在第 一 芯片上方。第 一 封膠包覆第 一 芯片以及第一 半導(dǎo)體元件，第一封膠具有開(kāi)口而暴露出部分的第一半導(dǎo)體 元件。第二半導(dǎo)體元件的底面設(shè)置有若干個(gè)第一導(dǎo)電凸塊， 第二半導(dǎo)體元件設(shè)置在第一半導(dǎo)體元件上，并位于開(kāi)口中，第二半導(dǎo)體元件透過(guò)這些第一導(dǎo)電凸塊與第一半導(dǎo)體元件電性連接。根據(jù)本發(fā)明的目的，再提出 一 種多芯片封裝模塊的制造方法，包括下列步驟(a)提供第 一 基板；(b)將第一芯片設(shè)置在第 一 基板上；(c)將第一半導(dǎo)體元件翻覆并設(shè)置在第一芯片之上；(d)將第一芯片與第一半導(dǎo)體元件分別電性連接至第一基板；(e)將第一芯片以及第 一 半導(dǎo)體元件以封膠密封，但形成開(kāi)口在第--半導(dǎo)體元件上以暴露出部分的第一半導(dǎo)體元件；以及(f)將第二半導(dǎo)體元件的若干個(gè)第導(dǎo)電凸塊焊接至第一半導(dǎo)體元件，使得第二半導(dǎo)體元件設(shè)置在第一半導(dǎo)體元件上并位于開(kāi)口中。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的多芯片封裝模塊及其制造 方法具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。由于更多的芯片可以設(shè)置在封裝模塊 中，使得封裝件的體積可進(jìn) 一 步的縮小，并具有較佳的性 能。具有多種功能的第二半導(dǎo)體元件可以被組合進(jìn)多芯片封裝模塊中以擴(kuò)充及多元化其功能。此外，由于一旦客戶提供 訂單時(shí)，具有特定功能的第二半導(dǎo)體元件馬上可以組裝在具有基本功能并且預(yù)先組裝好的半成品封裝件上，因此具備特 定功能的多芯片封裝模塊將可以更快速地被制造出來(lái)。如此 一來(lái)，傳統(tǒng)上必須利用龐大又復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)踐的功能 完整的模塊，本發(fā)明只要利用彈性化的設(shè)計(jì)以及組合不同功能芯片就可以讓封裝模塊具有完整的功能與較佳的性能，可 以同時(shí)加速并簡(jiǎn)化制造流程。以下結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。


意圖。 圖 圖意圖。1為本發(fā)明第2A ~ 2E為圖3為本發(fā)明第 4A ~ 4E為圖5為本發(fā)明第 6A ~ 6D為圖一實(shí)施例的多芯片封裝模塊的剖面圖。 1多芯片封裝模塊的制造方法的示意二實(shí)施例的多芯片封裝模塊的剖面圖。 3所示多芯片封裝模塊的制造方法的示三實(shí)施例的多芯片封裝模塊的剖面圖。 5所示多芯片封裝模塊的制造方法的示具體實(shí)施方式
本發(fā)明的多芯片封裝模塊的頂面包括 一 倒置的半導(dǎo)體 元件，其部分基板棵露以供另 一 半導(dǎo)體元件設(shè)置。本發(fā)明就 是利用這樣的方式讓多個(gè)芯片得以匯聚在單個(gè)封裝模塊內(nèi)。有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就結(jié)合

如下第 一 實(shí)施例圖1為依照本發(fā)明第 一 實(shí)施例的多芯片封裝模塊的剖面 圖。本實(shí)施例的多芯片封裝模塊1 00包括基板110、芯片 120、第一半導(dǎo)體元件140、封膠150以及第二半導(dǎo)體元件 160。芯片120設(shè)置在基板110上，較佳的是芯片120的若干個(gè)導(dǎo)電凸塊122焊接于基板110，用以電性連接芯片120 以及基板110。倒置的第一半導(dǎo)體元件140設(shè)置在芯片120 上方。封膠150包覆芯片120以及第 一 半導(dǎo)體元件140，封 膠150具有開(kāi)口 155而暴露出部分的第一半導(dǎo)體元件140。 第二半導(dǎo)體元件160的底面設(shè)置有若干個(gè)導(dǎo)電凸塊168，第 二半導(dǎo)體元件160設(shè)置在第 一 半導(dǎo)體元件.140上，并位于開(kāi) 口 155中。第二半導(dǎo)體元件160透過(guò)若干個(gè)導(dǎo)電凸塊168 與第一半導(dǎo)體元件140電性連接。半導(dǎo)體元件可以是次封裝件，也就是包括至少 一 芯片設(shè) 置在基板上。舉例來(lái)說(shuō)，第一半導(dǎo)體元件140是次封裝件， 至少包括基板142、芯片144以及封膠148?；?42設(shè)置 在芯片120上方。芯片144設(shè)置在基板142上并與基板142 電性連接，例如是透過(guò)打線接合的方式。封膠1 48包覆芯片 144以及基板142。第一半導(dǎo)體元件140以其底面朝上的方 式設(shè)置在芯片120上，封膠150的開(kāi)口 155暴露部分的基 板142。如圖1所示，第 一半導(dǎo)體元件140較佳的是再承載 另 一 芯片1 46或是更多芯片以擴(kuò)展封裝件1 00的功能。此 外，第二半導(dǎo)體元件160也較佳的是次封裝件，至少包括基 板162、芯片164以及封膠166?；?62的底面設(shè)置若干 個(gè)導(dǎo)電凸塊168。芯片164設(shè)置在基板162的頂面上，并利 用例如是打線接合的方式與基板1 62電性連接。封膠166 包覆芯片1 64以及基板1 62 。雖然圖1中清楚揭示第 一 半導(dǎo) 體元件1 4 0以及第二半導(dǎo)體元件1 6 0的細(xì)部結(jié)構(gòu)，然而多芯 片封裝模塊1 00內(nèi)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)并不限定于此。舉例來(lái) 說(shuō)，第一半導(dǎo)體元件140可以只包括單一芯片，而第二半導(dǎo) 體元件160可以包括兩個(gè)芯片。進(jìn) 一 步的說(shuō)，另 一 芯片可以設(shè)置在芯片1 2 0上并打線接 合至基板110。更多的芯片因此可以設(shè)置在多芯片封裝模塊I 00中，使得模塊內(nèi)的系統(tǒng)功能更為強(qiáng)大完整。在第一半導(dǎo)體元件140以及第二半導(dǎo)體元件160之間的 間隔較佳的是填充底填材料169。若干個(gè)焊球1 05設(shè)置在基 板11 0的底面，用以電性連接另 一 基壽反或電路板。圖2A ~ 2E為依照?qǐng)D1的多芯片封裝模塊的制造方法的 示意圖。本實(shí)施例的芯片封裝模塊的制造方法包括下列步 驟首先，提供基板110,并透過(guò)焊接導(dǎo)電凸塊122的方式 將芯片120設(shè)置在基板110上，如圖2A所示。然后，將第 一半導(dǎo)體元件140翻覆并設(shè)置在芯片120上，如圖2B所示。 芯片120以及第一半導(dǎo)體元件140分別透過(guò)導(dǎo)電凸塊122 及導(dǎo)線1 49電性連接至基板110。接著，將芯片1 20以及第 一半導(dǎo)體元件140以封膠150密封，但形成開(kāi)口 155在第一 半導(dǎo)體元件140上以暴露出部分的第 一 半導(dǎo)體元件140，如 圖2C所示。之后，將第二半導(dǎo)體元件160的若干個(gè)導(dǎo)電凸 塊168焊接至第 一半導(dǎo)體元件IO,使得第二半導(dǎo)體元件160 設(shè)置在第一半導(dǎo)體元件140上并位于開(kāi)口 155中，如圖2D 所示。最后，填充底填材料169在第 一 半導(dǎo)體元件140以及 第二半導(dǎo)體元件1 60之間，并將若干個(gè)焊球1 05設(shè)置在基板II 0的底面，如圖2E所示。具有多種功能的第二半導(dǎo)體元 件可以被組合進(jìn)多芯片封裝模塊1 00中以擴(kuò)充及多元化其 功能。此外，由于 一 旦客戶提供訂單時(shí)，具有特定功能的第 二半導(dǎo)體元件馬上可以組裝在具有基本功能并且預(yù)先組裝 好的半成品封裝件上，因此具備特定功能的多芯片封裝模塊 將可以更快速地被制造出來(lái)。第二實(shí)施例圖3為依照本發(fā)明第二實(shí)施例的多芯片封裝模塊的剖面 圖。本實(shí)施例與上述實(shí)施例的不同之處僅在于芯片120 、基板1 1 0及其連接方式。這些差異將在下段做詳細(xì)說(shuō)明，而保 留原有標(biāo)號(hào)的則為相同的元件，因此將不再贅述。請(qǐng)參考圖3 ，本實(shí)施例的多芯片封裝模塊200包括基板 110、芯片120、第 一 半導(dǎo)體元件140、封膠1 5 0以及第二半 導(dǎo)體元件160。芯片120設(shè)置在基板110上，較佳的是芯片 120的若干條導(dǎo)線222電性連接芯片120以及基板1 10。倒 置的第 一 半導(dǎo)體元件1 40設(shè)置在芯片1 20上方。多芯片封裝 模塊200還包括間隔材230設(shè)置在芯片120及第 一 半導(dǎo)體元 件140之間。間隔材23 0較佳的是硅間隔物(silicon spacer) 或聚酰亞胺膜(polyimide film)。間隔材230將芯片120與第 一半導(dǎo)體元件140隔開(kāi)，產(chǎn)生空間讓導(dǎo)線222得以從芯片 120延展至基板110。
封膠150包覆芯片120 、間隔材23 0 以及第一半導(dǎo)體元件140，封膠150具有開(kāi)口 155而暴露出 部分的第一半導(dǎo)體元件140。第二半導(dǎo)體元件160設(shè)置在第 一半導(dǎo)體元件140上，并位于開(kāi)口 155中。半導(dǎo)體元件可以是次封裝件，也就是包括至少 一 芯片設(shè) 置在基板上。雖然圖3中清楚揭示兩芯片1 44及1 46是設(shè)置 在第 一 半導(dǎo)體元件140內(nèi)以及單 一 芯片164設(shè)置在第二半導(dǎo) 體元件1 60內(nèi)，然而多芯片封裝模塊200內(nèi)的半導(dǎo)體元件結(jié) 構(gòu)并不限定于此。舉例來(lái)說(shuō)，第 一 半導(dǎo)體元件1 40可以只包 括單 一 芯片，而第二半導(dǎo)體元件1 60可以包括兩個(gè)芯片。圖4A ~ 4E為依照?qǐng)D3的多芯片封裝模塊的制造方法的 示意圖。本實(shí)施例的芯片封裝模塊200的制造方法包括下列 步驟首先，提供基板110,并將芯片120設(shè)置在基板110 上，如第4A圖所示。然后，芯片120透過(guò)導(dǎo)線222接合的 方式與基板11 0電性連接，如第4B圖所示。接著，將間隔 材230設(shè)置在芯片120上，如第4C圖所示。之后，將第一 半導(dǎo)體元件140翻覆并設(shè)置在芯片120之上，并利用打線接合的方式與基板1 1 0電性連接，如第4D圖所示。芯片120 以及第 一 半導(dǎo)體元件140分別透過(guò)導(dǎo)線222及149電性連接 至基板110。接著，以第 一 實(shí)施例所述的方式，依序地以封 膠1 5 0密封并設(shè)置第二半導(dǎo)體元件1 60以完成圖4E中的多 芯片封裝模塊200。第三實(shí)施例圖5為依照本發(fā)明第三實(shí)施例的多芯片封裝模塊的剖面 圖。本實(shí)施例與上述實(shí)施例的不同之處僅在于芯片12 0、基 板110以及芯片120與第一半導(dǎo)體元件140之間的連接方 式。這些差異將在下段做詳細(xì)說(shuō)明，而保留原有標(biāo)號(hào)的則為 相同的元件，因此將不再贅述。請(qǐng)參考圖5 ,本實(shí)施例的多芯片封裝模塊300包括基板 110、芯片120、第一半導(dǎo)體元件140、第一封膠330 、第二 封膠150以及第二半導(dǎo)體元件160。
芯片120設(shè)置在基板 110上，較佳的是芯片120的若干條導(dǎo)線222電性連接芯片 120以及基板110。第 一封膠330包覆芯片120及導(dǎo)線22 2。 倒置的第一半導(dǎo)體元件140設(shè)置在芯片120上方，較佳的是 堆疊在第 一 封膠330上。第二封膠150包覆芯片120、第一 封膠330以及第 一 半導(dǎo)體元件140，第二封膠150具有開(kāi)口 155而暴露出部分的第一半導(dǎo)體元件140。第二半導(dǎo)體元件 160設(shè)置在第 一 半導(dǎo)體元件140上，并位于開(kāi)口 155中。圖6A ~ 6D為依照?qǐng)D5的多芯片封裝模塊的制造方法的 示意圖。本實(shí)施例的芯片封裝模塊300的制造方法包括下列 步驟首先，提供基板110,將芯片120設(shè)置在基板110上， 并透過(guò)導(dǎo)線222接合的方式與基板110電性連接，如圖6A 所示。然后，第 一 封膠330包覆芯片120以及導(dǎo)線222，如 圖6B所示。接著，將第 一 半導(dǎo)體元件1 40翻覆并設(shè)置在芯片120之上，較佳的是設(shè)置在第 一 封膠330上，并利用打線 接合的方式與基板11 0電性連接，如圖6C所示。芯片12 0 以及第 一 半導(dǎo)體元件140分別透過(guò)導(dǎo)線222及149電性連接 至基板110。最后，以第 一 實(shí)施例所述的方式，依序地以第 二封膠150密封并設(shè)置第二半導(dǎo)體元件160以完成圖6D中 的多芯片封裝模塊300 。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的多芯片 封裝模塊及其制造方法具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。由于更多的芯片可以 設(shè)置在封裝模塊中，使得封裝件的體積可進(jìn) 一 步的縮小，并 具有較佳的性能。具有多種功能的第二半導(dǎo)體元件可以被組 合進(jìn)多芯片封裝模塊中以擴(kuò)充及多元化其功能。此外，由于 一旦客戶提供訂單時(shí)，具有特定功能的第二半導(dǎo)體元件馬上 可以組裝在具有基本功能并且預(yù)先組裝好的半成品封裝件 上，因此具備特定功能的多芯片封裝模塊將可以更快速地被 制造出來(lái)。如此 一 來(lái)，傳統(tǒng)上必須利用龐大又復(fù)雜的電路設(shè) 計(jì)來(lái)實(shí)踐的功能完整的模塊，本發(fā)明只要利用彈性化的設(shè)計(jì) 以及組合不同功能芯片就可以讓封裝模塊具有完整的功能 與較佳的性能，可以同時(shí)加速并簡(jiǎn)化制造流程。
權(quán)利要求
1. 一種多芯片封裝模塊，包括第一基板；第一芯片，設(shè)置在所述第一基板上；第一半導(dǎo)體元件，設(shè)置在所述第一芯片上方；第一封膠，包覆所述第一芯片以及所述第一半導(dǎo)體元件；以及第二半導(dǎo)體元件，其底面設(shè)置有若干個(gè)第一導(dǎo)電凸塊，所述第二半導(dǎo)體元件設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體元件上；其特征在于所述第一半導(dǎo)體元件是以倒置的方式設(shè)置在所述第一芯片上方，所述第一封膠具有開(kāi)口而暴露出部分的所述第一半導(dǎo)體元件，所述第二半導(dǎo)體元件位于所述開(kāi)口中并通過(guò)所述第一導(dǎo)電凸塊與所述第一半導(dǎo)體元件電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝模塊，其特征在于 所述多芯片封裝模塊進(jìn)一步包括若干個(gè)第二導(dǎo)電凸塊，用以 電性連接所述第 一 芯片以及所述第 一 基板。
3 .如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝模塊，其特征在于 所述多芯片封裝模塊進(jìn) 一 步包括若干條導(dǎo)線，用以電性連接 所述第 一 芯片以及所述第 一 基板。
4.如權(quán)利要求3所述的多芯片封裝模塊，其特征在于 所述多芯片封裝模塊進(jìn) 一 步包括第二封膠包覆所述第 一 芯 片。
5 .如權(quán)利要求3所述的多芯片封裝模塊，其特征在于 所述多芯片封裝模塊進(jìn) 一 步包括間隔材，設(shè)置在所述第 一 芯片及所述第 一 半導(dǎo)體元件之間。
6. 如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝模塊，其特征在于 所述第 一 半導(dǎo)體元件是 一 次封裝件，所述第 一 半導(dǎo)體元件至 少包括-.第二基板；第二芯片，設(shè)置在所述第二基板上；以及第二封膠，包覆所述第二芯片以及所述第二基板；其特征在于所述第 一 半導(dǎo)體元件以該第二基板底面朝上的倒置方式設(shè)置在所述第 一 芯片上，所述第 一 封膠的所述開(kāi)口暴露部分的所述第二基板。
7. 如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝模塊，其特征在于 所述第二半導(dǎo)體元件是 一 次封裝件，所述第二半導(dǎo)體元件至 少包括第二基板，所述第二基板的一底面設(shè)置所述第一導(dǎo)電凸塊；第二芯片，設(shè)置在所述第二基板的 一 頂面上；以及 第二封膠，包覆所述第二芯片以及所述第二基板。
8. 如權(quán)利要求1所述的多芯片封裝模塊，其特征在于 所述多芯片封裝模塊進(jìn) 一 步包括底填材料，填充于所述第一 半導(dǎo)體元件以及所述第二半導(dǎo)體元件之間。
9. 一種多芯片封裝模塊的制造方法，包括下列步驟 提供第 一 基板；將第 一 芯片設(shè)置在所述第 一 基板上； 將第 一 半導(dǎo)體元件設(shè)置在所述第 一 芯片之上； 將所述第 一 芯片與所述第 一 半導(dǎo)體元件分別電性連接 至所述第 一 基板；將所述第 一 芯片以及所述第 一 半導(dǎo)體元件以封膠密封'，以及將第二半導(dǎo)體元件的若干個(gè)第一導(dǎo)電凸塊焊接至所述第一半導(dǎo)體元件；其特征在于所述第 一 半導(dǎo)體元件是以翻覆的方式設(shè)置在所述第 一 芯片之上，所述封膠密封步驟進(jìn)一步包括形成開(kāi)在第一半導(dǎo)體元件上以暴露出部分的所述第一半導(dǎo)體元件,所述第二半導(dǎo)體元件設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體元件上并位于所述開(kāi)口中。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述方法進(jìn)步包括設(shè)置若干個(gè)第二導(dǎo)電凸塊，用以電性連接所述第一芯片以及所述第 一 基板。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述方法進(jìn)步包括設(shè)置若干條導(dǎo)線，用以電性連接所述第一樸 心片以及所述第 一 基板。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述方法進(jìn)步包括以封膠密封所述第 一 芯片。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述方法進(jìn)步包括提供間隔材，并將其設(shè)置在所述第一樸 心片以及所述第 一 半導(dǎo)體元件之間。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述第半導(dǎo)體元件是 一 次封裝件，所述第 一 半導(dǎo)體元件至少包括 第二基板，設(shè)置在所述第 一 芯片上； 第二芯片，設(shè)置在所述第二基板上；以及 第二封膠，包覆所述第二芯片以及所述第二基板；其特征在于所述第 一 半導(dǎo)體元件以其底面朝上的方 式設(shè)置在所述第 一 芯片上，所述第 一 封膠的所述開(kāi)口暴露部 分的所述第二基板。
15. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述第二半 導(dǎo)體元件是 一 次封裝件，所述第二半導(dǎo)體元件至少包括第二基板，所述第二基板的一底面設(shè)置所述第一導(dǎo)電 凸塊；第二芯片，設(shè)置在所述第二基板的 一 頂面上；以及 第二封膠，包覆所述第二芯片以及所述第二基板。
16. 如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述方法進(jìn) 一步包括填充底填材料于所述第 一 半導(dǎo)體元件以及所述第 二半導(dǎo)體元件之間。
全文摘要
一種多芯片封裝模塊包括第一基板、第一芯片、第一半導(dǎo)體元件、第一封膠以及第二半導(dǎo)體元件。第一芯片設(shè)置在第一基板上。倒置的第一半導(dǎo)體元件設(shè)置在第一芯片上方。第一封膠包覆第一芯片以及第一半導(dǎo)體元件，第一封膠具有開(kāi)口而暴露出部分的第一半導(dǎo)體元件。第二半導(dǎo)體元件的底面設(shè)置有若干個(gè)第一導(dǎo)電凸塊，第二半導(dǎo)體元件設(shè)置在第一半導(dǎo)體元件上，并位于開(kāi)口中，第二半導(dǎo)體元件透過(guò)這些第一導(dǎo)電凸塊與第一半導(dǎo)體元件電性連接。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101266966SQ20071008931
公開(kāi)日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2007年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月16日
發(fā)明者梁準(zhǔn)榮 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司